JP2008109048A - 光半導体装置及び光伝送装置 - Google Patents

光半導体装置及び光伝送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008109048A
JP2008109048A JP2006292846A JP2006292846A JP2008109048A JP 2008109048 A JP2008109048 A JP 2008109048A JP 2006292846 A JP2006292846 A JP 2006292846A JP 2006292846 A JP2006292846 A JP 2006292846A JP 2008109048 A JP2008109048 A JP 2008109048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
semiconductor element
optical
optical transmission
internal lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006292846A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatake Onobuchi
正剛 斧渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Discrete Semiconductor Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Discrete Semiconductor Technology Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2006292846A priority Critical patent/JP2008109048A/ja
Priority to US11/925,216 priority patent/US20080135863A1/en
Publication of JP2008109048A publication Critical patent/JP2008109048A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4202Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
    • G02B6/4203Optical features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

【課題】実装領域を抑えることが可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子21と、光半導体素子21が設けられ、光半導体素子21と電気的に接続された内部リード11と、上半部の凸型の曲面部35bと曲面部35bに連続する下半部の平面部35aからなる側面、及び、光半導体素子21の光を出射または入射する機能領域23の表面に対向する下半部の底面で構成される挿着穴35が設けられ、光半導体素子21及び内部リード11を封止する、出射または入射する光に透明な封止樹脂31と、内部リード11に接続された表面実装が可能な外部端子13とを具備している。
【選択図】図1

Description

本発明は、光半導体装置及び光伝送装置に関する。
光半導体チップ(光半導体素子)を樹脂モールド(封止樹脂)により封止したケース(外囲器)に入れて、このケースには光半導体チップと同軸とし且つ底面で対峙する光ファイバ挿着孔が設けられて、光ファイバ接続用光半導体素子と光ファイバとが直接に接合される光伝送装置が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。この技術により、光コネクタを不要とすることが可能となる。
しかしながら、開示された光伝送装置は、光半導体素子に接続する外部リードが差込型であり、また、光ファイバは、従来のPOFや石英ガラスファイバを想定しているために、光の出射または入射方向に長く伸び、実装には差込型リードに合わせた基板が必要であり、光ファイバの側には、比較的大きな実装空間が必要であるという問題があった。
特開平10−242525号公報
本発明は、実装領域を抑えることが可能な光半導体装置及び光伝送装置を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様の光半導体装置は、光半導体素子と、前記光半導体素子が設けられ、前記光半導体素子と電気的に接続された内部リードと、上半部の凸型の曲面部と前記曲面部に連続する下半部の平面部からなる側面、及び、前記光半導体素子の光を出射または入射する機能領域の表面に対向する下半部の底面で構成される挿着穴が設けられ、前記光半導体素子及び前記内部リードを封止する、出射または入射する光に透明な封止樹脂と、前記内部リードに接続された表面実装が可能な外部端子とを具備したことを特徴とする。
また、本発明の別態様の光伝送装置は、光半導体素子と、前記光半導体素子が設けられ、前記光半導体素子と電気的に接続された内部リードと、前記光半導体素子及び前記内部リードを封止し、出射または入射する光に透明な封止樹脂と、前記光半導体素子の光を出射または入射する機能領域の表面に対向して一端面が配設され、前記一端面に連続する前記表面に垂直で中心を通る軸に平行な部分、及び、前記平行な部分に連続する前記平行な部分と一定の角度を有する直線部分が、前記封止樹脂に接触して固定された光伝送媒体と、前記内部リードに接続された表面実装が可能な外部端子とを具備したことを特徴とする。
本発明によれば、実装領域を抑えることが可能な光半導体装置及び光伝送装置を提供することができる。
以下本発明の実施例について、図を参照して説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
本発明の実施例1に係る光半導体装置及び光伝送装置について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は光半導体装置の構成を模式的に示すもので、図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A線に沿った断面図である。図2は光伝送装置の構成を模式的に示す断面図である。
図1に示すように、光半導体装置5は、光半導体素子21と、光半導体素子21が設けられ、光半導体素子21と電気的に接続された内部リード11と、上半部の凸型の曲面部35bと曲面部35bに連続する下半部の平面部35aからなる側面、及び、光半導体素子21の光を出射または入射する機能領域23の表面に対向する下半部の底面で構成される挿着穴35が設けられ、光半導体素子21及び内部リード11を封止する、出射または入射する光に透明な封止樹脂31と、内部リード11に接続された表面実装が可能な外部端子13とを備えている。
光半導体素子21は、光半導体装置5が送信装置の場合、発光素子であり、例えば、LEDあるいはVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を含むLD(Laser Diode)等であり、光半導体装置5が受信装置の場合、受光素子であり、例えば、PD等である。発光素子は、近赤外光または赤色等の可視光を出射し、一方、受光素子は使用される光に十分な感度を有する、例えば、シリコンPDである。発光素子及び受光素子は、それぞれ、発光及び受光の機能領域23の表面側中心を外して、ボンディング用のパッド(図示略)が形成されている。
内部リード11及び外部端子13は、Cu、Cuを主成分とする合金、及び、Fe−Ni合金(例えば、42アロイ)等からなるリードフレームの一部をなし、打ち抜きまたはエッチング等で所望の形状が形成されて、光半導体素子21に信号(または、電源)供給可能な2端子構成をなす。図1(a)に示すように、光半導体素子21が平面図のほぼ中央の一方の内部リード11の一定位置に固定され、光半導体素子21の裏面が内部リード11に対して電気的に接続されている。光半導体素子21の表面の周辺部と他方の内部リード11がボンディングワイヤ、例えば、Auワイヤ27を介して接続されている。なお、図1(b)に示されるAuワイヤ27は、断面図には表れないが、断面近傍にあるので、正面図に相当する位置に破線で追加してある。
外部端子13は内部リード11に接続され、外部端子13の端部は、内部リード11の光半導体素子21の塔載面とは反対側に、それぞれ、「コ」字形に曲げられて、実装時に表面実装が可能な接続端子を構成している。
内部リード11、光半導体素子21、及びAuワイヤ27等は、使用する光に実質的に透明な封止樹脂31で封止されている。封止樹脂31は、例えば、エポキシ樹脂である。封止樹脂31の上面から、フィルム状光導波路またはPOF等の光伝送媒体を差し込むための挿着穴35が形成されている。
挿着穴35の下半部は、光半導体素子21の直上にあり、4角柱がほぼ過不足なく収納される矩形の底面及び4つの平面部35aからなる側面で形成されている。矩形の底面が光半導体素子21の機能領域23に対向する。機能領域23の表面に垂直で中心を通る軸33は、4角柱の底面の中心を通る軸にほぼ一致する。挿着穴35の上半部は、封止樹脂31の上面に向かって穴寸法が広がるように、例えば、円柱の側面のような一定の曲率を有する4つの曲面部35bからなる側面で形成されている。曲面部35bは、凸型の曲面を形成している。4つの曲面部35bは、それぞれ境界線35cで交差する。平面部35bと曲面部36bとは、滑らかに接続されている。曲面部36bと封止樹脂31の上面とは、滑らかに接続されている。平面部35aと封止樹脂31の上面とは、ほぼ90度をなしている。曲面部35bと軸33を通る面との交線は、円または楕円の一部をなす。
なお、挿着穴35の上半部の側面は、軸33に対して4回対称または2回対称(それぞれ90度または180度の回転対称)を有するように配置される必要な必ずしもなく、上半部の側面の内の1つが凸型の曲面部35bであればよい。また、曲面部35bは、ドーナツ形立体の表面をなす曲面の一部または類似の曲面の一部であっても差し支えない。そして、挿着穴35の下半部の平面部35aからなる側面は、底面に向かって、穴寸法が小さくなるテーパが付いていると好適であるし、エンボス加工等が施されて、凹凸の頂部を接続する面が平面となる形状であっても差し支えない。
挿着穴35の底面の矩形は、例えば、1辺が約120μmである。凸型の曲面部35bの曲率の半径は約500μmである。なお、挿着穴35の下半部は、光伝送媒体の外形の大きさあるいは形状に合わせて、変形が可能である。また、挿着穴35を構成する封止樹脂31の上半部は、光伝送媒体の曲げ半径に適する曲率を持たせることが可能である。
封止樹脂31の底面は、接続端子となる外部端子13の底面が実装基板(図示略)に接続可能な状態に露出するように、外部端子13の底面から突出しないように位置している。外部端子は、表面実装型デバイス(SMD、Surface Mount Device)であれば、上述の外部端子13以外の形状が可能で、例えば、封止樹脂31の側面から突出してガルウィング形に折り曲げられた形状、封止樹脂31の底面または底部側面から露出するフラット形、あるいは、これらの中間の形状等であってもよい。
光半導体装置5の製造方法について説明する内部リード11及び外部端子13となる形がプレス打ち抜き等で形成された平面状リードフレームに、光半導体素子21が所定の位置に固定され、Auワイヤ27でボンディングされる。リードフレームの位置合わせ穴を、挿着穴35となる突起(ピン)が所定の位置に形成されたモールド金型に正確に合わせて、封止樹脂31となるモールド樹脂を流し込み、固化させることによって、光半導体素子21の機能領域23に精度よく対向した挿着穴35を有する封止樹脂31を得ることができる。この後は、めっき、カット、曲げ等の工程を経て光半導体装置5が完成する。なお、リードフレームは、光半導体素子21の位置精度を上げるために、打ち抜き下面側を、光半導体素子21を塔載する面とすることが可能である。
次に、光半導体装置5に光伝送媒体を装着した光伝送装置について説明する。図2に示すように、光伝送装置1は、上記の光半導体装置5の挿着穴35に、一端が圧入して装着されて、他端方向に向かって、挿着穴35を規定する封止樹脂31の側面及び上面に沿って曲げられた光伝送媒体41が、接着材45で固定された構成をなしている。
光伝送媒体41は、例えば、相対的に屈折率の高いエポキシ樹脂系のコア42と、コア42の周囲を、相対的に屈折率の低いエポキシ樹脂系のクラッド43で覆って形成されている。コア42は、断面がほぼ正方形をなし、例えば、1辺が60〜80μm、クラッド43はコア42の周囲をほぼ同じ膜厚となるように覆って、外形の1辺が約120μmとなるほぼ正方形をなしている。なお、挿着穴35の下半部が、底面に向かって、寸法が小さくなるテーパが付いている場合、クラッド43は、挿着穴35のテーパに合わせたテーパを有している。光伝送媒体41の挿着穴35下部に装着された部分は直線状、連続する部分は挿着穴35の曲率に沿って曲げられ、その先に連続する部分は直線状をなし、曲げられた部分に連続する両直線部分は約90度をなす関係にある。
光伝送媒体41の曲げ形状は、予め成形されたものでもよいし、装着時に、直線状のものを挿着穴35の表面に沿って曲げて形成してもよい。光伝送媒体41は、フィルム状光導波路の一部でもよく、光ファイバとして形成されてもよい。挿着穴35下部の封止樹脂31の表面は、光伝送媒体41の外形面にほとんど隙間なく接触している。光伝送媒体41は、断面が正方形である必要は必ずしもない。また、コア42及びクラッド43の大きさ及び材質等は、光伝送の要求特性に適するように変形が可能である。
接着材45は、例えば、エポキシ樹脂系の接着材で、封止樹脂31の上面、封止樹脂31の上面に載置された光伝送媒体41、及び挿着穴35等を覆いまたは埋めて、光伝送媒体41を封止樹脂31に固定している。接着材45は、出射または入射する光に透明、または、挿着穴35下部の光伝送媒体41端部に接する部分を除いて不透明であってもよい。
上述したように、光半導体装置5は、光半導体素子21、光半導体素子21が固着された内部リード11、光伝送媒体用の挿着穴35が配設され、光半導体素子21及び内部リード11を封止する透明な封止樹脂31、表面実装が可能な外部端子13を備えている。その結果、光半導体装置5は、実装基板(図示略)の表面に半田等の接合材で接続可能であるので、差込型リードに合わせた差込穴を有する実装基板を必要とせず、実装領域の実装基板側への広がりを抑制可能である。
また、光伝送装置1は、上記の光半導体装置5の挿着穴35に、一端が装着されて、他端方向に向かって、挿着穴35を構成する封止樹脂31の側面及び封止樹脂31の上面に沿って曲げられた光伝送媒体41が、接着材45で固定された構成をなしている。従って、送受信される光は、光伝送装置1内でほぼ90度曲げられる。その結果、例えば、従来、光伝送媒体が光伝送装置の上部外側で曲げられて、実装基板上の他端の光伝送装置に到達する場合に比較して、光伝送装置の上側に必要であった実装領域を抑制することが可能である。光伝送装置1は、光半導体装置5が有する表面実装の効果を同様に有している。
また、モールド金型により、光半導体素子21の機能領域23に精度よく対向した挿着穴35が得られ、挿着穴35に光伝送媒体41を圧入して固定するので、精度のよい光半導体素子21の機能領域23と光伝送媒体41との関係を得ることが可能である。
また、光伝送装置1は、光半導体装置5の状態で、実装基板の表面に半田等の接合材で接続し、その後、実装基板上で光伝送媒体41を装着して完成させることが可能なので、実装後の光接続の自由度を上げることが可能である。
本発明の実施例2に係る光伝送装置について、図3を参照しながら説明する。図3は光伝送装置の構成を模式的に示すもので、図3(a)は平面図、図3(b)は側面図、図3(c)は図3(a)のB−B線に沿った断面図である。本実施例の光伝送装置は、光伝送媒体が封止樹脂の中に埋め込まれている点が、実施例1とは異なっている。以下では、上記実施例1と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
図3に示すように、光伝送装置2は、実施例1の光伝送装置1と同様に、光半導体素子21、内部リード11、透明な封止樹脂31、光伝送媒体41、及び、外部端子13等を有しているが、光伝送媒体41は封止樹脂31の中に埋め込まれて固定され、光伝送媒体41の一端面は、光半導体素子21の機能領域23に精度よく対向している。光伝送媒体41の一端面に隣接して、光半導体素子21の表面に垂直な角柱状の3本のガイド穴51が設けられている。
光伝送装置2の製造方法について、図示を省略して説明する。平面状リードフレームに、光半導体素子21が所定の位置に固定され、Auワイヤ27でボンディングされる工程までは、実施例1の光半導体装置5の製造と同様である。
モールド金型には、3本のガイド穴51となる角柱状の突起(ガイドピン)が所定の位置に形成されている。光伝送媒体41は、曲げられた部分に連続する両直線部分は約90度をなす関係に予め成形されて、一端の直線部分は所定の長さに成形されている。光伝送媒体41の所定の長さに成形された一端を3本のガイドピンで固定して、リードフレームの位置合わせ穴を、モールド金型に正確に合わせて、モールド金型に封止樹脂31となるモールド樹脂を流し込む。モールド樹脂が固化した後、モールド金型と共に3本のガイドピンを引き抜くことにより、光半導体素子21の機能領域23に精度よく対向した光伝送媒体41を固定した封止樹脂31を得ることができる。
この後、実施例1の光半導体装置5の製造と同様の工程を経て、ガイド穴51を有する光伝送装置2が完成する。なお、ガイドピンは、モールド時に光伝送媒体41を固定することができればよいので、必ずしも、3本である必要はないし、角柱状である必要もない。また、ガイドピンは、抜け易くするために、先端が相対的に細く、つまり、ガイド穴51の寸法が封止樹脂31の上面に行くほど大きく形成されていてもよい。
上述したように、光伝送装置2は、曲げられた部分に連続する両直線部分が約90度をなす光伝送媒体41が封止樹脂31の中に固定されている。光伝送媒体41は、直線部の一端を光半導体素子21の機能領域23に対向し、他端方向に連続する直線部を封止樹脂31の側面から外側に延在する。本実施例の光伝送装置2は、実装基板(図示略)上に実装されると、実施例1の光伝送装置1と同様に、光伝送装置の上側に必要であった実装領域を抑制することが可能である。
更に、光伝送装置2は、光伝送媒体41をモールド時に固定するので、実施例1の光伝送装置1の製造工程より短縮が可能である。また、光伝送媒体41の曲げられた部分に連続する光半導体素子21の機能領域23に対向する直線部を光伝送装置1の場合より短くすることができ、光伝送装置2の高さは、光伝送装置1より低くすることが可能である。
また、実装基板に実装する時には、一端側に使用条件に適する光伝送装置2を選択し、他端側に実施例1の光伝送装置1を選択することは好ましい。両端部に実施例1の光伝送装置1を選択する場合に比較して、実装時間を短縮することが可能である。また、光伝送媒体41の長さ、向き等が明確な場合、両端部に光伝送装置2を選択することは可能で、実装時間を更に短縮することが可能である。
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
例えば、上記実施例では、光半導体装置及び光伝送装置には光半導体素子が塔載されている例を示したが、光半導体装置及び光伝送装置の内部リードに、光半導体素子の他に、受信IC及び送信IC等がそれぞれ塔載されても差し支えない。その場合、受信IC及び送信IC等に必要な外部端子が、別途、表面実装可能に形成される必要がある。
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) 光半導体素子と、前記光半導体素子が設けられ、前記光半導体素子と電気的に接続された内部リードと、前記光半導体素子及び前記内部リードを封止し、出射または入射する光に透明な封止樹脂と、前記光半導体素子の光を出射または入射する機能領域の表面に対向して一端面が配設され、前記一端面に連続する前記表面に垂直で中心を通る軸に平行な部分、及び、前記平行な部分に連続する前記平行な部分と一定の角度を有する直線部分が、前記封止樹脂に接触して固定された光伝送媒体と、前記内部リードに接続された表面実装が可能な外部端子とを具備した光伝送装置。
(付記2) 前記光伝送媒体は、前記封止樹脂の中に固定されている付記1に記載の光伝送装置。
(付記3) 前記光伝送媒体の前記軸に平行な部分に隣接して、前記封止樹脂の前記表面実装される面とは反対側に開口を有する穴が設けられている付記1に記載の光伝送装置。
本発明の実施例1に係る光半導体装置の構成を模式的に示すもので、図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)のA−A線に沿った断面図。 本発明の実施例1に係る光伝送装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の実施例2に係る光伝送装置の構成を模式的に示すもので、図3(a)は平面図、図3(b)は側面図、図3(c)は図3(a)のB−B線に沿った断面図。
符号の説明
1、2 光伝送装置
5 光半導体装置
11 内部リード
13 外部端子
21 光半導体素子
23 機能領域
27 Auワイア
31 封止樹脂
33 軸
35 挿着穴
35a 平面部
35b 曲面部
35c 境界線
41 光伝送媒体
42 コア
43 クラッド
45 接着材
51 ガイド穴

Claims (5)

  1. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子が設けられ、前記光半導体素子と電気的に接続された内部リードと、
    上半部の凸型の曲面部と前記曲面部に連続する下半部の平面部からなる側面、及び、前記光半導体素子の光を出射または入射する機能領域の表面に対向する下半部の底面で構成される挿着穴が設けられ、前記光半導体素子及び前記内部リードを封止する、出射または入射する光に透明な封止樹脂と、
    前記内部リードに接続された表面実装が可能な外部端子と、
    を具備したことを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記挿着穴の下半部の平面部は、前記底面に向かって、穴寸法が小さくなるテーパが付いていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
  3. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子が設けられ、前記光半導体素子と電気的に接続された内部リードと、
    前記光半導体素子及び前記内部リードを封止し、出射または入射する光に透明な封止樹脂と、
    前記光半導体素子の光を出射または入射する機能領域の表面に対向して一端面が配設され、前記一端面に連続する前記表面に垂直で中心を通る軸に平行な部分、及び、前記平行な部分に連続する前記平行な部分と一定の角度を有する直線部分が、前記封止樹脂に接触して固定された光伝送媒体と、
    前記内部リードに接続された表面実装が可能な外部端子と、
    を具備したことを特徴とする光伝送装置。
  4. 前記角度は、ほぼ90度であることを特徴とする請求項3に記載の光伝送装置。
  5. 前記光伝送媒体は、前記封止樹脂に接着材で固定されていることを特徴とする請求項3または4に記載の光伝送装置。
JP2006292846A 2006-10-27 2006-10-27 光半導体装置及び光伝送装置 Pending JP2008109048A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006292846A JP2008109048A (ja) 2006-10-27 2006-10-27 光半導体装置及び光伝送装置
US11/925,216 US20080135863A1 (en) 2006-10-27 2007-10-26 Optical semiconductor device and optical transmission device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006292846A JP2008109048A (ja) 2006-10-27 2006-10-27 光半導体装置及び光伝送装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008109048A true JP2008109048A (ja) 2008-05-08

Family

ID=39442127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006292846A Pending JP2008109048A (ja) 2006-10-27 2006-10-27 光半導体装置及び光伝送装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080135863A1 (ja)
JP (1) JP2008109048A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101018238B1 (ko) 2008-11-14 2011-03-03 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN104871323A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 夏普株式会社 发光装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5548213B2 (ja) * 2008-12-09 2014-07-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ファイバ拡散要素を備えている照明システム
JP5594316B2 (ja) * 2012-05-11 2014-09-24 株式会社村田製作所 光伝送モジュール
CN111312881A (zh) * 2020-02-27 2020-06-19 盐城东山精密制造有限公司 一种一体成型led器件及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5615083A (en) * 1979-07-05 1981-02-13 Burr Brown Res Corp Thin film optical coupling to opto device mounted in planar
JPH03286575A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
JP2003529213A (ja) * 2000-03-29 2003-09-30 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 光ファイバと光電子素子との受動的位置合わせのための方法およびデバイス
JP2006119515A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Stanley Electric Co Ltd 光ファイバ接続構造

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6963141B2 (en) * 1999-12-31 2005-11-08 Jung-Yu Lee Semiconductor package for efficient heat spreading
EP1453107A4 (en) * 2001-11-16 2008-12-03 Toyoda Gosei Kk LED, LED LAMP AND LAMP

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5615083A (en) * 1979-07-05 1981-02-13 Burr Brown Res Corp Thin film optical coupling to opto device mounted in planar
JPH03286575A (ja) * 1990-04-03 1991-12-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
JP2003529213A (ja) * 2000-03-29 2003-09-30 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 光ファイバと光電子素子との受動的位置合わせのための方法およびデバイス
JP2006119515A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Stanley Electric Co Ltd 光ファイバ接続構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101018238B1 (ko) 2008-11-14 2011-03-03 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN104871323A (zh) * 2012-12-28 2015-08-26 夏普株式会社 发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080135863A1 (en) 2008-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8774576B2 (en) Optical module and method for manufacturing the same
KR100459347B1 (ko) 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈
US8041159B2 (en) Optical/electrical hybrid substrate and method of manufacturing the same
JP2008040318A (ja) 多チャンネル光モジュールの製造方法
JP6423753B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法
JP5292184B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法
JP6234036B2 (ja) 光通信装置
JP2007241211A (ja) 光電気変換装置及びその製造方法並びに外部導波路
EP3894920B1 (en) Optical assembly
JP2007003817A (ja) 光導波路構造体、光モジュールおよびレンズアレイ
JP2005062842A (ja) 光伝送デバイス
US20180128998A1 (en) Optical semiconductor module
JP2008109048A (ja) 光半導体装置及び光伝送装置
JP4351965B2 (ja) 光電変換ヘッダー及び光配線システム
JP2000098192A (ja) 光受信モジュール
JP2010097169A (ja) 光電気モジュール、光基板および光電気モジュール製造方法
JP2000105327A (ja) 光受信モジュール
US8888381B2 (en) Optical module base and optical module
JP2007003622A (ja) 光送信モジュール、光受信モジュール及び光送受信システム
JP2010217323A (ja) 光結合構造および光送受信モジュール
JP2007072199A (ja) 光モジュールおよび光伝送装置
JP2007178537A (ja) 光モジュールおよび光伝送システム
JP4739987B2 (ja) 光ファイバ接続構造及び光ファイバ接続方法
JP4852517B2 (ja) 光送受信装置
JP2006154084A (ja) 光伝送装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110805

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111129