CN111312881A - 一种一体成型led器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种一体成型LED器件及其制作方法，该一体成型LED器件包括裸铜片，所述裸铜片上面固定有LED晶片和焊线，还包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体，该一体成型LED器件的制作方法包括：提供一裸铜片，对所述裸铜片进行蚀刻；在所述裸铜片上电镀Ni和Ag；在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜；在所述裸铜片上固定LED晶片和焊线；利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片并烘烤和切割。上述一体成型LED器件及其制作方法能够避免结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
Description
技术领域
本发明属于照明设备技术领域，特别是涉及一种一体成型LED器件及其制作方法。
背景技术
现有的LED器件的压模结构如图1所示，图1为现有的LED器件的压模结构的示意图，可以看出这种LED器件的结构是在BT基板101上面固定裸铜板102，在裸铜板102上面制作LED晶片103和焊线104，然后用封装胶体105进行压模，这种封装胶体一般是硅胶。一般来说，BT基板101的厚度为0.28mm，封装胶体105的厚度为0.3mm，这种BT基板普遍使用日本三菱的瓦斯，成本比较高，且封装胶体105与BT基板101之间的结合力较差，导致封装器件的可靠性不足，封装制程中有胶体脱落的风险，在高温高湿的环境中，封装胶体与BT基板还存在分层的问题，这样长期使用的话，死灯率较高，因此存在很大的品质风险。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种一体成型LED器件及其制作方法，能够避免结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
本发明提供的一种一体成型LED器件，包括裸铜片，所述裸铜片上面固定有LED晶片和焊线，还包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体。
优选的，在上述一体成型LED器件中，所述LED晶片为蓝光晶片或RGB晶片。
优选的，在上述一体成型LED器件中，所述胶体的高度为0.2mm至3.0mm。
本发明提供的一种一体成型LED器件的制作方法，包括：
提供一裸铜片，对所述裸铜片进行蚀刻；
在所述裸铜片上电镀Ni和Ag；
在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜；
在所述裸铜片上固定LED晶片和焊线；
利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片并烘烤和切割。
优选的，在上述一体成型LED器件的制作方法中，
所述对所述裸铜片进行蚀刻之前还包括：
对所述裸铜片进行清洗、压干膜、曝光和显影。
优选的，在上述一体成型LED器件的制作方法中，
所述在所述裸铜片上电镀Ni和Ag包括：
清洗裸铜片表面的油污、表面抛光、镀镍、镀银、脱银、银保护和烘干。
优选的，在上述一体成型LED器件的制作方法中，
所述在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜包括：
在所述裸铜片背面贴厚度为0.05mm至0.20mm的PI膜。
优选的，在上述一体成型LED器件的制作方法中，
所述利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片包括：
采用正面进胶方式，在125摄氏度至145摄氏度对所述裸铜片压模15秒至270秒，用胶体全部包裹住所述裸铜片。
优选的，在上述一体成型LED器件的制作方法中，
在100摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹所述裸铜片的胶体烘烤1小时，再在150摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹所述裸铜片的胶体烘烤3小时至4小时。
通过上述描述可知，本发明提供的上述一体成型LED器件及其制作方法，由于包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体，可见就无需基板，因此能够避免现有的器件中胶体与基板之间结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有的LED器件的压模结构的示意图；
图2为本申请提供的一种一体成型LED器件的示意图；
图3为本申请提供的一种一体成型LED器件的制作方法的示意图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种一体成型LED器件及其制作方法，能够避免结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请提供的一种一体成型LED器件的实施例如图2所示，图2为本申请提供的一种一体成型LED器件的示意图，该一体成型LED器件包括裸铜片201，裸铜片201上面固定有LED晶片202和焊线203，还包括将裸铜片201全部包裹在内的长方体形状的胶体204，从图2可以明显看出胶体204是一个整体，将裸铜片201完全包裹住了，这就不存在脱落的问题了，因为这种结构中没有基板，因此就不再存在基板与胶体的界面了。
需要说明的是，该实施例中，在裸铜板上做需要的电镀和附膜处理实现基板的功能，在此基板上做固晶、焊线、Molding实现基板和封装体一体成型，切割、测试、包装、SMT贴片，由于该方案中的基板填胶与封装保护胶为统一材质，一体成型实现无缝封装，因此能够达到提高可靠性的目的。
通过上述描述可知，本申请提供的上述一体成型LED器件的实施例中，由于包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体，可见就无需基板，因此能够避免现有的器件中胶体与基板之间结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
在上述一体成型LED器件的一个具体实施例中，LED晶片可以为蓝光晶片或RGB晶片，当然这可以根据实际需要来选择，还可以选用其他种类的LED晶片，此处并不限制。
在上述一体成型LED器件的另一个具体实施例中，胶体的高度可以为0.2mm至3.0mm，进一步的，还可以将胶体的高度优选为0.58mm，当然还可以根据实际需要设置胶体为其他高度，此处并不限制。
本申请提供的一种一体成型LED器件的制作方法的实施例如图3所示，图3为本申请提供的一种一体成型LED器件的制作方法的示意图，该方法包括如下步骤：
S1：提供一裸铜片，对裸铜片进行蚀刻；
需要说明的是，在该裸铜片的一些部位做半蚀刻，在另一些部位做完全蚀刻，最终稿形成的样式如图2所示。
S2：在裸铜片上电镀Ni和Ag；
具体的，电镀的Ni的厚度可以为1微米至200微米，Ag的厚度可以为1微米至200微米。
S3：在裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜；
需要说明的是，该粘性耐高温胶膜至少要耐150摄氏度的高温，材质不限，但要保证与裸铜板的背面完全贴合，才能保证不会脱落。
S4：在裸铜片上固定LED晶片和焊线；
该固晶步骤可以使用蓝光晶片或者RGB晶片，此处并不限制。
S5：利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住裸铜片并烘烤和切割。
需要说明的是，这种一体压模方式采用的模具具有吸真空功能，能够吸住上述粘性耐高温胶膜来固定裸铜片，采用正面进胶的手段，就能够将胶填满模具，从而用胶体全部包裹住裸铜片，这里选用的胶体厚度可以为0.58mm至0.9mm，封装胶可以为透明胶、透明胶+黑膏、透明胶+1％～95％TiO2和透明胶+1％～10％碳粉中的任意一种，这里所说的烘烤可以使用烤箱，烤箱内空气需要进行对流。
上述方法可应用于RGB、TV、手机、电脑和车载仪表盘显示屏，这种一体成型的制作方式没有胶体和基板的结合面，可优先防水、防潮，解决传统压模技术因密封性差造成的金迁移和死灯等一系列问题；另外，现有技术制作的器件五面出光，而本实施例制作的器件的底面也可出光，亮度和出光角度得到明显提升，整屏的视觉效果更好。
通过上述描述可知，本申请提供的上述一体成型LED器件的制作方法中，由于包括利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住裸铜片并烘烤和切割，可见就无需基板，因此能够避免现有的器件中胶体与基板之间结合力差的问题，有效提升封装器件的品质和性能，降低制作成本。
本申请提供的一体成型LED器件的制作方法的一个具体实施例中，对裸铜片进行蚀刻之前还可以包括：
对裸铜片进行清洗、压干膜、曝光和显影。
需要说明的是，这里所说的干膜是菲林片，有了这个才能曝光显影出想要的图形。
本申请提供的一体成型LED器件的制作方法的另一个具体实施例中，在裸铜片上电镀Ni和Ag包括：
清洗裸铜片表面的油污、表面抛光、镀镍、镀银、脱银、银保护和烘干。
这里选用的银保护剂的浓度可以为8ml至40ml，时间可以为8秒至50秒，而且这里采用的烘干步骤所处的温度可以为140±30℃。
本申请提供的一体成型LED器件的制作方法的又一个具体实施例中，在裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜包括：
在裸铜片背面贴厚度为0.05mm至0.20mm的PI膜。
当然，这里除了选用PI之外，还可以选用PE或其他材质的膜，此处并不限制。
本申请提供的一体成型LED器件的制作方法的一个优选实施例中，利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住裸铜片包括：
采用正面进胶方式，在125摄氏度至145摄氏度对裸铜片压模15秒至270秒，用胶体全部包裹住裸铜片。
本申请提供的一体成型LED器件的制作方法的另一个优选实施例中，在100摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹裸铜片的胶体烘烤1小时，再在150摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹裸铜片的胶体烘烤3小时至4小时。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种一体成型LED器件，其特征在于，包括裸铜片，所述裸铜片上面固定有LED晶片和焊线，还包括将所述裸铜片全部包裹在内的长方体形状的胶体。
2.根据权利要求1所述的一体成型LED器件，其特征在于，所述LED晶片为蓝光晶片或RGB晶片。
3.根据权利要求1所述的一体成型LED器件，其特征在于，所述胶体的高度为0.2mm至3.0mm。
4.一种一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一裸铜片，对所述裸铜片进行蚀刻；
在所述裸铜片上电镀Ni和Ag；
在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜；
在所述裸铜片上固定LED晶片和焊线；
利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片并烘烤和切割。
5.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
所述对所述裸铜片进行蚀刻之前还包括：
对所述裸铜片进行清洗、压干膜、曝光和显影。
6.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
所述在所述裸铜片上电镀Ni和Ag包括：
清洗裸铜片表面的油污、表面抛光、镀镍、镀银、脱银、银保护和烘干。
7.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
所述在所述裸铜片背面贴粘性耐高温胶膜包括：
在所述裸铜片背面贴厚度为0.05mm至0.20mm的PI膜。
8.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
所述利用一体压模成型方式，用胶体全部包裹住所述裸铜片包括：
采用正面进胶方式，在125摄氏度至145摄氏度对所述裸铜片压模15秒至270秒，用胶体全部包裹住所述裸铜片。
9.根据权利要求4所述的一体成型LED器件的制作方法，其特征在于，
在100摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹所述裸铜片的胶体烘烤1小时，再在150摄氏度的空气对流环境中，对全部包裹所述裸铜片的胶体烘烤3小时至4小时。
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