KR20090055961A - 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20090055961A
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박일우
손종락
곽창훈
박나나
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 한 쌍의 전극과, 상기 전극을 내부에 수용하되, 수용된 전극의 일면이 노출되도록 형성된 반사판과, 상기 전극의 일면이 노출된 반사판의 표면 상에 실장된 LED 칩과, 상기 반사판 내에 수용되어 상기 LED 칩과 전극의 전기적으로 연결하는 전극 연결부 및 상기 LED 칩을 덮도록 형성되어 있으며, 형광체 분말이 함유된 몰딩재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다.
발광다이오드, 형광체, 소형화

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 형광체 분말을 이용하여 고유 발광색의 파장을 변환시켜 원하는 발광색을 얻는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, LED 칩을 구비한 발광다이오드 패키지는 리드프레임에 백색 수지를 사출 성형한 케이스를 갖는 구조가 널리 사용되고 있다. 이러한 발광다이오드 패키지는 케이스의 컵 형태를 갖는 홈부에 리드프레임과 연결되도록 LED 칩을 실장한 후에, 그 홈부를 수지로 충전시킨다. 특히, 백색 발광다이오드 패키지를 제조하기 위해서, 홈부에 충전된 수지에 형광체 분말을 함유시키는 방법이 사용될 수 있다.
하지만, 종래의 발광다이오드 패키지 구조는 소형화와 수율 측면에서 몇 가지 단점을 갖고 있다.
예를 들어, 휴대전화의 디스플레이부의 백라이트용 광원으로서 주로 사용되는 표면실장이 가능한 측면 방출(side view)형 발광다이오드 패키지의 경우에, 휴대전화의 박형화에 따라서 측면방출형 발광다이오드 패키지의 박형화도 크게 요구되고 있다. 그러나, 종래의 발광다이오드 패키지 구조에서는 LED 칩의 실장을 위해 컵 형태의 홈부가 마련되어야 하므로, 이를 구비한 케이스를 충분히 소형화하여 제조하는데 어려움이 있다.
또한, 컵 형태의 홈을 갖는 케이스로 인해 지향각을 향상시키는 데 한계가 있다.
또한, 리드프레임과 함께 케이스를 사출 성형한 후에, LED 칩을 실장하고 홈부에 수지포장부를 제공하는 복잡한 공정이 진행되므로, 수율이 저하되고 공정비용이 증가되는 문제가 있다.
특히, 종래의 백색 발광다이오드 패키지에서는, 홈부에 형광체 분말이 함유된 액상 수지를 디스페이싱하는 과정에서 디스펜서에 의한 형광체 충진량의 산포로 인해 색도 산포가 불균일해지는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 액상 수지 내에 여러 종류의 형광체 분말을 동시에 함유될 경우 형광체의 종류에 따라 층이 이루어지는 문제가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 리드 프레임 타입 발광다이오드 패키지에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 동시에 형광체 분말의 색도 산포가 균일화된 발광다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍의 전극과, 상기 전극을 내부에 수용하되, 수용된 전극의 일면이 노출되도록 형성된 반사판과, 상기 전극의 일면이 노출된 반사판의 표면 상에 실장된 LED 칩과, 상기 반사판 내에 수용되어 상기 LED 칩과 전극의 전기적으로 연결하는 전극 연결부 및 상기 LED 칩을 덮도록 형성되어 있으며, 형광체 분말이 함유된 몰딩재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 상기 몰딩재는 지향각을 개선할 수 있는 형상 예를 들어, 반원 또는 다각형의 형상으로 형성되는 것이 바람직 하다.
또한, 상기 본 발명이 발광다이오드 패키지에서, 상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명이 발광다이오드 패키지에서, 상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 다른 본 발명은 한 쌍의 전극과, 상기 전극을 내부에 수용하되, 수용된 전극의 일면이 노출되도록 형성된 반사판과, 상기 전극의 일면이 노출된 반사판의 표면 상에 실장된 LED 칩과, 상기 반사판 내에 수용되어 상기 LED 칩과 전극의 전기적으로 연결하는 전극 연결부와, 상기 LED 칩을 덮도록 형성된 몰딩재 및 상기 몰딩재 표면에 형성된 형광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지에서, 상기 형광막은 형광체 분말이 함유된 봉지재로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 봉지재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기한 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 LED 칩을 부착하는 단계와, 반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀을 준비하는 단계와, 상기 틀의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 몰딩재를 충진하는 단계와, 상기 몰딩재와 상기 기판을 접착하되, 상기 기판의 일면 중 상기 LED 칩이 부착된 면이 상기 몰딩재와 접하도록 접착하는 단계와, 상기 틀을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하여 몰딩재의 일부분을 노출하는 단계와, 상기 노출된 몰딩재 표면에 전극을 형성하는 단계와, 상기 전극과 LED 칩을 전극 연결부를 이용하여 연결하는 단계 및 상기 전극과 전극 연결부가 형성된 몰딩재의 표면 상에 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지의 제조방법에서, 상기 기판은 연성 필름으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지의 제조방법에서, 상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지의 제조방법에서, 상기 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지를 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지의 제조방법에서, 상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성할 수 있다.
상기한 다른 목적을 달성하기 위해, 또 다른 본 발명은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 LED 칩을 부착하는 단계와, 반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀을 준비하는 단계와, 상기 틀의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 봉지재를 충진하는 단계와, 상기 틀에 충진된 봉지재를 가압하여 틀의 홈 표면과 동일한 프로파일을 갖는 형광막을 형성하는 단계와, 상기 형광막과 상기 기판을 몰딩재를 사용하여 접착하되, 상기 기판의 일면 중 상기 LED 칩이 부착된 면이 상기 몰 딩재와 접하도록 접착하는 단계와, 상기 틀을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하여 몰딩재의 일부분을 노출하는 단계와, 상기 노출된 몰딩재 표면에 전극을 형성하는 단계와, 상기 전극과 LED 칩을 전극 연결부를 이용하여 연결하는 단계 및 상기 전극과 전극 연결부가 형성된 몰딩재의 표면 상에 반사판을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 발광다이오드 패키지의 제조방법에서, 상기 봉지재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 리드 프레임 타입 발광다이오드 패키지에 비하여 손쉽게 제조가 가능하며, 넓은 지향각을 통해 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있는 동시에 형광체 분말의 색도 산포가 균일화된 발광다이오드 패키지를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명은 몰딩재의 형상을 다양하게 구현할 수 있으며, 그에 따라 소형화된 발광다이오드 패키지를 얻을 수 있다.
본 발명의 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 대한 구체적인 기술적 구성에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조하여 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
발광다이오드 패키지의 구조
실시예 1
우선, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는, 한 쌍의 전극(110)이 형성되어 있으며, 이는 반사판(100) 내부에 수용되어 있다.
상기 전극(110)은 ITO 또는 Cu 등과 같은 도전성 물질로 형성되어 있다.
상기 반사판(100)은 반사율이 높은 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로, TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 반사판(100) 내부에 수용된 전극(110)은 그 일면이 반사판(100)을 통해 노출되어 있으며, 상기 노출된 전극(110)과 전극(110) 사이의 위치하는 반사판(100)의 표면 상에는 LED 칩(120)이 실장되어 있다.
상기 LED 칩(120)과 전극(110)은 전극연결부(130)를 통해 서로 연결되어 있 으며, 상기 전극연결부(130)는 반사판(100) 내에 수용되어 있다. 본 실시예에서는 상기 전극연결부(130)로 와이어를 사용한 것을 예시하였으나, 이는 이에 한정되지 않고 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 도전성 물질 패턴을 사용할 수 있다.
상기 LED 칩(120)이 실장된 반사판(100) 상에는 상기 LED 칩(120)을 덮도록 형광체 분말이 함유된 몰딩재(140)가 사출 성형되어 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 몰딩재(140)는 형광체와 몰딩재(140)를 형성하는 수지의 종류에 영향을 받지 않고 빠른 시간 내에 경화가 진행되기 색좌표 수율을 향상시킬 수 있기 때문에 종래 디스페이싱하는 과정에서 디스펜서에 의한 형광체 충진량의 산포로 인해 색도 산포가 불균일해지는 문제를 해결할 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 몰딩재(140)는 사출 성형을 통해 반원 또는 다각형의 형태로 형성될 수 있다. 이는 소자의 특성에 따라 변경 가능하며, 그로 인해 발광다이오드 패키지의 소형화를 구현할 수 있다.
또한, 상기 몰딩재(140)는 높은 굴절률과 광투과율을 갖는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 인쇄회로기판(도시하지 않음)을 장착하도록 한 쌍의 리드 단자로 이루어진 리드프레임을 더 포함할 수 있다. 이는 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 반사판(100)의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극(110)과 연결되도록 형성되어 있다.
여기서, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 변형예 를 나타낸 단면도이다.
실시예 2
도 3을 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지와 구성이 동일하고, 다만, 몰딩재(140) 내에 형광체 분말이 함유되어 있지 않고, 상기 몰딩재(140) 표면 상에 형광체 분말이 함유된 봉지재로 이루어진 형광막(160)이 형성되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예에서와 마찬가지로 상기 몰딩재 및 형광막이 사출성형을 통해 형성됨으로써, 제1 실시예와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
즉, 제1 실시예는 반사판(100) 상에 LED 칩(120)을 덮는 형광체 분말이 함유된 몰딩재(140)가 형성되어 있는 상태를 예시한 것이며, 실시예 2는 반사판(100) 상에 LED 칩(120)을 덮는 몰딩재(140)가 형성되어 있고, 그 위에 형광체 분말이 함 유된 봉지재로 이루어진 형광막(160)이 형성된 상태를 예시한 것이다.
이때, 상기 형광막(160)을 이루는 봉지재는 높은 굴절률과 광투과율을 갖는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리 등로 이루어질 수 있다.
발광다이오드 패키지의 제조방법
실시예 1
도 4a 내지 도 4e를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 연성 또는 경질의 기판(200)을 준비한 다음, 상기 기판(200) 상에 LED 칩(120)을 부착한다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀(210)을 준비한 다음, 상기 틀(210)의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 몰딩재(140)를 충진한다.
상기 몰딩재(140)는 높은 굴절률과 광투과율을 갖는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리 등을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명은 소정의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀(210)을 이용하여 몰딩 재(140)의 형상을 원하는 형상으로 사출 성형함으로써, 종래 기술에 따른 백색 수지를 사출 성형한 케이스를 갖는 구조의 발광다이오드 패키지보다 그 크기를 최소화하여 소형화된 발광다이오드 패키지를 구현할 수 있다.
그런 다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 몰딩재(140)와 상기 기판(200)을 접착한다. 이때, 상기 기판(200)은 그의 일면 중 상기 LED 칩(120)이 부착된 면이 상기 몰딩재(140)와 접하도록 접착한다.
이어서, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 몰딩재(140)를 사출 성형하던 틀(210)을 제거한다.
그런 다음, 상기 LED 칩(120)을 부착하던 기판(200)을 제거하여 상기 몰딩재(140)의 일부분을 노출시킨 후, 노출된 몰딩재(140) 표면에 한 쌍의 전극(110)을 형성한다. 이때, 상기 전극(110)은 ITO, Cu 등의 도전성 물질로 형성할 수 있다.
그 다음, 상기 전극(110)과 상기 LED 칩(120)을 전극연결부(130)를 사용하여 전기적으로 연결한다.
또한, 본 실시예에서는 상기 전극 연결부(130)로 와이어를 이용하여 형성한 상태를 예를 들어 설명하였으나, 이는 이에 한정되지 않고, 패키지의 특성 및 공정 조건에 따라 도전성 물질 패턴으로 형성할 수 있다.
이어서, 도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 전극(110)과 전극연결부(130)가 형성된 몰딩재(140)의 표면 상에 반사판(100)을 형성한다.
상기 반사판(100)은 반사율이 높은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
그런 다음, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 도 2에 도시한 바와 같이 상기 반사판(100)의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극(110)과 연결되는 리드프레임(150)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 리드프레임(150)은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서 필수 구정 요소가 아니므로, 이는 패키지의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.
실시예 2
도 5a 내지 도 5c 및 앞서 설명한 도 4a 내지 도 4e를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.
우선, 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법은 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법과 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 몰딩재(140)를 형성하는 단계에 있어서, 몰딩재(140)를 형성하는 단계 이전에 형광막을 형성하는 단계를 더 포함한다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
다시 말하여, 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법은 우선, 도 5a에 도시한 바와 같이, 반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀(210)을 준비한다.
그런 다음, 상기 틀(210)의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 봉지재(165)를 충진한 후, 상기 틀(210)에 충진된 봉지재(165)를 상기 틀(210)의 내부 표면과 동일한 프로파일을 갖는 가압기(220)를 이용하여 가압한다. 그러면, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 틀(210)의 홈 표면과 동일한 프로파일을 갖는 형광막(160)이 형성된다.
그런 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 형광막(160)이 형성된 상기 틀(210)의 홈 내에 형광체 분말이 함유되지 않은 몰딩재(140)를 충진한다.
이때, 상기 몰딩재(140)는 제1 실시예에 따른 몰딩재와 마찬가지로 높은 굴절률과 광투과율을 갖는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리 등을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
따라서, 제2 실시예에 따른 상기 기판(210)은 사파이어와 같은 투명 기판으로 형성되는 것이 바람직하고, 상기 탄소나노튜브(270)는 도 6에 도시한 바와 같이 상기 기판(210)의 발광면에서 상기 기판(210)의 측면 및 상기 n형 질화물 반도체층(220)의 측면을 감싸도록 연장 형성될 수 있다.
따라서, 제2 실시예 또한, 제1 실시예에서와 마찬가지로 상기 몰딩재 및 형광막을 원하는 형상의 홈이 정의된 틀을 이용하여 사출성형하여 형성함으로써, 제1 실시예와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실 시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 변형예를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 반사판 110 : 전극
120 : LED 칩 130 : 전극연결부
140 : 몰딩재 150 : 리드프레임
160 : 형광막

Claims (27)

  1. 한 쌍의 전극;
    상기 전극을 내부에 수용하되, 수용된 전극의 일면이 노출되도록 형성된 반사판;
    상기 전극의 일면이 노출된 반사판의 표면 상에 실장된 LED 칩;
    상기 반사판 내에 수용되어 상기 LED 칩과 전극의 전기적으로 연결하는 전극 연결부; 및
    상기 LED 칩을 덮도록 형성되어 있으며, 형광체 분말이 함유된 몰딩재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩재는 반원 또는 다각형의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사판의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극과 연결되도록 형성된 리드프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 한 쌍의 전극;
    상기 전극을 내부에 수용하되, 수용된 전극의 일면이 노출되도록 형성된 반 사판;
    상기 전극의 일면이 노출된 반사판의 표면 상에 실장된 LED 칩;
    상기 반사판 내에 수용되어 상기 LED 칩과 전극의 전기적으로 연결하는 전극 연결부;
    상기 LED 칩을 덮도록 형성된 몰딩재; 및
    상기 몰딩재 표면에 형성된 형광막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩재는 반원 또는 다각형의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 형광막은 형광체 분말이 함유된 봉지재로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 봉지재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 반사판의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극과 연결되도록 형성된 리드프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  15. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 LED 칩을 부착하는 단계;
    반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀을 준비하는 단계;
    상기 틀의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 몰딩재를 충진하는 단계;
    상기 몰딩재와 상기 기판을 접착하되, 상기 기판의 일면 중 상기 LED 칩이 부착된 면이 상기 몰딩재와 접하도록 접착하는 단계;
    상기 틀을 제거하는 단계;
    상기 기판을 제거하여 몰딩재의 일부분을 노출하는 단계;
    상기 노출된 몰딩재 표면에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극과 LED 칩을 전극 연결부를 이용하여 연결하는 단계; 및
    상기 전극과 전극 연결부가 형성된 몰딩재의 표면 상에 반사판을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판은 연성 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 반사판의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극과 연결되는 리드프레임을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  21. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 LED 칩을 부착하는 단계;
    반원 또는 다각형의 형상이 정의된 홈을 갖는 틀을 준비하는 단계;
    상기 틀의 홈 내에 형광체 분말이 함유된 봉지재를 충진하는 단계;
    상기 틀에 충진된 봉지재를 가압하여 틀의 홈 표면과 동일한 프로파일을 갖는 형광막을 형성하는 단계;
    상기 형광막과 상기 기판을 몰딩재를 사용하여 접착하되, 상기 기판의 일면 중 상기 LED 칩이 부착된 면이 상기 형광막의 일부분과 접하도록 접착하는 단계;
    상기 틀을 제거하는 단계;
    상기 기판을 제거하여 몰딩재의 일부분을 노출하는 단계;
    상기 노출된 몰딩재 표면에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극과 LED 칩을 전극 연결부를 이용하여 연결하는 단계; 및
    상기 전극과 전극 연결부가 형성된 몰딩재의 표면 상에 반사판을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 기판은 연성 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 봉지재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 몰딩재는 고무계, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 비닐계 및 유리로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 반사판은 TiO2가 혼합된 실리콘 수지 또는 PPA 수지를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  26. 제21항에 있어서,
    상기 전극 연결부는 와이어 또는 도전성 물질 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 반사판의 측면과 하부면의 일부분에 상기 전극과 연결되는 리드프레임을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법.
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