JP2010217323A - 光結合構造および光送受信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化が可能であり、かつ静電気により光半導体素子に悪影響が及ぶのを防止できる光結合部を備えた光モジュールを提供する。
【解決手段】受発光部1aを有する光半導体素子1と、光半導体素子1の光軸に対して所定の角度で交差する光軸を有する光ファイバ2と、光半導体素子1と光ファイバ2との間を光学的に結合する光結合部3とを備えた光結合構造である。光結合部3は、伝送される光に対して透明な樹脂からなり、光半導体素子1の受発光部1aの少なくとも一部および光ファイバ2の端部2aの少なくとも一部にそれぞれ密着しており、外面における反射によって光半導体素子1の受発光部1aと光ファイバ2との間が光結合可能であり、光ファイバ2は、外周に長さ方向にわたって金属被覆9を有し、金属被覆9は先端部分9aが他の部分9bより薄く形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】受発光部1aを有する光半導体素子1と、光半導体素子1の光軸に対して所定の角度で交差する光軸を有する光ファイバ2と、光半導体素子1と光ファイバ2との間を光学的に結合する光結合部3とを備えた光結合構造である。光結合部3は、伝送される光に対して透明な樹脂からなり、光半導体素子1の受発光部1aの少なくとも一部および光ファイバ2の端部2aの少なくとも一部にそれぞれ密着しており、外面における反射によって光半導体素子1の受発光部1aと光ファイバ2との間が光結合可能であり、光ファイバ2は、外周に長さ方向にわたって金属被覆9を有し、金属被覆9は先端部分9aが他の部分9bより薄く形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信技術、光伝送技術、光情報記録技術に用いられる光モジュールに係わり、特に光モジュールにおける光半導体素子と光ファイバとの光結合構造に関する。
この種の光モジュールとしては、光ファイバに光学的に結合された光半導体素子をパッケージ化した構造のものがある。
図10は、この種の光モジュールを示すもので、この光モジュールは、面受発光型の光半導体素子61が設けられたステム62にキャップ63が被せられている。キャップ63には光ファイバ64が導入されて光半導体素子61に光結合している(特許文献1を参照)。
図10は、この種の光モジュールを示すもので、この光モジュールは、面受発光型の光半導体素子61が設けられたステム62にキャップ63が被せられている。キャップ63には光ファイバ64が導入されて光半導体素子61に光結合している(特許文献1を参照)。
図11は、光モジュールの他の例を示すもので、この光モジュールは、LDチップ71が設けられた基板72がケース73内に設けられている。ケース73には金属コート光ファイバ74が導入されてLDチップ71に光学的に結合されている。LDチップ71と金属コート光ファイバ74との間には集光レンズ75と光アイソレータ76が設けられている(特許文献2を参照)。
しかしながら、特許文献1記載の光モジュールは、光ファイバ64の光軸を光半導体素子61の光軸に合わせる必要があるため、高さ寸法が大きくなるのは避けられなかった。また、光ファイバ64から静電気が光半導体素子61に移り、光半導体素子61に悪影響を及ぼすおそれがあった。
また、特許文献2記載の光モジュールは、LDチップ71と金属コート光ファイバ74との間に集光レンズ75、光アイソレータ76を有するため、小型化が難しいという問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型化が可能であり、かつ静電気により光半導体素子に悪影響が及ぶのを防止できる光モジュールにおける光半導体素子と光ファイバとの光結合構造を提供することを課題とする。
また、特許文献2記載の光モジュールは、LDチップ71と金属コート光ファイバ74との間に集光レンズ75、光アイソレータ76を有するため、小型化が難しいという問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型化が可能であり、かつ静電気により光半導体素子に悪影響が及ぶのを防止できる光モジュールにおける光半導体素子と光ファイバとの光結合構造を提供することを課題とする。
本発明の請求項1に係る発明は、受発光部を有する光半導体素子と、前記光半導体素子の光軸に対して所定の角度で交差する光軸を有する光ファイバと、前記光半導体素子と前記光ファイバとの間を光学的に結合する光結合部とを備え、前記光結合部は、伝送される光に対して透明な樹脂からなり、前記光半導体素子の受発光部の少なくとも一部および前記光ファイバの端部の少なくとも一部にそれぞれ密着しており、外面における反射によって前記光半導体素子の受発光部と前記光ファイバとの間が光結合可能であり、前記光結合部を構成する前記樹脂の外面が、前記光半導体素子の受発光部および前記光伝送路の端部の側に凹んだ形状となっており、前記光ファイバは、外周に長さ方向にわたって金属被覆を有し、前記金属被覆は、前記端部を含む先端部分が他の部分より薄く形成されていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項2に係る発明は、請求項1において、前記光結合部が、気密構造の筐体に収容されていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項3に係る発明は、請求項2において、前記光ファイバは、前記他の部分において前記筐体の挿通孔に挿通していることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれかにおいて、前記光結合部の周囲が気体で覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項5に係る発明は、請求項1〜3のいずれかにおいて、前記光結合部の周囲が光結合部を構成する樹脂より屈折率が低いクラッド樹脂層で覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項6に係る発明は、請求項5において、前記光半導体素子の給電用配線が前記クラッド樹脂層によって覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項2に係る発明は、請求項1において、前記光結合部が、気密構造の筐体に収容されていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項3に係る発明は、請求項2において、前記光ファイバは、前記他の部分において前記筐体の挿通孔に挿通していることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれかにおいて、前記光結合部の周囲が気体で覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項5に係る発明は、請求項1〜3のいずれかにおいて、前記光結合部の周囲が光結合部を構成する樹脂より屈折率が低いクラッド樹脂層で覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項6に係る発明は、請求項5において、前記光半導体素子の給電用配線が前記クラッド樹脂層によって覆われていることを特徴とする光結合構造である。
本発明の請求項7に係る発明は、同一の基板の実装面に実装された受光素子および発光素子と、前記基板の前記実装面から離間して配置された第1の光ファイバおよび第2の光ファイバと、前記受光素子と第1の光ファイバとの間を光学的に結合する第1の光結合部と、前記発光素子と第2の光ファイバとの間を光学的に結合する第2の光結合部とを備え、前記受光素子、第1の光ファイバおよび第1の光結合部が第1の光結合構造を構成するとともに、前記発光素子、第2の光ファイバおよび第2の光結合部が第2の光結合構造を構成した光送受信モジュールであって、
第1の光結合構造および第2の光結合構造の一方または両方が、請求項1〜6のいずれかに記載の光結合構造を構成していることを特徴とする光送受信モジュールである。
第1の光結合構造および第2の光結合構造の一方または両方が、請求項1〜6のいずれかに記載の光結合構造を構成していることを特徴とする光送受信モジュールである。
本発明によれば、光半導体素子に光結合される金属被覆光ファイバの金属被覆の先端部分が他の部分より薄く形成されているので、金属被覆を光半導体素子に干渉させずに金属被覆光ファイバを最適位置に配置することができる。
また、金属被覆が光ファイバ長さ方向にわたって形成されているので、静電気を除去でき、静電気により光半導体素子に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
また、金属被覆光ファイバを、光半導体素子の光軸に交差する方向に配置するので、高さ寸法を小さくし、全体を小型化することができる。
また、金属被覆が光ファイバ長さ方向にわたって形成されているので、静電気を除去でき、静電気により光半導体素子に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
また、金属被覆光ファイバを、光半導体素子の光軸に交差する方向に配置するので、高さ寸法を小さくし、全体を小型化することができる。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図1に、第1形態例に係る光結合構造を備えた光モジュールの一例を示す。
図1に示す光モジュール5は、基板4の上面である実装面4aに実装された光半導体素子1と、基板4の実装面4aに沿い、かつ基板4の実装面4aから離間して配置された金属被覆光ファイバ2と、金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光学的に結合する光結合部3とを備えている。
図1に、第1形態例に係る光結合構造を備えた光モジュールの一例を示す。
図1に示す光モジュール5は、基板4の上面である実装面4aに実装された光半導体素子1と、基板4の実装面4aに沿い、かつ基板4の実装面4aから離間して配置された金属被覆光ファイバ2と、金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光学的に結合する光結合部3とを備えている。
光半導体素子1は、光信号を出射または入射させる部分として受発光部1aを有する。光半導体素子1が受光素子である場合は、受発光部1aは受光部である。光半導体素子1が発光素子である場合は、受発光部1aは発光部である。
発光素子としては、面発光レーザ(VCSEL)、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)等が挙げられる。特に、面発光レーザは伝送速度を高めることができるため好ましい。受光素子としては、フォトダイオード(PD)等が挙げられる。
発光素子としては、面発光レーザ(VCSEL)、発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)等が挙げられる。特に、面発光レーザは伝送速度を高めることができるため好ましい。受光素子としては、フォトダイオード(PD)等が挙げられる。
光半導体素子1は、基板4の実装面4aに形成された回路配線6に対して、接合材により電気的に接続されている。例えば、本形態例の場合は、光半導体素子1の上部(表面)に形成された電極(図示せず)とワイヤ配線7などからなる給電用配線により、回路配線6と電気的に接続されている。
基板4には、例えは、ガラスエポキシ基板、セラミック基板など、一般的な各種絶縁基板を使用することができる。ワイヤ配線7としては、例えば、金(Au)ワイヤ、アルミ(Al)ワイヤ、銅(Cu)ワイヤなどが挙げられる。
基板4には、例えは、ガラスエポキシ基板、セラミック基板など、一般的な各種絶縁基板を使用することができる。ワイヤ配線7としては、例えば、金(Au)ワイヤ、アルミ(Al)ワイヤ、銅(Cu)ワイヤなどが挙げられる。
金属被覆光ファイバ2は、光ファイバ8の外周に長さ方向にわたって金属被覆9が設けられたものである。
光ファイバ8としては、例えば石英系光ファイバ、プラスチック光ファイバ(POF)などの光ファイバ2cが使用できる。詳しくは、石英系のシングルモードまたはマルチモード光ファイバ、石英ガラスのコアとプラスチックのクラッドを有するポリマークラッド光ファイバ、プラスチックからなるマルチモード光ファイバなどが挙げられる。
マルチモード光ファイバは、細径であり、かつ光半導体素子1との光接続が容易となるため好適である。
光ファイバ8は、光ファイバ裸線(図示略)であってもよいし、光ファイバ裸線の外周に樹脂被覆層(図示略)が設けられたものであってもよい。
光ファイバ8としては、例えば石英系光ファイバ、プラスチック光ファイバ(POF)などの光ファイバ2cが使用できる。詳しくは、石英系のシングルモードまたはマルチモード光ファイバ、石英ガラスのコアとプラスチックのクラッドを有するポリマークラッド光ファイバ、プラスチックからなるマルチモード光ファイバなどが挙げられる。
マルチモード光ファイバは、細径であり、かつ光半導体素子1との光接続が容易となるため好適である。
光ファイバ8は、光ファイバ裸線(図示略)であってもよいし、光ファイバ裸線の外周に樹脂被覆層(図示略)が設けられたものであってもよい。
金属被覆9の構成材料は、光ファイバ8の外周に形成できるものであれば特に限定されないが、半田の濡れ性、材料コスト、硬さなどを考慮して選択できる。例えば金、銀、銅、錫、ニッケル、亜鉛、およびこれらのうち2以上の合金が使用できる。半田の濡れ性およびコストの点から、銅を用いるのが好適である。
また、金と錫の合金などの低融点金属を用いることによって、金属被覆9を形成する工程が容易になり、低コスト化を図ることができる。
また、金と錫の合金などの低融点金属を用いることによって、金属被覆9を形成する工程が容易になり、低コスト化を図ることができる。
金属被覆9の先端部分9a、すなわち端部2aから軸方向に所定距離の範囲に相当する部分は、他の部分9bより薄くなっており、これにより細径にされている。先端部分9aは、金属被覆をエッチング等により薄くすることによって形成できる。
先端部分9aの厚さは、例えば0.1〜100μmとすることができ、0.5〜10μmが好適である。
金属被覆9の他の部分9bの厚さは、例えば5〜500μmとすることができ、10〜100μmが好適である。
先端部分9aの厚さは、例えば0.1〜100μmとすることができ、0.5〜10μmが好適である。
金属被覆9の他の部分9bの厚さは、例えば5〜500μmとすることができ、10〜100μmが好適である。
金属被覆光ファイバ2は金属被覆9の先端部分9aが細径とされているので、金属被覆9が光半導体素子1に接触することがなく、金属被覆光ファイバ2を、光結合損失を最も低くできる最適位置に配置できる。
さらに、金属被覆9が光ファイバ8の長さ方向にわたって設けられているので、光ファイバ8が帯電するのを防止でき、静電気が光半導体素子1に悪影響を与えるのを防止できる。
金属被覆光ファイバ2は、光結合部3に対する光の出入射の方向が一定となるように、少なくとも端部2a付近では、光軸2bが直線状であることが好ましい。
さらに、金属被覆9が光ファイバ8の長さ方向にわたって設けられているので、光ファイバ8が帯電するのを防止でき、静電気が光半導体素子1に悪影響を与えるのを防止できる。
金属被覆光ファイバ2は、光結合部3に対する光の出入射の方向が一定となるように、少なくとも端部2a付近では、光軸2bが直線状であることが好ましい。
光半導体素子1は、その光軸1bが金属被覆光ファイバ2の光軸2b(特に端部2a付近における光軸2b)に所定の角度θで交差するように配置されている。光半導体素子1および金属被覆光ファイバ2の光軸1b,2bが互いに垂直(または略垂直)に配置されることが好ましい。なお、この角度θは垂直に限定されない。
光結合部3は、伝送される光に対して透明な樹脂からなる。光結合部3を構成する樹脂は、光半導体素子1の受発光部1aの少なくとも一部および金属被覆光ファイバ2の端部2aの先端面の少なくとも一部にそれぞれ密着している。
ここでいう透明樹脂とは、光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2との間を伝送する光を透過させることが可能なものを指している。従って、必ずしも可視光下で無色透明な色調のものに限定されるものではない。透明樹脂としては、例えば、UV硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などを用いることができる。透明樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。
ここでいう透明樹脂とは、光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2との間を伝送する光を透過させることが可能なものを指している。従って、必ずしも可視光下で無色透明な色調のものに限定されるものではない。透明樹脂としては、例えば、UV硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などを用いることができる。透明樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。
光結合部3の形状は、図1では光結合部3が金属被覆光ファイバ2の端部2aの先端面の全面を覆い、光結合部3の上端が金属被覆光ファイバ2の上部まで付着しているが、図5に示す光モジュール5Aのように、金属被覆光ファイバ2の端部2aの先端面の一部が光結合部3Aの外側に露出されてもよい。この場合でも、金属被覆光ファイバ2の光ファイバ8のコア(図示せず)の全断面が光結合部3Aに覆われることが好ましい。
ここで光結合部3は、光半導体素子1が受光素子の場合には、金属被覆光ファイバ2から光結合部3に入射した光は、光結合部3を構成する透明樹脂とその外部の気体(例えば空気や乾燥窒素ガスなど)との界面3aとの屈折率差により反射されて光半導体素子1に入射する。
光半導体素子1が発光素子の場合には、光半導体素子1から光結合部3に入射した光は、光結合部3を構成する透明樹脂と外部の気体との界面3aとの屈折率差により反射されて金属被覆光ファイバ2に入射する。
光半導体素子1が発光素子の場合には、光半導体素子1から光結合部3に入射した光は、光結合部3を構成する透明樹脂と外部の気体との界面3aとの屈折率差により反射されて金属被覆光ファイバ2に入射する。
光結合部3は、外面3aが外部の気体との界面を形成しており、光結合部3を構成する透明樹脂は、金属被覆光ファイバ2の光軸2bと光半導体素子1の光軸1bとが交差する交点Pの位置には存在せず、光結合部3の外面3a(光結合部3と外部の気体との界面)が、光半導体素子1の受発光部1aまたは金属被覆光ファイバ2の端部2aの側に凹んだ形状となっている。
詳しくは、光結合部3を構成する樹脂の外面3aにおいて、(1)受発光部1aに対向する位置Aが受発光部1a側に凹んだ形状の凹面部11、(2)金属被覆光ファイバ2の端部2aに対向する位置Bが金属被覆光ファイバ2の端部2a側に凹んだ形状の凹面部12、(3)受発光部1aに対向する位置Aと金属被覆光ファイバ2の端部2aに対向する位置Bとの間が凹んだ形状の凹面部13、の少なくともいずれかが形成されていることが好ましい。
詳しくは、光結合部3を構成する樹脂の外面3aにおいて、(1)受発光部1aに対向する位置Aが受発光部1a側に凹んだ形状の凹面部11、(2)金属被覆光ファイバ2の端部2aに対向する位置Bが金属被覆光ファイバ2の端部2a側に凹んだ形状の凹面部12、(3)受発光部1aに対向する位置Aと金属被覆光ファイバ2の端部2aに対向する位置Bとの間が凹んだ形状の凹面部13、の少なくともいずれかが形成されていることが好ましい。
(1)の受発光部1a側の凹面部11は、例えば、光半導体素子1の光軸1bが樹脂の外面3aと交差する位置Aの近傍において、樹脂の外面3aが樹脂側に凹となる凹面を形成していれば良い。
(2)の金属被覆光ファイバ2側の凹面部12は、例えば、金属被覆光ファイバ2の光軸2bが樹脂の外面3aと交差する位置Bの近傍において、樹脂の外面3aが樹脂側に凹となる凹面を形成していれば良い。
(3)の中間部の凹面部13は、例えば、光半導体素子1の光軸1bが樹脂の外面3aと交差する位置Aと、金属被覆光ファイバ2の光軸2bが樹脂の外面3aと交差する位置Bとの間を結ぶ線分ABがA−B間で樹脂の外側(外部の気体側)を通り、樹脂の外面3aが凹となる凹面を形成していれば良い。
外面3aは、(1)〜(3)のすべてにおいて凹んだ形状であってもよい。
(2)の金属被覆光ファイバ2側の凹面部12は、例えば、金属被覆光ファイバ2の光軸2bが樹脂の外面3aと交差する位置Bの近傍において、樹脂の外面3aが樹脂側に凹となる凹面を形成していれば良い。
(3)の中間部の凹面部13は、例えば、光半導体素子1の光軸1bが樹脂の外面3aと交差する位置Aと、金属被覆光ファイバ2の光軸2bが樹脂の外面3aと交差する位置Bとの間を結ぶ線分ABがA−B間で樹脂の外側(外部の気体側)を通り、樹脂の外面3aが凹となる凹面を形成していれば良い。
外面3aは、(1)〜(3)のすべてにおいて凹んだ形状であってもよい。
本形態例の光結合部3は、これらの凹面部11,12,13を有することにより、透明樹脂の界面の形状について、反射面としての位置および角度を精密に制御しなくても、より低い作製精度で確実な光結合を実現することができる。また、金属被覆光ファイバ2の端部2aと光半導体素子1の受発光部1aとの間が単一の透明樹脂で構成された光結合部3で光結合され、極めて低コストに、かつ簡易な工程で作製可能である。
ここでいう単一の透明樹脂とは、成分(組成)が均一(単一)、特定の波長の光に対する透過率が均一、物理的に2層以上ではない(界面がない)など、いずれの意味も包含するものである。
ここでいう単一の透明樹脂とは、成分(組成)が均一(単一)、特定の波長の光に対する透過率が均一、物理的に2層以上ではない(界面がない)など、いずれの意味も包含するものである。
これらの凹面部11〜13は、それぞれ光半導体素子1の受発光部1aおよび金属被覆光ファイバ2の端部2aの位置に近い方が、透明樹脂の界面3aにおける反射によって光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2との間を光結合する際に、光が拡散する範囲が狭くなり、損失を低減することができる。このため、光結合部3は、光半導体素子1の光軸1bと金属被覆光ファイバ2の光軸2bとが交差する交点Pの位置には前記樹脂が存在せず、樹脂の外面3aが受発光部1aに対向する位置Aが交点Pと受発光部1aとの間にあり、かつ、樹脂の外面3aが金属被覆光ファイバ2の端部2aに対向する位置Bが交点Pと金属被覆光ファイバ2の端部2aとの間にあることが好ましい。
さらに本形態例の光結合部3は、透明樹脂の周囲が気体で覆われているため、透明樹脂との屈折率差が大きくなり、界面における光の反射率を高めることができる。これにより、光の結合効率をより向上することができる。
基板4の実装面4aにおいて、光半導体素子1を受発光部1aが基板4の実装面4aの反対側(図1では上側)となるように実装することができるので、ダイボンディングやワイヤボンディングによる実装が可能になる。これにより、伝送特性に重要な配線を最短の線路長でつなぐことができ、ノイズが乗りにくく、良好な伝送特性が得られる。また、ボンディングの外観検査が容易であり、接続不良を発見するのが容易になる。
次に、本発明の光モジュールの製造方法の説明にあたって、前述した図1に示す構成の光モジュール5の製造方法を例示する。
図2に示すように、予め実装面4aに回路配線6が形成され、光半導体素子1が実装された基板4を用意し、光半導体素子1の受発光部1aに対して、精密ディスペンサ等の樹脂ディップ装置29を用いて、未硬化の透明樹脂31を塗布する。
図2に示すように、予め実装面4aに回路配線6が形成され、光半導体素子1が実装された基板4を用意し、光半導体素子1の受発光部1aに対して、精密ディスペンサ等の樹脂ディップ装置29を用いて、未硬化の透明樹脂31を塗布する。
続いて、図3に示すように、光半導体素子1に対して金属被覆光ファイバ2の端部2aを、光半導体素子1上に盛り付けた透明樹脂31に向けて(矢印Lの方向に)差し込む。
そして、透明樹脂31に差し込んだ金属被覆光ファイバ2を光半導体素子1から遠ざけるように移動する。このとき、金属被覆光ファイバ2は、光半導体素子1からゆっくりと斜め上方向(矢印Rの方向)に引き上げる。
そして、透明樹脂31に差し込んだ金属被覆光ファイバ2を光半導体素子1から遠ざけるように移動する。このとき、金属被覆光ファイバ2は、光半導体素子1からゆっくりと斜め上方向(矢印Rの方向)に引き上げる。
この後、透明樹脂31の種類に応じて、必要に応じて例えばUV(紫外線)の照射や加熱を行い、透明樹脂31を硬化させる。これにより、光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2とを光学的に接続する(光結合する)光結合部3が形成され、光モジュール5が完成する。
光モジュール5では、光半導体素子1に光結合される金属被覆光ファイバ2の金属被覆9の先端部分9aが他の部分9bより薄く形成されているので、金属被覆9を光半導体素子1に干渉させずに金属被覆光ファイバ2を最適位置に配置することができる。
また、金属被覆9が光ファイバ長さ方向にわたって形成されているので、光ファイバ8が帯電することがなく、静電気により光半導体素子1に悪影響が及ぶことがない。
また、金属被覆光ファイバ2を、光半導体素子1の光軸に交差する方向に配置するので、高さ寸法を小さくし、全体を小型化することができる。
また、金属被覆9が光ファイバ長さ方向にわたって形成されているので、光ファイバ8が帯電することがなく、静電気により光半導体素子1に悪影響が及ぶことがない。
また、金属被覆光ファイバ2を、光半導体素子1の光軸に交差する方向に配置するので、高さ寸法を小さくし、全体を小型化することができる。
図4に、第2形態例に係る光結合構造を備えた光モジュールの一例を示す。
図4に示す光モジュール15は、基板4の実装面4aに実装された光半導体素子1と、基板4の実装面4aに沿い、かつ基板4の実装面4aから離間して配置された金属被覆光ファイバ2と、金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光学的に結合する光結合部3と、光結合部3の周囲を覆うクラッド樹脂層14を備えている。
図4に示す光モジュール15は、基板4の実装面4aに実装された光半導体素子1と、基板4の実装面4aに沿い、かつ基板4の実装面4aから離間して配置された金属被覆光ファイバ2と、金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光学的に結合する光結合部3と、光結合部3の周囲を覆うクラッド樹脂層14を備えている。
本形態例の光モジュール15は、光結合部3の周囲が、光結合部3を構成する透明樹脂(第1の樹脂)より屈折率が低い第2の樹脂からなるクラッド樹脂層14で覆われている点で第1形態例に係る光モジュール5と異なる。光半導体素子1、金属被覆光ファイバ2、基板4、回路配線6、ワイヤ配線7等は、第1形態例に係る光モジュール5と同様に構成することができる。
クラッド樹脂層14は、光結合部3を構成する透明樹脂よりも屈折率の低い樹脂で形成されているので、光結合部3の中を伝送する光がクラッド樹脂層14の方に入射し散乱してしまうことを抑制することができる。さらに、クラッド樹脂層14の周囲を、光結合部3よりも高い屈折率を有する樹脂(図示せず)で封止することも可能になる。
ここでいう屈折率とは、光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2との間を伝送する光の波長における屈折率を指している。第2の樹脂としては、例えば、UV硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などを用いることができる。第2の樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。
クラッド樹脂層14は、図2および図3に示すようにして光結合部3を形成した後に、第2の樹脂を塗布して硬化することにより形成することができる。
クラッド樹脂層14は、光結合部3を構成する透明樹脂よりも屈折率の低い樹脂で形成されているので、光結合部3の中を伝送する光がクラッド樹脂層14の方に入射し散乱してしまうことを抑制することができる。さらに、クラッド樹脂層14の周囲を、光結合部3よりも高い屈折率を有する樹脂(図示せず)で封止することも可能になる。
ここでいう屈折率とは、光半導体素子1と金属被覆光ファイバ2との間を伝送する光の波長における屈折率を指している。第2の樹脂としては、例えば、UV硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などを用いることができる。第2の樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。
クラッド樹脂層14は、図2および図3に示すようにして光結合部3を形成した後に、第2の樹脂を塗布して硬化することにより形成することができる。
図6は、本発明の光送受信モジュールの他の形態例を示す斜視図である。本形態例の光送受信モジュール50は、同一の基板54の実装面54aに実装された受光素子である第1の光半導体素子51aおよび発光素子である第2の光半導体素子51bと、基板54の実装面54aから離間して配置された第1の光ファイバ52aおよび第2の光ファイバ52bと、第1の光半導体素子51aと第1の光ファイバ52aとの間を光学的に結合する第1の光結合部53aと、第2の光半導体素子51bと第2の光ファイバ52bとの間を光学的に結合する第2の光結合部53bとを備えている。
光ファイバ52a、52bは金属被覆光ファイバ2と同様の構成とすることができる。
第1の光半導体素子51a、第1の光ファイバ52aおよび第1の光結合部53aが第1の光結合構造を構成し、第2の光半導体素子51b、第2の光ファイバ52bおよび第2の光結合部53bが第2の光結合構造を構成している。
光ファイバ52a、52bは金属被覆光ファイバ2と同様の構成とすることができる。
第1の光半導体素子51a、第1の光ファイバ52aおよび第1の光結合部53aが第1の光結合構造を構成し、第2の光半導体素子51b、第2の光ファイバ52bおよび第2の光結合部53bが第2の光結合構造を構成している。
光モジュールに搭載される光半導体素子の個数は、1個や2個に限定されるものではなく、3個以上であってもよい。光半導体素子と光ファイバとの光結合構造は、光半導体素子の個数に応じて必要な数を設けることができる。
図7は、第3形態例にかかる光結合構造を有する光モジュールである。
図7に示す光モジュール25における金属被覆光ファイバ22では、光ファイバ8に代えて、マルチモードのプラスチック光ファイバ28が用いられている。その他の構成は第1形態例の光モジュール5と同様とすることができる。
光モジュール25では、比較的コアの径が大きいプラスチック光ファイバ28を用いたので、光半導体素子1に対する光結合効率を高めることができる。
図7に示す光モジュール25における金属被覆光ファイバ22では、光ファイバ8に代えて、マルチモードのプラスチック光ファイバ28が用いられている。その他の構成は第1形態例の光モジュール5と同様とすることができる。
光モジュール25では、比較的コアの径が大きいプラスチック光ファイバ28を用いたので、光半導体素子1に対する光結合効率を高めることができる。
図8は、第4形態例にかかる光結合構造を有する光モジュールである。
図8に示す光モジュール35では、金属被覆光ファイバ32の金属被覆39は、光ファイバ8の外周に設けられた第1の金属被覆39cと、この金属被覆39cの先端部分以外の部分に形成された第2の金属被覆39dによって構成されている。このため、金属被覆39の先端部分39aは、他の部分39b(第2の金属被覆39dが形成された部分)に比べ薄く形成されることにより細径にされている。その他の構成は第1形態例の光モジュール5と同様とすることができる。
光モジュール35によれば、エッチング工程が不要となるため、製造工程が簡略化される。また、いったん形成した金属被覆の一部をエッチングにより除去する必要がないため、金属被覆材料を有効に使用でき、低コスト化を図ることができる。
図8に示す光モジュール35では、金属被覆光ファイバ32の金属被覆39は、光ファイバ8の外周に設けられた第1の金属被覆39cと、この金属被覆39cの先端部分以外の部分に形成された第2の金属被覆39dによって構成されている。このため、金属被覆39の先端部分39aは、他の部分39b(第2の金属被覆39dが形成された部分)に比べ薄く形成されることにより細径にされている。その他の構成は第1形態例の光モジュール5と同様とすることができる。
光モジュール35によれば、エッチング工程が不要となるため、製造工程が簡略化される。また、いったん形成した金属被覆の一部をエッチングにより除去する必要がないため、金属被覆材料を有効に使用でき、低コスト化を図ることができる。
図9は、第5形態例にかかる光結合構造を有する光モジュールである。
図9に示す光モジュール45では、金属被覆光ファイバ32の先端部分39aを含む部分、光結合部3、光半導体素子1、ワイヤ配線7等が気密構造の箱状の筐体41に収容されている。
筐体41は、金属で構成されるのが好ましく、例えば銅、真鍮、ステンレスなどが好適である。筐体41には挿通孔41aが形成され、挿通孔41aには金属被覆光ファイバ32が他の部分39bにおいて挿通しており、挿通部分が半田42で封止されている。その他の構成は第4形態例の光モジュール35と同様とすることができる。
この光モジュール45では、光モジュール45が筐体41内に収容されているので、光モジュール45を保護し、その信頼性を高めることができる。
図9に示す光モジュール45では、金属被覆光ファイバ32の先端部分39aを含む部分、光結合部3、光半導体素子1、ワイヤ配線7等が気密構造の箱状の筐体41に収容されている。
筐体41は、金属で構成されるのが好ましく、例えば銅、真鍮、ステンレスなどが好適である。筐体41には挿通孔41aが形成され、挿通孔41aには金属被覆光ファイバ32が他の部分39bにおいて挿通しており、挿通部分が半田42で封止されている。その他の構成は第4形態例の光モジュール35と同様とすることができる。
この光モジュール45では、光モジュール45が筐体41内に収容されているので、光モジュール45を保護し、その信頼性を高めることができる。
(実施例1)
図1〜図3に示すように、ポリイミド樹脂からなる被覆層(図示略)を有する石英マルチモード光ファイバ8(コア外径50μm、クラッド外径125μm)の全長にわたって厚さ40μmの銅被覆(金属被覆9)を形成した。
金属被覆9の先端から軸方向長さ1000μmにわたる部分(先端部分9a)を、濃硫酸を用いたエッチングにより厚さ1μmとし、金属被覆光ファイバ2を得た。
光半導体素子1には面発光レーザを使用した。透明樹脂31にはUV硬化樹脂(アクリル系樹脂)を使用し、基板4にはガラスエポキシ基板を使用し、ワイヤ配線7には金ワイヤを用いた。
基板4上の回路配線6に光半導体素子1を実装し、光半導体素子1の下面側の電極と回路配線6を接続するとともに、上面側の電極を、ワイヤ配線7を介して回路配線6に接続した。
光半導体素子1の受発光部1a上に透明樹脂31を塗布し、この透明樹脂31に金属被覆光ファイバ2の先端を差し込んで、斜め上方に引き上げた後、UVを照射して透明樹脂31を硬化させることにより、図1に示す光モジュール5を作製した。
図1〜図3に示すように、ポリイミド樹脂からなる被覆層(図示略)を有する石英マルチモード光ファイバ8(コア外径50μm、クラッド外径125μm)の全長にわたって厚さ40μmの銅被覆(金属被覆9)を形成した。
金属被覆9の先端から軸方向長さ1000μmにわたる部分(先端部分9a)を、濃硫酸を用いたエッチングにより厚さ1μmとし、金属被覆光ファイバ2を得た。
光半導体素子1には面発光レーザを使用した。透明樹脂31にはUV硬化樹脂(アクリル系樹脂)を使用し、基板4にはガラスエポキシ基板を使用し、ワイヤ配線7には金ワイヤを用いた。
基板4上の回路配線6に光半導体素子1を実装し、光半導体素子1の下面側の電極と回路配線6を接続するとともに、上面側の電極を、ワイヤ配線7を介して回路配線6に接続した。
光半導体素子1の受発光部1a上に透明樹脂31を塗布し、この透明樹脂31に金属被覆光ファイバ2の先端を差し込んで、斜め上方に引き上げた後、UVを照射して透明樹脂31を硬化させることにより、図1に示す光モジュール5を作製した。
この光モジュール5では、金属被覆9の先端部分9aが薄く形成されているので、金属被覆9を光半導体素子1に接触させずに、光結合損失を最も低減できる位置に金属被覆光ファイバ2を配置できた。
(実施例2)
図7に示すように、光ファイバ8に代えて、マルチモードのプラスチック光ファイバ28を用いること以外は、実施例1の光モジュール5と同様にして光モジュール25を作製した。
この光モジュール25では、比較的コアの径が大きいプラスチック光ファイバ28(コア外径240μm、クラッド外径250μm)を用いたので、光半導体素子1に対する光結合効率を高めることができたことが確認できた。
図7に示すように、光ファイバ8に代えて、マルチモードのプラスチック光ファイバ28を用いること以外は、実施例1の光モジュール5と同様にして光モジュール25を作製した。
この光モジュール25では、比較的コアの径が大きいプラスチック光ファイバ28(コア外径240μm、クラッド外径250μm)を用いたので、光半導体素子1に対する光結合効率を高めることができたことが確認できた。
(実施例3)
図1に示すように、光ファイバ8として、石英ガラスからなるコア(図示略)と、フッ素樹脂からなるクラッド(図示略)とを有するポリマークラッド光ファイバ8を用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
ポリマークラッド光ファイバ8は耐熱性に優れているため、耐熱性に優れた光モジュール5が得られた。
図1に示すように、光ファイバ8として、石英ガラスからなるコア(図示略)と、フッ素樹脂からなるクラッド(図示略)とを有するポリマークラッド光ファイバ8を用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
ポリマークラッド光ファイバ8は耐熱性に優れているため、耐熱性に優れた光モジュール5が得られた。
(実施例4)
図1に示すように、銅に代えて、金と錫の合金を用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
金と錫の合金は低融点金属であるため、金属被覆9を形成する工程が容易になったことが確認できた。
図1に示すように、銅に代えて、金と錫の合金を用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
金と錫の合金は低融点金属であるため、金属被覆9を形成する工程が容易になったことが確認できた。
(実施例5)
図1に示すように、光半導体素子1として、面発光レーザに代えてフォトダイオードを用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
受光素子である光半導体素子1を用いた場合でも金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光結合できることが確認できた。
図1に示すように、光半導体素子1として、面発光レーザに代えてフォトダイオードを用いること以外は実施例1と同様にして光モジュール5を作製した。
受光素子である光半導体素子1を用いた場合でも金属被覆光ファイバ2と光半導体素子1との間を光結合できることが確認できた。
(実施例6)
図8に示す光モジュール35を次のようにして作製した。
光ファイバ8の外周に銅からなる第1の金属被覆39c(厚さ1μm)を形成し、この金属被覆39cの先端部分以外の部分に、銅からなる第2の金属被覆39d(厚さ39μm)を形成することによって金属被覆39を得た。先端部分39aの軸方向長さは1000μmとした。それ以外の構成は実施例1に準じた。
光モジュール35は、エッチング工程が不要となるため、製造が容易になった。
図8に示す光モジュール35を次のようにして作製した。
光ファイバ8の外周に銅からなる第1の金属被覆39c(厚さ1μm)を形成し、この金属被覆39cの先端部分以外の部分に、銅からなる第2の金属被覆39d(厚さ39μm)を形成することによって金属被覆39を得た。先端部分39aの軸方向長さは1000μmとした。それ以外の構成は実施例1に準じた。
光モジュール35は、エッチング工程が不要となるため、製造が容易になった。
(実施例7)
図9に示すように、金属被覆光ファイバ32の先端部分39aを含む部分、光結合部3、光半導体素子1、ワイヤ配線7等を気密構造の箱状の筐体41に収容すること以外は実施例6に準じて光モジュール45を作製した。
図9に示すように、金属被覆光ファイバ32の先端部分39aを含む部分、光結合部3、光半導体素子1、ワイヤ配線7等を気密構造の箱状の筐体41に収容すること以外は実施例6に準じて光モジュール45を作製した。
1,51a,51b・・・光半導体素子、1a・・・受発光部、1b・・・光半導体素子の光軸、2,52a,52b・・・金属被覆光ファイバ、2a・・・光ファイバの端部、2b・・・光ファイバの光軸、3,53a,53b・・・光結合部、3a・・・光結合部の外面(界面)、4,54・・・基板、4a,54a・・・基板の実装面、5,5A・・・光モジュール、7,57a,57b・・・ワイヤ配線(給電用配線)、8・・・光ファイバ、9・・・金属被覆、14,59・・・クラッド樹脂層、15・・・光モジュール、11,12,13・・・凹面部、41・・・筐体、41a・・・挿通孔、50・・・光送受信モジュール、θ・・・光軸同士の成す角度。
Claims (7)
- 受発光部を有する光半導体素子と、
前記光半導体素子の光軸に対して所定の角度で交差する光軸を有する光ファイバと、
前記光半導体素子と前記光ファイバとの間を光学的に結合する光結合部とを備え、
前記光結合部は、伝送される光に対して透明な樹脂からなり、前記光半導体素子の受発光部の少なくとも一部および前記光ファイバの端部の少なくとも一部にそれぞれ密着しており、外面における反射によって前記光半導体素子の受発光部と前記光ファイバとの間が光結合可能であり、
前記光結合部を構成する前記樹脂の外面が、前記光半導体素子の受発光部および前記光伝送路の端部の側に凹んだ形状となっており、
前記光ファイバは、外周に長さ方向にわたって金属被覆を有し、前記金属被覆は、前記端部を含む先端部分が他の部分より薄く形成されていることを特徴とする光結合構造。 - 前記光結合部が、気密構造の筐体に収容されていることを特徴とする請求項1に記載の光結合構造。
- 前記光ファイバは、前記他の部分において前記筐体の挿通孔に挿通していることを特徴とする請求項2に記載の光結合構造。
- 前記光結合部の周囲が気体で覆われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光結合構造。
- 前記光結合部の周囲が光結合部を構成する樹脂より屈折率が低いクラッド樹脂層で覆われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光結合構造。
- 前記光半導体素子の給電用配線が前記クラッド樹脂層によって覆われていることを特徴とする請求項5に記載の光結合構造。
- 同一の基板の実装面に実装された受光素子および発光素子と、前記基板の前記実装面から離間して配置された第1の光ファイバおよび第2の光ファイバと、前記受光素子と第1の光ファイバとの間を光学的に結合する第1の光結合部と、前記発光素子と第2の光ファイバとの間を光学的に結合する第2の光結合部とを備え、前記受光素子、第1の光ファイバおよび第1の光結合部が第1の光結合構造を構成するとともに、前記発光素子、第2の光ファイバおよび第2の光結合部が第2の光結合構造を構成した光送受信モジュールであって、
第1の光結合構造および第2の光結合構造の一方または両方が、請求項1〜6のいずれかに記載の光結合構造を構成していることを特徴とする光送受信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009061628A JP2010217323A (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 光結合構造および光送受信モジュール |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2009
- 2009-03-13 JP JP2009061628A patent/JP2010217323A/ja active Pending
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