JP2011095294A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】光ファイバを使用して、導波損失が少なく、伝送距離を長くできるように工夫した光モジュールを提供する。
【解決手段】光素子１２ａと光学的に結合するコア部１７を有する内部導波路１６が設けられた第１基板１と、第１基板１のコア部１７と光学的に結合させるファイバコア部２１を有する光ファイバ２が固定された第２基板３４とが設けられた光モジュールである。第１基板１に位置決め用第１嵌合部３１を有し、第２基板３４に位置決め用第２嵌合部３８を有する。第１嵌合部３１と第２嵌合部３８とを嵌合させた時に、第１基板１のコア部１７の端面と第２基板３４のファイバコア部２１の端面とが対向された状態で、両コア部１７，２１の光軸が各基板１，３４の幅方向に一致した状態で光学的に結合される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。

従来、光モジュールとしては、光素子が設けられるマウント基板と、このマウント基板と連結する外部導波路基板とを備えたものがある。このマウント基板には、光素子と光学的に結合するコア部を有する内部導波路が設けられている。また、外部導波路基板には、マウント基板の内部導波路と光学的に結合し得るコア部を有する外部導波路が設けられている（特許文献１参照）。

ここで、外部導波路基板のコア部は、マウント基板の内部導波路のコア部と基本的には同じ材料で構成されて、フィルムタイプの外部導波路基板と呼ばれている。

この従来のフィルムタイプの外部導波路基板は、導波損失が多く、伝送距離が短いという問題がある。

特開２００９−３１７８０号公報

そこで、従来のフィルムタイプの外部導波路基板に代えて、導波損失が少なく、伝送距離を長くできる光ファイバを用いることが考えられる。

しかしながら、光ファイバは、通常、ファイバコア部とファイバクラッド部と被覆部とで構成されるコードタイプであるために、光モジュールに使用する場合には、従来のフィルムタイプとは異なる技術的工夫を加える必要がある。

本発明は、前記問題に応えるためになされたもので、光ファイバを使用して、導波損失が少なく、伝送距離を長くできるように工夫した光モジュールを提供することを目的とするものである。

前記課題を解決するために、本発明は、光素子とこの光素子と光学的に結合するコア部を有する内部導波路が一面に設けられた第１基板と、第１基板の一面と対向する他面に、第１基板のコア部と光学的に結合させるファイバコア部を有する光ファイバが固定された第２基板とが設けられた光モジュールであって、前記第１基板の一面に形成された凹凸状の位置決め用第１嵌合部と、前記第２基板の他面に形成された凹凸状の位置決め用第２嵌合部とを有し、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合させた時に、第１基板のコア部の端面と第２基板のファイバコア部の端面とが対向された状態で、両コア部の光軸が各基板の幅方向に一致した状態で光学的に結合されることを特徴とする光モジュールを提供するものである。

請求項２のように、請求項１において、前記第１嵌合部と第２嵌合部のいずれか一方の高さを調整することで、両コア部の光軸が各基板の高さ方向に一致した状態で光学的に結合されるように調整する構成とすることができる。

請求項３のように、請求項１または２において、前記第１基板のコア部の端面は、第１基板の端面に形成され、前記第２基板のファイバコア部の端面は、第１基板の端面に臨むコア部の端面と対向されている構成とすることができる。

請求項４のように、請求項１〜３において、前記第２基板の第２嵌合部は、第２基板の他面に形成された凸状の嵌合構造体の一部として一体形成され、この嵌合構造体には、前記光ファイバの両側面の挿入をガイドする挿入ガイド溝が形成されている構成とすることができる。

請求項５のように、請求項４において、前記挿入ガイド溝は、光ファイバの挿入方向に向かって幅が狭くなるように形成されている構成とすることができる。

請求項６のように、請求項１〜５において、前記第２基板の他面に、前記光ファイバの挿入先端を当て止めるストッパ部が形成されている構成とすることができる。

請求項７のように、請求項６において、前記ストッパ部は、第２基板の他面に形成された凸状の嵌合構造体と同時に形成されている構成とすることができる。

請求項８のように、請求項１〜７において、前記第２基板の他面に、前記両コア部の結合部をオーバーハングして、第１基板の一面に固定されるオーバーハング部が形成されている構成とすることができる。

請求項９のように、請求項１〜８において、前記光ファイバを第２基板の他面との間に挟み込んで固定する第３基板が設けられている構成とすることができる。

本発明によれば、第１基板の第１嵌合部と第２基板の第２嵌合部とを嵌合させると、第１基板のコア部の端面と第２基板のファイバコア部の端面とが対向された状態で、両コア部の光軸が各基板の幅方向に一致した状態で光学的に結合されるようになる。したがって、第１基板のコア部に対する第２基板のファイバコア部の幅方向の光軸の位置決めが確実に行える。また、光ファイバを用いるので、従来のフィルムタイプの外部導波路基板と比べて、導波損失が少なく、伝送距離を長くすることが可能となる。

請求項２によれば、第１嵌合部または第２嵌合部の高さを調整するだけで、両コア部の光軸が各基板の高さ方向に一致した状態で光学的に結合されるように簡単に調整することができる。

請求項３によれば、第２基板のファイバコア部の端面を、第１基板の端面に臨むコア部の端面と対向させているから、光ファイバは第１基板の一面にオーバーハングされないので、光ファイバの外径に影響されずに、コア部とファイバコア部の光学的結合が可能となる。

請求項４によれば、第２基板の第２嵌合部は、第２基板の他面の凸状の嵌合構造体の一部として一体形成して、この嵌合構造体に、光ファイバの両側面の挿入をガイドするとともに、光ファイバの両側面を位置決めする挿入ガイド溝を形成している。したがって、挿入ガイド溝を利用して光ファイバをスムーズに挿入できるとともに、光ファイバの位置決めも正確に行える。また、第２嵌合部と、挿入ガイド溝を形成した嵌合構造体を一体形成することで、第２嵌合部と挿入ガイド溝との位置関係が高精度となる。

請求項５によれば、挿入ガイド溝を光ファイバの挿入方向に向かって幅が狭くなるように形成することで、光ファイバをよりスムーズに挿入でき、挿入しながら光ファイバが位置決めされるようになる。

請求項６によれば、ストッパ部により、光ファイバの挿入先端を当て止めることで、光ファイバの先端の位置決めが容易になる。

請求項７によれば、第２嵌合部と、挿入ガイド溝を形成した嵌合構造体と、ストッパ部とを一体形成することで、第２基板の第２嵌合部と挿入ガイド溝とストッパ部の位置関係が高精度となる。

請求項８によれば、第２基板のオーバーハング部は、第１基板の一面に固定することで、コア部とファイバコア部の光学的結合部の機械強度を向上させることができる。

請求項９によれば、光ファイバを第２基板の他面との間に第３基板で挟み込んで固定することで、光ファイバの固定が強固になる。

本発明の実施形態に係る光モジュールの概略側面図である。 図１の発光側の光モジュールの要部平面図である。 図２の側面図である。 （ａ）は図２のＩ−Ｉ線断面図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大図である。 （ａ）は第１基板の平面（上面）図、（ｂ）は第２基板の底面（下面）図である。 （ａ）は、変形例の第１嵌合部を形成した第１基板の平面（上面）図、（ｂ）は、変形例の第２嵌合部を形成した第２基板の底面（下面）図である。 変形例の第１嵌合部を形成した第１基板の平面（上面）図である。 （ａ）は第２嵌合部の高さを高くした第１、第２基板の断面図、（ｂ）は第１嵌合部の高さを高くした第１、第２基板の断面図である。 第１基板のコア部の端面と第２基板のファイバコア部の端面との拡大側面図である。 光ファイバの挿入状態を示す第２基板の底面（下面）図である。 （ａ）はストッパ部（先端位置決め構造体）を説明するための第２基板の底面（下面）図、（ｂ）は（ａ）の要部拡大図である。 第３基板であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図である。 （ａ）は光ファイバブロックの製造方法の工程６の平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。 光ファイバブロックの製造方法の工程１〜３の平面図である。 光ファイバブロックの製造方法の工程４、５の平面図である。 光ファイバブロックの製造方法の工程６、７の平面図である。 光ファイバのファイバクラッド部を固定する工程の平面図である。 （ａ）はスタンパ工法の側面図、（ｂ）はフォトリソグラフ工法の側面図である。 （ａ）は位置決め治具の逃げ部の断面図、（ｂ）は第３基板の逃げ部の断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明に係る光モジュールの概略側面図である。図２は図１の発光側の光モジュールの要部平面図、図３は図２の側面図、図４（ａ）は図２のＩ−Ｉ線断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の要部拡大図である。図５（ａ）は第１基板１の平面（上面）図、図５（ｂ）は第２基板の底面（下面）図である。

図１において、光モジュールは、発光側の第１（マウント）基板１と、受光側の第１（マウント）基板３と、この第１基板１，３を光学的に結合する光ファイバ２とを備えている。なお、以下の説明において、図１の上下方向を上下（高さ）方向、紙面と直交する方向を左右（幅）方向、図１の左側を前方、右側を後方という。

第１基板１，３は、前後方向に延びる長方体をなしており、厚さが２００μｍ〜２ｍｍ程度のものである。

第１基板１，３は、それよりも大型の第４（サブマウント）基板２５の上面にそれぞれ設置されている。各第４基板２５の下面には、他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタ２４がそれぞれ取付けられている。

第１基板１の上面（一面）１１には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａが発光面が下向きになるようフリップチップ実装され、第４基板２５の上面には、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ａが実装されている。

発光素子１２ａとして、本実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ〔ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）〕が採用されている。この発光素子１２ａはＬＥＤ等でもよい。

ＩＣ基板４ａは、前記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配設されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板４ａは、第１基板１の上面１１と第４基板２５の上面に形成された配線パターンに接続されている。

第１基板１には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０°屈曲させるためのミラー部１５（図３参照）が形成されている。

第１基板１の上面１１には、図３に示すように、発光素子１２ａと光学的に結合する内部導波路１６が設けられている。この内部導波路１６は、ミラー部１５から後方に延在していて、第１基板１の後端面１０まで延ばされている。

内部導波路１６は、図５（ａ）に示すように、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されており、第１基板１の上面１１に形成された導波路形成用溝１６ａ内に配設されている。

コア部１７の左右の両面及び下面は、クラッド部１８に覆われている。コア部１７の上面は、第１基板１の上面１１とほぼ面一に形成され、クラッド部１８に覆われずに露出している。

コア部１７の長手方向の後端面は、第１基板１の後端面１０とほぼ面一とされて露出している。そして、このコア部１７の後端面は、後述する光ファイバ２のファイバコア部２１の端面２１ａ〔図５（ｂ）参照〕と対向する端面１７ａを構成する。

第１基板１の上面１１には、内部導波路１６の左右両側位置に、接着剤を充填するための接着剤充填用凹部２６と、嵌合構造（後述）を形成するための嵌合用凹部２７とが形成されている。この嵌合用凹部２７は、第１基板１の後端面１０に開放されている。この第１基板１の上面１１の各嵌合用凹部２７内には、平面視で略直角三角形状で、斜辺部分３１ａを後窄まり状とした凸状の位置決め用第１嵌合部３１が形成されている。

また、第１基板１の上面１１には、内部導波路１６の位置に、オーバーハング用凹部２８が形成され、このオーバーハング用凹部２８は、第１基板１の後端面１０に開放されている。なお、このオーバーハング用凹部２８内には導波路形成用溝１６ａが形成されておらず、内部導波路１６のコア部１７が露出状態になっている。

図１に戻って、受光側の第１基板３について説明する。この受光側の第１基板３の基本的な構成は、発光側の第１基板１と同様に構成されている。ただし、受光側の第１基板３の上面２９に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂが発光面が下向きになるようフリップチップ実装され、第４基板２５の上面に、この発光素子１２ｂに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板（信号処理部）４ｂが実装されている点で、発光側の第１基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤが採用されており、ＩＣ基板４ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）などの素子である。

発光側の第１基板１と受光側の第１基板３およびＩＣ基板４ａ，４ｂは、第４基板２５の上面に取付けたシールドケース３２でそれぞれシールドされていて、光ファイバ２は、シールドケース３２の貫通孔３２ａを貫通させている。

前記発光素子１２ａと、この発光素子１２ａと光学的に結合するコア部１７を有する内部導波路１６が上面に設けられた第１基板１とは、光電気変換ブロックを構成する。

次に、光ファイバ２を説明する。光ファイバ２は、図１のように、発光側の第１基板の内部導波路１６のコア部１７と、受光側の第１基板３の内部導波路１６のコア部１７とを光学的に結合可能なファイバコア部２１を内部に有している。そして、このファイバコア部２１の外周を包囲するファイバクラッド部２２と、このファイバクラッド部２２の外周を被覆する被覆部２３とで構成されるコードタイプである。このファイバコア部２１とファイバクラッド部２２と被覆部２３は円形状である。

光ファイバ２は、シールドケース３２の貫通孔３２ａを貫通した直後付近から端部までの間は被覆部２３が剥がされて、ファイバクラッド部２２が露出されている。そして、このファイバクラッド部２２は、図２、図３のように、第１基板１よりも左右（幅）方向が狭く、前後方向が長い第２基板３４の下面（他面）３５に、後述するように接着剤で固定されるようになる。

第２基板３４の下面３５には、図５（ｂ）に示すように、平面視で前後方向に長い略Ｈ字形状で、凸状の嵌合構造体３６が一体形成されている。

第２基板３４の下面３５は、前側の略１／３の長さ分が第１基板１の上面１１に覆い被さって接着剤で固定されるようになっていて、第２基板３４の前端面３７は、第１基板１の接着剤充填用凹部２６の前後方向の略半分程度を覆うようになっている（図２参照）。

第２基板３４の嵌合構造体３６の略Ｈ字形状の前部には、第１基板１の第１嵌合部３１の斜辺部分３１ａに対向して当接可能な前開き状とした斜辺部分３８ａを有する凸状の位置決め用第２嵌合部３８が一体形成されている。この第２嵌合部３８は、嵌合構造体３６の一部となっている。

そして、第１基板１の第１嵌合部３１に第２基板３４の第２嵌合部３８を嵌合させたときに、第１基板１のコア部１７と第２基板３４のファイバコア部２１の光軸が幅方向に一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。

図５（ａ）（ｂ）では、第１嵌合部３１の斜辺部分３１ａは後窄まり状とし、第２嵌合部３８の斜辺部分３８ａは前開き状としたものであった。しかし、図６（ａ）（ｂ）のように、第１嵌合部３１の斜辺部分３１ａは後開き状とし、第２嵌合部３８の斜辺部分３８ａは前窄まり状としてもよい。また、図７のように、第１基板１の嵌合用凹部２７の側壁に斜辺部分３１ａを形成して、これを位置決め用第１嵌合部３１とすることもできる。

前記したように、第１基板１の第１嵌合部３１と第２基板３４の第２嵌合部３８とを嵌合させたときに、第１基板１のコア部１７と第２基板３４のファイバコア部２１の光軸を幅方向に一致した位置決め状態で光学的に結合することができる。加えて、第１嵌合部３１と第２嵌合部３８を利用して、両コア部１７，２１の光軸を高さ（上下）方向に一致した位置決め状態で光学的に結合させることができる。

すなわち、図８（ａ）のように、第２嵌合部３８の高さｈ１を第１嵌合部３１の高さｈ２と同じではなく、第２嵌合部３８の高さｈ１を第１嵌合部３１の高さｈ２よりも高く調整しておく。逆に、図８（ｂ）のように、第１嵌合部３１の高さｈ２を第２嵌合部３８の高さｈ１よりも高く調整しておく。これにより、いずれかの嵌合部３１，３８の高さで、両コア部１７，２１の光軸の高さ（上下）方向を調整することできる。

第２基板３４の嵌合構造体３６の略Ｈ字形状の中間部には、図１０のように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面の挿入（矢印ａ参照）をガイドするとともに、ファイバクラッド部２２の両側面を位置決めする挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９が形成されている。この挿入ガイド溝３９は、光ファイバ２の挿入（前）方向に向かって幅が狭くなるような勾配状に形成され、挿入ガイド溝３９の前端部付近は、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面と略同幅となっている。

第２基板３４の下面３５には、図１１に示すように、挿入ガイド溝３９の前端部から前方に突出した光ファイバ２のファイバクラッド部２２の挿入した端面２２ｂを当て止めることで位置決めするストッパ部（先端位置決め構造体）４０が形成されている。

前記光ファイバ２と第２基板３４とは、光ファイバブロックを構成する。

本実施形態では、ストッパ部４０は、第２基板３４の嵌合構造体３６と同時に形成するようにしたが、別部材で形成して第２基板３４の下面３５に貼り付け等で形成することもできる。

図５（ｂ）および図１１に示すように、ストッパ部４０には、長さｂで前方に延長されたオーバーハング部４０ａが形成されている。このオーバーハング部４０ａは、後述するように、第１基板１のコア部１７と第２基板３４の光ファイバ２のファイバコア部２１との結合部をオーバーハングして、第１基板１の上面１１のオーバーハング用凹部２８の底面に接着剤で固定されるようになる（図８参照）。

本実施形態では、オーバーハング部４０ａは、ストッパ部４０に一体形成したが、別部材で形成して第２基板３４の下面３５に貼り付け等で形成することもできる。

第２基板３４の嵌合構造体３６の略Ｈ字形状の後部には、挿入ガイド溝３９の後端部に連なって、左右方向に広がる凹部４１が形成されている。

図１２に示すように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２を第２基板３４の下面３５に挟み込んで固定する第３基板４２が設けられている。この第３基板４２には、Ｖ溝４２ａが形成され、このＶ溝４２ａをファイバクラッド部２２に嵌め合わせて位置決めした状態で、第２基板３４の嵌合構造体３６に接着剤で固定されるようになる。

第１基板１は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光伝送効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、第１基板１として、本実施形態ではシリコン基板が採用されている。特にシリコン基板であれば、シリコンの結晶方位を利用して表面に高精度のエッチング溝加工が可能（この溝を利用して高精度なミラー部１５、溝内に内部導波路１６を形成する。）となる。また、シリコン基板は、平坦性も良好である。

第１基板１は、発光素子（光素子）１２ａと線膨張係数の近い材料で構成されていることが好ましく、シリコン以外には、後述するＶＣＳＥＬ材料と同系統のＧａＡｓ等の化合物半導体で構成されていてもよい。あるいは、ガラス基板、セラミックス基板や使用環境によっては樹脂基板でもよい。

第２基板３４は、ガラス基板やシリコン基板を用いることができるが、嵌合部３１，３８を嵌合させた後の接着工程で、紫外線硬化接着も考慮すると紫外線（ＵＶ）の透過可能な透明部材（ガラス）のほうが好ましい。

第１基板１の第１嵌合部３１と第２基板３４の第２嵌合部３８等を形成する嵌合構造体３６の材料としては、加熱により溶融または軟化する、常温では固定の樹脂組成物が好ましい。

例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート趣旨（ＰＣ）、ポリアミド樹脂（ＰＡ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）が挙げられる。また、ポリエチレン樹脂（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等も挙げられる。さらに、汎用的な熱可塑性樹脂のほか、同様の性状を有する半導体製造用のＳＵ−８フォトレジストのような光硬化性樹脂も含まれる。

未硬化樹脂層を基板に形成する工程としては、前述の樹脂組成物のワニスをスピンコート、ディップコート、バーコート、スプレーコート等のコーティング方法、若しくはディスペンサやインクジェットによる滴下方法等により基板上に形成する。その後、樹脂組成物が劣化しないあるいは光重合開始剤が失活しない程度の温度範囲で加熱して溶剤を揮発させる方法がある。また最初からフィルム化された未硬化樹脂フィルムを基板に直接貼り合わせる方法もある。

次に、光電気変換ブロックである発光側の第１基板１に、光ファイバブロックである光ファイバ２を光学的に結合する手順を説明する。第１基板１は、図５（ａ）のように、内部導波路１６が設けられ、発光素子１２ａが実装されているものとする。

光ファイバ２は、図５（ｂ）のように、第２基板３４の嵌合構造体３６の挿入ガイド溝３９に光ファイバ２のファイバクラッド部２２が挿入され、端面２２ｂはストッパ部４０に当て止められているものとする。また、光ファイバ２のファイバクラッド部２２は、第３基板４２で第２基板３４の下面３５に挟み込まれて固定されているものとする。

この状態から図２のように、第２基板３４の下面３５の前側の略１／３の長さ分を第１基板１の上面１１に覆い被せながら、第１基板１の第１嵌合部３１の斜辺部分３１ａに第２基板３４の第２嵌合部３８の斜辺部分３８ａを対向させて当接させることで、嵌合させる。このとき、第２基板３４のストッパ部４０のオーバーハング部４０ａも第１基板１の上面１１のオーバーハング用凹部２８の底面に当接する。

第１嵌合部３１と第２嵌合部３８とを嵌合させた時に、第１基板１のコア部１７の端面１７ａと第２基板３４のファイバコア部２１の端面２１ａとが対向された状態で、両コア部の光軸が幅方向に一致した位置決め状態で光学的に結合されるようになる。この端面１７ａ，２１ａが対向された状態とは、図９のように、端面１７ａ，２１ａの間の隙間ｃが０〜１００ｕｍの範囲である。好適な範囲は両コア部１７，２１の大きさに依るが、一般的には、隙間ｃは０〜２０ｕｍが好ましい。

その後、第１基板１の接着剤充填用凹部２６に、低粘度の接着剤を充填すると、接着剤は毛細管現象によって第２基板３４の下面との間に浸入し、接着剤によって第１基板１の上面１１に第２基板３４の下面３５が接着剤で固定されるようになる。

このとき、第１基板１の嵌合用凹部２７とオーバーハング用凹部２８周辺にも毛細管現象で接着剤が充填されるので、第１基板１の第１嵌合部３１と第２基板３４の第２嵌合部３８とが相互に固定される。また、第２基板３４のストッパ部４０のオーバーハング部４０ａも第１基板１のオーバーハング用凹部２８の底面に、毛細管現象で浸入した接着剤で固定されるようになる。オーバーハング用凹部２８に充填された接着剤は、毛細管現象により、光ファイバ２のファイバコア部２１の端面２１ａと第１基板のコア部１７の端面１７ａの間の隙間ｃにも浸入し、両コア部１７，２１の端面同士を接着する。

この接着剤は、第１基板１のコア部１７の上面を被覆する効果と、光ファイバ２のファイバコア部２１の端面２１ａと第１基板のコア部１７の端面１７ａの間の隙間ｃを接着する効果がある。この場合、接着剤には、コア部と同等な光学特性も要求され、コア部の屈折率より低い屈折率の材料が必要である。第１基板１と光ファイバ２のコア部１７，２１が同一材料であれば、その材料より低いクラッド材料と同一屈折率が望ましい。それぞれのコア材料が異なる場合は、両者のコア材料より屈折率が低い材料が必要である。

本実施形態では、接着剤として、光学特性と周辺環境温度変化による熱応力を低減可能な接着剤を選定した。具体的には、線膨張係数の小さなものか、ヤング率の小さなもので、アクリレート系とエポキシ系の２つのタイプのものである。

前記のような光モジュールであれば、第１基板１の第１嵌合部３１と第２基板３４の第２嵌合部３８とを嵌合させると、第１基板１のコア部１７の端面１７ａと第２基板３４のファイバコア部２１の端面２１ａとが対向された状態で、両コア部１７，２１の光軸が幅方向に一致した状態で光学的に結合されるようになる。したがって、第１基板１のコア部１７に対する第２基板３４のファイバコア部２１の幅方向の光軸の位置決めが確実に行える。また、光ファイバ２を用いるので、従来のフィルムタイプの外部導波路基板と比べて、導波損失が少なく、伝送距離を長くすることが可能となる。

また、第１嵌合部３１または第２嵌合部３８の高さｈ１，ｈ２を調整するだけで、両コア部１７，２１の光軸が各基板１，３４の高さ方向（光軸の上下方向）に一致した状態で光学的に結合されるように簡単に調整することができる。

さらに、第２基板３４のファイバコア部２１の端面２１ａを、第１基板１の後端面１０に臨むコア部１７の端面１７ａと対向させているから、光ファイバ２は第１基板１の上面１１にオーバーハングされないので、図９のように、光ファイバ２の外径ｄに影響されずに、コア部１７とファイバコア部２１の光学的結合が可能となる。

また、第２基板３４の第２嵌合部３８は、第２基板３４の下面３５の凸状の嵌合構造体３６の一部として一体形成して、この嵌合構造体３６に、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面の挿入をガイドするとともに、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面を位置決めする挿入ガイド溝３９を形成している。したがって、挿入ガイド溝３９を利用して光ファイバ２をスムーズに挿入できるとともに、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の位置決めも正確に行える。また、第２嵌合部３８と、挿入ガイド溝３９を形成した嵌合構造体３６を一体形成することで、第２嵌合部３８と挿入ガイド溝３９との位置関係が高精度となる。

さらに、挿入ガイド溝３９を光ファイバ２のファイバクラッド部２２の挿入方向に向かって幅が狭くなるように形成することで、光ファイバ２のファイバクラッド部２２をよりスムーズに挿入でき、挿入しながら光ファイバ２のファイバクラッド部２２が位置決めされるようになる。

また、ストッパ部４０により、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の端面２２ｂを当て止めることで、光ファイバ２の先端の位置決めが容易になる。

さらに、第２嵌合部３８と、挿入ガイド溝３９を形成した嵌合構造体３６と、ストッパ部４０とを第２基板３４に一体形成することで、第２嵌合部３８と挿入ガイド溝３９とストッパ部４０の位置関係が高精度となる。

また、第２基板３４のストッパ部４０のオーバーハング部４０ａは、第１基板１の上面１１に固定することで、コア部１７とファイバコア部２１の光学的結合部の機械強度を向上させることができる。

さらに、光ファイバ２のファイバクラッド部２２を第２基板３４の下面３５との間に第３基板４２で挟み込んで固定することで、光ファイバ２の固定が強固になる。

前記のような光ファイバブロックは、前述したように、第２基板３４の挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９で光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面を位置決めする。また、ストッパ部（先端位置決め構造体）４０で光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端を当て止めることで位置決めする。この状態で、光ファイバ２の先端付近を除いて、第３基板４２で光ファイバ２のファイバクラッド部２２を第２基板３４の下面３５に挟み込んで接着剤で固定するものである。したがって光ファイバ２のファイバコア部２１の先端面に接着剤の影響を与えずに、光ファイバ２と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を含む嵌合構造体３６との位置決め接着が可能となる。したがって、従来のように、組み立て後に、基板毎に光ファイバの先端面の研磨を行う必要がなくなる。

これについて、補足すると、通常、光ファイバブロックを作製する場合、光ファイバ２を先端まで基板で押え込んで接着を行うのは、光ファイバ２の先端の基板垂直方向の位置決めを行うためである。しかしながら、光ファイバ２は、通常、ガラスあるいはプラスチックで作製されている。そのため、光ファイバ２の先端まで完全に接着を行わなくても、未接着部の長さが一定以下であれば、光ファイバ２自身の剛性から光ファイバ２の先端の位置を固定することは可能である。このことから、本実施形態では、第２基板３４に設置した光ファイバ２の先端を除く部分を第３基板４２で押え込むことで、基板垂直方向の位置決めをする。その後、第２基板３４と第３基板４２との接着を行うことで、光ファイバ２の先端に接着剤が回り込んでいない状態の光ファイバブロックを作製することできる。

なお、光ファイバブロックと光電気変換ブロックとを光学的に結合する際に、光電気変換ブロック側と干渉しないという条件を満たしている極微量であれば、接着剤の回り込み（付着）を許容できる。

第３基板４２で挟み込まない光ファイバ２の先端の長さは、光ファイバ２の直径以上が求められる。接着剤は、第３基板４２と第２基板３４との間、すなわち、光ファイバ２の直径分の隙間に充填されるが、第３基板４２の前端部では、表面張力によるフィレットが形成される。このフィレットの形状は、接着剤の種類や第２基板３４、第３基板４２の表面状態によって異なるが、過剰に接着剤が充填されていない限りは、通常は、フィレットの高さ、すなわち、光ファイバ２の直径分程度の長さまででフィレットは形成される。よって、このフィレット先端が光ファイバ２の先端に届かないようにするには、第３基板４２が存在しない光ファイバ２の先端の長さを最低、光ファイバ２の直径以上とる必要がある。

また、光ファイバ２の先端は、事後の研磨を行わないため、予め清浄かつ光路結合可能な面を出しておく必要がある。しかしながら、光ファイバ２のみであれば、劈開等の比較的容易な方法があるため、従来のように基板ごと研磨を行うよりも容易となる。また、工法として、光ファイバブロックの組み立て前の、第２基板３４に嵌合構造体３６等を形成する工程と平行して光ファイバ２の先端が加工できるため、組み立て後に研磨を行うよりも、光ファイバブロックの作製時間を短縮できる。

また、ストッパ部（先端位置決め構造体）４０と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を含む嵌合構造体３６とが隔離されている。したがって、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を含む嵌合構造体３６と第３基板４２との間に充填された接着剤が、光ファイバ２の先端方向に流れ込みにくくなり、不要な部分に接着剤が付着するおそれがなくなる。

次に、光ファイバブロックの製造方法を図１３〜図１８に基づいて説明する。図１３（ａ）は、後述する工程６の平面図、図１３（ｂ）は、（ａ）の側面図、図１４〜図１６は、工程１〜工程７の工程図である。

（工程１）
図１４の工程１のように、第２基板３４の下面３５に、嵌合構造体３６と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０とを形成する。

嵌合構造体３６と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０の形成方法としては、ガラス基板を研削する方法、基板上に樹脂層を形成し、その樹脂体を研削する方法、樹脂層をＵＶパターニング等によって所望の形状とする方法等が挙げられる。

挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６は、第３基板４２によって光ファイバ２のファイバクラッド部２２を押えることで、基板垂直方向の位置決めを行う。そのため、その高さは、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の直径以下である必要がある。また、嵌合構造体３６は、光電気変換ブロックとの位置決めに用いるため、高さ方向も高精度に作製する必要がある。

また、嵌合構造体３６と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０は、光ファイバブロック毎に必要であるが、コスト面を考慮すると、図１４の工程１のように、大面積の第２基板３４にできる限り多数個を同時に形成し、その後に個片化する方法が有効である。例として、図１４の工程１では、１６個を同時に形成している形態を示す。

（工程２）
図１４の工程２のように、第２基板３４の前端側と後端側を前後・左右方向に固定するための略Ｕ字状の固定治具４５でそれぞれ固定する。この際、工程１で複数個の第２基板３４を同時形成した場合は、事前に第２基板３４をスクライバ、ダイサー等で所望の大きさに個片化しておく必要がある。

（工程３）
図１４の工程３のように、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の両側面を挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９に挿入しながら（矢印ａ参照）位置決めするとともに、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の端面２２ｂをストッパ部（先端位置決め構造体）４０に当て止める。

このとき、光ファイバ２は、ファイバクラッド部２２のみを第２基板３４に設置するものであり、通常、光ファイバ２に具備されている被覆部２３は必要分だけ除去してある。また、光ファイバ２のコア部１７の端面１７ａは研磨、劈開、切り落とし等の方法で清浄かつ平坦な面に形成されている。これにより、光ファイバ２の中で高精度に形成されている部分のみを利用することで、光ファイバブロックを高精度で作製でき、かつ端面１７ａが清浄かつ平坦であることで、通常、ファイバアレイの作製に必要なアレイ先端の研磨が不要になる。

（工程４）
図１５の工程４のように、光ファイバ２の先端付近を除いて、光ファイバ２のファイバクラッド部２２を第２基板３４の下面３５に挟み込んで固定するために、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６に第３基板４２を載せる。なお、第３基板４２は、図２では、第２基板３４よりも幅広く描いているが、第２基板３４と略同幅とする。

第２基板３４に形成した挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９は、基板平面（幅）方向に対しては光ファイバ２の位置決めができるが、基板垂直（上下ないしは高さ）方向に対しては、上方向が開放されているために位置決めができない。そこで、精度よく光ファイバブロックを作製するためには、上下方向の位置決めを行う第３基板４２を設置することが有効である。第３基板４２は、光ファイバ２を押えるものであるので、光ファイバ２の反りを押え込める程度の力に耐えられるものであればよい。

第３基板４２は、第３基板４２の左右端側を前後・左右方向に固定するための略Ｕ字状の位置決め治具４６でそれぞれ位置決めする。なお、位置決め治具４６を用いない場合には、第２基板３４と第３基板４２に、位置決め用形状をそれぞれ形成することもできる。

また、第３基板４２を設置する位置は、光ファイバ２の中間部分以降の必要がある。これは、後の接着剤の充填の際に、光ファイバ２の先端に接着剤を回り込ませないためである。例えば、第３基板４２によって光ファイバ２の先端まで押えてしまうと、第２基板３４と第３基板４２と光ファイバ２とで形成される空間に接着剤が染みこんでくることで充填されやすくなり、光ファイバ２の先端にまで接着剤が回り込みやすくなる。光ファイバ２の先端に接着剤が付着すると、意図しない不要な屈折面を形成し、光学的な損失が発生するため、避ける必要がある。

また、第３基板４２に光ファイバ２の位置決めを行うＶ溝４２ａ（図１２参照）等の形状が付与されていれば、光ファイバ２の位置がさらに高精度となるために有効である。

ここで、第３基板４２、位置決め治具４６等の構造を最適化することにより、光ファイバ２の挿入に無理がないという条件下では、工程３と工程４の順は入れ替え可能である。

（工程５）
図１５の工程５のように、光ファイバ２の先端付近および第３基板４２を押え治具４７により押え込む。

ここで、後述する工程６における接着剤の回り込みを避けるために、工程４では、光ファイバ２の先端を開放しているが、接着時には光ファイバ２の先端も固定しておく必要がある。そのため、第３基板４２を押える押え治具４７に、先端押え治具部４７ａ〔図１３（ｂ）参照〕を形成して、この先端押え治具部４７ａで光ファイバ２の先端を押えることで、光ファイバ２の先端の基板垂直方向の位置決めを行う。この際、治具全体としては、第３基板４２を上方から加圧する部分も必要となるため、光ファイバ２の先端押え治具部４７ａを押え治具４７に一体化してあれば、治具合わせが容易となるので有効である。

（工程６）
図１６の工程６のように、第３基板４２と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６の間に、低粘度の接着剤を充填し、光ファイバ２のファイバクラッド部２２を第３基板４２と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６とに固定する。

具体的には、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端側より後方部分を第３基板４２と第２基板３４、挿入ガイド溝３９と嵌合構造体３６に接着固定し、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の先端側を第２基板３４に接着固定する。第３基板４２と嵌合構造体３６との隙間は、少なくとも一部が接着されていればよい。ただし、光ファイバブロック全体にかかる応力、接着部分の強度を考慮すると、隙間全体に接着剤を充填させて硬化することが好ましい。また、第３基板４２の形状、大きさによっては複数箇所から接着剤を充填する必要の可能性があるが、その場合には、接着剤中に空気（ボイド）が入り込まないようにする必要がある。

また、この嵌合構造体３６と第３基板４２との隙間を０．１ｍｍ以下程度の微少なものとしておくと、毛細管現象により嵌合構造体３６と第３基板４２の隙間全体に自動的に接着剤が充填される。例えば、図１６の工程６では、第２基板３４の凹部４１に接着剤を充填する。

これにより、第３基板４２の大きさによらず、接着剤を複数箇所ではなく、一箇所から充填することができる。さらに一箇所から充填するメリットとして、片側に空気の逃げ道が常に確保される形で接着剤が充填されるため、接着剤中にボイドができなくなることが挙げられる。

（工程７）
図１６の工程７のように、第２基板３４とともに光ファイバ２および第３基板４２を各治具４５，４６，４７から取り外すと、光ファイバブロックが完成する。

前記のような光ファイバブロックの製造方法によれば、光ファイバ２のファイバクラッド部２２は、第２基板３４の挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０とで第２基板３４の水平方向に対して高精度で位置決めされ、第３基板４２で第２基板３４の垂直方向に対して高精度で位置決めされるようになる。また、光ファイバ２の先端面に接着剤の影響を与えずに、光ファイバ２と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９との位置決め接着が可能となり、従来のように、組み立て後に、基板毎に光ファイバの先端面の研磨を行う必要がなくなる。

一方、図１７の左図の工程６の後に、同右図のように、第２基板３４の下面３５に光ファイバ２のファイバクラッド部２２の後端部を固定する工程をさらに備えることができる。

これによれば、第２基板３４の下面３５に光ファイバ２のファイバクラッド部２２の後端部を固定するから、第２基板３４と光ファイバ２の接続強度が向上する。

これについて補足すると、前記の製造方法で製造した光ファイバブロックは、高精度で作製するために、光ファイバ２のファイバコア部２１とファイバクラッド部２２のみを利用している。通常、光ファイバ２の曲げ強度は、ファイバクラッド部２２の外側に形成される被覆部２３によって保たれており、光ファイバ２のファイバコア部２１とファイバクラッド部２２のみでは強度に若干の不安がある。

光ファイバブロックでは、第２、第３基板３４，４２に光ファイバ２のファイバクラッド部２２を接着することで、その強度不足を補う形となっている。しかし、第２基板３４の後端部には、光ファイバ２の被覆部２３および第２基板３４の支えの両方がない部分が、光ファイバブロックの作製上、僅かであるが存在する。これは、高精度で作製するために、第２基板３４に被覆部２３が載ることを避けるには、必ず起こる事態である。このため、第２基板３４の後端部に曲げ応力に弱い部分が発生し、取り扱っている際に、第２基板３４の後端部で光ファイバが折れるという事態が発生する可能性がある。

これを解決するために、工程６の後に、図１７の右図のように、第２基板３４の下面３５の凹部４１に、光ファイバ２のファイバクラッド部２２の後端部を固定するための保護樹脂部４８を形成する工程を入れることが挙げられる。すなわち、第２基板３４の後端部のファイバコア部２１とファイバクラッド部２２のみの領域を含んで、第２基板３４と光ファイバ２の後部にある被覆部２３を樹脂で固定することで、ファイバコア部２１とファイバクラッド部２２のみの領域にかかる曲げ応力を低減することが可能である。

この保護樹脂部４８に用いる材料としては、第２基板３４と光ファイバ２の被覆部２３を固定できるだけの強度を持つものであればよい。しかし、第２基板３４および光ファイバ２の被覆部２３と線膨張係数が近い材料であれば、高温時あるいは低温時に発生する熱応力に対しても、保護部分に応力がかかりにくくなるために最適である。

図１８（ａ）のように、工程１で、第２基板３４の下面３５に、嵌合構造体３６と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０とをスタンパによって形状転写することができる。同図のように、第２基板３４の下面３５に、構造体材料５０を形成し、ついでスタンパ４９を位置合わせし、構造体材料５０をスタンパでプレス成形する。その後、スタンパ４９を離型すると、形状転写が完成する。

これによれば、第２基板３４の嵌合構造体３６と挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９とストッパ部（先端位置決め構造体）４０とをスタンパ４９によって、平面方に加え、高さ方向にも高精度に形成することができる。

これについて補足すると、工程１において、前述したとおり、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６の高さを高精度に形成することによって、光ファイバ２の位置決め以外にも、光電気変換ブロックとの位置決め等の機能を付与することが可能である。

なお、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６等の形成方法としては、図１８（ｂ）のように、第２基板３４の下面３５に樹脂層５１を形成し、その樹脂層５１をマスク５２によりＵＶパターニングをして現像することで、形状付与を完成させる。その他、第２基板３４を研削する方法や樹脂層５１を研削する方法等があるが、それぞれ樹脂層形成精度や研削精度が高さ精度に対するばらつきとして現れる。

これに対して、スタンパ４９によって形状を付与する方法であれば、高精度のスタンパ４９を形成するだけで、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６等が高さ方向も含めて、スタンパ４９と同精度のものを得ることができる。

挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６等の形成方法としては、第２基板３４にガラス基板を貼り付け、熱によって軟化させてスタンパ４９で成形する方法、第２基板３４に樹脂フィルムを貼り付け、スタンパ４９で成形し、熱あるいはＵＶ光によって硬化する方法等が挙げられる。また、スタンパ４９の形成方法としては、ガラス基板の研削、金属基板の研削、ニッケル等の電鋳型等が挙げられる。

第２基板３４と第３基板４２の少なくとも一方は、光透過性部材とし、接着剤は光硬化性とすることができる。

これによれば、工程６の接着固定は紫外線の照射のみで行うことができ、接着剤の硬化が比較的短時間で行えるようになる。

これについて補足すると、工程６において、第２基板３４と第３基板４２の両方が不透明であれば、接着剤の硬化方法としては、熱硬化あるいは湿度硬化による樹脂を用いることになる。この際、熱硬化性樹脂および湿度硬化性樹脂は、硬化に要する時間が通常数十分以上と長く、作製時間に対する硬化時間の割合が高くなり、ひいてはコスト増となる。

そこで、第２基板３４あるいは第３基板４２の少なくとも一方が光透過性を有していれば、接着剤として光硬化性樹脂を用いることができる。光硬化性樹脂の硬化時間は通常１〜１０分程度であるため、熱硬化性樹脂および湿度硬化性樹脂を使用する場合と比べて、大きく時間を短縮することができる。

図１９のように、工程４において、第３基板４２の側面に位置決め治具４６を当接させて、第３基板４２を位置決めする。その際に、挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）３９を形成した嵌合構造体３６あるいは第２基板３４と第３基板４２との間に充填する接着剤ｅは、充填方法あるいは充填量によって、位置決め治具４６と接触することがある。すると、接着剤ｅが硬化すれば位置決め治具４６まで接着されてしまう可能性がある。

そこで、第３基板４２と位置決め治具４６の各当接面の少なくとも一方の当接面、例えば、図１９（ａ）では、位置決め治具４６の当接面の一部を斜面にした接着剤ｅの逃げ部４６ａを形成し、図１９（ｂ）では、第３基板４２の当接面の一部を斜面にした接着剤ｅの逃げ部４２ｂを形成する。

これにより、第３基板４２または位置決め治具４６の逃げ部４２ｂ，４６ａによって、接着剤ｅが位置決め治具４６に付着しにくくなるので、位置決め治具４６が誤って接着されるおそれがなくなる。

なお、斜面以外の当接面は、平面であることが好ましいが、複数の突起等、平面的に押えられる形状であれば問題はない。

１ 第１基板
２ 光ファイバ
１１ 上面（一面）
１２ａ 発光素子
１６ 内部導波路
１７ コア部
１７ａ 端面
２１ ファイバコア部
２１ａ 端面
２２ ファイバクラッド部
３１ 第１嵌合部
３４ 第２基板
３５ 下面（他面）
３６ 嵌合構造体
３８ 第２嵌合部
３９ 挿入ガイド溝（側面位置決め構造体）
４０ ストッパ部（先端位置決め構造体）
４２ 第３基板
４２ｂ 逃げ部
４５ 固定治具
４６ 位置決め治具
４６ａ 逃げ部
４７ 押え治具
４８ 保護樹脂部
４９ スタンパ

Claims (9)

1. 光素子とこの光素子と光学的に結合するコア部を有する内部導波路が一面に設けられた第１基板と、第１基板の一面と対向する他面に、第１基板のコア部と光学的に結合させるファイバコア部を有する光ファイバが固定された第２基板とが設けられた光モジュールであって、
   前記第１基板の一面に形成された凹凸状の位置決め用第１嵌合部と、前記第２基板の他面に形成された凹凸状の位置決め用第２嵌合部とを有し、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合させた時に、第１基板のコア部の端面と第２基板のファイバコア部の端面とが対向された状態で、両コア部の光軸が各基板の幅方向に一致した状態で光学的に結合されることを特徴とする光モジュール。
2. 前記第１嵌合部と第２嵌合部のいずれか一方の高さを調整することで、両コア部の光軸が各基板の高さ方向に一致した状態で光学的に結合されるように調整することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記第１基板のコア部の端面は、第１基板の端面に形成され、前記第２基板のファイバコア部の端面は、第１基板の端面に臨むコア部の端面と対向されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 前記第２基板の第２嵌合部は、第２基板の他面に形成された凸状の嵌合構造体の一部として一体形成され、この嵌合構造体には、前記光ファイバの両側面の挿入をガイドする挿入ガイド溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光モジュール。
5. 前記挿入ガイド溝は、光ファイバの挿入方向に向かって幅が狭くなるように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
6. 前記第２基板の他面に、前記光ファイバの挿入先端を当て止めるストッパ部が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光モジュール。
7. 前記ストッパ部は、第２基板の他面に形成された凸状の嵌合構造体と同時に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の光モジュール。
8. 前記第２基板の他面に、前記両コア部の結合部をオーバーハングして、第１基板の一面に固定されるオーバーハング部が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光モジュール。
9. 前記光ファイバを第２基板の他面との間に挟み込んで固定する第３基板が設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光モジュール。

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