JP3955065B2 - 光結合器 - Google Patents
光結合器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3955065B2 JP3955065B2 JP2005009991A JP2005009991A JP3955065B2 JP 3955065 B2 JP3955065 B2 JP 3955065B2 JP 2005009991 A JP2005009991 A JP 2005009991A JP 2005009991 A JP2005009991 A JP 2005009991A JP 3955065 B2 JP3955065 B2 JP 3955065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- lens member
- lead frame
- resin
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 340
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 135
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 abstract description 80
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 abstract description 80
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 40
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
光学素子と、
上記光学素子が搭載されると共に、上記光学素子と電気的に接続されたリードフレームと、
上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を集光するレンズを含むレンズ部材と
を備え、
上記レンズ部材は、上記レンズが、上記光学素子における光が入射あるいは出射する面である光学面に対向するように配置されており、
上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しており、
上記リードフレームには貫通穴が形成されており、
上記光学素子は、上記光学面を上記リードフレームに形成された上記貫通穴内に位置させると共に、上記貫通穴における一方の開口を塞ぐように配置されており、
上記レンズ部材は、上記レンズの光軸が上記リードフレームに形成された上記貫通穴内を貫通すると共に、上記貫通穴における他方の開口を塞ぐように配置されており、
上記貫通穴内には上記透明樹脂が充填されている
ことを特徴とする光結合器において、
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には突起部が一体に設けられており、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着された際に、当該リードフレームの貫通穴に上記突起部が挿入されるようになっている
ことを特徴としている。
上記レンズ部材の突起部は、上記光軸に直交する方向への寸法が先端に向かうに連れて減少するテーパ形状になっている。
上記透明樹脂は、シリコン系化合物である。
上記フィラー入り樹脂に、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間に充填された上記透明樹脂が上記レンズ部材の領域を超えて広がることを防止する樹脂溜まり部を設けている。
上記樹脂溜まり部は、上記レンズ部材の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、上記レンズ部材が収納される凹部でなり、
上記樹脂溜まり部における開口部の周囲には、上記光学素子に対して入出射する光を伝播する光ファイバの先端部が嵌合されると共に、上記嵌合された光ファイバの先端部と上記レンズ部材との位置合わせを行うコネクタ部が設けられている。
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には、上記リードフレームの貫通穴と外部とに連通する溝部が設けられている。
上記リードフレームの貫通穴における内周面は、上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を反射する反射面となっている。
図1は、本実施の形態の光結合器における縦断面図である。光結合器30は、光通信を行うために、光学素子32を、光ファイバ33と光伝達可能な状態に接続(所謂、光学的に結合)するための装置である。光学素子32は、光学機能を有する半導体であって、例えば、発光ダイオードや面発光レーザ(VCSEL)等の発光素子、および、フォトダイオード等の受光素子である。
本実施の形態における光結合器31は、リードフレームに貫通穴を設け、上記リードフレームの裏面における上記貫通穴の位置に光学素子を配置するものである。
サンプルA:図2に示す本光結合器31:透明接着樹脂41としてシリコン系の樹脂を使用
サンプルB:図2に示す本光結合器31:透明接着樹脂41としてエポキシ系の樹脂を使用
サンプルC:図9に示す第1の従来技術の光結合器1
サンプルD:図10に示す第2の従来技術の光結合器11
32…光学素子、
33…光ファイバ、
34…プラグ、
35…コネクタ部、
36,92…リードフレーム、
37,94…封止体、
38,55,82…レンズ部材、
39…ドライブ回路、
40,40a,40b…ボンディングワイヤ、
41…透明接着樹脂、
45,62,72,95…貫通穴、
46…光学面、
47,56…レンズ部、
48…突起部、
49,57…接着部、
50,58,93…樹脂溜まり部、
51…樹脂流出部(溝部)、
52…樹脂押さえ部、
59…接着樹脂充填部、
63…貫通穴の内周面、
73…サブマウント、
74…光通過部。
Claims (7)
- 光学素子と、
上記光学素子が搭載されると共に、上記光学素子と電気的に接続されたリードフレームと、
上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を集光するレンズを含むレンズ部材と
を備え、
上記レンズ部材は、上記レンズが、上記光学素子における光が入射あるいは出射する面である光学面に対向するように配置されており、
上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間には透明樹脂が介在しており、
上記リードフレームには貫通穴が形成されており、
上記光学素子は、上記光学面を上記リードフレームに形成された上記貫通穴内に位置させると共に、上記貫通穴における一方の開口を塞ぐように配置されており、
上記レンズ部材は、上記レンズの光軸が上記リードフレームに形成された上記貫通穴内を貫通すると共に、上記貫通穴における他方の開口を塞ぐように配置されており、
上記貫通穴内には上記透明樹脂が充填されている
ことを特徴とする光結合器において、
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には突起部が一体に設けられており、上記レンズ部材が上記リードフレームの貫通穴における上記他方の開口を塞ぐように配置されて上記透明樹脂を介して当該リードフレームに接着された際に、当該リードフレームの貫通穴に上記突起部が挿入されるようになっている
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項1に記載の光結合器において、
上記レンズ部材の突起部は、上記光軸に直交する方向への寸法が先端に向かうに連れて減少するテーパ形状になっている
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項1に記載の光結合器において、
上記透明樹脂は、シリコン系化合物である
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項1に記載の光結合器において、
上記フィラー入り樹脂に、上記レンズ部材と上記光学素子の光学面との間に充填された上記透明樹脂が上記レンズ部材の領域を超えて広がることを防止する樹脂溜まり部を設けた
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項4に記載の光結合器において、
上記樹脂溜まり部は、上記レンズ部材の平面形状と略同一の平面形状を有すると共に、上記レンズ部材が収納される凹部でなり、
上記樹脂溜まり部における開口部の周囲には、上記光学素子に対して入出射する光を伝播する光ファイバの先端部が嵌合されると共に、上記嵌合された光ファイバの先端部と上記レンズ部材との位置合わせを行うコネクタ部が設けられている
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項1に記載の光結合器において、
上記レンズ部材における上記リードフレームに対向する面には、上記リードフレームの貫通穴と外部とに連通する溝部が設けられている
ことを特徴とする光結合器。 - 請求項6に記載の光結合器において、
上記リードフレームの貫通穴における内周面は、上記光学素子に対して入射あるいは出射する光を反射する反射面となっている
ことを特徴とする光結合器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005009991A JP3955065B2 (ja) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | 光結合器 |
DE112006000228T DE112006000228T5 (de) | 2005-01-18 | 2006-01-13 | Optokoppler |
PCT/JP2006/300350 WO2006077775A1 (ja) | 2005-01-18 | 2006-01-13 | 光結合器 |
US11/795,332 US20080123198A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-01-13 | Optical Coupler |
CNA200680002383XA CN101103290A (zh) | 2005-01-18 | 2006-01-13 | 光耦合器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005009991A JP3955065B2 (ja) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | 光結合器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006201226A JP2006201226A (ja) | 2006-08-03 |
JP3955065B2 true JP3955065B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=36692165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005009991A Expired - Fee Related JP3955065B2 (ja) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | 光結合器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080123198A1 (ja) |
JP (1) | JP3955065B2 (ja) |
CN (1) | CN101103290A (ja) |
DE (1) | DE112006000228T5 (ja) |
WO (1) | WO2006077775A1 (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352047A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置 |
JP5730229B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2015-06-03 | 日立化成株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP2008084990A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置及び照明器具 |
JP2008090099A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Yazaki Corp | 光通信用レンズ、及び光素子モジュールを構成する筒体 |
JP5058549B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-10-24 | 矢崎総業株式会社 | 光素子モジュール |
KR101318972B1 (ko) | 2007-03-30 | 2013-10-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
KR101335997B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2013-12-04 | 삼성전자주식회사 | 결상렌즈 어셈블리와, 이를 가지는 광주사유닛 및화상형성장치 |
JP5104039B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-12-19 | 凸版印刷株式会社 | 光基板の製造方法 |
JP4932606B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2012-05-16 | 株式会社フジクラ | 光送受信装置 |
JP2009054660A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Yazaki Corp | ハウジング一体型光半導体部品の製造方法 |
JP5109643B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-12-26 | 凸版印刷株式会社 | 光基板の製造方法 |
JP2009253166A (ja) | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Yazaki Corp | 光通信モジュール |
US7728399B2 (en) * | 2008-07-22 | 2010-06-01 | National Semiconductor Corporation | Molded optical package with fiber coupling feature |
TWI398684B (zh) * | 2008-07-25 | 2013-06-11 | Amtran Technology Co Ltd | 光纖連接器與光纖連接器組 |
US7943862B2 (en) * | 2008-08-20 | 2011-05-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for optically transparent via filling |
TWI383129B (zh) * | 2008-11-19 | 2013-01-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 對立式光編碼器 |
JP2011003252A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
JP5381684B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2012002993A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ位置決め部品及びその製造方法 |
TWI468759B (zh) * | 2010-07-29 | 2015-01-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 光纖耦合連接器及其製造方法 |
DE102011003608A1 (de) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Tridonic Gmbh & Co. Kg | Gehäustes LED-Modul |
DE102010045316A1 (de) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
CN102540359B (zh) * | 2010-12-27 | 2015-02-04 | 熊大曦 | 一种高亮led光学耦合装置 |
JP6005362B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2016-10-12 | 日本航空電子工業株式会社 | 光モジュール及び光伝送モジュール |
US9472695B2 (en) * | 2012-04-18 | 2016-10-18 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Opto-coupler and method of manufacturing the same |
CN103676028B (zh) * | 2012-09-14 | 2017-02-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光耦合透镜及光通讯模块 |
CN103869430A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光纤连接器 |
US9094593B2 (en) * | 2013-07-30 | 2015-07-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules |
JP2015060119A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール用レンズキャップ、光モジュール、及び光モジュール用レンズキャップの製造方法 |
JP6497072B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2019-04-10 | 東レ株式会社 | 積層体およびそれを用いた発光装置の製造方法 |
JP2015106618A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 矢崎総業株式会社 | 光素子モジュール |
WO2015118131A1 (fr) | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Cnam - Conservatoire National Des Arts Et Metiers | Procédé de fabrication de structures de couplage optique vertical |
KR102161272B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-09-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102161273B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-09-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102157065B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-09-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN103996785A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-08-20 | 宁波亚茂照明电器有限公司 | 一种内置驱动全角度发光led光源与封装工艺 |
KR102205471B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-01-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102252156B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102201199B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US20170269325A1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Rosemount Aerospace Inc. | Optical component mounting for high-g applications |
KR101827988B1 (ko) * | 2016-11-04 | 2018-02-12 | (주)포인트엔지니어링 | 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법 및 광 디바이스 |
JP2018078148A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 株式会社東芝 | 光半導体モジュール |
US10025044B1 (en) * | 2017-01-17 | 2018-07-17 | International Business Machines Corporation | Optical structure |
JP6297741B1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-20 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光デバイス及びその製造方法 |
DK3491993T3 (da) * | 2017-12-04 | 2022-01-10 | Promecon Gmbh | Kobling til endoskopisk kamera. |
JP2019164210A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社東芝 | 光半導体モジュール |
US11575055B2 (en) | 2019-07-15 | 2023-02-07 | SLT Technologies, Inc | Methods for coupling of optical fibers to a power photodiode |
KR20240065189A (ko) | 2019-07-15 | 2024-05-14 | 에스엘티 테크놀로지스 인코포레이티드 | 파워 포토다이오드 구조, 제조 방법, 및 사용 방법 |
US11569398B2 (en) | 2019-07-15 | 2023-01-31 | SLT Technologies, Inc | Power photodiode structures and devices |
EP3838547A1 (de) * | 2019-12-18 | 2021-06-23 | ZKW Group GmbH | Verfahren zur herstellung einer haltevorrichtung |
WO2021167724A2 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | Slt Technologies, Inc. | Power photodiode, methods for coupling of optical fibers to a power photodiode, and power-over-fiber system |
CN115668114A (zh) | 2020-05-28 | 2023-01-31 | Nissha株式会社 | 触摸传感器以及输入装置 |
JP7521458B2 (ja) * | 2021-03-04 | 2024-07-24 | 住友電気工業株式会社 | 光コネクタケーブル |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2668140B2 (ja) * | 1989-09-30 | 1997-10-27 | 三菱電線工業株式会社 | 発光モジュール |
JPH05190910A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Omron Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに光電センサ |
JPH0672261U (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-07 | ローム株式会社 | Ledランプ |
JPH0933768A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
JPH09307144A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JPH11186609A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
JP3492178B2 (ja) * | 1997-01-15 | 2004-02-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2000173947A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Tokai Rika Co Ltd | プラスティックパッケージ |
JP3654052B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2005-06-02 | モレックス インコーポレーテッド | 光リセプタクル |
JP3704451B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2005-10-12 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードランプの製造方法 |
JP2001308373A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュール |
JP2003021755A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Fujikura Ltd | 光コネクタ |
JP4845333B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2011-12-28 | 株式会社リコー | 光電変換素子パッケージ、その作製方法及び光コネクタ |
WO2004109814A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光送信装置 |
JP4180537B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2008-11-12 | シャープ株式会社 | 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法 |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
-
2005
- 2005-01-18 JP JP2005009991A patent/JP3955065B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-13 US US11/795,332 patent/US20080123198A1/en not_active Abandoned
- 2006-01-13 CN CNA200680002383XA patent/CN101103290A/zh active Pending
- 2006-01-13 WO PCT/JP2006/300350 patent/WO2006077775A1/ja active Application Filing
- 2006-01-13 DE DE112006000228T patent/DE112006000228T5/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006077775A1 (ja) | 2006-07-27 |
US20080123198A1 (en) | 2008-05-29 |
DE112006000228T5 (de) | 2008-03-06 |
CN101103290A (zh) | 2008-01-09 |
JP2006201226A (ja) | 2006-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3955065B2 (ja) | 光結合器 | |
JP4180537B2 (ja) | 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法 | |
US8909010B2 (en) | Optical coupling structure and optical transreceiver module | |
US6726375B2 (en) | Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus | |
TWI507753B (zh) | Lens parts and light modules with their light | |
JP5386290B2 (ja) | 光結合構造および光送受信モジュール | |
US8142082B2 (en) | Optical assembly optically coupling an optical fiber and a semiconductor device | |
JP3861816B2 (ja) | 光送受信モジュール及びその製造方法 | |
US20110080657A1 (en) | Optical module | |
US20060018608A1 (en) | Optical semiconductor device, optical connector and electronic equipment | |
US8608390B2 (en) | Optical communication module | |
JPWO2004109814A1 (ja) | 光送信装置 | |
JP2000110176A (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
JP2011095295A (ja) | 光モジュールの光ファイバブロックおよびその製造方法 | |
KR20100126255A (ko) | 광 모듈 및 그 조립 방법 | |
EP3894920B1 (en) | Optical assembly | |
JP5256082B2 (ja) | 光結合構造および光送受信モジュール | |
JP2012069882A (ja) | 光モジュール | |
JP2011095294A (ja) | 光モジュール | |
JP2010282091A (ja) | 光結合構造とその製造方法 | |
Mori et al. | Plastic optical module having a pre-insert molded SC ferrule and a laser diode with mode-field converter | |
Yamamoto et al. | Surface mount type LD module with receptacle structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |