JP2000110176A - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
光モジュール及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000110176A JP2000110176A JP10281045A JP28104598A JP2000110176A JP 2000110176 A JP2000110176 A JP 2000110176A JP 10281045 A JP10281045 A JP 10281045A JP 28104598 A JP28104598 A JP 28104598A JP 2000110176 A JP2000110176 A JP 2000110176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- optical element
- optical
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4239—Adhesive bonding; Encapsulation with polymer material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
- G02B6/389—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs characterised by the method of fastening connecting plugs and sockets, e.g. screw- or nut-lock, snap-in, bayonet type
- G02B6/3893—Push-pull type, e.g. snap-in, push-on
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
- G02B6/4243—Mounting of the optical light guide into a groove
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
- G02B6/4253—Sealed packages by embedding housing components in an adhesive or a polymer material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/426—Details of housings mounting, engaging or coupling of the package to a board, a frame or a panel
- G02B6/4261—Packages with mounting structures to be pluggable or detachable, e.g. having latches or rails
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は安価で信頼性の高い光モジュ
ールを提供することである。 【解決手段】 光モジュールであって、リードフレーム
上に搭載された複数の導電性パターンを有する基板と、
基板上に実装された光と電気の間で変換を行なう光素子
と、基板上に搭載された光素子に隣接する第1端を有す
るスリーブと、スリーブの第1端に凸部を形成するよう
に光素子を封止する透光性第1樹脂とを含んでいる。基
板の導電性パターンとリードフレームのリードとはワイ
ヤにより接続されている。光モジュールは更に、スリー
ブ及びリードの一部を除き、基板、光素子、スリーブ、
透光性第1樹脂、ワイヤ及びリードフレームを包囲する
モールドされた第2樹脂とを含んでいる。
ールを提供することである。 【解決手段】 光モジュールであって、リードフレーム
上に搭載された複数の導電性パターンを有する基板と、
基板上に実装された光と電気の間で変換を行なう光素子
と、基板上に搭載された光素子に隣接する第1端を有す
るスリーブと、スリーブの第1端に凸部を形成するよう
に光素子を封止する透光性第1樹脂とを含んでいる。基
板の導電性パターンとリードフレームのリードとはワイ
ヤにより接続されている。光モジュールは更に、スリー
ブ及びリードの一部を除き、基板、光素子、スリーブ、
透光性第1樹脂、ワイヤ及びリードフレームを包囲する
モールドされた第2樹脂とを含んでいる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光モジュール及びそ
の製造方法に関する。近年、光アクセス網の開発が活発
に行なわれている。光アクセス網実現のためには、光デ
バイス及び/又は光モジュールの低コスト化が極めて重
要な課題である。
の製造方法に関する。近年、光アクセス網の開発が活発
に行なわれている。光アクセス網実現のためには、光デ
バイス及び/又は光モジュールの低コスト化が極めて重
要な課題である。
【0002】光モジュール内で光−電気変換又は電気−
光変換を行なう光素子の封止においても一層の低コスト
化が必要であり、簡易に光素子の封止を行なうことがで
き、且つ十分な信頼性を確保できる光モジュールが要求
されている。
光変換を行なう光素子の封止においても一層の低コスト
化が必要であり、簡易に光素子の封止を行なうことがで
き、且つ十分な信頼性を確保できる光モジュールが要求
されている。
【0003】
【従来の技術】現在多くの光モジュールでは、信頼性を
確保するために金属パッケージ或いはセラミックパッケ
ージを使用して、溶接又は半田付けによりパッケージ内
部を気密封止しているため、光モジュールは非常に高価
なものとなる。光モジュールを低コスト化するために
は、光素子の封止方法の簡易化が重要な課題となってき
ている。
確保するために金属パッケージ或いはセラミックパッケ
ージを使用して、溶接又は半田付けによりパッケージ内
部を気密封止しているため、光モジュールは非常に高価
なものとなる。光モジュールを低コスト化するために
は、光素子の封止方法の簡易化が重要な課題となってき
ている。
【0004】光モジュールを気密封止するための簡易化
の一例として、光素子を搭載した基板全面に樹脂を塗布
し、これを硬化して気密封止を行なう方法が提案されて
いる(Mitsuo Fukuda et al.,“Plastic Packaging of S
emiconductor Laser Diode”, Electriconic Component
s and Conference, 1996, pp1101-1108 )。
の一例として、光素子を搭載した基板全面に樹脂を塗布
し、これを硬化して気密封止を行なう方法が提案されて
いる(Mitsuo Fukuda et al.,“Plastic Packaging of S
emiconductor Laser Diode”, Electriconic Component
s and Conference, 1996, pp1101-1108 )。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】発光モジュール又は受
光モジュール等の光モジュールでは、光信号を光ファイ
バ伝送路に送出したり又は光ファイバ伝送路からの光信
号を受信したりするために、光コネクタとの接続が必要
であるが、簡単な構造で光ファイバ伝送路の光コネクタ
との接続を許容する光モジュールが必要とされる。
光モジュール等の光モジュールでは、光信号を光ファイ
バ伝送路に送出したり又は光ファイバ伝送路からの光信
号を受信したりするために、光コネクタとの接続が必要
であるが、簡単な構造で光ファイバ伝送路の光コネクタ
との接続を許容する光モジュールが必要とされる。
【0006】また、上述した文献に記載されているよう
に、光素子を搭載した基板全面に樹脂を塗布して、これ
を硬化することにより気密封止を行なった場合、基板と
樹脂との間の線膨張係数の差が大きく、樹脂の剥がれ、
クラック等が発生したり、樹脂の残留応力により基板が
破壊されることがある。
に、光素子を搭載した基板全面に樹脂を塗布して、これ
を硬化することにより気密封止を行なった場合、基板と
樹脂との間の線膨張係数の差が大きく、樹脂の剥がれ、
クラック等が発生したり、樹脂の残留応力により基板が
破壊されることがある。
【0007】よって、本発明の目的は、光伝送路と容易
に接続可能な低コストで高信頼性の光モジュールを提供
することである。本発明の他の目的は、低コストで高信
頼性の光モジュールの製造方法を提供することである。
に接続可能な低コストで高信頼性の光モジュールを提供
することである。本発明の他の目的は、低コストで高信
頼性の光モジュールの製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の1つの側面によ
ると、複数のリードと;前記リードと電気的に接続され
た複数の導電性パターンを有する基板と;前記基板上に
実装された光と電気の間で変換を行なう光素子と;前記
光素子を覆う凸部を形成する透光性の第1樹脂と;前記
リードの一部を除き、前記基板、前記光素子及び前記透
光性第1樹脂を包囲する第2樹脂とを具備し;前記第2
樹脂は、フェルールに収容された光ファイバと前記光素
子を前記第1樹脂を介して光学的に結合するために、前
記フェルールが挿入可能な穴を画成していることを特徴
とする光モジュールが提供される。
ると、複数のリードと;前記リードと電気的に接続され
た複数の導電性パターンを有する基板と;前記基板上に
実装された光と電気の間で変換を行なう光素子と;前記
光素子を覆う凸部を形成する透光性の第1樹脂と;前記
リードの一部を除き、前記基板、前記光素子及び前記透
光性第1樹脂を包囲する第2樹脂とを具備し;前記第2
樹脂は、フェルールに収容された光ファイバと前記光素
子を前記第1樹脂を介して光学的に結合するために、前
記フェルールが挿入可能な穴を画成していることを特徴
とする光モジュールが提供される。
【0009】本発明の他の側面によると、複数のリード
と;前記リードと電気的に接続された複数の導電性パタ
ーンを有する基板と;前記基板上に実装された光と電気
の間で変換を行う光素子と;前記リードの一部を除き、
前記基板及び前記光素子を包囲する透光性の樹脂とを具
備し;前記樹脂は、フェルールに挿入された光ファイバ
と前記光素子を光学的に結合するために、前記フェルー
ルが挿入可能な穴を画成していることを特徴とする光モ
ジュールが提供される。
と;前記リードと電気的に接続された複数の導電性パタ
ーンを有する基板と;前記基板上に実装された光と電気
の間で変換を行う光素子と;前記リードの一部を除き、
前記基板及び前記光素子を包囲する透光性の樹脂とを具
備し;前記樹脂は、フェルールに挿入された光ファイバ
と前記光素子を光学的に結合するために、前記フェルー
ルが挿入可能な穴を画成していることを特徴とする光モ
ジュールが提供される。
【0010】本発明の光モジュールでは、基板を含むモ
ジュール全体をモールドされた第2樹脂により封止した
ため、基板からモールド樹脂が剥がれることがなく、ま
たモールド樹脂にクラック等が発生することがなく、光
モジュールの低コスト化及びその信頼性を確保すること
ができる。
ジュール全体をモールドされた第2樹脂により封止した
ため、基板からモールド樹脂が剥がれることがなく、ま
たモールド樹脂にクラック等が発生することがなく、光
モジュールの低コスト化及びその信頼性を確保すること
ができる。
【0011】本発明の更に他の側面によると、光モジュ
ールの製造方法であって、複数のリードを有するリード
フレームを設け、前記リードフレーム上に導電性パター
ンを有する基板を搭載し、前記基板上に光と電気の間で
変換を行なう光素子を実装し、前記光素子に第1端が隣
接するように前記基板上にスリーブを搭載し、前記スリ
ーブ中に中子を挿入しながら、透光性第1樹脂を前記光
素子上に適用し、前記透光性第1樹脂を硬化させて、前
記光素子を覆う凸部を前記スリーブの第1端に形成し、
前記導電性パターンと前記リードとをワイヤで接続し、
前記スリーブ及び前記リードの一部を除き、前記基板、
光素子、スリーブ、透光性第1樹脂、ワイヤ及びリード
フレームを包囲するモールドを設け、前記モールド中に
第2樹脂を注入して硬化させることを特徴とする光モジ
ュールの製造方法。光モジュールの製造方法が提供され
る。
ールの製造方法であって、複数のリードを有するリード
フレームを設け、前記リードフレーム上に導電性パター
ンを有する基板を搭載し、前記基板上に光と電気の間で
変換を行なう光素子を実装し、前記光素子に第1端が隣
接するように前記基板上にスリーブを搭載し、前記スリ
ーブ中に中子を挿入しながら、透光性第1樹脂を前記光
素子上に適用し、前記透光性第1樹脂を硬化させて、前
記光素子を覆う凸部を前記スリーブの第1端に形成し、
前記導電性パターンと前記リードとをワイヤで接続し、
前記スリーブ及び前記リードの一部を除き、前記基板、
光素子、スリーブ、透光性第1樹脂、ワイヤ及びリード
フレームを包囲するモールドを設け、前記モールド中に
第2樹脂を注入して硬化させることを特徴とする光モジ
ュールの製造方法。光モジュールの製造方法が提供され
る。
【0012】本発明の更に他の側面によると、光モジュ
ールの製造方法であって、複数のリードを有するリード
フレームを設け;前記リードフレーム上に導電性パター
ンを有する基板を搭載し;前記基板上に光と電気の間で
変換を行なう光素子を実装し、前記光素子に第1端が隣
接するように前記基板上に中子を載置し、透光性第1樹
脂を前記光素子上に適用し、前記透光性第1樹脂を硬化
させて、前記光素子を覆う凸部を前記中子の第1端に形
成し、前記導電性パターンと前記リードとをワイヤで接
続し、前記中子及び前記リードの一部を除き、前記基
板、光素子、透光性第1樹脂、ワイヤ及びリードフレー
ムを包囲するモールドを設け、前記モールド中に第2樹
脂を注入して硬化させることを特徴とする光モジュール
の製造方法が提供される。
ールの製造方法であって、複数のリードを有するリード
フレームを設け;前記リードフレーム上に導電性パター
ンを有する基板を搭載し;前記基板上に光と電気の間で
変換を行なう光素子を実装し、前記光素子に第1端が隣
接するように前記基板上に中子を載置し、透光性第1樹
脂を前記光素子上に適用し、前記透光性第1樹脂を硬化
させて、前記光素子を覆う凸部を前記中子の第1端に形
成し、前記導電性パターンと前記リードとをワイヤで接
続し、前記中子及び前記リードの一部を除き、前記基
板、光素子、透光性第1樹脂、ワイヤ及びリードフレー
ムを包囲するモールドを設け、前記モールド中に第2樹
脂を注入して硬化させることを特徴とする光モジュール
の製造方法が提供される。
【0013】代替案として、モールドの代わりに上面の
開放した樹脂パッケージを使用し、この樹脂パッケージ
内に第2樹脂を注入して樹脂パッケージと一体となるよ
うに硬化させてもよい。この場合には、モールド(型)
の型抜き工程(型外し工程)が不要である。
開放した樹脂パッケージを使用し、この樹脂パッケージ
内に第2樹脂を注入して樹脂パッケージと一体となるよ
うに硬化させてもよい。この場合には、モールド(型)
の型抜き工程(型外し工程)が不要である。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の数多くの実施形態
を図面を参照して説明する。各実施形態の説明におい
て、実質上同一構成部分には同一符号を付して説明す
る。
を図面を参照して説明する。各実施形態の説明におい
て、実質上同一構成部分には同一符号を付して説明す
る。
【0015】図1を参照すると、本発明第1実施形態の
光モジュール2Aの断面図が示されている。符号4は複
数のリード4aを有するリードフレームであり、リード
フレーム4上にはシリコン基板6が接着等により固定さ
れている。
光モジュール2Aの断面図が示されている。符号4は複
数のリード4aを有するリードフレームであり、リード
フレーム4上にはシリコン基板6が接着等により固定さ
れている。
【0016】シリコン基板6は図2に示すように段差8
を有している。シリコン基板6上にはレーザダイオード
又はフォトダイオード等の光と電気の間で変換を行なう
光素子10が実装されている。
を有している。シリコン基板6上にはレーザダイオード
又はフォトダイオード等の光と電気の間で変換を行なう
光素子10が実装されている。
【0017】基板6上には更に、一対の金属パターン1
2,14が形成されている。金属パターン12は金ワイ
ヤ16を介して光素子10に接続され、金属パターン1
4は光素子10に直接接続されている。基板6はシリコ
ン基板に限定されるものではなく、半導体基板、セラミ
ック基板、ガラス基板等が採用可能である。
2,14が形成されている。金属パターン12は金ワイ
ヤ16を介して光素子10に接続され、金属パターン1
4は光素子10に直接接続されている。基板6はシリコ
ン基板に限定されるものではなく、半導体基板、セラミ
ック基板、ガラス基板等が採用可能である。
【0018】光素子10は、光素子10が送受信する光
信号に対して透明である透光性樹脂により封止(シー
ル)されている。透光性樹脂としては、シリコーン樹
脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の1.55μm帯
の光に対して90%以上の透明度を有する樹脂を用いる
ことができる。本明細書では、シリコーン樹脂18を用
いて以下の全ての実施形態を説明するが、上記の条件を
満たせば他の透光性樹脂であってもよい。
信号に対して透明である透光性樹脂により封止(シー
ル)されている。透光性樹脂としては、シリコーン樹
脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の1.55μm帯
の光に対して90%以上の透明度を有する樹脂を用いる
ことができる。本明細書では、シリコーン樹脂18を用
いて以下の全ての実施形態を説明するが、上記の条件を
満たせば他の透光性樹脂であってもよい。
【0019】シリコーン樹脂18はスリーブ22の端部
に当接している。基板6上に形成された金属パターン1
2,14とリード4aとは金ワイヤ20により接続され
ている。
に当接している。基板6上に形成された金属パターン1
2,14とリード4aとは金ワイヤ20により接続され
ている。
【0020】リード4a及びスリーブ22の一部を残し
て、リードフレーム4、基板6、シリコーン樹脂18及
びスリーブ22はモールド成形された樹脂24により覆
われている。
て、リードフレーム4、基板6、シリコーン樹脂18及
びスリーブ22はモールド成形された樹脂24により覆
われている。
【0021】この樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、PPS(ポリフェニルサルファイド)等を
用いることができる。本明細書ではエポキシ樹脂を用い
て以下の全ての実施形態を説明するが、モールド可能な
樹脂であれば他の樹脂も採用可能である。
ノール樹脂、PPS(ポリフェニルサルファイド)等を
用いることができる。本明細書ではエポキシ樹脂を用い
て以下の全ての実施形態を説明するが、モールド可能な
樹脂であれば他の樹脂も採用可能である。
【0022】スリーブ22内には光コネクタの光ファイ
バを保持するフェルール26が挿入されている。本実施
形態の光モジュール2Aでは、光モジュール2Aと図示
しない光コネクタの接続時に、スリーブ22が挿入され
るフェルール26のガイドをし、凸形状シリコーン樹脂
18がストップの役目を果たす。
バを保持するフェルール26が挿入されている。本実施
形態の光モジュール2Aでは、光モジュール2Aと図示
しない光コネクタの接続時に、スリーブ22が挿入され
るフェルール26のガイドをし、凸形状シリコーン樹脂
18がストップの役目を果たす。
【0023】よってフェルール26がシリコーン樹脂1
8に当接するまでスリーブ22内に挿入された図示の状
態では、フェルール26内に挿入された光ファイバがシ
リコーン樹脂18を介して光素子10と効率よく光結合
するようになっている。
8に当接するまでスリーブ22内に挿入された図示の状
態では、フェルール26内に挿入された光ファイバがシ
リコーン樹脂18を介して光素子10と効率よく光結合
するようになっている。
【0024】本実施形態の光モジュール2Aは、光素子
10を透光性のシリコーン樹脂18で封止し、更に全体
をモールドされたエポキシ樹脂24で覆っているため、
安価で高信頼性の光モジュールを提供することが可能で
ある。
10を透光性のシリコーン樹脂18で封止し、更に全体
をモールドされたエポキシ樹脂24で覆っているため、
安価で高信頼性の光モジュールを提供することが可能で
ある。
【0025】上述した第1実施形態では、段差8を有す
る基板6を使用していたが、基板6の代わりに図3
(A)に示すようなV溝28を有する基板6′を使用す
るようにしてもよい。
る基板6を使用していたが、基板6の代わりに図3
(A)に示すようなV溝28を有する基板6′を使用す
るようにしてもよい。
【0026】このような基板6′を使用すると、図3
(B)に示すようにV溝28内にスリーブ22を挿入す
るだけで、光素子10に対するスリーブ22の位置決め
を達成することができる。
(B)に示すようにV溝28内にスリーブ22を挿入す
るだけで、光素子10に対するスリーブ22の位置決め
を達成することができる。
【0027】次に図4(A)〜図4(D)を参照して、
第1実施形態の光モジュール2Aの製造プロセスについ
て説明する。まず、図4(A)に示すように、複数のリ
ード4aを有するリードフレーム4上にSi基板6を接
着等により搭載する。
第1実施形態の光モジュール2Aの製造プロセスについ
て説明する。まず、図4(A)に示すように、複数のリ
ード4aを有するリードフレーム4上にSi基板6を接
着等により搭載する。
【0028】基板6上には例えばレーザダイオード又は
フォトダイオード等の光と電気の間で変換を行なう光素
子10が実装されている。光素子10と基板6上に形成
された金属パターン12とは金ワイヤ16により接続さ
れている。次いで、光素子10に対してスリーブ22を
位置決めし、その先端が基板6の段差8に当接するよう
にスリーブ22を基板6上に載置する。
フォトダイオード等の光と電気の間で変換を行なう光素
子10が実装されている。光素子10と基板6上に形成
された金属パターン12とは金ワイヤ16により接続さ
れている。次いで、光素子10に対してスリーブ22を
位置決めし、その先端が基板6の段差8に当接するよう
にスリーブ22を基板6上に載置する。
【0029】図4(B)に示すように、スリーブ22中
に中子30を挿入しながら、光素子10上にシリコーン
樹脂18を滴下する。次いで、シリコーン樹脂18を約
150°C〜約160°Cに加熱して、シリコーン樹脂
を硬化させ、スリーブ22の端部にシリコーン樹脂の凸
部18を形成し、光素子10を封止する。
に中子30を挿入しながら、光素子10上にシリコーン
樹脂18を滴下する。次いで、シリコーン樹脂18を約
150°C〜約160°Cに加熱して、シリコーン樹脂
を硬化させ、スリーブ22の端部にシリコーン樹脂の凸
部18を形成し、光素子10を封止する。
【0030】光素子10をシリコーン樹脂18で封止し
た後、基板6上の金属パターン12,14とリード4a
とを金ワイヤ20でボンディング接続する。次いで、図
4(C)に示すように、上型32a及び下型32bから
なる型(モールド)32をセットする。モールド32の
内面には離型剤を塗布しておくのが望ましい。
た後、基板6上の金属パターン12,14とリード4a
とを金ワイヤ20でボンディング接続する。次いで、図
4(C)に示すように、上型32a及び下型32bから
なる型(モールド)32をセットする。モールド32の
内面には離型剤を塗布しておくのが望ましい。
【0031】次いで、モールド32の注入口33からエ
ポキシ樹脂24をモールド32内に注入する。注入が完
了したら、エポキシ樹脂24を約150°C〜約160
°Cに加熱して、エポキシ樹脂を硬化させる。エポキシ
樹脂24が完全に硬化した後、モールド32を離型し、
中子30をスリーブ22から引き抜く。
ポキシ樹脂24をモールド32内に注入する。注入が完
了したら、エポキシ樹脂24を約150°C〜約160
°Cに加熱して、エポキシ樹脂を硬化させる。エポキシ
樹脂24が完全に硬化した後、モールド32を離型し、
中子30をスリーブ22から引き抜く。
【0032】次いで、リード4aをリードフレーム4の
外枠(図示せず)から切り離し、リード4aを個々に分
離すると、図4(D)に示すような光素子10がシリコ
ーン樹脂18で封止され、全体的にモールドされたエポ
キシ樹脂24で包囲された光モジュール2Aを得ること
ができる。
外枠(図示せず)から切り離し、リード4aを個々に分
離すると、図4(D)に示すような光素子10がシリコ
ーン樹脂18で封止され、全体的にモールドされたエポ
キシ樹脂24で包囲された光モジュール2Aを得ること
ができる。
【0033】図5を参照すると、本発明第2実施形態の
光モジュール2Bの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Bは図6に示すようなV溝28を有す
るSi基板6′とV溝36を有するSiから形成された
ブロック34を使用する。
光モジュール2Bの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Bは図6に示すようなV溝28を有す
るSi基板6′とV溝36を有するSiから形成された
ブロック34を使用する。
【0034】即ち、スリーブ22を基板6′のV溝28
に挿入した後、V溝36でスリーブ22を押さえながら
ブロック34を基板6′に接着剤等により固定する。本
実施形態の他の構造は、上述した第1実施形態の光モジ
ュール2Aと同様である。
に挿入した後、V溝36でスリーブ22を押さえながら
ブロック34を基板6′に接着剤等により固定する。本
実施形態の他の構造は、上述した第1実施形態の光モジ
ュール2Aと同様である。
【0035】このように本実施形態の光モジュール2B
では、V溝28を有する基板6′と同様なV溝36を有
するブロック34でスリーブ22を固定しているため、
光素子10に対するスリーブ22の位置決め固定をより
確実かつ強固に行なうことができる。
では、V溝28を有する基板6′と同様なV溝36を有
するブロック34でスリーブ22を固定しているため、
光素子10に対するスリーブ22の位置決め固定をより
確実かつ強固に行なうことができる。
【0036】図7を参照すると、本発明第3実施形態の
光モジュール2Cの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Cでは、第1及び第2実施形態のスリ
ーブ22を省略して、モールドされたエポキシ樹脂24
自身でフェルール26のガイド穴38を画成する。この
ように本実施形態の光モジュール2Cでは、スリーブ2
2を省略しているため、より低コストの光モジュールを
提供することができる。
光モジュール2Cの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Cでは、第1及び第2実施形態のスリ
ーブ22を省略して、モールドされたエポキシ樹脂24
自身でフェルール26のガイド穴38を画成する。この
ように本実施形態の光モジュール2Cでは、スリーブ2
2を省略しているため、より低コストの光モジュールを
提供することができる。
【0037】図8を参照すると、本発明第4実施形態の
光モジュール2Dの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Dは図7に示した光モジュール2Cに
類似しており、V溝28を有する基板6′を採用した点
のみが図7に示した第3実施形態の光モジュール2Cと
相違する。
光モジュール2Dの断面図が示されている。本実施形態
の光モジュール2Dは図7に示した光モジュール2Cに
類似しており、V溝28を有する基板6′を採用した点
のみが図7に示した第3実施形態の光モジュール2Cと
相違する。
【0038】本実施形態の光モジュール2Dでも、スリ
ーブ22を省略しているため、光モジュールの低コスト
化に寄与することができる。以下、図9(A)〜図9
(C)を参照して、第4実施形態の光モジュール2Dの
製造プロセスについて説明する。
ーブ22を省略しているため、光モジュールの低コスト
化に寄与することができる。以下、図9(A)〜図9
(C)を参照して、第4実施形態の光モジュール2Dの
製造プロセスについて説明する。
【0039】まず、図9(A)に示すように、中子30
を基板6′のV溝28に挿入した状態で、シリコーン樹
脂18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂18を
約150°C〜160°Cに加熱して硬化させ、凸形状
シリコーン樹脂18により光素子10を封止する。
を基板6′のV溝28に挿入した状態で、シリコーン樹
脂18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂18を
約150°C〜160°Cに加熱して硬化させ、凸形状
シリコーン樹脂18により光素子10を封止する。
【0040】次いで、基板6′上の金属パターン12,
14とリード4aとを金ワイヤ20でボンディング接続
する。図9(B)に示すように、中子30を上型32a
と下型32bでサンドウィッチするように型(モール
ド)32をセットし、注入口33からエポキシ樹脂24
をモールド32内に注入する。
14とリード4aとを金ワイヤ20でボンディング接続
する。図9(B)に示すように、中子30を上型32a
と下型32bでサンドウィッチするように型(モール
ド)32をセットし、注入口33からエポキシ樹脂24
をモールド32内に注入する。
【0041】モールド32内へのエポキシ樹脂24の注
入が完了してから、エポキシ樹脂を約150°C〜16
0°Cに加熱して硬化させる。エポキシ樹脂が硬化した
後、モールド32を離型し、中子30を引き抜くと、図
9(C)に示すようなモールドされたエポキシ樹脂24
により画成されたガイド穴38を有する光モジュール2
Dを得ることができる。
入が完了してから、エポキシ樹脂を約150°C〜16
0°Cに加熱して硬化させる。エポキシ樹脂が硬化した
後、モールド32を離型し、中子30を引き抜くと、図
9(C)に示すようなモールドされたエポキシ樹脂24
により画成されたガイド穴38を有する光モジュール2
Dを得ることができる。
【0042】図10を参照すると、本発明第5実施形態
の光モジュール2Eの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Eでは、基板6′のV溝28とブロ
ック34のV溝36と、モールドされたエポキシ樹脂2
4とでフェルール26の挿入をガイドするガイド穴を画
成している。本実施形態の他の構成は、図8に示した第
4実施形態の光モジュール2Dと同様である。
の光モジュール2Eの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Eでは、基板6′のV溝28とブロ
ック34のV溝36と、モールドされたエポキシ樹脂2
4とでフェルール26の挿入をガイドするガイド穴を画
成している。本実施形態の他の構成は、図8に示した第
4実施形態の光モジュール2Dと同様である。
【0043】図11を参照すると、本発明第6実施形態
の光モジュール2Fの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Fは、図12に示すようなV溝42
及び収容溝44を有するシリコン製の蓋40を使用する
ことを特徴とする。
の光モジュール2Fの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Fは、図12に示すようなV溝42
及び収容溝44を有するシリコン製の蓋40を使用する
ことを特徴とする。
【0044】シリコーン樹脂18は熱硬化しても比較的
柔らかいため、エポキシ樹脂24のモールド32内への
注入が光素子10に悪影響を及ぼす恐れがある。そこで
本実施形態では、蓋40の収容溝44内にシリコーン樹
脂18を完全に収容し、上述したエポキシ樹脂の注入に
起因する光素子10への悪影響を防止するようにしたも
のである。
柔らかいため、エポキシ樹脂24のモールド32内への
注入が光素子10に悪影響を及ぼす恐れがある。そこで
本実施形態では、蓋40の収容溝44内にシリコーン樹
脂18を完全に収容し、上述したエポキシ樹脂の注入に
起因する光素子10への悪影響を防止するようにしたも
のである。
【0045】図13を参照すると、本発明第7実施形態
の光モジュール2Gの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Gは上面の開放した樹脂製パッケー
ジ46を使用し、この樹脂製パッケージ46内にエポキ
シ樹脂24を注入して、熱硬化させることを特徴とする
ものである。樹脂製パッケージ46に換えて金属製パッ
ケージも採用可能である。
の光モジュール2Gの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Gは上面の開放した樹脂製パッケー
ジ46を使用し、この樹脂製パッケージ46内にエポキ
シ樹脂24を注入して、熱硬化させることを特徴とする
ものである。樹脂製パッケージ46に換えて金属製パッ
ケージも採用可能である。
【0046】本実施形態の光モジュール2Gの製造プロ
セスを図14(A)〜図14(D)を参照して説明す
る。まず図14(A)に示すように、上面が開放され側
面に開口部48を有する樹脂製パッケージ46内に、光
素子10が実装された基板6′を搭載したリードフレー
ム4を接着等により固定する。
セスを図14(A)〜図14(D)を参照して説明す
る。まず図14(A)に示すように、上面が開放され側
面に開口部48を有する樹脂製パッケージ46内に、光
素子10が実装された基板6′を搭載したリードフレー
ム4を接着等により固定する。
【0047】樹脂製パッケージ46の開口部48を通し
て基板6′のV溝28中にスリーブ22を挿入し、ブロ
ック34でスリーブ22を上方から押さえるようにブロ
ック34を基板6′に固定する。
て基板6′のV溝28中にスリーブ22を挿入し、ブロ
ック34でスリーブ22を上方から押さえるようにブロ
ック34を基板6′に固定する。
【0048】次いで、図14(B)に示すように、スリ
ーブ22中に中子30を挿入した状態でシリコーン樹脂
18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂18を約
150°C〜160°Cに加熱して熱硬化させ、凸形状
シリコーン樹脂18により光素子10を封止する。
ーブ22中に中子30を挿入した状態でシリコーン樹脂
18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂18を約
150°C〜160°Cに加熱して熱硬化させ、凸形状
シリコーン樹脂18により光素子10を封止する。
【0049】次いで、図14(C)に示すように、樹脂
製パッケージ46内にエポキシ樹脂24を注入し、エポ
キシ樹脂24を約150°C〜160°Cに加熱して熱
硬化させる。これにより、樹脂製パッケージ46と熱硬
化されたエポキシ樹脂24が一体化される。
製パッケージ46内にエポキシ樹脂24を注入し、エポ
キシ樹脂24を約150°C〜160°Cに加熱して熱
硬化させる。これにより、樹脂製パッケージ46と熱硬
化されたエポキシ樹脂24が一体化される。
【0050】次いで、図14(D)に示すように、中子
30をスリーブ22から引き抜くことにより、光素子1
0がシリコーン樹脂18で封止され、樹脂製パッケージ
46とエポキシ樹脂24が一体化された光モジュール2
Gを得ることができる。
30をスリーブ22から引き抜くことにより、光素子1
0がシリコーン樹脂18で封止され、樹脂製パッケージ
46とエポキシ樹脂24が一体化された光モジュール2
Gを得ることができる。
【0051】図15を参照すると、本発明第8実施形態
の光モジュール2Hの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Hは図13に示した第7実施形態の
光モジュール2Gに類似しているが、スリーブ22を省
略した点が光モジュール2Gと相違する。
の光モジュール2Hの断面図が示されている。本実施形
態の光モジュール2Hは図13に示した第7実施形態の
光モジュール2Gに類似しているが、スリーブ22を省
略した点が光モジュール2Gと相違する。
【0052】図16(A)〜図16(D)を参照して、
第8実施形態の光モジュール2Hの製造プロセスについ
て説明する。先ず、図16(A)に示すように、樹脂製
パッケージ46の開口部48を通して中子30を基板
6′のV溝28中に挿入する。
第8実施形態の光モジュール2Hの製造プロセスについ
て説明する。先ず、図16(A)に示すように、樹脂製
パッケージ46の開口部48を通して中子30を基板
6′のV溝28中に挿入する。
【0053】このように中子30を基板6′のV溝中に
挿入した状態で、図16(B)に示すように、シリコー
ン樹脂18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂1
8を約150°C〜160°Cに加熱して熱硬化させ
る。これにより、熱硬化された凸形状シリコーン樹脂1
8により光素子10が封止される。
挿入した状態で、図16(B)に示すように、シリコー
ン樹脂18を光素子10上に滴下し、シリコーン樹脂1
8を約150°C〜160°Cに加熱して熱硬化させ
る。これにより、熱硬化された凸形状シリコーン樹脂1
8により光素子10が封止される。
【0054】次いで、図16(C)に示すように、樹脂
製パッケージ46内にエポキシ樹脂24を注入し、エポ
キシ樹脂24を約150°C〜160°Cに加熱して熱
硬化させ、熱硬化されたエポキシ樹脂24と樹脂製パッ
ケージ46を一体化する。
製パッケージ46内にエポキシ樹脂24を注入し、エポ
キシ樹脂24を約150°C〜160°Cに加熱して熱
硬化させ、熱硬化されたエポキシ樹脂24と樹脂製パッ
ケージ46を一体化する。
【0055】図16(D)に示すように、中子30を樹
脂製パッケージ46から引き抜くことにより、光モジュ
ール2Hを得ることができる。本実施形態の光モジュー
ル2Hでは、基板6′のV溝28とブロック34のV溝
36と熱硬化したエポキシ樹脂24とによりガイド穴3
8が画成される。
脂製パッケージ46から引き抜くことにより、光モジュ
ール2Hを得ることができる。本実施形態の光モジュー
ル2Hでは、基板6′のV溝28とブロック34のV溝
36と熱硬化したエポキシ樹脂24とによりガイド穴3
8が画成される。
【0056】上述した第7及び第8実施形態では、上面
が開放された樹脂製パッケージ46内にエポキシ樹脂を
注入して、これを熱硬化させて樹脂製パッケージ46と
一体化しているため、第1乃至第6実施形態のようにモ
ールド成形された光モジュールから型を引き離す、離型
工程が不要となる。
が開放された樹脂製パッケージ46内にエポキシ樹脂を
注入して、これを熱硬化させて樹脂製パッケージ46と
一体化しているため、第1乃至第6実施形態のようにモ
ールド成形された光モジュールから型を引き離す、離型
工程が不要となる。
【0057】図17を参照すると、本発明の光モジュー
ルと光コネクタの接続構造の斜視図が示されている。例
えば、第3実施形態の光モジュール2Cにエポキシ樹脂
24のモールド時に凹部50を一体的に形成する。
ルと光コネクタの接続構造の斜視図が示されている。例
えば、第3実施形態の光モジュール2Cにエポキシ樹脂
24のモールド時に凹部50を一体的に形成する。
【0058】そして、図18に示すように光コネクタ5
2のハウジング54の内部に光モジュール2Cの凹部5
0に係合する凸部60を形成する。光コネクタ52は光
ファイバ58に接続されたフェルール56を有してい
る。フェルール56内には、光ファイバ58の被覆を除
去したベアファイバが挿入固定されている。
2のハウジング54の内部に光モジュール2Cの凹部5
0に係合する凸部60を形成する。光コネクタ52は光
ファイバ58に接続されたフェルール56を有してい
る。フェルール56内には、光ファイバ58の被覆を除
去したベアファイバが挿入固定されている。
【0059】しかして、光コネクタ52を光モジュール
2Cに嵌合すると、光コネクタ52のフェルール56が
光モジュール2Cのガイド穴38中に、フェルール56
の先端が凸形状シリコーン樹脂18に当接するまで挿入
され、この状態で光コネクタ52の凸部60が光モジュ
ール2Cの凹部50に係合する。
2Cに嵌合すると、光コネクタ52のフェルール56が
光モジュール2Cのガイド穴38中に、フェルール56
の先端が凸形状シリコーン樹脂18に当接するまで挿入
され、この状態で光コネクタ52の凸部60が光モジュ
ール2Cの凹部50に係合する。
【0060】このように光コネクタ52の凸部60が光
モジュール2Cの凹部50に係合したことにより、光コ
ネクタ52にある程度の引っ張り力がかかっても光コネ
クタ52と光モジュール2Cの係合が外れることが防止
される。
モジュール2Cの凹部50に係合したことにより、光コ
ネクタ52にある程度の引っ張り力がかかっても光コネ
クタ52と光モジュール2Cの係合が外れることが防止
される。
【0061】図19を参照すると、光モジュールと光コ
ネクタの他の接続構造の斜視図が示されている。この接
続構造では、光モジュール2C′にエポキシ樹脂の凸部
62を形成し、光コネクタ52′のハウジング54に光
モジュール2C′の凸部62が係合する穴64を形成し
たものである。
ネクタの他の接続構造の斜視図が示されている。この接
続構造では、光モジュール2C′にエポキシ樹脂の凸部
62を形成し、光コネクタ52′のハウジング54に光
モジュール2C′の凸部62が係合する穴64を形成し
たものである。
【0062】このように光モジュールに樹脂製凸部62
を一体的に形成し、光コネクタ52′には凸部62が係
合する穴64を形成した場合にも、光コネクタ52′に
ある程度の引っ張り力がかかっても光コネクタ52′と
光モジュール2C′の係合が外れることはない。
を一体的に形成し、光コネクタ52′には凸部62が係
合する穴64を形成した場合にも、光コネクタ52′に
ある程度の引っ張り力がかかっても光コネクタ52′と
光モジュール2C′の係合が外れることはない。
【0063】図20を参照すると、本発明第9実施形態
の光モジュール2Iの断面図が示されてる。第9実施形
態の光モジュール2Iは図7に示した第3実施形態の光
モジュール2Cの変形例であり、光素子10を封止する
ためのシリコーン樹脂18により第3実施形態のエポキ
シ樹脂24の領域まで覆ったものである。
の光モジュール2Iの断面図が示されてる。第9実施形
態の光モジュール2Iは図7に示した第3実施形態の光
モジュール2Cの変形例であり、光素子10を封止する
ためのシリコーン樹脂18により第3実施形態のエポキ
シ樹脂24の領域まで覆ったものである。
【0064】使用する樹脂としてシリコーン樹脂1種類
のみでよく、簡易に光コネクタのフェルール26との接
続のためのガイド穴38を得るものである。基板6は図
2に示した基板6と同一構成である。
のみでよく、簡易に光コネクタのフェルール26との接
続のためのガイド穴38を得るものである。基板6は図
2に示した基板6と同一構成である。
【0065】図21(A)及び図21(B)を参照し
て、第9実施形態の光モジュール2Iの製造プロセスに
ついて説明する。まず、図21(A)に示すように、中
子30を上型32aと下型32bでサンドイッチするよ
うに型(モールド)32をセットし、注入口33からシ
リコーン樹脂18をモールド32内に注入する。
て、第9実施形態の光モジュール2Iの製造プロセスに
ついて説明する。まず、図21(A)に示すように、中
子30を上型32aと下型32bでサンドイッチするよ
うに型(モールド)32をセットし、注入口33からシ
リコーン樹脂18をモールド32内に注入する。
【0066】モールド32内へのシリコーン樹脂18の
注入が完了してから、シリコーン樹脂18を約150℃
〜160℃に加熱して硬化させる。シリコーン樹脂18
が硬化した後、モールド32を離型し、中子30を引き
抜くと、図21(B)に示すようなモールドされたシリ
コーン樹脂18により画成されたガイド穴38を有する
光モジュール2Iを得ることができる。
注入が完了してから、シリコーン樹脂18を約150℃
〜160℃に加熱して硬化させる。シリコーン樹脂18
が硬化した後、モールド32を離型し、中子30を引き
抜くと、図21(B)に示すようなモールドされたシリ
コーン樹脂18により画成されたガイド穴38を有する
光モジュール2Iを得ることができる。
【0067】図22を参照すると、本発明第10実施形
態の光モジュール2Jの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Jは図8に示した第4実施形態の
光モジュール2Dの変形例であり、モールドされたシリ
コーン樹脂18により図8に示した第4実施形態のエポ
キシ樹脂24の領域まで覆ったものである。図3(A)
に示したV溝28を有する基板6′を採用したため、フ
ェルール26を精密にガイドをすることができる。
態の光モジュール2Jの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Jは図8に示した第4実施形態の
光モジュール2Dの変形例であり、モールドされたシリ
コーン樹脂18により図8に示した第4実施形態のエポ
キシ樹脂24の領域まで覆ったものである。図3(A)
に示したV溝28を有する基板6′を採用したため、フ
ェルール26を精密にガイドをすることができる。
【0068】図23を参照すると、本発明第11実施形
態の光モジュール2Kの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Kは図10に示した第5実施形態
の光モジュール2Eに類似しており、モールドされたシ
リコーン樹脂18で第5実施形態のエポキシ樹脂24の
領域まで覆ったものである。
態の光モジュール2Kの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Kは図10に示した第5実施形態
の光モジュール2Eに類似しており、モールドされたシ
リコーン樹脂18で第5実施形態のエポキシ樹脂24の
領域まで覆ったものである。
【0069】本実施形態では、図6に示すようなV溝2
8を有するSi基板6′とV溝36を有するSiから形
成されたブロック34を使用しているため、フェルール
26を精密にガイドすることができると共に、フェルー
ル26の挿入時のフェルールのガタツキ等によるシリコ
ーン樹脂18の変形を防止することができる。
8を有するSi基板6′とV溝36を有するSiから形
成されたブロック34を使用しているため、フェルール
26を精密にガイドすることができると共に、フェルー
ル26の挿入時のフェルールのガタツキ等によるシリコ
ーン樹脂18の変形を防止することができる。
【0070】図24を参照すると、本発明第12実施形
態の光モジュール2Lの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Lは図15に示した第8実施形態
の光モジュール2Hに類似しているが、樹脂製パッケー
ジ46の内部全体にシリコーン樹脂18を充填した点が
相違する。
態の光モジュール2Lの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Lは図15に示した第8実施形態
の光モジュール2Hに類似しているが、樹脂製パッケー
ジ46の内部全体にシリコーン樹脂18を充填した点が
相違する。
【0071】本実施形態の光モジュール2Lの製造プロ
セスを図25(A)〜図25(C)を参照して説明す
る。まず図25(A)に示すように、上面が開放され側
面に開口部48を有する樹脂製パッケージ46内に、光
素子10が実装された基板6′を搭載したリードフレー
ム4を接着等により固定する。
セスを図25(A)〜図25(C)を参照して説明す
る。まず図25(A)に示すように、上面が開放され側
面に開口部48を有する樹脂製パッケージ46内に、光
素子10が実装された基板6′を搭載したリードフレー
ム4を接着等により固定する。
【0072】樹脂製パッケージ46の開口部48を通し
て基板6′のV溝28中に中子30を挿入し、ブロック
34で中子30を上方から押さえるようにブロック34
を基板6′に固定する。
て基板6′のV溝28中に中子30を挿入し、ブロック
34で中子30を上方から押さえるようにブロック34
を基板6′に固定する。
【0073】次いで、図25(A)及び図25(B)に
示すように、シリコーン樹脂18を樹脂製パッケージ4
6内に注入し、樹脂製パッケージ46内をシリコーン樹
脂18で充填する。
示すように、シリコーン樹脂18を樹脂製パッケージ4
6内に注入し、樹脂製パッケージ46内をシリコーン樹
脂18で充填する。
【0074】次いで、シリコーン樹脂18を約150℃
〜160℃に加熱して熱硬化させる。これにより、樹脂
製パッケージ46と熱硬化されたシリコーン樹脂18が
一体化される。
〜160℃に加熱して熱硬化させる。これにより、樹脂
製パッケージ46と熱硬化されたシリコーン樹脂18が
一体化される。
【0075】次いで、図25(C)に示すように、中子
30を引き抜くことにより、樹脂製パッケージ46とシ
リコーン樹脂18が一体化された光モジュール2Lを得
ることができる。
30を引き抜くことにより、樹脂製パッケージ46とシ
リコーン樹脂18が一体化された光モジュール2Lを得
ることができる。
【0076】図26を参照すると、本発明第13実施形
態の光モジュール2Mの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Mは図1に示した第1実施形態の
光モジュール2Aに類似しているが、シリコーン樹脂1
8で第1実施形態の光モジュール2Aのエポキシ樹脂2
4の領域まで覆った点で相違する。シリコーン樹脂18
のみを使用することにより、容易に光コネクタのフェル
ール26との接続構成を得ることができる。
態の光モジュール2Mの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Mは図1に示した第1実施形態の
光モジュール2Aに類似しているが、シリコーン樹脂1
8で第1実施形態の光モジュール2Aのエポキシ樹脂2
4の領域まで覆った点で相違する。シリコーン樹脂18
のみを使用することにより、容易に光コネクタのフェル
ール26との接続構成を得ることができる。
【0077】図27(A)及び図28(B)を参照し
て、第13実施形態の光モジュール2Mの製造プロセス
について説明する。まず、図27(A)に示すように、
スリーブ22中に中子30を挿入し、上型32a及び下
型32bからなる型(モールド)32をセットする。モ
ールド32の内面には離型剤を塗布しておくのが望まし
い。
て、第13実施形態の光モジュール2Mの製造プロセス
について説明する。まず、図27(A)に示すように、
スリーブ22中に中子30を挿入し、上型32a及び下
型32bからなる型(モールド)32をセットする。モ
ールド32の内面には離型剤を塗布しておくのが望まし
い。
【0078】次いで、モールド32の注入口33からシ
リコーン樹脂18をモールド32内に注入する。注入が
完了したら、シリコーン樹脂18を約150℃〜160
℃に加熱して、シリコーン樹脂18を硬化させる。シリ
コーン樹脂18が完全に硬化した後、モールド32を離
型し、中子30をスリーブ22から引き抜く。
リコーン樹脂18をモールド32内に注入する。注入が
完了したら、シリコーン樹脂18を約150℃〜160
℃に加熱して、シリコーン樹脂18を硬化させる。シリ
コーン樹脂18が完全に硬化した後、モールド32を離
型し、中子30をスリーブ22から引き抜く。
【0079】次いで、リード4aをリードフレーム4の
外枠(図示せず)から切り離し、リード4aを個々に分
離すると、図27(B)に示すような全体的にモールド
されたシリコーン樹脂18で包囲された光モジュール2
Mを得ることができる。
外枠(図示せず)から切り離し、リード4aを個々に分
離すると、図27(B)に示すような全体的にモールド
されたシリコーン樹脂18で包囲された光モジュール2
Mを得ることができる。
【0080】図28を参照すると、本発明第14実施形
態の光モジュール2Nの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Nは図13に示した第7実施形態
の光モジュール2Gに類似しているが、シリコーン樹脂
18で樹脂製パッケージ46内を充填した点が相違す
る。
態の光モジュール2Nの断面図が示されている。本実施
形態の光モジュール2Nは図13に示した第7実施形態
の光モジュール2Gに類似しているが、シリコーン樹脂
18で樹脂製パッケージ46内を充填した点が相違す
る。
【0081】図29を参照すると、本発明第15実施形
態の光モジュール2Pの断面図が示されている。リード
フレーム4上には、シリコン基板70が接着等により固
定されている。シリコン基板70上には光導波路72が
形成されている。
態の光モジュール2Pの断面図が示されている。リード
フレーム4上には、シリコン基板70が接着等により固
定されている。シリコン基板70上には光導波路72が
形成されている。
【0082】シリコン基板70上には光導波路72の一
端に光結合するように、レーザダイオード又はフォトダ
イオード等の光と電気の間で変換を行う光素子10が実
装されている。
端に光結合するように、レーザダイオード又はフォトダ
イオード等の光と電気の間で変換を行う光素子10が実
装されている。
【0083】リード4aの一部を残して、リードフレー
ム4、基板70、光導波路72及び光素子10はモール
ド成形されたシリコーン樹脂18により覆われている。
シリコーン樹脂18は光素子10が送信又は受信する光
信号に対して透明である。
ム4、基板70、光導波路72及び光素子10はモール
ド成形されたシリコーン樹脂18により覆われている。
シリコーン樹脂18は光素子10が送信又は受信する光
信号に対して透明である。
【0084】シリコーン樹脂18は光導波路72の他端
に至る、挿入されるフェルール26ガイド用のガイド穴
38を画成している。よって、フェルール26が基板7
0の端部に当接するまでガイド穴38内に挿入された状
態では、フェルール26内に挿入された光ファイバが光
導波路72と効率よく光結合するようになっている。
に至る、挿入されるフェルール26ガイド用のガイド穴
38を画成している。よって、フェルール26が基板7
0の端部に当接するまでガイド穴38内に挿入された状
態では、フェルール26内に挿入された光ファイバが光
導波路72と効率よく光結合するようになっている。
【0085】図30を参照すると、本発明第16実施形
態の光モジュール2Qの断面図が示されている。本実施
形態では、V溝を有するブロック74が基板70の側面
に接着されている。あるいは、ブロック74をリードフ
レーム4上に固定するようにしてもよい。
態の光モジュール2Qの断面図が示されている。本実施
形態では、V溝を有するブロック74が基板70の側面
に接着されている。あるいは、ブロック74をリードフ
レーム4上に固定するようにしてもよい。
【0086】本実施形態では、V溝を有するブロック7
4を使用したため、V溝でフェルール26を正確にガイ
ドすることができ、フェルール26に収容された光ファ
イバと光導波路72との間の光結合を高効率で達成する
ことができる。
4を使用したため、V溝でフェルール26を正確にガイ
ドすることができ、フェルール26に収容された光ファ
イバと光導波路72との間の光結合を高効率で達成する
ことができる。
【0087】図31を参照すると、本発明第17実施形
態の光モジュール2Rの断面図が示されている。本実施
形態はV溝を有するブロック34′を基板70上に搭載
したものである。
態の光モジュール2Rの断面図が示されている。本実施
形態はV溝を有するブロック34′を基板70上に搭載
したものである。
【0088】本実施形態でも、フェルール26を正確に
ガイドできるため、フェルール26に収容された光ファ
イバと光導波路72との間の光結合を高効率で達成する
ことができる。
ガイドできるため、フェルール26に収容された光ファ
イバと光導波路72との間の光結合を高効率で達成する
ことができる。
【0089】図32を参照すると、本発明第18実施形
態の光モジュール2Sの断面図が示されている。本実施
形態では、フェルール26をガイドするスリーブ22が
シリコーン樹脂18中に部分的に埋め込まれている。
態の光モジュール2Sの断面図が示されている。本実施
形態では、フェルール26をガイドするスリーブ22が
シリコーン樹脂18中に部分的に埋め込まれている。
【0090】本実施形態でも、スリーブ22でフェルー
ル26を正確にガイドできるため、スリーブ26に収容
された光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効
率で達成することができる。
ル26を正確にガイドできるため、スリーブ26に収容
された光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効
率で達成することができる。
【0091】図33を参照すると、本発明第19実施形
態の光モジュール2Tの断面図が示されている。本実施
形態は、V溝の形成されたブロック74を基板70の側
面又はリードフレーム4上に接着し、スリーブ22をブ
ロック74のV溝中に挿入したものである。
態の光モジュール2Tの断面図が示されている。本実施
形態は、V溝の形成されたブロック74を基板70の側
面又はリードフレーム4上に接着し、スリーブ22をブ
ロック74のV溝中に挿入したものである。
【0092】本実施形態でも、スリーブ22でフェルー
ル26を正確にガイドできるため、スリーブ26に収容
された光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効
率で達成することができる。
ル26を正確にガイドできるため、スリーブ26に収容
された光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効
率で達成することができる。
【0093】図34を参照すると、本発明第20実施形
態の光モジュール2Uの断面図が示されている。本実施
形態はV溝を有するブロック34′を基板70上に搭載
し、ブロック34′のV溝中にスリーブ22を挿入した
ものである。
態の光モジュール2Uの断面図が示されている。本実施
形態はV溝を有するブロック34′を基板70上に搭載
し、ブロック34′のV溝中にスリーブ22を挿入した
ものである。
【0094】本実施形態もスリーブ22でフェルール2
6を正確にガイドできるため、フェルール26に収容さ
れた光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効率
で達成することができる。
6を正確にガイドできるため、フェルール26に収容さ
れた光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効率
で達成することができる。
【0095】図35を参照すると、本発明第21実施形
態の光モジュール2Vの断面図が示されている。本実施
形態は樹脂製パッケージ46内にシリコーン樹脂18を
注入し、シリコーン樹脂18と樹脂製パッケージ46を
一体化したものである。樹脂製パッケージ46に換えて
金属パッケージも使用可能である。
態の光モジュール2Vの断面図が示されている。本実施
形態は樹脂製パッケージ46内にシリコーン樹脂18を
注入し、シリコーン樹脂18と樹脂製パッケージ46を
一体化したものである。樹脂製パッケージ46に換えて
金属パッケージも使用可能である。
【0096】本実施形態ではスリーブ22が部分的にシ
リコーン樹脂18内に埋め込まれているため、スリーブ
22でフェルール26を正確にガイドすることができる
ので、フェルール26に収容された光ファイバと光導波
路72との間の光結合を高効率で達成することができ
る。
リコーン樹脂18内に埋め込まれているため、スリーブ
22でフェルール26を正確にガイドすることができる
ので、フェルール26に収容された光ファイバと光導波
路72との間の光結合を高効率で達成することができ
る。
【0097】図36を参照すると、本発明第22実施形
態の光モジュール2Wの断面図が示されている。本実施
形態ではV溝を有するブロック74を使用しているた
め、スリーブ22でフェルール26を正確にガイドする
ことができ、フェルール26内に収容された光ファイバ
と光導波路72との間の光結合を高効率で達成すること
ができる。
態の光モジュール2Wの断面図が示されている。本実施
形態ではV溝を有するブロック74を使用しているた
め、スリーブ22でフェルール26を正確にガイドする
ことができ、フェルール26内に収容された光ファイバ
と光導波路72との間の光結合を高効率で達成すること
ができる。
【0098】図37を参照すると、本発明第23実施形
態の光モジュール2Xの断面図が示されている。本実施
形態ではV溝を有するブロック34′を基板70上に搭
載しているため、スリーブ22でフェルール26を正確
にガイドすることができ、フェルール26内に収容され
た光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効率で
達成することができる。
態の光モジュール2Xの断面図が示されている。本実施
形態ではV溝を有するブロック34′を基板70上に搭
載しているため、スリーブ22でフェルール26を正確
にガイドすることができ、フェルール26内に収容され
た光ファイバと光導波路72との間の光結合を高効率で
達成することができる。
【0099】
【発明の効果】本発明によると、光素子及び基板を含む
モジュール全体をモールドされた樹脂で包囲し、光伝送
路に接続するためのコネクタのフェルールをガイドする
ガイド穴も同時に形成しているため、安価で信頼性の高
い光モジュールを提供することができる。
モジュール全体をモールドされた樹脂で包囲し、光伝送
路に接続するためのコネクタのフェルールをガイドする
ガイド穴も同時に形成しているため、安価で信頼性の高
い光モジュールを提供することができる。
【図1】本発明第1実施形態の断面図である。
【図2】第1実施形態に使用する基板の斜視図である。
【図3】図3(A)は基板の他の実施形態の斜視図であ
り、図3(B)はV溝中にスリーブを挿入した状態の基
板の斜視図である。
り、図3(B)はV溝中にスリーブを挿入した状態の基
板の斜視図である。
【図4】図4(A)〜図4(D)は本発明第1実施形態
の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
【図5】本発明第2実施形態の光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図6】第2実施形態に使用する基板と蓋を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図7】本発明第3実施形態の光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図8】本発明第4実施形態の光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図9】図9(A)〜図9(C)は本発明第4実施形態
の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
【図10】本発明第5実施形態の光モジュールの断面図
である。
である。
【図11】本発明第6実施形態の光モジュールの断面図
である。
である。
【図12】第6実施形態に使用する基板と蓋の分解斜視
図である。
図である。
【図13】本発明第7実施形態の光モジュールの断面図
である。
である。
【図14】図14(A)〜図14(D)は本発明第7実
施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
【図15】本発明第8実施形態の光モジュールの断面図
である。
である。
【図16】図16(A)〜図16(D)は本発明第8実
施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図である。
【図17】光モジュールと光コネクタの接続構造を示す
図である。
図である。
【図18】図17の接続構造に使用する光コネクタの斜
視図である。
視図である。
【図19】光モジュールと光コネクタの他の接続構造を
示す図である。
示す図である。
【図20】本発明第9実施形態の光モジュールの断面図
である。
である。
【図21】図21(A)及び図21(B)は本発明第9
実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
【図22】本発明第10実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図23】本発明第11実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図24】本発明第12実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図25】図25(A)〜図25(C)は本発明第12
実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
【図26】本発明第13実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図27】図27(A)及び図27(B)は本発明第1
3実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
3実施形態の光モジュールの製造プロセスを示す図であ
る。
【図28】本発明第14実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図29】本発明第15実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図30】本発明第16実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図31】本発明第17実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図32】本発明第18実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図33】本発明第19実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図34】本発明第20実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図35】本発明第21実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図36】本発明第22実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
【図37】本発明第23実施形態の光モジュールの断面
図である。
図である。
4 リードフレーム 4a リード 6,6′ 基板 10 光素子 18 封止樹脂(シリコーン樹脂) 22 スリーブ 24 モールド樹脂(エポキシ樹脂) 26 フェルール 28 V溝 30 中子 32 型(モールド)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 直樹 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 BA12 CA11 DA03 DA04 DA05 DA06 DA16 DA36
Claims (21)
- 【請求項1】 複数のリードと;前記リードと電気的に
接続された複数の導電性パターンを有する基板と;前記
基板上に実装された光と電気の間で変換を行なう光素子
と;前記光素子を覆う凸部を形成する透光性の第1樹脂
と;前記リードの一部を除き、前記基板、前記光素子及
び前記透光性第1樹脂を包囲する第2樹脂とを具備し;
前記第2樹脂は、フェルールに収容された光ファイバと
前記光素子を前記第1樹脂を介して光学的に結合するた
めに、前記フェルールが挿入可能な穴を画成しているこ
とを特徴とする光モジュール。 - 【請求項2】 前記基板はV溝を有しており、該V溝が
前記フェルールを前記光素子にガイドする請求項1記載
の光モジュール。 - 【請求項3】 前記基板は第1のV溝を有しており、 第2のV溝が前記基板の第1のV溝に対向するように、
前記基板に固定された第2のV溝を有するブロックを更
に具備し、 前記基板の第1のV溝と前記ブロックの第2のV溝が前
記フェルールを前記光素子にガイドする請求項1記載の
光モジュール。 - 【請求項4】 前記穴中に挿入された、前記フェルール
をガイドするためのスリーブを更に具備した請求項1記
載の光モジュール。 - 【請求項5】 上面が開放されたパッケージを更に具備
し;前記第2樹脂は前記パッケージ中にモールドされて
いる請求項1記載の光モジュール。 - 【請求項6】 前記第1樹脂はシリコーン樹脂であり、
前記第2樹脂はエポキシ樹脂である請求項1記載の光モ
ジュール。 - 【請求項7】 光モジュールの製造方法であって、 複数のリードを有するリードフレームを設け;前記リー
ドフレーム上に導電性パターンを有する基板を搭載し;
前記基板上に光と電気の間で変換を行なう光素子を実装
し;前記光素子に第1端が隣接するように前記基板上に
スリーブを搭載し;前記スリーブ中に中子を挿入しなが
ら、透光性第1樹脂を前記光素子上に適用し;前記透光
性第1樹脂を硬化させて、前記光素子を覆う凸部を前記
スリーブの第1端に形成し;前記導電性パターンと前記
リードとをワイヤで接続し;前記スリーブ及び前記リー
ドの一部を除き、前記基板、光素子、スリーブ、透光性
第1樹脂、ワイヤ及びリードフレームを包囲するモール
ドを設け;前記モールド中に第2樹脂を注入して硬化さ
せる;ことを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 【請求項8】 前記基板はV溝を有しており、前記スリ
ーブは該V溝中に挿入されている請求項7記載の光モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項9】 光モジュールの製造方法であって、 複数のリードを有するリードフレームを設け;前記リー
ドフレーム上に導電性パターンを有する基板を搭載し;
前記基板上に光と電気の間で変換を行なう光素子を実装
し;前記光素子に第1端が隣接するように前記基板上に
中子を載置し;透光性第1樹脂を前記光素子上に適用
し;前記透光性第1樹脂を硬化させて、前記光素子を覆
う凸部を前記中子の第1端に形成し;前記導電性パター
ンと前記リードとをワイヤで接続し;前記中子及び前記
リードの一部を除き、前記基板、光素子、透光性第1樹
脂、ワイヤ及びリードフレームを包囲するモールドを設
け;前記モールド中に第2樹脂を注入して硬化させる;
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 【請求項10】 前記基板はV溝を有しており、前記中
子は該V溝中に挿入される請求項9記載の光モジュール
の製造方法。 - 【請求項11】 光モジュールの製造方法であって、 上面が開放され側面に開口部を有する樹脂パッケージを
設け;複数のリードが前記パッケージから突出するよう
に該パッケージ中にリードフレームを収容し;前記リー
ドフレーム上に導電性パターンを有する基板を搭載し;
前記基板上に光と電気の間で変換を行なう光素子を実装
し;前記光素子に第1端が隣接するように、前記パッケ
ージの開口部を通して挿入されたスリーブを前記基板上
に搭載し;前記スリーブ中に中子を挿入しながら、透光
性第1樹脂を前記光素子上に適用し;前記透光性第1樹
脂を硬化させて、前記光素子を覆う凸部を前記スリーブ
の第1端に形成し;前記導電性パターンと前記リードと
をワイヤで接続し;前記パッケージ中に第2樹脂を注入
して硬化させる;ことを特徴とする光モジュールの製造
方法。 - 【請求項12】 前記基板はV溝を有しており、前記ス
リーブは該V溝中に挿入されている請求項11記載の光
モジュールの製造方法。 - 【請求項13】 光モジュールの製造方法であって、 上面が開放され側面に開口部を有する樹脂パッケージを
設け;複数のリードが前記パッケージから突出するよう
に該パッケージ中にリードフレームを収容し;前記リー
ドフレーム上に導電性パターンを有する基板を搭載し;
前記基板上に光と電気の間で変換を行なう光素子を実装
し;前記光素子に第1端が隣接するように、前記パッケ
ージの開口部を通して挿入された中子を前記基板上に載
置し;透光性第1樹脂を前記光素子上に適用し;前記透
光性第1樹脂を硬化させて、前記光素子を覆う凸部を前
記中子の第1端に形成し;前記導電性パターンと前記リ
ードとをワイヤで接続し;前記パッケージ中に第2樹脂
を注入して硬化させる;ことを特徴とする光モジュール
の製造方法。 - 【請求項14】 前記基板はV溝を有しており、前記中
子は該V溝中に挿入されている請求項13記載の光モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項15】 複数のリードと;前記リードと電気的
に接続された複数の導電性パターンを有する基板と;前
記基板上に実装された光と電気の間で変換を行う光素子
と;前記リードの一部を除き、前記基板及び前記光素子
を包囲する透光性の樹脂とを具備し;前記樹脂は、フェ
ルールに挿入された光ファイバと前記光素子を光学的に
結合するために、前記フェルールが挿入可能な穴を画成
していることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項16】 前記基板はV溝を有しており、該V溝
で前記フェルールを前記光素子にガイドする請求項15
記載の光モジュール。 - 【請求項17】 前記基板は第1のV溝を有しており、 第2のV溝が前記基板の第1のV溝に対向するように、
前記基板に固定された第2のV溝を有するブロックを更
に具備し;前記基板の第1のV溝と前記ブロックの第2
のV溝で前記フェルールを前記光素子にガイドする請求
項15記載の光モジュール。 - 【請求項18】 前記穴中に挿入された、前記フェルー
ルをガイドするためのスリーブを更に具備した請求項1
5記載の光モジュール。 - 【請求項19】 上面が開放されたパッケージを更に具
備し、 前記樹脂は前記パッケージ中にモールドされている請求
項15記載の光モジュール。 - 【請求項20】 前記基板上に形成された光導波路を更
に具備し、 該光導波路を介して前記光素子と前記光ファイバが光学
的に結合されている請求項15記載の光モジュール。 - 【請求項21】 前記基板の側面に固定されたV溝を有
するブロックを更に具備し、 該V溝により前記フェルールを前記光素子にガイドする
請求項20記載の光モジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10281045A JP2000110176A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 光モジュール及びその製造方法 |
US09/327,679 US6170996B1 (en) | 1998-10-02 | 1999-06-08 | Optical module encapsulated with resin and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10281045A JP2000110176A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 光モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000110176A true JP2000110176A (ja) | 2000-04-18 |
Family
ID=17633541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10281045A Withdrawn JP2000110176A (ja) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | 光モジュール及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6170996B1 (ja) |
JP (1) | JP2000110176A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1031860A2 (de) * | 1999-02-22 | 2000-08-30 | Infineon Technologies AG | Verfahren und Gissform zum Herstellen eines elektrooptischen Moduls und elektrooptisches Modul |
EP1077495A2 (de) * | 1999-08-19 | 2001-02-21 | Tyco Electronics Logistics AG | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrooptischen Bauteils |
KR20020077079A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 소형형상요소형 광모듈 |
JP2003021755A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Fujikura Ltd | 光コネクタ |
JP2003084174A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光モジュール及び受光モジュール |
JP2008281654A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2008304611A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
JP2009128430A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス、並びにそれに用いられる光導波路接続構造 |
JP2010266729A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Hirose Electric Co Ltd | 光電気複合型コネクタ |
JP2012177732A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Hirose Electric Co Ltd | 光電気変換コネクタおよび光電気変換コネクタの製造方法 |
WO2014196263A1 (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | 光部品、光プラグ、光コネクタ及び光部品の製造方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4090512B2 (ja) | 1997-04-08 | 2008-05-28 | 日本オプネクスト株式会社 | 光モジュール |
JP2000039540A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 光通信装置 |
JP3758938B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2006-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
JP2001074987A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Yazaki Corp | レセプタクルの製造方法、レセプタクル、及び光コネクタ |
JP2001108870A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | 光デバイス及びその製造方法 |
JP2001174675A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Nec Corp | 光導波路型モジュール |
JP2001264593A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光装置 |
JP3865037B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュールの製造方法 |
JP3721935B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2005-11-30 | 住友電気工業株式会社 | 光学装置 |
US6624507B1 (en) * | 2000-05-09 | 2003-09-23 | National Semiconductor Corporation | Miniature semiconductor package for opto-electronic devices |
DE10043324A1 (de) * | 2000-08-23 | 2002-03-14 | Infineon Technologies Ag | Opto-elektronische Baugruppe zum Multiplexen und/oder Demultiplexen optischer Signale |
US6882799B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-04-19 | Nortel Networks Limited | Multi-grained network |
US6712529B2 (en) * | 2000-12-11 | 2004-03-30 | Rohm Co., Ltd. | Infrared data communication module and method of making the same |
US6799902B2 (en) | 2000-12-26 | 2004-10-05 | Emcore Corporation | Optoelectronic mounting structure |
US7021836B2 (en) * | 2000-12-26 | 2006-04-04 | Emcore Corporation | Attenuator and conditioner |
FR2836559B1 (fr) * | 2002-02-28 | 2004-06-04 | Schneider Electric Ind Sa | Dispositif de couplage optique, sonde optique et dispositif de communication comportant un tel dispositif de couplage |
US7024065B2 (en) * | 2002-07-09 | 2006-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Optical waveguide device and method of manufacture therefor |
AU2003273517A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-13 | Firecomms Limited | Connection of optical waveguides to optical devices |
US6863453B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-03-08 | Emcore Corporation | Method and apparatus for parallel optical transceiver module assembly |
CA2569265C (en) * | 2003-07-24 | 2012-10-09 | Reflex Photonique Inc./Reflex Photonics Inc. | Encapsulated optical package |
US7178235B2 (en) * | 2003-12-03 | 2007-02-20 | Reflex Photonics Inc. | Method of manufacturing an optoelectronic package |
DE102005043928B4 (de) * | 2004-09-16 | 2011-08-18 | Sharp Kk | Optisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8171625B1 (en) | 2008-06-02 | 2012-05-08 | Wavefront Research, Inc. | Method of providing low footprint optical interconnect |
WO2010143175A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Firecomms Limited | An optical device module and production method |
EP2523029B1 (en) * | 2010-01-06 | 2017-02-15 | Fujikura Ltd. | Optical coupling structure and optical transreceiver module |
JP2012064719A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光源装置、ディスプレイ装置 |
CN103513343B (zh) * | 2012-06-25 | 2015-08-19 | 广濑电机株式会社 | 光电转换连接器和光电转换连接器的制造方法 |
JP6517043B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-05-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 光結合装置、光結合装置の製造方法および電力変換システム |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS635310A (ja) | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | 光接続回路の製造方法 |
JPH05245853A (ja) | 1992-03-03 | 1993-09-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュールの製造方法 |
JPH05243444A (ja) | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光サブマウントとリードフレームの実装構造 |
JPH05243445A (ja) | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光サブマウントのピン構造 |
JP3092119B2 (ja) | 1992-08-20 | 2000-09-25 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
US5414293A (en) * | 1992-10-14 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Encapsulated light emitting diodes |
JPH08122588A (ja) | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体受光モジュール装置及びその受光モジュール内 部素子の製造方法 |
JPH09197196A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 光部品の接合方法 |
JPH10123372A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Fujitsu Ltd | 光モジュール |
JP3908810B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 光モジュール |
JPH10221575A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 光モジュールの製造方法 |
JP3087676B2 (ja) * | 1997-02-13 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | ゲル状樹脂を用いた光結合系及び実装構造 |
JP3191729B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2001-07-23 | 日本電気株式会社 | 光半導体モジュールとその製造方法 |
JPH11119064A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 光伝送端末装置 |
-
1998
- 1998-10-02 JP JP10281045A patent/JP2000110176A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-08 US US09/327,679 patent/US6170996B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1031860A2 (de) * | 1999-02-22 | 2000-08-30 | Infineon Technologies AG | Verfahren und Gissform zum Herstellen eines elektrooptischen Moduls und elektrooptisches Modul |
EP1031860A3 (de) * | 1999-02-22 | 2002-08-28 | Infineon Technologies AG | Verfahren und Gissform zum Herstellen eines elektrooptischen Moduls und elektrooptisches Modul |
EP1077495A2 (de) * | 1999-08-19 | 2001-02-21 | Tyco Electronics Logistics AG | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrooptischen Bauteils |
EP1077495A3 (de) * | 1999-08-19 | 2003-08-13 | Tyco Electronics Logistics AG | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrooptischen Bauteils |
KR20020077079A (ko) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | 주식회사일진 | 소형형상요소형 광모듈 |
JP2003021755A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Fujikura Ltd | 光コネクタ |
JP2003084174A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光モジュール及び受光モジュール |
JP2008281654A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製造方法 |
JP2008304611A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
JP2009128430A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス、並びにそれに用いられる光導波路接続構造 |
JP4503064B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2010-07-14 | 日東電工株式会社 | 光導波路デバイスの製法およびそれによって得られる光導波路デバイス、並びにそれに用いられる光導波路接続構造 |
US7906355B2 (en) | 2007-11-20 | 2011-03-15 | Nitto Denko Corporation | Optical waveguide device production method, optical waveguide device produced by the method, and optical waveguide connection structure to be used for the device |
KR101510895B1 (ko) | 2007-11-20 | 2015-04-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광도파로 디바이스의 제조 방법 및 이에 의해 얻어지는 광도파로 디바이스, 및 이에 사용되는 광도파로 접속 구조 |
JP2010266729A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Hirose Electric Co Ltd | 光電気複合型コネクタ |
JP2012177732A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Hirose Electric Co Ltd | 光電気変換コネクタおよび光電気変換コネクタの製造方法 |
WO2014196263A1 (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 株式会社村田製作所 | 光部品、光プラグ、光コネクタ及び光部品の製造方法 |
JP5892292B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2016-03-23 | 株式会社村田製作所 | 光プラグ及び光コネクタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6170996B1 (en) | 2001-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000110176A (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
US6461059B2 (en) | Photo-electronic device and method of producing the same | |
US6181854B1 (en) | Optical module packaged with molded resin | |
US6726375B2 (en) | Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus | |
JP3955065B2 (ja) | 光結合器 | |
US5737467A (en) | Resin molded optical assembly | |
JP4180537B2 (ja) | 光学素子の封止構造体および光結合器ならびに光学素子の封止方法 | |
TWI289346B (en) | Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment | |
US5515467A (en) | Optical fiber assembly for connecting photonic devices to a fiber optic cable | |
US8888383B2 (en) | Active optical cable (AOC) connector having a molded plastic leadframe, an AOC that incorporates the AOC connector, and a method of using an AOC | |
JPH11119064A (ja) | 光伝送端末装置 | |
JP2000137147A (ja) | 光電子装置およびその製造方法 | |
US20180128998A1 (en) | Optical semiconductor module | |
TW201137425A (en) | Device for converting signal | |
JP3380733B2 (ja) | 光モジュールおよびその製造方法 | |
JP2000131558A (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
US6877908B2 (en) | Fiber with ferrule, and optical module and method of manufacturing the same | |
JP3881074B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP2000310725A (ja) | 光モジュール | |
JP3908810B2 (ja) | 光モジュール | |
JP2004029710A (ja) | 光モジュール、光コネクタフェルール、及びこれらの製造方法 | |
US20220276450A1 (en) | Optical Connector and Optical Connection Structure | |
JP2013003421A (ja) | 光電気複合モジュール及びその製造方法 | |
KR20000050354A (ko) | 광통신용 모듈의 플라스틱 패키지 | |
JP2012145726A (ja) | 光ファイバ保持部材、光電気変換モジュール用部品及び光電気変換モジュール用部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |