JP3865037B2 - 光モジュールの製造方法 - Google Patents
光モジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3865037B2 JP3865037B2 JP2000106401A JP2000106401A JP3865037B2 JP 3865037 B2 JP3865037 B2 JP 3865037B2 JP 2000106401 A JP2000106401 A JP 2000106401A JP 2000106401 A JP2000106401 A JP 2000106401A JP 3865037 B2 JP3865037 B2 JP 3865037B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- optical module
- optical
- mold
- platform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00663—Production of light guides
- B29D11/00673—Supports for light guides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/424—Mounting of the optical light guide
- G02B6/4242—Mounting of the optical light guide to the lid of the package
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
- G02B6/4253—Sealed packages by embedding housing components in an adhesive or a polymer material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4255—Moulded or casted packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
近年、情報通信が高速化・大容量化の傾向にあり、光通信の開発が進んでいる。光通信では、電気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバで送信し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気信号と光信号との変換は光素子によって行われる。また、光素子がプラットフォームに搭載されてなる光モジュールが知られている。
【０００３】
従来、射出成形体に無電解メッキなどによって配線を形成して部品を製造する方法が知られている。この方法をプラットフォームの製造に適用することもできる。しかし、その場合、配線が射出成形体の表面上に形成されるため、プラットフォームの表面に配線による凸が形成されて平坦性を確保することができない。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、配線による凸が形成されないプラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るプラットフォームの製造方法は、第１及び第２の領域を有する型に、配線を前記第１又は第２の領域に付着させて設け、
ピンを、前記ピンの先端部を前記型に向けて配置し、
成形材料で前記配線及び前記ピンを封止し、
前記ピンを前記成形材料から抜いて前記成形材料に貫通穴を形成し、前記配線及び前記成形材料を前記型から剥離する工程を含む。
【０００６】
本発明によれば、型に、配線の端部を付着させて設けてから、成形材料で配線を封止する。配線の型に対する付着面以外の部分は、成形材料に封止される。そして、成形材料を型で加工し、成形材料とともに配線を型から剥離すると、配線は、型に対する付着面を除き、成形材料に埋め込まれた形態となる。したがって、配線による凸が形成されない。また、ピンを成形材料から抜いて形成された貫通穴には、光ファイバを挿入することができる。
【０００７】
（２）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部を前記第１及び第２の領域にボンディングしてもよい。
【０００８】
これによれば、ワイヤの両端部における型に対する付着面は露出し、それ以外の部分は内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。これによれば、ワイヤが封止されているので、その断線を防止することができる。
【０００９】
（３）このプラットフォームの製造方法において、
予め前記ボンディングパッドを形成し、前記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングしてもよい。
【００１０】
これによれば、ワイヤをボンディングしにくい材料からなる型を使用しても、ボンディングパッドを形成しておくことで、ワイヤのボンディングが可能になる。
【００１１】
（４）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線は導電層からなり、前記導電層を前記第１及び第２の領域に形成してもよい。
【００１２】
これによれば、導電層の型に対する付着面が露出し、それ以外の部分が内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。
【００１３】
（５）このプラットフォームの製造方法において、
前記型及び前記ピンの少なくとも一方に離型剤を塗布した状態で、前記成形材料により前記配線及び前記ピンを封止してもよい。
【００１４】
これによれば、成形材料の型又はピンからの離型性を高めることができる。
【００１５】
（６）このプラットフォームの製造方法において、
前記ピンの先端部を前記型に形成された穴に挿入してもよい。
【００１６】
これによれば、型に形成された穴によってピンの先端部が覆われ、成形材料がピンの先端を覆わないので、成形材料に貫通穴を形成することができる。
【００１７】
（７）このプラットフォームの製造方法において、
前記型の前記第１の領域は、ほぼ平坦に形成されてなり、
前記穴は、前記第１の領域に形成されてなるものであってもよい。
【００１８】
これによれば、成形材料における型の第１の領域によって成形された面に、貫通穴が形成される。
【００１９】
（８）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域に凸部を有し、前記凸部の上端面に前記穴が設けられていてもよい。
【００２０】
これによれば、成形材料には、型の凸部によって凹部が形成される。ピンを挿入する穴が型の凸部に形成されているので、貫通穴が凹部の底面に形成される。
【００２１】
（９）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域が前記第２の領域よりも突出して形成されてなり、
前記成形材料に、前記型の形状に対応して窪みを形成してもよい。
【００２２】
例えば、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００２３】
（１０）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前記配線を付着させ、
前記成形材料に凹部を形成してもよい。
【００２４】
これによれば、凹部の内面で、配線と他の部材との電気的接続を図る構造を得ることができる。
【００２５】
（１１）このプラットフォームの製造方法において、
前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含んでもよい。
【００２６】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００２７】
（１２）このプラットフォームの製造方法において、
前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭載し、
前記成形材料で、前記配線とともに前記電子部品を封止してもよい。
【００２８】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００２９】
（１３）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域と、前記第１の領域より低い位置に設けられる第２の領域と、前記第１及び第２の領域の間に設けられる第３の領域と、を有し、
前記配線を設ける工程では、配線を第１又は第２の領域と、第３の領域とに付着させてもよい。
【００３０】
これによれば、複数段形状の型によって、成形材料に、複数段形状の窪みを形成することができる。窪みには、光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００３１】
（１４）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、複数の前記第１及び第２の領域が形成されてなり、
複数の前記ピンを、前記型に前記ピンの先端部を向けて配置し、
前記複数のピンを前記成形材料から抜いて前記成形材料に複数の前記貫通穴を形成してもよい。
【００３２】
これによれば、成形材料に、複数の光ファイバを挿入するための複数の貫通穴を形成することができる。
【００３３】
（１５）このプラットフォームの製造方法において、
前記成形材料を切断する工程をさらに含んでもよい。
【００３４】
これによって、成形材料から、複数のプラットフォームを製造することができる。なお、成形材料を、各貫通穴に対応して切断し、１つの貫通穴が形成されたプラットフォームを製造してもよいし、複数の貫通穴を有する領域を切断して、複数の貫通穴が形成されたプラットフォームを製造してもよい。
【００３５】
（１６）本発明に係る光モジュールの製造方法は、上記方法によってプラットフォームを製造し、前記プラットフォームに形成された前記貫通穴に光ファイバを挿入し、前記プラットフォームに光素子を搭載し、前記光素子と前記配線とを電気的に接続する工程を含む。
【００３６】
本発明によれば、上述したプラットフォームの製造方法で説明した作用効果を達成することができる。そして、配線による凸が形成されないプラットフォームに光素子を搭載することができる。
【００３７】
（１７）この光モジュールの製造方法において、
前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含んでもよい。
【００３８】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００３９】
（１８）この光モジュールの製造方法において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成してもよい。
【００４０】
（１９）この光モジュールの製造方法において、
上記方法によって前記プラットフォームを製造し、
前記プラットフォームの前記第３の領域に半導体チップを搭載する工程を含んでもよい。
【００４１】
本発明によれば、プラットフォームに複数段の窪みを形成することができ、窪みに光素子や半導体チップをコンパクトに収納することができる。
【００４２】
（２０）本発明に係るプラットフォームは、樹脂の成形体と、前記成形体から少なくとも一部が露出する配線と、を有し、前記成形体に光ファイバが挿入される貫通穴が形成されてなる。
【００４３】
本発明によれば、配線は、一部を除いて成形体に埋め込まれた形態であるから、配線による凸が形成されない。
【００４４】
（２１）このプラットフォームにおいて、
前記成形体には、光素子を搭載するための窪みが形成されていてもよい。
【００４５】
なお、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００４６】
（２２）このプラットフォームにおいて、
前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、
各底面に前記配線の前記一部が露出していてもよい。
【００４７】
これによれば、窪みが複数段を形成しているので、各段に光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００４８】
（２３）このプラットフォームにおいて、
前記成形体から底面が露出するように、前記配線に凹部が形成されてなるものであってもよい。
【００４９】
これによれば、凹部の底面で、配線と他の部材との電気的接続を図ることができる。
【００５０】
（２４）このプラットフォームにおいて、
前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填されていてもよい。
【００５１】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００５２】
（２５）このプラットフォームにおいて、
前記成形体に、前記配線に電気的に接続された電子部品が内蔵されていてもよい。
【００５３】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００５４】
（２６）本発明に係る光モジュールは、上記プラットフォームと、
前記貫通穴に挿入された光ファイバと、
前記配線に電気的に接続されて前記プラットフォームに搭載された光素子と、を有する。
【００５５】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００５６】
（２７）上記プラットフォームを有する光モジュールにおいて、
前記光素子は、前記光ファイバの前記窪み側を向く端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面に対向するように搭載され、前記配線と電気的に接続されてなる半導体チップをさらに前記窪み内に有してもよい。
【００５７】
本発明によれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００５８】
（２８）この光モジュールにおいて、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００５９】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６０】
（２９）この光モジュールにおいて、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてもよい。
【００６１】
（３０）本発明に係る光伝達装置は、上記複数のプラットフォームと、
各プラットフォームに搭載された光素子と、
各プラットフォームに取り付けられた光ファイバと、
を含み、
前記光素子は、受光素子又は発光素子であり、
前記光素子は、前記配線の前記露出部に電気的に接続されて搭載されてなる。
【００６２】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００６３】
（３１）上記プラットフォームを有する光伝達装置において、
各プラットフォームに搭載された半導体チップをさらに有し、
前記光素子は、前記光ファイバの前記窪み側を向く端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面に対向するように前記窪み内に搭載されてなるものであってもよい。
【００６４】
これによれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００６５】
（３２）この光伝達装置において、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００６６】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６７】
（３３）この光伝達装置において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてもよい。
【００６８】
（３４）この光伝達装置において、
前記受光素子に接続されるプラグと、
前記発光素子に接続されるプラグと、
をさらに含んでもよい。
【００６９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【００７０】
（第１の実施の形態）
図１〜図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１に示す型１０を使用する。
【００７１】
型１０は、その表面に、少なくとも１つ（図１では複数）の第１の領域１２と、その周囲の第２の領域１４と、を有する。複数の第１の領域１２は、マトリクス状に配列されていてもよい。本実施の形態では、型１０を使用して、複数のプラットフォームを製造することができる。
【００７２】
第１の領域１２は、第２の領域１４よりも突出して形成されていてもよい。その場合、図１に示すように、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から傾斜した面（テーパ面）を以て接続されていることが好ましい。この形状によれば、後述する成形材料４０（図６参照）からの離型性がよい。あるいは、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から垂直に立ち上がる面を以て接続されていてもよい。
【００７３】
型１０は、樹脂、ガラス、セラミック又は金属で形成してもよいが、シリコン（例えばシリコンウエーハ）を使用すれば、エッチングによって微細加工ができる。エッチングの条件によって、第１及び第２の領域１２、１４を接続する面の形状（テーパ面あるいは垂直面）を決定してもよい。
【００７４】
第１の領域１２の表面は、ほぼ平坦に形成されている。第２の領域１４の表面も、ほぼ平坦に形成されている。第１の領域１２には穴１６が形成されている。穴１６は、ピン３２、３４（図３参照）の先端部を挿入するもので、その位置決めをすることもできる。穴１６は、精度よく形成することが好ましい。シリコンで型１０を形成するときには、エッチングによって穴１６も高精度で形成することができる。
【００７５】
本実施の形態では、図２に示すように、型１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、配線２０、２２を、その端部を第１又は第２の領域１２、１４に付着させて設ける。
【００７６】
図２に示す配線２０は、ワイヤの両端部を、第１及び第２の領域１２、１４にボンディングして形成される。なお、第１の領域１２では、穴１６を避けてワイヤがボンディングされる。ワイヤは、半導体装置の製造に使用されるワイヤーボンダによってボンディングしてもよい。その場合、熱、圧力、超音波振動のうち少なくとも１つによってボンディングする。ワイヤは、金やアルミニウムからなるものであってもよい。
【００７７】
型１０が、シリコンなどの、ワイヤを構成する金属が付着しにくい材料で形成されている場合には、予め、型１０にボンディングパッド２４を形成しておくことが好ましい。ボンディングパッド２４は、導電膜あるいは、導電性でなくても、ワイヤを打つことができる膜であればよい。この場合は、ワイヤ及び導電層２４が一体化して配線２０となる。ボンディングパッド２４の表面は、ワイヤと同じ材料で形成してもよい。例えば、ワイヤが金からなるときには、クロムからなる膜と、その上の金からなる膜と、でボンディングパッド２４を形成してもよい。
【００７８】
図２に示す配線２２は、導電層である。導電層は、蒸着やメッキによって形成された金属箔であってもよい。メッキとして無電解メッキを適用するときには、触媒をインクジェット方式で吐出してもよい。導電層は、印刷、ポッティング又はインクジェット方式を適用して形成してもよい。導電層の材料は、導電性ペーストでもよい。金属箔からなる配線２２は、全長にわたって型１０に付着してもよい。導電性ペーストからなる配線２２は、端部が第１の領域１２に付着し、中間部が浮いた状態となって、他の端部が第２の領域１４に付着してもよい。
【００７９】
配線２０、２２は、型１０から剥離しやすいことが好ましい。例えば、配線２２を、スズなどのメッキで形成すれば剥離しやすい。または、印刷によって配線２２を形成した場合も、配線２２は比較的容易に剥離することができる。
【００８０】
次に、図３に示すように、上金型３６及び下金型３８によって形成されるキャビティ内に、型１０を配置する。下金型３８には、型１０を位置決めして配置できるガイドが形成されていることが好ましい。
【００８１】
そして、ピン３２、３４の先端部を型１０に向けて配置する。詳しくは、型１０に形成された穴１６に、ピン３２、３４を挿入する。ピン３２は、上金型３６に固定されており、上金型３６及び下金型３８が閉じると、ピン３２が穴１６に入り込むようになっている。また、ピン３４は、型開きするときの押し出しピンの機能も有する。ピン３２、３４は、成形材料４０に、光ファイバ３０を挿入させるための貫通穴３２を形成するものである。したがって、ピン３２、３４は、光ファイバ３０の形状に応じた形状をなす。
【００８２】
必要であれば、型１０に離型剤（図示せず）を塗布しておく。離型剤（潤滑剤）は、成形材料４０との密着性が低いものであり、離型剤を塗布することで、成形材料４０の型１０からの離型性が良くなる。また、ピン３２、３４にも、離型剤を塗布しておけば、成形材料４０からのピン３２、３４の抜けが良くなる。
【００８３】
図４に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２、３４を封止する。ワイヤをボンディングして形成する配線２０は、成形樹脂４０で封止されることで、ワイヤの切断が防止される。導電層によって形成する配線２２は、型１０との付着面を除いて成形材料４０で覆われる。
【００８４】
本実施の形態では、成形材料４０は、モールド樹脂であり、上金型３６及び下金型３８で形成されたキャビティに成形材料４０を充填するが、ポッティングによって成形材料４０を設けてもよい。
【００８５】
成形材料４０は、ピン３２、３４の先端面を避けて設けられる。穴１６にピン３２、３４の先端部が挿入されることで、成形材料４０がピン３２、３４の先端面を覆わないようになっている。穴１６は、ピン３２、３４の先端を挿入するのに必要な最低限の深さであることが好ましい。特に、穴１６は、第２の領域１４の表面よりも下に至らない深さで形成されることが好ましい。
【００８６】
成形材料４０の表面形状は、型１０の第１及び第２の領域１２、１４の側の面と、上金型３６の内面と、によって加工される。第１の領域１２が第２の領域１４よりも突出しているため、成形材料４０に窪み４２が形成される。成形材料４０に離型剤を混入して、型１０との離型性を向上させてもよい。
【００８７】
図５に示すように、成形材料４０を硬化させて、ピン３４（押し出しピン）を使用して、上金型３６及び下金型３８の型開きを行う。また、ピン３２、３４を、成形材料４０から抜く。こうすることで、成形材料４０に貫通穴４４が形成される。
【００８８】
図６に示すように、成形材料４０を型１０から剥離する。また、成形材料４０とともに、配線２０、２２の型１０に対する付着面を、型１０から剥離する。配線２０は、ワイヤの端部の面又はボンディングパッド２４の面が、型１０から剥離される。導電層によって形成した配線２２は、その全長にわたって型１０に付着していたので、その全長にわたる面が型１０から剥離される。
【００８９】
本実施の形態では、型１０は複数の第１の領域１２を有する。各第１の領域１２は、図９に示す光素子５０を搭載する領域を成形材料４０に形成する。複数の第１の領域１２によって、成形材料４０に、複数の光素子５０を搭載する領域が形成される。
【００９０】
図７に示すように、成形材料４０を切断して、プラットフォーム１が得られる。成形材料４０は、必要に応じた位置で切断される。プラットフォーム１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４２が形成されている。図７に示す例では、１つの窪み４２ごとに、成形材料４０を切断する例である。窪み４２は、光素子５０（図９参照）を収容できる大きさであることが好ましい。窪み４２の内側面にテーパが付けられていれば、光素子５０を入れやすい。また、成形体には、一部が露出する状態で配線２０、２２が埋め込まれている。配線２０は、ワイヤの端部の表面、あるいはワイヤの端部がボンディングされたボンディングパッド２４の表面が、成形体から露出している。配線２２は、その全長にわたる面が露出している。配線２０、２２は、窪み４２の内面（底面）と、窪み４２の周囲の面と、において露出している。すなわち、配線２０、２２は、上述した型１０の第１の領域１２にて形成された面に第１の露出部を有し、型１０の第２の領域１４にて形成された面に第２の露出部を有する。
【００９１】
図８に示すように、プラットフォーム１に、光ファイバ３０を取り付ける。詳しくは、プラットフォーム１に形成された貫通穴４４に光ファイバ３０を挿入する。必要であれば、貫通穴４４と光ファイバ３０との間に接着剤を設ける。こうして、光ファイバ３０は、、その先端面を露出させてプラットフォーム１に固定される。詳しくは、プラットフォーム１に形成された窪み４２内で、光ファイバ３０がその先端面を露出させて固定される。光ファイバ３０の端部は、窪み４２の底面から突出している。その突出長さは、光素子５０の光学的部分に接触しない長さであることが好ましい。
【００９２】
光ファイバ３０は、コアとこれを同心円状に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッドとの境界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられて伝搬するものである。また、クラッドの周囲は、ジャケットによって保護されることが多い。
【００９３】
次に、図９に示すように、プラットフォーム１に光素子５０を搭載する。光素子５０は、発光素子であっても受光素子であってもよい。発光素子の一例として面発光素子、特に面発光レーザを使用することができる。面発光レーザなどの面発光素子は、表面から垂直方向に光を発する。光素子５０は、図示しない光学的部分を有する。光素子５０が発光素子であるときは、光学的部分は発光部であり、光素子５０が受光素子であるときは、光学的部分は受光部である。
【００９４】
光素子５０は、光学的部分が形成された側とその反対側とに、電極が形成されている場合が多い。すなわち、光素子５０には、表裏面に電極が形成されており、両方の電極間に電圧を印加するようになっている。なお、図９に示す光素子５０には、光学的部分が形成された側の電極にバンプ（又はハンダボール等）が設けられている。
【００９５】
光素子５０は、プラットフォーム１に形成された窪み４２に搭載する。窪み４２の深さ内に光素子５０を収容してもよい。図示しない光学的部分を、光ファイバ３０の露出した先端面に向けて、光素子５０をプラットフォーム１に搭載する。そして、光学的部分が形成された側の電極と、プラットフォーム１の配線２０、２２の露出部と、を電気的に接続（又は接合）する。
【００９６】
こうして、図９に示す光モジュール２が得られる。光モジュール２は、光素子５０の光学的部分が形成された側の電極が、配線２０、２２の第１の露出部（窪み４２内の露出部）に電気的に接続されている。したがって、光素子５０には、配線２０、２２の第２の露出部（プラットフォーム１の窪み４２の周囲に形成された露出部）から、電気的な接続をとることができる。また、光素子５０の裏面（光学的部分が形成された側とは反対側の面）にも、図示しない電極が形成されている。以上のことから、光モジュール２は、光ファイバ３０の導き出される方向とは反対側の面に、光素子５０に電圧を印加するための複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）を有する。
【００９７】
図１０に示すように、光モジュール２を基板６０に取り付けてもよい。基板６０には、配線パターン６２が形成されている。光モジュール２の複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）と、配線パターン６２とは、導電材料６４によって電気的に接続されている。導電材料６４は、ハンダ等のろう材や、導電性ペーストであってもよいし、異方性導電膜や異方性導電ペーストであってもよい。
【００９８】
光素子５０を封止するために樹脂６６を設けることが好ましい。図１０に示す例では、樹脂６６は、基板６０と光モジュール２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６６は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６６は光透過性を有していなくてもよい。
【００９９】
図１１には、別の例となる光モジュール３を示す。光モジュール３は、プラットフォーム１に形成された窪み４２に樹脂６８を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６８は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６８は光透過性を有していなくてもよい。
【０１００】
図１１に示す光モジュール３を、図１２に示すように、基板６０に搭載してもよい。基板６０には配線パターン６２が形成されている。光モジュール３と配線パターン６２とが電気的に接続されている。光モジュール３は、光素子５０が樹脂６８にて封止されているので、基板６０に取り付けてからアンダーフィル材を充填することは必ずしも必要ではないが、充填してもよい。導電材料６４が導電性接着剤であれば、電気的な接続と接着を同時に行える。
【０１０１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、簡単な工程でプラットフォーム１を形成することができ、その工程に起因してプラットフォーム１には配線２０、２２による凸が形成されない。プラットフォーム１を有する光モジュール２、３は、配線２０、２２を有しているが、平坦な面の一部が電気的な接続部（露出部）となっている。したがって、光モジュール２、３を基板６０に取り付ける工程も行いやすい。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
図１３〜図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１３に示す型１１０を使用する。
【０１０３】
型１１０は、その表面に、少なくとも１つの（図１３には複数のうちの１つが示されている）第１の領域１１２と、第２の領域１１４と、を有する。第１の領域１１２には、上端面に穴１１６が形成された凸部１１８が形成されている。
【０１０４】
凸部１１８は、第１の領域１１２に、配線２０、２２を付着させる領域を残す大きさで形成されている。凸部１１８の上端面は平坦であってもよいし、凹凸があっても粗面であってもよい。
【０１０５】
穴１１６は、図１に示す穴１６と同様に、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、その先端部を挿入するためのものである。穴１１６は、第１の領域１１２の高さよりも浅いことが好ましい。詳しくは、ピン３２の先端部が穴１１６に挿入されたときに、その先端面が、第１の領域１１２の面よりも上に位置するように、穴１１６の深さを設定することが好ましい。
【０１０６】
型１１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１０７】
本実施の形態では、図１３に示すように、型１１０に、配線２０、２２を設ける。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０８】
次に、図１４に示すように、ピン３２を、型１１０に先端を向けて配置する。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０９】
そして、図１５に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２を封止する。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１１０】
また、本実施の形態では、第１の領域１１２に凸部１１８が形成されているので、成形材料４０に、凹部１４４が形成される。詳しくは、成形材料４０には、窪み１４２が形成され、窪み１４２内に凹部１４４が形成される。
【０１１１】
次に、図１６に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴１４６を形成し、成形材料４０を型１１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。こうして、プラットフォーム１０１が得られる。プラットフォーム１０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み１４２が形成されている。
【０１１２】
そして、図１７に示すように、貫通穴１４６に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面から突出しないようになっている。その他の構成は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１３】
光ファイバ３０は、凹部１４４内に固定されている。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面（型１１０の第１の領域１１２によって形成される面）から突出しないことが好ましい。こうすることで、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０の先端が接触することを避けられる。そのためには、図１４に示すように、型１１０の穴１１６にピン３２を挿入したときに、ピン３２の先端面が、第１の領域１１２の面よりも深くならないように、穴１１６の形状を設定しておく。その他の詳細は、第１の形態で説明した内容が該当する。
【０１１４】
また、プラットフォーム１０１に光素子５０を搭載して、光モジュール１０２が得られる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。また、プラットフォーム１０１の光素子５０を搭載する面から光ファイバ３０の先端が突出しないので、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が当たらない。
【０１１５】
図１８に示すように、光モジュール１０２を基板６０に取り付けてもよい。光素子５０を封止するために樹脂１６６を設けることが好ましい。図１８に示す例では、樹脂１６６は、基板６０と光モジュール１０２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される部分において、樹脂１６６は透明樹脂である。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１６】
図１９には、別の例となる光モジュール１０３を示す。光モジュール１０３は、プラットフォーム１０１に形成された窪み１４２に樹脂１６８、１７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂１６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み１４２）に充填される樹脂１７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１１７】
図１９に示す光モジュール１０３を、図２０に示すように、基板６０に搭載してもよい。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラットフォーム１０１における光素子５０の搭載面となる窪み１４２の底面から、光ファイバ３０が突出しない。したがって、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が接触することを防止できる。その他の効果については、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１９】
（第３の実施の形態）
図２１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。この光モジュール２０２は、プラットフォーム２１０と、複数の光素子５０と、複数の光ファイバ３０と、を含む。各光ファイバ３０は各光素子５０に対応して設けられている。プラットフォーム２０１は、第１の実施の形態で説明した複数のプラットフォーム１を一体化させた形状をなしている。
【０１２０】
図２１に示す光モジュール２０２は、４つの光素子５０を有し、カラー画像信号の伝送に使用するときには、光素子５０及び光ファイバ３０は、Ｒ、Ｇ、Ｂの信号及びクロック信号の送受信に使用される。
【０１２１】
本実施の形態に係る光モジュール２０２は、成形材料４０を、複数の光素子５０を搭載する領域を含む位置で切断して製造することができる。
【０１２２】
（第４の実施の形態）
図２２〜図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２２に示す型３１０を使用する。
【０１２３】
型３１０は、その表面に、少なくとも１つの（図２２には複数のうちの１つが示されている）第１の領域３１２と、第２の領域３１４と、を有する。第１の領域３１２には、上端面に穴３１６が形成された凸部３１８が形成されている。凸部３１８及び穴３１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１２４】
型３１０は、突起３２０を有する。突起３２０は、第１及び第２の領域３１２、３１４の少なくとも一方（図２２では両方）に形成されている。突起３２０は、配線２０、２２を上端面に付着させるためのものである。突起３２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が底面に露出する凹部３４６（図２５参照）が形成される。
【０１２５】
型３１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１２６】
本実施の形態では、図２２に示すように、型３１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、突起３２０（例えばその上端面）に一部を付着させて、配線２０、２２を設ける。ワイヤを突起３２０にボンディングするときには、突起３２０に予めボンディングパッド２４を形成しておく。その他の内容は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２７】
次に、図２３に示すように、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型３１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２８】
そして、図２４に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２を封止する。その詳細は、図１５に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２９】
次に、図２５に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴３４８を形成し、成形材料４０を型３１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。こうして、プラットフォーム３０１が得られる。プラットフォーム３０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み３４２が形成されている。
【０１３０】
プラットフォーム３０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部３４６が形成されている。凹部３４６は、型３１０の突起３２０によって形成されたものである。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１３１】
そして、図２６に示すように、貫通穴３４８に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、窪み３４２の底面に形成された凹部３４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、窪み３４２の底面から突出しないようになっている。
【０１３２】
次に、プラットフォーム３０１に光素子５０を搭載して、光モジュール３０２が得られる。光モジュール３０２は、プラットフォーム３０１に形成された窪み３４２に樹脂３６８、３７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部３４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂３６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み３４２）に充填される樹脂３７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１３３】
また、配線２０、２２が内面に露出していた凹部３４６には、図２６に示すように、導電材料３８０を充填してもよい。この状態では、配線２０、２２の一部は、露出せずに、凹部３４６の内面の一部を形成する。導電材料３８０は、ハンダ等のろう材であってもよいし、導電ペーストであってもよい。図２６に示す例では、光素子５０の電極（バンプ）が、窪み３４２内に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に接合されている。
【０１３４】
図２７に示すように、光モジュール３０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子３８２を設けてもよい。例えば、図２７に示すように、光素子５０における光ファイバ３０とは反対側に形成された電極（図示せず）に外部端子３８２を設ける。また、窪み３４２の周囲で、プラットフォーム３０１に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に、外部端子３８２を設ける。光モジュール３０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１３５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部３４６に導電材料３８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。
【０１３６】
（第５の実施の形態）
図２８〜図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２８に示す型４１０を使用する。
【０１３７】
型４１０は、その表面に、少なくとも１つの（図２８には複数のうちの１つが示されている）第１の領域４１２と、第２の領域４１４と、を有する。第１の領域４１２には、上端面に穴４１６が形成された凸部４１８が形成されている。凸部４１８及び穴４１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１３８】
型３１０は、突起４２０を有する。突起４２０は、第１及び第２の領域４１２、４１４の少なくとも一方（図２８では両方）に形成されている。突起４２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起４２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部４４６（図３１参照）が形成される。また、配線２０、２２を付着させずに、電子部品を支持するための突起４２２を形成してもよい。
【０１３９】
型４１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図２８に示すように、型４１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１４０】
さらに、型４１０に、電子部品４３０を搭載する。電子部品４３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起４２０に付着した配線２０、２２上に電子部品４３０を搭載したり、電子部品４３０に配線２０をボンディングする。電子部品４３０として、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム、ヒューズ、ペルチエ素子又はヒートパイプ等の冷却用部品などが挙げられる。
【０１４１】
次に、図２９に示すように、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型４１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１４２】
そして、図３０に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２、ピン３２及び電子部品４３０を封止する。その詳細は、図１５に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１４３】
次に、図３１に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴４５０を形成し、成形材料４０を型４１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。詳しくは、第２の形態で説明した内容が該当する。
【０１４４】
こうして、プラットフォーム４０１が得られる。プラットフォーム４０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４４２が形成されている。
【０１４５】
プラットフォーム４０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部４４６が形成されている。凹部４４６は、型４１０の突起４２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム４０１には、電子部品４３０を支持するための突起４２２によっても凹部４４８が形成されている。電子部品４３０の電極が突起４２２上に載せられるのであれば、凹部４４８内に電子部品４３０の電極が凹部４４８内に露出する。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１４６】
図３２に示すように、貫通穴４５０に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、凹部４４４内で突出するが、窪み４４２の底面から突出しないようになっている。
【０１４７】
図３２に示すように、プラットフォーム４０１に光素子５０を搭載して、光モジュール４０２が得られる。光モジュール４０２は、プラットフォーム４０１に形成された窪み４４２に樹脂４６８、４７０を充填して形成される。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１４８】
また、凹部４４６には、図３２に示すように、導電材料４８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。なお、凹部４４８にも導電材料４８０を充填してもよい。
【０１４９】
図３３に示すように、光モジュール４０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子４８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール４０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１５０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部４４６に導電材料４８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。また、本実施の形態に係るプラットフォーム４０１は、電子部品４３０を内蔵しており、成形体自体に電子部品４３０が封止されているので、品質の安定化を図ることができる。
【０１５１】
（第６の実施の形態）
図３４〜図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図３４に示す型５１０を使用する。
【０１５２】
型５１０は、複数段を有する山形状をなし、その平面形状は円形であっても矩形であってもよい。型５１０は、第１の領域５１１と、第１の領域５１１よりも低く位置する第２の領域５１２と、第１及び第２の領域５１１、５１２の間の高さに位置する少なくとも１段（図３４では複数段）の第３の領域５１３と、を有する。図３４には、１つの第１の領域５１１が示されているが、型５１０は、複数の第１の領域５１１を有していてもよい。
【０１５３】
第１の領域５１１には、上端面に穴５１６が形成された凸部５１８が形成されている。凸部５１８及び穴５１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１５４】
型５１０は、突起５２０を有する。図３４に示す突起５２０は、第２及び第３の領域５１２、５１３に形成されているが、いずれか一方のみに形成されてもよく、第１の領域５１１に形成されてもよい。突起５２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起５２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部５４６（図３５参照）が形成される。
【０１５５】
型５１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図３４に示すように、型５１０に、配線２０、２２を設ける。
【０１５６】
例えば、複数の配線２０のそれぞれの一部（例えば一方の端部）を、第１又は第２の領域５１１、５１２に付着させ、他の一部（例えば他方の端部）を、第３の領域５１３に付着させる。または、複数段の第３の領域５１３に、いずれかの配線２０の両端部を付着させる。あるいは、第３の領域５１３をとばして、第１及び第２の領域５１１、５１２に、配線２０を付着させてもよい。なお、配線２０を付着させる前に、第１の実施の形態で説明したように、ボンディングパッド２４を形成しておいてもよい。また、型５１０に付着した配線２０の上に、他の配線２０を付着させてもよい。
【０１５７】
同様に、配線２２を、その一部を第１、２又は第３の領域５１１、５１２、５１３に付着させて設ける。図３４に示す例では、第１、２及び３の領域５１１、５１２、５１３に、連続的に配線２２が形成されている。これとは異なる例として、第１及び第３の領域５１１、５１３間にのみ、あるいは第３及び第２の領域５１３、５１２間にのみ配線２２を形成してもよい。
【０１５８】
さらに、型５１０に、電子部品５３０を搭載してもよい。電子部品５３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起５２０に付着した配線２２上に電子部品５３０を搭載する。必要であれば、電子部品５３０の電極と、配線２０、２２とをワイヤ５３２などで電気的に接続してもよい。その他の詳細は、第５の実施の形態で説明した通りである。
【０１５９】
次に、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型５１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６０】
成形材料４０で、配線２０、２２、ピン３２及び電子部品５３０を封止する。そして、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴５４８を形成し、成形材料４０を型５１０から剥離する。必要であれば成形材料４０を切断する。こうして、図３５に示すプラットフォーム５０１を形成する。その詳細は、図１５〜図１６に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６１】
プラットフォーム５０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み５４２が形成されている。窪み５４２内には、複数の底面５５１〜５５３によって段が形成されている。最も深い底面５５１には、凹部５４４が形成されている。
【０１６２】
窪み５４２の底面５５１〜５５３に、配線２０、２２の一部が露出している。最も深い底面５５１には、底面５５１と面一で配線２０、２２が露出している。最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部５４６が形成されている。凹部５４６は、型５１０の突起５２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム５０１の表面であって窪み５４２の周囲にも、凹部５４６が形成されている。
【０１６３】
凹部５４６には、図３６に示すように、導電材料５８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１６４】
次に、図３６に示すように、プラットフォーム５０１の貫通穴５４８に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、凹部５４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、最も深い底面５５１から突出しないようになっている。
【０１６５】
また、プラットフォーム５０１に光素子５０を搭載する。詳しくは、光学的部分５２を光ファイバ３０の先端面に向けて、窪み５４２の最も深い底面５５１に光素子５０を搭載する。また、配線２０、２２の底面５５１に露出した部分と、光素子５０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。例えば、フェースダウンボンディングを適用する。また、光素子５０と光ファイバ３０との間には、樹脂５６８を充填する。特に、光ファイバ３０の先端面と、光素子５０の光学的部分５２との間で、樹脂５６８は、光透過性を有する（透明である）。
【０１６６】
続いて、窪み５４２内で光素子５０よりも浅い位置に半導体チップ５６０、５６２を搭載する。半導体チップ５６０、５６２は、光素子５０を駆動するためのものである。半導体チップ５６０、５６２には、光素子５０を駆動するための回路が内蔵されている。半導体チップ５６０、５６２には、内部の回路に電気的に接続された複数の電極（又はパッド）が形成されている。なお、半導体チップの代わりに、半導体を使用しないで形成された回路を内蔵するチップを適用しても、同じ作用効果を達成することができる。
【０１６７】
最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３に、半導体チップ５６０、５６２を搭載する。底面５５２、５５３は、型５１０の第３の領域５１３によって形成された面である。また、配線２０、２２の底面５５２、５５３に露出した部分と、半導体チップ５６０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。配線２０、２２は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）内で露出している。あるいは、配線２０、２２の一部は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）の内壁面の一部を形成している。
【０１６８】
光素子５０及び半導体チップ５６０、５６２は、樹脂５７０によって封止する。すなわち、窪み５４２に樹脂５７０を充填する。光素子５０の光学的部分５２と光ファイバ３０の先端面との間の隙間が、透明な樹脂５６８によって埋められていれば、樹脂５７０は光透過性を有していてもいなくてもよい。
【０１６９】
こうして、光モジュール５０２が得られる。光モジュール５０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子５８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール５０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１７０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、他の実施の形態で説明した効果に加えて、光モジュール５０２に、半導体チップ５６０、５６２をコンパクトに内蔵させることができる。
【０１７１】
（第７の実施の形態）
図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。光伝送装置５９０は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器５９２を相互に接続するものである。電子機器５９２は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置５９０は、ケーブル５９４の両端にプラグ５９６が設けられたものであってもよい。ケーブル５９４は、１つ又は複数（少なくとも一つ）の光ファイバ３０（図８参照）を含む。プラグ５９６は、半導体チップを内蔵してもよい。
【０１７２】
光ファイバ３０の一方の端部に接続される光素子５０は、発光素子である。一方の電子機器５９２から出力された電気信号は、発光素子である光素子５０によって光信号に変換される。光信号は光ファイバ３０を伝わり、他方の光素子５０に入力される。この光素子５０は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。電気信号は、他方の電子機器５９２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置５９０によれば、光信号によって、電子機器５９２の情報伝達を行うことができる。
【０１７３】
（第８の実施の形態）
図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝送装置５９０は、電子機器６００間を接続する。電子機器６００として、液晶表示モニター又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンター等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２５】図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２６】図２６は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２７】図２７は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２８】図２８は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３０】図３０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３１】図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３２】図３２は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３３】図３３は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３４】図３４は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３５】図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３６】図３６は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３７】図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図３８】図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【符号の説明】
１ プラットフォーム
２ 光モジュール
３ 光モジュール
１０ 型
１２ 第１の領域
１４ 第２の領域
１６ 穴
２０ 配線
２２ 配線
２４ ボンディングパッド
３０ 光ファイバ
３２ ピン
３４ ピン
４０ 成形材料
４２ 窪み
４４ 貫通穴
５０ 光素子
５２ 光学的部分
１０１ プラットフォーム
１０２ 光モジュール
１０３ 光モジュール
１１０ 型
１１２ 第１の領域
１１４ 第２の領域
１１６ 穴
１１８ 凸部
１４２ 窪み
１４４ 凹部
１４６ 貫通穴
１６６ 樹脂
１６８ 樹脂
１７０ 樹脂
２０１ プラットフォーム
２０２ 光モジュール
３０１ プラットフォーム
３０２ 光モジュール
３１０ 型
３１２ 第１の領域
３１４ 第２の領域
３１６ 穴
３１８ 凸部
３２０ 突起
３４２ 窪み
３４４ 凹部
３４６ 凹部
３４８ 貫通穴
３６８ 樹脂
３７０ 樹脂
３８０ 導電材料
４０１ プラットフォーム
４０２ 光モジュール
４１０ 型
４１２ 第１の領域
４１４ 第２の領域
４１６ 穴
４１８ 凸部
４２０ 突起
４２２ 突起
４３０ 電子部品
４４２ 窪み
４４４ 凹部
４４６ 凹部
４５０ 貫通穴
４６８ 樹脂
４７０ 樹脂
４８０ 導電材料
５０１ プラットフォーム
５０２ 光モジュール
５１０ 型
５１１ 第１の領域
５１２ 第２の領域
５１３ 第３の領域
５１６ 穴
５１８ 凸部
５２０ 突起
５３０ 電子部品
５４２ 窪み
５４４ 凹部
５４６ 凹部
５４８ 貫通穴
５６０ 半導体チップ
５６２ 半導体チップ
５６８ 樹脂
５７０ 樹脂
５８０ 導電材料
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
近年、情報通信が高速化・大容量化の傾向にあり、光通信の開発が進んでいる。光通信では、電気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバで送信し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気信号と光信号との変換は光素子によって行われる。また、光素子がプラットフォームに搭載されてなる光モジュールが知られている。
【０００３】
従来、射出成形体に無電解メッキなどによって配線を形成して部品を製造する方法が知られている。この方法をプラットフォームの製造に適用することもできる。しかし、その場合、配線が射出成形体の表面上に形成されるため、プラットフォームの表面に配線による凸が形成されて平坦性を確保することができない。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、配線による凸が形成されないプラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るプラットフォームの製造方法は、第１及び第２の領域を有する型に、配線を前記第１又は第２の領域に付着させて設け、
ピンを、前記ピンの先端部を前記型に向けて配置し、
成形材料で前記配線及び前記ピンを封止し、
前記ピンを前記成形材料から抜いて前記成形材料に貫通穴を形成し、前記配線及び前記成形材料を前記型から剥離する工程を含む。
【０００６】
本発明によれば、型に、配線の端部を付着させて設けてから、成形材料で配線を封止する。配線の型に対する付着面以外の部分は、成形材料に封止される。そして、成形材料を型で加工し、成形材料とともに配線を型から剥離すると、配線は、型に対する付着面を除き、成形材料に埋め込まれた形態となる。したがって、配線による凸が形成されない。また、ピンを成形材料から抜いて形成された貫通穴には、光ファイバを挿入することができる。
【０００７】
（２）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部を前記第１及び第２の領域にボンディングしてもよい。
【０００８】
これによれば、ワイヤの両端部における型に対する付着面は露出し、それ以外の部分は内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。これによれば、ワイヤが封止されているので、その断線を防止することができる。
【０００９】
（３）このプラットフォームの製造方法において、
予め前記ボンディングパッドを形成し、前記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングしてもよい。
【００１０】
これによれば、ワイヤをボンディングしにくい材料からなる型を使用しても、ボンディングパッドを形成しておくことで、ワイヤのボンディングが可能になる。
【００１１】
（４）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線は導電層からなり、前記導電層を前記第１及び第２の領域に形成してもよい。
【００１２】
これによれば、導電層の型に対する付着面が露出し、それ以外の部分が内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。
【００１３】
（５）このプラットフォームの製造方法において、
前記型及び前記ピンの少なくとも一方に離型剤を塗布した状態で、前記成形材料により前記配線及び前記ピンを封止してもよい。
【００１４】
これによれば、成形材料の型又はピンからの離型性を高めることができる。
【００１５】
（６）このプラットフォームの製造方法において、
前記ピンの先端部を前記型に形成された穴に挿入してもよい。
【００１６】
これによれば、型に形成された穴によってピンの先端部が覆われ、成形材料がピンの先端を覆わないので、成形材料に貫通穴を形成することができる。
【００１７】
（７）このプラットフォームの製造方法において、
前記型の前記第１の領域は、ほぼ平坦に形成されてなり、
前記穴は、前記第１の領域に形成されてなるものであってもよい。
【００１８】
これによれば、成形材料における型の第１の領域によって成形された面に、貫通穴が形成される。
【００１９】
（８）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域に凸部を有し、前記凸部の上端面に前記穴が設けられていてもよい。
【００２０】
これによれば、成形材料には、型の凸部によって凹部が形成される。ピンを挿入する穴が型の凸部に形成されているので、貫通穴が凹部の底面に形成される。
【００２１】
（９）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域が前記第２の領域よりも突出して形成されてなり、
前記成形材料に、前記型の形状に対応して窪みを形成してもよい。
【００２２】
例えば、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００２３】
（１０）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前記配線を付着させ、
前記成形材料に凹部を形成してもよい。
【００２４】
これによれば、凹部の内面で、配線と他の部材との電気的接続を図る構造を得ることができる。
【００２５】
（１１）このプラットフォームの製造方法において、
前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含んでもよい。
【００２６】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００２７】
（１２）このプラットフォームの製造方法において、
前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭載し、
前記成形材料で、前記配線とともに前記電子部品を封止してもよい。
【００２８】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００２９】
（１３）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域と、前記第１の領域より低い位置に設けられる第２の領域と、前記第１及び第２の領域の間に設けられる第３の領域と、を有し、
前記配線を設ける工程では、配線を第１又は第２の領域と、第３の領域とに付着させてもよい。
【００３０】
これによれば、複数段形状の型によって、成形材料に、複数段形状の窪みを形成することができる。窪みには、光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００３１】
（１４）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、複数の前記第１及び第２の領域が形成されてなり、
複数の前記ピンを、前記型に前記ピンの先端部を向けて配置し、
前記複数のピンを前記成形材料から抜いて前記成形材料に複数の前記貫通穴を形成してもよい。
【００３２】
これによれば、成形材料に、複数の光ファイバを挿入するための複数の貫通穴を形成することができる。
【００３３】
（１５）このプラットフォームの製造方法において、
前記成形材料を切断する工程をさらに含んでもよい。
【００３４】
これによって、成形材料から、複数のプラットフォームを製造することができる。なお、成形材料を、各貫通穴に対応して切断し、１つの貫通穴が形成されたプラットフォームを製造してもよいし、複数の貫通穴を有する領域を切断して、複数の貫通穴が形成されたプラットフォームを製造してもよい。
【００３５】
（１６）本発明に係る光モジュールの製造方法は、上記方法によってプラットフォームを製造し、前記プラットフォームに形成された前記貫通穴に光ファイバを挿入し、前記プラットフォームに光素子を搭載し、前記光素子と前記配線とを電気的に接続する工程を含む。
【００３６】
本発明によれば、上述したプラットフォームの製造方法で説明した作用効果を達成することができる。そして、配線による凸が形成されないプラットフォームに光素子を搭載することができる。
【００３７】
（１７）この光モジュールの製造方法において、
前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含んでもよい。
【００３８】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００３９】
（１８）この光モジュールの製造方法において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成してもよい。
【００４０】
（１９）この光モジュールの製造方法において、
上記方法によって前記プラットフォームを製造し、
前記プラットフォームの前記第３の領域に半導体チップを搭載する工程を含んでもよい。
【００４１】
本発明によれば、プラットフォームに複数段の窪みを形成することができ、窪みに光素子や半導体チップをコンパクトに収納することができる。
【００４２】
（２０）本発明に係るプラットフォームは、樹脂の成形体と、前記成形体から少なくとも一部が露出する配線と、を有し、前記成形体に光ファイバが挿入される貫通穴が形成されてなる。
【００４３】
本発明によれば、配線は、一部を除いて成形体に埋め込まれた形態であるから、配線による凸が形成されない。
【００４４】
（２１）このプラットフォームにおいて、
前記成形体には、光素子を搭載するための窪みが形成されていてもよい。
【００４５】
なお、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００４６】
（２２）このプラットフォームにおいて、
前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、
各底面に前記配線の前記一部が露出していてもよい。
【００４７】
これによれば、窪みが複数段を形成しているので、各段に光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００４８】
（２３）このプラットフォームにおいて、
前記成形体から底面が露出するように、前記配線に凹部が形成されてなるものであってもよい。
【００４９】
これによれば、凹部の底面で、配線と他の部材との電気的接続を図ることができる。
【００５０】
（２４）このプラットフォームにおいて、
前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填されていてもよい。
【００５１】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００５２】
（２５）このプラットフォームにおいて、
前記成形体に、前記配線に電気的に接続された電子部品が内蔵されていてもよい。
【００５３】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００５４】
（２６）本発明に係る光モジュールは、上記プラットフォームと、
前記貫通穴に挿入された光ファイバと、
前記配線に電気的に接続されて前記プラットフォームに搭載された光素子と、を有する。
【００５５】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００５６】
（２７）上記プラットフォームを有する光モジュールにおいて、
前記光素子は、前記光ファイバの前記窪み側を向く端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面に対向するように搭載され、前記配線と電気的に接続されてなる半導体チップをさらに前記窪み内に有してもよい。
【００５７】
本発明によれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００５８】
（２８）この光モジュールにおいて、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００５９】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６０】
（２９）この光モジュールにおいて、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてもよい。
【００６１】
（３０）本発明に係る光伝達装置は、上記複数のプラットフォームと、
各プラットフォームに搭載された光素子と、
各プラットフォームに取り付けられた光ファイバと、
を含み、
前記光素子は、受光素子又は発光素子であり、
前記光素子は、前記配線の前記露出部に電気的に接続されて搭載されてなる。
【００６２】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００６３】
（３１）上記プラットフォームを有する光伝達装置において、
各プラットフォームに搭載された半導体チップをさらに有し、
前記光素子は、前記光ファイバの前記窪み側を向く端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面に対向するように前記窪み内に搭載されてなるものであってもよい。
【００６４】
これによれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００６５】
（３２）この光伝達装置において、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００６６】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６７】
（３３）この光伝達装置において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてもよい。
【００６８】
（３４）この光伝達装置において、
前記受光素子に接続されるプラグと、
前記発光素子に接続されるプラグと、
をさらに含んでもよい。
【００６９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【００７０】
（第１の実施の形態）
図１〜図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１に示す型１０を使用する。
【００７１】
型１０は、その表面に、少なくとも１つ（図１では複数）の第１の領域１２と、その周囲の第２の領域１４と、を有する。複数の第１の領域１２は、マトリクス状に配列されていてもよい。本実施の形態では、型１０を使用して、複数のプラットフォームを製造することができる。
【００７２】
第１の領域１２は、第２の領域１４よりも突出して形成されていてもよい。その場合、図１に示すように、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から傾斜した面（テーパ面）を以て接続されていることが好ましい。この形状によれば、後述する成形材料４０（図６参照）からの離型性がよい。あるいは、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から垂直に立ち上がる面を以て接続されていてもよい。
【００７３】
型１０は、樹脂、ガラス、セラミック又は金属で形成してもよいが、シリコン（例えばシリコンウエーハ）を使用すれば、エッチングによって微細加工ができる。エッチングの条件によって、第１及び第２の領域１２、１４を接続する面の形状（テーパ面あるいは垂直面）を決定してもよい。
【００７４】
第１の領域１２の表面は、ほぼ平坦に形成されている。第２の領域１４の表面も、ほぼ平坦に形成されている。第１の領域１２には穴１６が形成されている。穴１６は、ピン３２、３４（図３参照）の先端部を挿入するもので、その位置決めをすることもできる。穴１６は、精度よく形成することが好ましい。シリコンで型１０を形成するときには、エッチングによって穴１６も高精度で形成することができる。
【００７５】
本実施の形態では、図２に示すように、型１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、配線２０、２２を、その端部を第１又は第２の領域１２、１４に付着させて設ける。
【００７６】
図２に示す配線２０は、ワイヤの両端部を、第１及び第２の領域１２、１４にボンディングして形成される。なお、第１の領域１２では、穴１６を避けてワイヤがボンディングされる。ワイヤは、半導体装置の製造に使用されるワイヤーボンダによってボンディングしてもよい。その場合、熱、圧力、超音波振動のうち少なくとも１つによってボンディングする。ワイヤは、金やアルミニウムからなるものであってもよい。
【００７７】
型１０が、シリコンなどの、ワイヤを構成する金属が付着しにくい材料で形成されている場合には、予め、型１０にボンディングパッド２４を形成しておくことが好ましい。ボンディングパッド２４は、導電膜あるいは、導電性でなくても、ワイヤを打つことができる膜であればよい。この場合は、ワイヤ及び導電層２４が一体化して配線２０となる。ボンディングパッド２４の表面は、ワイヤと同じ材料で形成してもよい。例えば、ワイヤが金からなるときには、クロムからなる膜と、その上の金からなる膜と、でボンディングパッド２４を形成してもよい。
【００７８】
図２に示す配線２２は、導電層である。導電層は、蒸着やメッキによって形成された金属箔であってもよい。メッキとして無電解メッキを適用するときには、触媒をインクジェット方式で吐出してもよい。導電層は、印刷、ポッティング又はインクジェット方式を適用して形成してもよい。導電層の材料は、導電性ペーストでもよい。金属箔からなる配線２２は、全長にわたって型１０に付着してもよい。導電性ペーストからなる配線２２は、端部が第１の領域１２に付着し、中間部が浮いた状態となって、他の端部が第２の領域１４に付着してもよい。
【００７９】
配線２０、２２は、型１０から剥離しやすいことが好ましい。例えば、配線２２を、スズなどのメッキで形成すれば剥離しやすい。または、印刷によって配線２２を形成した場合も、配線２２は比較的容易に剥離することができる。
【００８０】
次に、図３に示すように、上金型３６及び下金型３８によって形成されるキャビティ内に、型１０を配置する。下金型３８には、型１０を位置決めして配置できるガイドが形成されていることが好ましい。
【００８１】
そして、ピン３２、３４の先端部を型１０に向けて配置する。詳しくは、型１０に形成された穴１６に、ピン３２、３４を挿入する。ピン３２は、上金型３６に固定されており、上金型３６及び下金型３８が閉じると、ピン３２が穴１６に入り込むようになっている。また、ピン３４は、型開きするときの押し出しピンの機能も有する。ピン３２、３４は、成形材料４０に、光ファイバ３０を挿入させるための貫通穴３２を形成するものである。したがって、ピン３２、３４は、光ファイバ３０の形状に応じた形状をなす。
【００８２】
必要であれば、型１０に離型剤（図示せず）を塗布しておく。離型剤（潤滑剤）は、成形材料４０との密着性が低いものであり、離型剤を塗布することで、成形材料４０の型１０からの離型性が良くなる。また、ピン３２、３４にも、離型剤を塗布しておけば、成形材料４０からのピン３２、３４の抜けが良くなる。
【００８３】
図４に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２、３４を封止する。ワイヤをボンディングして形成する配線２０は、成形樹脂４０で封止されることで、ワイヤの切断が防止される。導電層によって形成する配線２２は、型１０との付着面を除いて成形材料４０で覆われる。
【００８４】
本実施の形態では、成形材料４０は、モールド樹脂であり、上金型３６及び下金型３８で形成されたキャビティに成形材料４０を充填するが、ポッティングによって成形材料４０を設けてもよい。
【００８５】
成形材料４０は、ピン３２、３４の先端面を避けて設けられる。穴１６にピン３２、３４の先端部が挿入されることで、成形材料４０がピン３２、３４の先端面を覆わないようになっている。穴１６は、ピン３２、３４の先端を挿入するのに必要な最低限の深さであることが好ましい。特に、穴１６は、第２の領域１４の表面よりも下に至らない深さで形成されることが好ましい。
【００８６】
成形材料４０の表面形状は、型１０の第１及び第２の領域１２、１４の側の面と、上金型３６の内面と、によって加工される。第１の領域１２が第２の領域１４よりも突出しているため、成形材料４０に窪み４２が形成される。成形材料４０に離型剤を混入して、型１０との離型性を向上させてもよい。
【００８７】
図５に示すように、成形材料４０を硬化させて、ピン３４（押し出しピン）を使用して、上金型３６及び下金型３８の型開きを行う。また、ピン３２、３４を、成形材料４０から抜く。こうすることで、成形材料４０に貫通穴４４が形成される。
【００８８】
図６に示すように、成形材料４０を型１０から剥離する。また、成形材料４０とともに、配線２０、２２の型１０に対する付着面を、型１０から剥離する。配線２０は、ワイヤの端部の面又はボンディングパッド２４の面が、型１０から剥離される。導電層によって形成した配線２２は、その全長にわたって型１０に付着していたので、その全長にわたる面が型１０から剥離される。
【００８９】
本実施の形態では、型１０は複数の第１の領域１２を有する。各第１の領域１２は、図９に示す光素子５０を搭載する領域を成形材料４０に形成する。複数の第１の領域１２によって、成形材料４０に、複数の光素子５０を搭載する領域が形成される。
【００９０】
図７に示すように、成形材料４０を切断して、プラットフォーム１が得られる。成形材料４０は、必要に応じた位置で切断される。プラットフォーム１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４２が形成されている。図７に示す例では、１つの窪み４２ごとに、成形材料４０を切断する例である。窪み４２は、光素子５０（図９参照）を収容できる大きさであることが好ましい。窪み４２の内側面にテーパが付けられていれば、光素子５０を入れやすい。また、成形体には、一部が露出する状態で配線２０、２２が埋め込まれている。配線２０は、ワイヤの端部の表面、あるいはワイヤの端部がボンディングされたボンディングパッド２４の表面が、成形体から露出している。配線２２は、その全長にわたる面が露出している。配線２０、２２は、窪み４２の内面（底面）と、窪み４２の周囲の面と、において露出している。すなわち、配線２０、２２は、上述した型１０の第１の領域１２にて形成された面に第１の露出部を有し、型１０の第２の領域１４にて形成された面に第２の露出部を有する。
【００９１】
図８に示すように、プラットフォーム１に、光ファイバ３０を取り付ける。詳しくは、プラットフォーム１に形成された貫通穴４４に光ファイバ３０を挿入する。必要であれば、貫通穴４４と光ファイバ３０との間に接着剤を設ける。こうして、光ファイバ３０は、、その先端面を露出させてプラットフォーム１に固定される。詳しくは、プラットフォーム１に形成された窪み４２内で、光ファイバ３０がその先端面を露出させて固定される。光ファイバ３０の端部は、窪み４２の底面から突出している。その突出長さは、光素子５０の光学的部分に接触しない長さであることが好ましい。
【００９２】
光ファイバ３０は、コアとこれを同心円状に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッドとの境界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられて伝搬するものである。また、クラッドの周囲は、ジャケットによって保護されることが多い。
【００９３】
次に、図９に示すように、プラットフォーム１に光素子５０を搭載する。光素子５０は、発光素子であっても受光素子であってもよい。発光素子の一例として面発光素子、特に面発光レーザを使用することができる。面発光レーザなどの面発光素子は、表面から垂直方向に光を発する。光素子５０は、図示しない光学的部分を有する。光素子５０が発光素子であるときは、光学的部分は発光部であり、光素子５０が受光素子であるときは、光学的部分は受光部である。
【００９４】
光素子５０は、光学的部分が形成された側とその反対側とに、電極が形成されている場合が多い。すなわち、光素子５０には、表裏面に電極が形成されており、両方の電極間に電圧を印加するようになっている。なお、図９に示す光素子５０には、光学的部分が形成された側の電極にバンプ（又はハンダボール等）が設けられている。
【００９５】
光素子５０は、プラットフォーム１に形成された窪み４２に搭載する。窪み４２の深さ内に光素子５０を収容してもよい。図示しない光学的部分を、光ファイバ３０の露出した先端面に向けて、光素子５０をプラットフォーム１に搭載する。そして、光学的部分が形成された側の電極と、プラットフォーム１の配線２０、２２の露出部と、を電気的に接続（又は接合）する。
【００９６】
こうして、図９に示す光モジュール２が得られる。光モジュール２は、光素子５０の光学的部分が形成された側の電極が、配線２０、２２の第１の露出部（窪み４２内の露出部）に電気的に接続されている。したがって、光素子５０には、配線２０、２２の第２の露出部（プラットフォーム１の窪み４２の周囲に形成された露出部）から、電気的な接続をとることができる。また、光素子５０の裏面（光学的部分が形成された側とは反対側の面）にも、図示しない電極が形成されている。以上のことから、光モジュール２は、光ファイバ３０の導き出される方向とは反対側の面に、光素子５０に電圧を印加するための複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）を有する。
【００９７】
図１０に示すように、光モジュール２を基板６０に取り付けてもよい。基板６０には、配線パターン６２が形成されている。光モジュール２の複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）と、配線パターン６２とは、導電材料６４によって電気的に接続されている。導電材料６４は、ハンダ等のろう材や、導電性ペーストであってもよいし、異方性導電膜や異方性導電ペーストであってもよい。
【００９８】
光素子５０を封止するために樹脂６６を設けることが好ましい。図１０に示す例では、樹脂６６は、基板６０と光モジュール２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６６は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６６は光透過性を有していなくてもよい。
【００９９】
図１１には、別の例となる光モジュール３を示す。光モジュール３は、プラットフォーム１に形成された窪み４２に樹脂６８を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６８は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６８は光透過性を有していなくてもよい。
【０１００】
図１１に示す光モジュール３を、図１２に示すように、基板６０に搭載してもよい。基板６０には配線パターン６２が形成されている。光モジュール３と配線パターン６２とが電気的に接続されている。光モジュール３は、光素子５０が樹脂６８にて封止されているので、基板６０に取り付けてからアンダーフィル材を充填することは必ずしも必要ではないが、充填してもよい。導電材料６４が導電性接着剤であれば、電気的な接続と接着を同時に行える。
【０１０１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、簡単な工程でプラットフォーム１を形成することができ、その工程に起因してプラットフォーム１には配線２０、２２による凸が形成されない。プラットフォーム１を有する光モジュール２、３は、配線２０、２２を有しているが、平坦な面の一部が電気的な接続部（露出部）となっている。したがって、光モジュール２、３を基板６０に取り付ける工程も行いやすい。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
図１３〜図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１３に示す型１１０を使用する。
【０１０３】
型１１０は、その表面に、少なくとも１つの（図１３には複数のうちの１つが示されている）第１の領域１１２と、第２の領域１１４と、を有する。第１の領域１１２には、上端面に穴１１６が形成された凸部１１８が形成されている。
【０１０４】
凸部１１８は、第１の領域１１２に、配線２０、２２を付着させる領域を残す大きさで形成されている。凸部１１８の上端面は平坦であってもよいし、凹凸があっても粗面であってもよい。
【０１０５】
穴１１６は、図１に示す穴１６と同様に、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、その先端部を挿入するためのものである。穴１１６は、第１の領域１１２の高さよりも浅いことが好ましい。詳しくは、ピン３２の先端部が穴１１６に挿入されたときに、その先端面が、第１の領域１１２の面よりも上に位置するように、穴１１６の深さを設定することが好ましい。
【０１０６】
型１１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１０７】
本実施の形態では、図１３に示すように、型１１０に、配線２０、２２を設ける。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０８】
次に、図１４に示すように、ピン３２を、型１１０に先端を向けて配置する。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０９】
そして、図１５に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２を封止する。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１１０】
また、本実施の形態では、第１の領域１１２に凸部１１８が形成されているので、成形材料４０に、凹部１４４が形成される。詳しくは、成形材料４０には、窪み１４２が形成され、窪み１４２内に凹部１４４が形成される。
【０１１１】
次に、図１６に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴１４６を形成し、成形材料４０を型１１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。こうして、プラットフォーム１０１が得られる。プラットフォーム１０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み１４２が形成されている。
【０１１２】
そして、図１７に示すように、貫通穴１４６に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面から突出しないようになっている。その他の構成は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１３】
光ファイバ３０は、凹部１４４内に固定されている。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面（型１１０の第１の領域１１２によって形成される面）から突出しないことが好ましい。こうすることで、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０の先端が接触することを避けられる。そのためには、図１４に示すように、型１１０の穴１１６にピン３２を挿入したときに、ピン３２の先端面が、第１の領域１１２の面よりも深くならないように、穴１１６の形状を設定しておく。その他の詳細は、第１の形態で説明した内容が該当する。
【０１１４】
また、プラットフォーム１０１に光素子５０を搭載して、光モジュール１０２が得られる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。また、プラットフォーム１０１の光素子５０を搭載する面から光ファイバ３０の先端が突出しないので、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が当たらない。
【０１１５】
図１８に示すように、光モジュール１０２を基板６０に取り付けてもよい。光素子５０を封止するために樹脂１６６を設けることが好ましい。図１８に示す例では、樹脂１６６は、基板６０と光モジュール１０２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される部分において、樹脂１６６は透明樹脂である。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１６】
図１９には、別の例となる光モジュール１０３を示す。光モジュール１０３は、プラットフォーム１０１に形成された窪み１４２に樹脂１６８、１７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂１６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み１４２）に充填される樹脂１７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１１７】
図１９に示す光モジュール１０３を、図２０に示すように、基板６０に搭載してもよい。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラットフォーム１０１における光素子５０の搭載面となる窪み１４２の底面から、光ファイバ３０が突出しない。したがって、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が接触することを防止できる。その他の効果については、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１９】
（第３の実施の形態）
図２１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。この光モジュール２０２は、プラットフォーム２１０と、複数の光素子５０と、複数の光ファイバ３０と、を含む。各光ファイバ３０は各光素子５０に対応して設けられている。プラットフォーム２０１は、第１の実施の形態で説明した複数のプラットフォーム１を一体化させた形状をなしている。
【０１２０】
図２１に示す光モジュール２０２は、４つの光素子５０を有し、カラー画像信号の伝送に使用するときには、光素子５０及び光ファイバ３０は、Ｒ、Ｇ、Ｂの信号及びクロック信号の送受信に使用される。
【０１２１】
本実施の形態に係る光モジュール２０２は、成形材料４０を、複数の光素子５０を搭載する領域を含む位置で切断して製造することができる。
【０１２２】
（第４の実施の形態）
図２２〜図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２２に示す型３１０を使用する。
【０１２３】
型３１０は、その表面に、少なくとも１つの（図２２には複数のうちの１つが示されている）第１の領域３１２と、第２の領域３１４と、を有する。第１の領域３１２には、上端面に穴３１６が形成された凸部３１８が形成されている。凸部３１８及び穴３１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１２４】
型３１０は、突起３２０を有する。突起３２０は、第１及び第２の領域３１２、３１４の少なくとも一方（図２２では両方）に形成されている。突起３２０は、配線２０、２２を上端面に付着させるためのものである。突起３２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が底面に露出する凹部３４６（図２５参照）が形成される。
【０１２５】
型３１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１２６】
本実施の形態では、図２２に示すように、型３１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、突起３２０（例えばその上端面）に一部を付着させて、配線２０、２２を設ける。ワイヤを突起３２０にボンディングするときには、突起３２０に予めボンディングパッド２４を形成しておく。その他の内容は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２７】
次に、図２３に示すように、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型３１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２８】
そして、図２４に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及びピン３２を封止する。その詳細は、図１５に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２９】
次に、図２５に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴３４８を形成し、成形材料４０を型３１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。こうして、プラットフォーム３０１が得られる。プラットフォーム３０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み３４２が形成されている。
【０１３０】
プラットフォーム３０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部３４６が形成されている。凹部３４６は、型３１０の突起３２０によって形成されたものである。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１３１】
そして、図２６に示すように、貫通穴３４８に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、窪み３４２の底面に形成された凹部３４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、窪み３４２の底面から突出しないようになっている。
【０１３２】
次に、プラットフォーム３０１に光素子５０を搭載して、光モジュール３０２が得られる。光モジュール３０２は、プラットフォーム３０１に形成された窪み３４２に樹脂３６８、３７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部３４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂３６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み３４２）に充填される樹脂３７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１３３】
また、配線２０、２２が内面に露出していた凹部３４６には、図２６に示すように、導電材料３８０を充填してもよい。この状態では、配線２０、２２の一部は、露出せずに、凹部３４６の内面の一部を形成する。導電材料３８０は、ハンダ等のろう材であってもよいし、導電ペーストであってもよい。図２６に示す例では、光素子５０の電極（バンプ）が、窪み３４２内に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に接合されている。
【０１３４】
図２７に示すように、光モジュール３０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子３８２を設けてもよい。例えば、図２７に示すように、光素子５０における光ファイバ３０とは反対側に形成された電極（図示せず）に外部端子３８２を設ける。また、窪み３４２の周囲で、プラットフォーム３０１に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に、外部端子３８２を設ける。光モジュール３０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１３５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部３４６に導電材料３８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。
【０１３６】
（第５の実施の形態）
図２８〜図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２８に示す型４１０を使用する。
【０１３７】
型４１０は、その表面に、少なくとも１つの（図２８には複数のうちの１つが示されている）第１の領域４１２と、第２の領域４１４と、を有する。第１の領域４１２には、上端面に穴４１６が形成された凸部４１８が形成されている。凸部４１８及び穴４１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１３８】
型３１０は、突起４２０を有する。突起４２０は、第１及び第２の領域４１２、４１４の少なくとも一方（図２８では両方）に形成されている。突起４２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起４２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部４４６（図３１参照）が形成される。また、配線２０、２２を付着させずに、電子部品を支持するための突起４２２を形成してもよい。
【０１３９】
型４１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図２８に示すように、型４１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１４０】
さらに、型４１０に、電子部品４３０を搭載する。電子部品４３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起４２０に付着した配線２０、２２上に電子部品４３０を搭載したり、電子部品４３０に配線２０をボンディングする。電子部品４３０として、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム、ヒューズ、ペルチエ素子又はヒートパイプ等の冷却用部品などが挙げられる。
【０１４１】
次に、図２９に示すように、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型４１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１４２】
そして、図３０に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２、ピン３２及び電子部品４３０を封止する。その詳細は、図１５に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１４３】
次に、図３１に示すように、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴４５０を形成し、成形材料４０を型４１０から剥離する。必要であれば、成形材料４０を切断する。詳しくは、第２の形態で説明した内容が該当する。
【０１４４】
こうして、プラットフォーム４０１が得られる。プラットフォーム４０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４４２が形成されている。
【０１４５】
プラットフォーム４０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部４４６が形成されている。凹部４４６は、型４１０の突起４２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム４０１には、電子部品４３０を支持するための突起４２２によっても凹部４４８が形成されている。電子部品４３０の電極が突起４２２上に載せられるのであれば、凹部４４８内に電子部品４３０の電極が凹部４４８内に露出する。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１４６】
図３２に示すように、貫通穴４５０に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、凹部４４４内で突出するが、窪み４４２の底面から突出しないようになっている。
【０１４７】
図３２に示すように、プラットフォーム４０１に光素子５０を搭載して、光モジュール４０２が得られる。光モジュール４０２は、プラットフォーム４０１に形成された窪み４４２に樹脂４６８、４７０を充填して形成される。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１４８】
また、凹部４４６には、図３２に示すように、導電材料４８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。なお、凹部４４８にも導電材料４８０を充填してもよい。
【０１４９】
図３３に示すように、光モジュール４０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子４８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール４０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１５０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部４４６に導電材料４８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。また、本実施の形態に係るプラットフォーム４０１は、電子部品４３０を内蔵しており、成形体自体に電子部品４３０が封止されているので、品質の安定化を図ることができる。
【０１５１】
（第６の実施の形態）
図３４〜図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図３４に示す型５１０を使用する。
【０１５２】
型５１０は、複数段を有する山形状をなし、その平面形状は円形であっても矩形であってもよい。型５１０は、第１の領域５１１と、第１の領域５１１よりも低く位置する第２の領域５１２と、第１及び第２の領域５１１、５１２の間の高さに位置する少なくとも１段（図３４では複数段）の第３の領域５１３と、を有する。図３４には、１つの第１の領域５１１が示されているが、型５１０は、複数の第１の領域５１１を有していてもよい。
【０１５３】
第１の領域５１１には、上端面に穴５１６が形成された凸部５１８が形成されている。凸部５１８及び穴５１６は、図１３に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１５４】
型５１０は、突起５２０を有する。図３４に示す突起５２０は、第２及び第３の領域５１２、５１３に形成されているが、いずれか一方のみに形成されてもよく、第１の領域５１１に形成されてもよい。突起５２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起５２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部５４６（図３５参照）が形成される。
【０１５５】
型５１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図３４に示すように、型５１０に、配線２０、２２を設ける。
【０１５６】
例えば、複数の配線２０のそれぞれの一部（例えば一方の端部）を、第１又は第２の領域５１１、５１２に付着させ、他の一部（例えば他方の端部）を、第３の領域５１３に付着させる。または、複数段の第３の領域５１３に、いずれかの配線２０の両端部を付着させる。あるいは、第３の領域５１３をとばして、第１及び第２の領域５１１、５１２に、配線２０を付着させてもよい。なお、配線２０を付着させる前に、第１の実施の形態で説明したように、ボンディングパッド２４を形成しておいてもよい。また、型５１０に付着した配線２０の上に、他の配線２０を付着させてもよい。
【０１５７】
同様に、配線２２を、その一部を第１、２又は第３の領域５１１、５１２、５１３に付着させて設ける。図３４に示す例では、第１、２及び３の領域５１１、５１２、５１３に、連続的に配線２２が形成されている。これとは異なる例として、第１及び第３の領域５１１、５１３間にのみ、あるいは第３及び第２の領域５１３、５１２間にのみ配線２２を形成してもよい。
【０１５８】
さらに、型５１０に、電子部品５３０を搭載してもよい。電子部品５３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起５２０に付着した配線２２上に電子部品５３０を搭載する。必要であれば、電子部品５３０の電極と、配線２０、２２とをワイヤ５３２などで電気的に接続してもよい。その他の詳細は、第５の実施の形態で説明した通りである。
【０１５９】
次に、ピン３２（ピン３４の説明は省略する）を、型５１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１４に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６０】
成形材料４０で、配線２０、２２、ピン３２及び電子部品５３０を封止する。そして、成形材料４０を硬化させて、成形材料４０からピン３２を抜いて貫通穴５４８を形成し、成形材料４０を型５１０から剥離する。必要であれば成形材料４０を切断する。こうして、図３５に示すプラットフォーム５０１を形成する。その詳細は、図１５〜図１６に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６１】
プラットフォーム５０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み５４２が形成されている。窪み５４２内には、複数の底面５５１〜５５３によって段が形成されている。最も深い底面５５１には、凹部５４４が形成されている。
【０１６２】
窪み５４２の底面５５１〜５５３に、配線２０、２２の一部が露出している。最も深い底面５５１には、底面５５１と面一で配線２０、２２が露出している。最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部５４６が形成されている。凹部５４６は、型５１０の突起５２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム５０１の表面であって窪み５４２の周囲にも、凹部５４６が形成されている。
【０１６３】
凹部５４６には、図３６に示すように、導電材料５８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１６４】
次に、図３６に示すように、プラットフォーム５０１の貫通穴５４８に光ファイバ３０を挿入する。光ファイバ３０の先端部は、凹部５４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、最も深い底面５５１から突出しないようになっている。
【０１６５】
また、プラットフォーム５０１に光素子５０を搭載する。詳しくは、光学的部分５２を光ファイバ３０の先端面に向けて、窪み５４２の最も深い底面５５１に光素子５０を搭載する。また、配線２０、２２の底面５５１に露出した部分と、光素子５０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。例えば、フェースダウンボンディングを適用する。また、光素子５０と光ファイバ３０との間には、樹脂５６８を充填する。特に、光ファイバ３０の先端面と、光素子５０の光学的部分５２との間で、樹脂５６８は、光透過性を有する（透明である）。
【０１６６】
続いて、窪み５４２内で光素子５０よりも浅い位置に半導体チップ５６０、５６２を搭載する。半導体チップ５６０、５６２は、光素子５０を駆動するためのものである。半導体チップ５６０、５６２には、光素子５０を駆動するための回路が内蔵されている。半導体チップ５６０、５６２には、内部の回路に電気的に接続された複数の電極（又はパッド）が形成されている。なお、半導体チップの代わりに、半導体を使用しないで形成された回路を内蔵するチップを適用しても、同じ作用効果を達成することができる。
【０１６７】
最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３に、半導体チップ５６０、５６２を搭載する。底面５５２、５５３は、型５１０の第３の領域５１３によって形成された面である。また、配線２０、２２の底面５５２、５５３に露出した部分と、半導体チップ５６０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。配線２０、２２は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）内で露出している。あるいは、配線２０、２２の一部は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）の内壁面の一部を形成している。
【０１６８】
光素子５０及び半導体チップ５６０、５６２は、樹脂５７０によって封止する。すなわち、窪み５４２に樹脂５７０を充填する。光素子５０の光学的部分５２と光ファイバ３０の先端面との間の隙間が、透明な樹脂５６８によって埋められていれば、樹脂５７０は光透過性を有していてもいなくてもよい。
【０１６９】
こうして、光モジュール５０２が得られる。光モジュール５０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子５８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール５０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１７０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、他の実施の形態で説明した効果に加えて、光モジュール５０２に、半導体チップ５６０、５６２をコンパクトに内蔵させることができる。
【０１７１】
（第７の実施の形態）
図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。光伝送装置５９０は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器５９２を相互に接続するものである。電子機器５９２は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置５９０は、ケーブル５９４の両端にプラグ５９６が設けられたものであってもよい。ケーブル５９４は、１つ又は複数（少なくとも一つ）の光ファイバ３０（図８参照）を含む。プラグ５９６は、半導体チップを内蔵してもよい。
【０１７２】
光ファイバ３０の一方の端部に接続される光素子５０は、発光素子である。一方の電子機器５９２から出力された電気信号は、発光素子である光素子５０によって光信号に変換される。光信号は光ファイバ３０を伝わり、他方の光素子５０に入力される。この光素子５０は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。電気信号は、他方の電子機器５９２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置５９０によれば、光信号によって、電子機器５９２の情報伝達を行うことができる。
【０１７３】
（第８の実施の形態）
図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝送装置５９０は、電子機器６００間を接続する。電子機器６００として、液晶表示モニター又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンター等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２５】図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２６】図２６は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２７】図２７は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２８】図２８は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３０】図３０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３１】図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３２】図３２は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３３】図３３は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３４】図３４は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３５】図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３６】図３６は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３７】図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図３８】図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【符号の説明】
１ プラットフォーム
２ 光モジュール
３ 光モジュール
１０ 型
１２ 第１の領域
１４ 第２の領域
１６ 穴
２０ 配線
２２ 配線
２４ ボンディングパッド
３０ 光ファイバ
３２ ピン
３４ ピン
４０ 成形材料
４２ 窪み
４４ 貫通穴
５０ 光素子
５２ 光学的部分
１０１ プラットフォーム
１０２ 光モジュール
１０３ 光モジュール
１１０ 型
１１２ 第１の領域
１１４ 第２の領域
１１６ 穴
１１８ 凸部
１４２ 窪み
１４４ 凹部
１４６ 貫通穴
１６６ 樹脂
１６８ 樹脂
１７０ 樹脂
２０１ プラットフォーム
２０２ 光モジュール
３０１ プラットフォーム
３０２ 光モジュール
３１０ 型
３１２ 第１の領域
３１４ 第２の領域
３１６ 穴
３１８ 凸部
３２０ 突起
３４２ 窪み
３４４ 凹部
３４６ 凹部
３４８ 貫通穴
３６８ 樹脂
３７０ 樹脂
３８０ 導電材料
４０１ プラットフォーム
４０２ 光モジュール
４１０ 型
４１２ 第１の領域
４１４ 第２の領域
４１６ 穴
４１８ 凸部
４２０ 突起
４２２ 突起
４３０ 電子部品
４４２ 窪み
４４４ 凹部
４４６ 凹部
４５０ 貫通穴
４６８ 樹脂
４７０ 樹脂
４８０ 導電材料
５０１ プラットフォーム
５０２ 光モジュール
５１０ 型
５１１ 第１の領域
５１２ 第２の領域
５１３ 第３の領域
５１６ 穴
５１８ 凸部
５２０ 突起
５３０ 電子部品
５４２ 窪み
５４４ 凹部
５４６ 凹部
５４８ 貫通穴
５６０ 半導体チップ
５６２ 半導体チップ
５６８ 樹脂
５７０ 樹脂
５８０ 導電材料
Claims (16)
- 突出部を有する型に、配線を、前記突出部の先端面及び前記突出部の周囲の領域に付着させて設け、
ピンを、前記ピンの先端部を前記型の前記突出部に向けて配置し、
成形材料を、前記型の前記突出部を有する面に付着させて前記配線及び前記ピンを封止し、
前記ピンを前記成形材料から抜き、前記型を前記配線及び前記成形材料から剥離することで、前記突出部に対応する窪み及び前記ピンに対応する貫通穴を有し、前記配線が前記窪み内から前記窪みの周囲の領域に至るように設けられてなるプラットフォームを形成し、
前記プラットフォームに形成された前記貫通穴に光ファイバを挿入し、
同じ面に光学的部分及び電極を有する光素子を、前記窪み内で前記配線と前記電極が対向し、かつ、前記光学的部分が前記貫通穴に対向するように、前記プラットフォームの前記窪み内に配置して、前記配線と前記電極を電気的に接続し、前記光学的部分と前記光ファイバを光学的に接続する工程を含む光モジュールの製造方法。 - 請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部をボンディングする光モジュールの製造方法。 - 請求項２記載の光モジュールの製造方法において、
予め前記ボンディングパッドを形成し、前記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングする光モジュールの製造方法。 - 請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記配線は導電層からなる光モジュールの形成方法。 - 請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型及び前記ピンの少なくとも一方に離型剤を塗布した状態で、前記成形材料により前記配線及び前記ピンを封止する光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記ピンの前記先端部を前記型に形成された穴に挿入する光モジュールの製造方法。 - 請求項６記載の光モジュールの製造方法において、
前記穴は、前記型の平坦な領域に形成されてなる光モジュールの製造方法。 - 請求項６記載の光モジュールの製造方法において、
前記型は、凸部を有し、前記凸部の上端面に前記穴が設けられてなる光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項８のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前記配線を付着させ、
前記プラットフォームに前記突起に対応する凹部を形成する光モジュールの製造方法。 - 請求項９記載の光モジュールの製造方法において、
前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含む光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭載し、
前記成形材料で、前記配線とともに前記電子部品を封止する光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
複数の前記ピンを配置し、
前記複数のピンを前記成形材料から抜いて前記成形材料に複数の前記貫通穴を形成する光モジュールの製造方法。 - 請求項１２記載の光モジュールの製造方法において、
前記プラットフォームを切断する工程をさらに含む光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項１３のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含む光モジュールの製造方法。 - 請求項１４記載の光モジュールの製造方法において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成する光モジュールの製造方法。 - 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記プラットフォームの前記窪み内であって前記光素子上に、前記光素子を駆動するための半導体チップを搭載する工程を含む光モジュールの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106401A JP3865037B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュールの製造方法 |
| US09/800,483 US6917745B2 (en) | 2000-04-07 | 2001-03-08 | Platform and optical module, manufacturing method of the same, and optical transmission device |
| TW090108163A TW518439B (en) | 2000-04-07 | 2001-04-04 | Platform and optical module, manufacturing method of the same, and optical transmission device |
| KR10-2001-0018315A KR100404933B1 (ko) | 2000-04-07 | 2001-04-06 | 플랫폼 및 광 모듈, 이들의 제조방법 및 광 전달장치 |
| CNB011216026A CN1203343C (zh) | 2000-04-07 | 2001-04-07 | 平台的制造方法,光模块及其制造方法以及光传输装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106401A JP3865037B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001290057A JP2001290057A (ja) | 2001-10-19 |
| JP3865037B2 true JP3865037B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=18619572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000106401A Expired - Fee Related JP3865037B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 光モジュールの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6917745B2 (ja) |
| JP (1) | JP3865037B2 (ja) |
| KR (1) | KR100404933B1 (ja) |
| CN (1) | CN1203343C (ja) |
| TW (1) | TW518439B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060017183A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Yung Hua Chen | Method for manufacturing optical fiber light guide badges |
| CN102047404B (zh) * | 2008-12-16 | 2013-07-10 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置和倒装芯片安装方法及倒装芯片安装装置 |
| JP4960519B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-06-27 | 株式会社東芝 | 光伝送路保持部材及び光モジュール |
| JP2012242656A (ja) * | 2011-05-20 | 2012-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 光導波路及び光導波路モジュール |
| JP6421557B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-11-14 | 日立金属株式会社 | 光モジュール及び光ケーブル |
| CN108697312A (zh) * | 2016-02-17 | 2018-10-23 | 奥林巴斯株式会社 | 光传送模块和内窥镜 |
| WO2019038930A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光モジュール、内視鏡、および内視鏡用光モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448674A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JP3403306B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2003-05-06 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JPH11204825A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JP3356068B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2002-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JP2000056190A (ja) * | 1998-08-01 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 光モジュール |
| JP2000110176A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-18 | Fujitsu Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
| JP2000349307A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びプラットフォーム並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置 |
| JP3758938B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2006-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106401A patent/JP3865037B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-08 US US09/800,483 patent/US6917745B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-04 TW TW090108163A patent/TW518439B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-06 KR KR10-2001-0018315A patent/KR100404933B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-04-07 CN CNB011216026A patent/CN1203343C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001290057A (ja) | 2001-10-19 |
| US6917745B2 (en) | 2005-07-12 |
| TW518439B (en) | 2003-01-21 |
| US20020024159A1 (en) | 2002-02-28 |
| CN1321897A (zh) | 2001-11-14 |
| CN1203343C (zh) | 2005-05-25 |
| KR100404933B1 (ko) | 2003-11-10 |
| KR20010090755A (ko) | 2001-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3865036B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP3775480B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
| KR100567151B1 (ko) | 광 모듈 및 그 제조방법, 및 광 전송 장치 | |
| JP3758938B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| US20020118924A1 (en) | Optical module and method of manufacturing the same, and optical transmission device | |
| JP2009088510A (ja) | ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール | |
| US6765801B1 (en) | Optical track drain package | |
| US7040817B2 (en) | Three-dimensional mounted assembly and optical transmission device | |
| WO2017037828A1 (ja) | 内視鏡、電子ユニットおよび電子ユニットの製造方法 | |
| JP3865037B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
| JP2001159724A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP2002164602A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP4062403B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
| JP2001127312A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP2003131080A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| KR100541650B1 (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2000164803A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001311857A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP2007035697A (ja) | 光電気変換モジュール | |
| JPH06125019A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20020057670A (ko) | 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR20050119101A (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법 | |
| JP2001013378A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 | |
| JP2000357805A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050705 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050802 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060315 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060913 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060926 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |