JP4297322B2 - 半導体レーザ素子、それを用いたレーザモジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はファブリ・ペロー型の半導体レーザ素子とそれを用いて組み立てられたレーザモジュールに関し、更に詳しくは、戻り光を受けて動作することにより、その発振スペクトルがマルチモードであるレーザ光を発振する半導体レーザ素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
波長分割多重(Wavelength Division Multiplexing:WDM)通信方式が複数の信号光を伝送する光通信システムとして発展している。このシステムでは、光線路の所定箇所に例えばErドープ光ファイバ増幅器(EDFA)を配置し、ここに半導体レーザ素子を励起用光源とするポンピングレーザモジュールを接続し、このレーザモジュールから励起用レーザ光を前記EDFAに入射して、信号光源から伝送されてきた信号光を光増幅することにより、光増幅した信号光を再び下流側へ伝送する。
【0003】
その場合、レーザモジュールに組み込まれている半導体レーザ素子に対しては、信号光源の光出力の変動に追随して注入電流値を変化させることにより、レーザモジュールから出射する励起用レーザ光の光出力が安定化するような処置が採られている。
発振波長が1480nm波長域にある半導体レーザ素子の場合はEDFAにおける利得帯域が広いので上記したような処置は有効である。しかしながら、発振波長が980nm波長域にある半導体レーザ素子の場合には、EDFAにおける利得帯域が狭いので、上記したような処置を採用することはできない。
【0004】
このようなことから、発振波長が980nm波長域における半導体レーザ素子を用いてレーザモジュールを組み立てる場合には、組み立てたレーザモジュールから出射する励起用レーザ光の波長を、EDFAの狭い利得帯域に対応できる波長に特定することが必要になる。
レーザ素子からの発振波長の安定化に関しては、例えば、当該レーザ素子の出射端面(前端面)に、所定の反射帯域幅を有するファイバブラッググレーティング(Fiber Bragg Grating:FBG)を光結合して動作させることの有効性が知られている。FBGは、波長選択機能と光帰還機能を備えているからである。
【0005】
この場合、レーザ素子から出射したレーザ光のうち、特定波長帯域内にある一部分の光がFBGで反射して戻り光となり、この戻り光が再びレーザ素子に帰還する。そして、この戻り光の作用によりレーザ素子から発振するレーザ光の波長、したがってレーザモジュールから出射していく励起用レーザ光の波長は、FBGの反射帯域幅内の特定された値で安定化する。
【0006】
しかしながら、発振波長が980nm波長域にある代表的な半導体レーザ素子であるGaAs系レーザ素子の場合、FBGと光結合させてレーザモジュールを組み立てると、得られる励起用レーザ光の波長はFBGの反射帯域幅内に存在しているとはいえ、その励起用レーザ光の光出力の時間的な変動は大きく、不安定な光出力状態を呈する。例えば、レーザ素子への注入電流が変動したり、または周辺温度が変化するなどして駆動状態の変化が起こっただけでも、レーザモジュールから出射してくる励起用レーザ光の光出力は不安定化する。
【0007】
これは、GaAs系レーザ素子の場合、発振縦モードが不安定になりやすく、その光出力は数%のオーダで変動しやすいからであると考えられる。
レーザモジュールから出射する励起用レーザ光における光出力の変動は、通常、0.5%以下におさめることが規格化されていることを考えると、上記した問題は不都合である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、GaAs系レーザ素子における上記した問題を解決し、レーザモジュールに光源として組み込んだときに、そのレーザモジュールからは、光出力が安定している励起用レーザ光の出射を可能にするように設計されているGaAs系の半導体レーザ素子と、それを用いたレーザモジュールの提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、出射する励起用レーザ光の波長が安定化していて、同時に光出力も安定化しているレーザモジュールを組み立てる場合には、それに光源として組み込まれるレーザ素子から発振するレーザ光は、その発振波長が特定波長で安定化しているとともに、その発振縦モードがマルチモード化していることが必要であると考えられる。そこで、本発明においては、
量子井戸構造から成る活性層を有する層構造を備え、かつ戻り光の作用により安定化した波長のレーザ光を発振し、その発振スペクトルはマルチモードであるファブリ・ペロー型の半導体レーザ素子であって、
井戸層1層当たりの光閉じ込め係数をΓ、井戸層1層の厚みをd(nm)としたとき、Γとdの間では、次式:
Γ/d≦1.3×10-3nm-1
で示される関係が成立していることを特徴とする半導体レーザ素子が提供される。
【0010】
具体的には、前記戻り光は、FBGを好適例とする光帰還機構からの戻り光であり、また、井戸層の1層の厚み(d)は8.5nm以上であることを好適とする。また、前記活性層における障壁層の伝導帯のバンドギャップエネルギーと井戸層の伝導帯のバンドギャップエネルギーの差が170meV以下になっていることを好適とする半導体レーザ素子が提供される。
【0011】
また、前記活性層の上方には電流ブロッキング層が配置されていて、高出力駆動時におけるホールバーニングの発生を抑制するために、その電流ブロッキング層のストライプ幅が、注入キャリアの分布領域が発振レーザ光のプロファイル領域の中に含まれているように最適化されており、具体的には、3.5μm以下であることを好適とする半導体レーザ素子が提供される。
【0012】
そして、前記活性層を挟んで光閉じ込め層が形成されていて、前記活性層と前記光閉じ込め層の間には、前記活性層の障壁層と前記光閉じ込め層のそれぞれの伝導帯におけるバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するキャリアブロック層が介装されていることを好適とする半導体レーザ素子、または、
前記活性層を挟んで、前記活性層の障壁層の伝導帯におけるバンドギャップエネルギー以上のバンドギャップエネルギーを有する分離閉じ込め層が形成されている半導体レーザ素子が提供される。
【0013】
また、本発明においては、上記した半導体レーザ素子の出射端面に光ファイバが光結合されていることを特徴とするレーザモジュールが提供される。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明のレーザ素子は次のような設計思想に基づいて開発されたものである。(1)まず、出射する励起用レーザ光の光出力が安定しているレーザモジュールに光源として組み込まれるレーザ素子にとって必要とされる条件は次のことである。すなわち、当該レーザ素子からの発振レーザ光の発振波長が安定化していることと、同時にその光出力の変動が抑制されていることである。
【0015】
(2)発振波長の安定化という課題は、例えばレーザ素子とFBGを組み合わせ、そのときの戻り光を再びレーザ素子に帰還させて実現することができる。また、発振レーザ光の光出力の変動を抑制するためには、その発振レーザ光の発振スペクトルがマルチモード化するように設計すればよい。
(3)そして、戻り光が帰還してくるレーザ素子の場合、コヒーレントコラプス現象が発現すると、当該レーザ素子からの発振レーザ光はマルチモード化することが知られている。
【0016】
(4)したがって、レーザ素子の活性層構造において、上記したコヒーレントコラプス現象が発現しやすくなる因子を見出すことは、発振レーザ光のマルチモード化、すなわち発振レーザ光の光出力の安定化にとって重要であると考えられる。
従来、活性層構造の作成に関しては、発振したレーザ光を効率よく活性層内に閉じ込めるという設計思想を主流にしている。しかしながら、発振レーザ光のマルチモード化を意図した場合には、全く逆に、むしろ発振が起こりづらい活性層構造を設計することが重要であると考えられる。
【0017】
(5)本発明者らは、この観点に立ち、各種のレーザ素子につき、その井戸層の厚み(d)、その井戸層における光閉じ込め係数(Γ)と発振レーザ光のマルチモード化との相関関係につき検討を加えたところ、戻り光の帰還を前提にすると、Γ/d値は、活性層を構成する半導体材料の種類とは関係なく、コヒーレントコラプス現象を律速する因子であるとの新たな知見を得るに至った。
【0018】
(6)そして更に研究を重ねた結果、上記したコヒーレントコラプス現象は井戸層の厚みが厚いほど発現しやすく、また、井戸層のポテンシャル深さが浅いほど発現しやすいという事実も見出した。
そして、本発明者らは、以上の知見に基づき、更にレーザ素子を高出力動作させるためには、その共振器長が長い方が有利であるという公知の事実に依拠して、前記した構成の本発明の半導体レーザ素子を開発したのである。
【0019】
次に、上記した設計思想に基づいて開発された本発明のレーザ素子について詳述する。
まず、本発明のレーザ素子の使用形態を図1に概略図として示す。
図1において、後述するレーザ素子Aと光ファイバBは、光結合手段である例えばレンズCを介して互いの光軸を合致させた状態で光結合され、レーザモジュールが構成されている。そして、光ファイバBには、例えば所定の反射帯域幅を有するFBG B1が形成されている。
【0020】
レーザ素子Aからの発振レーザ光は、レンズCで集光され、光ファイバBの端面に入射する。入射した発振レーザ光のうち、FBG B1の反射帯域幅内に存在する発振波長のレーザ光のみが当該FBG B1で反射し、それは戻り光となってレーザ素子Aに帰還する。
そして、本発明においては、レーザ素子Aが次に説明する構成になっているので、当該レーザ素子Aからの発振レーザ光は、その発振波長が安定化しているとともに、その発振スペクトルがマルチモードになる。
【0021】
ここで、好適な層構造を有する本発明のレーザ素子の1例A1を図2に示す。このレーザ素子A1はSAS構造(Self-aligned structure)になっていて、全体は所定の共振器長(L)を有するファブリ・ペロー型のレーザ素子である。このレーザ素子A1は、図2で示したように、例えばn−GaAsから成る基板1の上に、例えばn−AlGaAsから成る下部クラッド層2Aが形成され、更にその上に、後述する層構造Dが形成されている。そして、その層構造Dの上に例えばp−AlGaAsから成る上部クラッド層2B、例えばp−GaAsから成るコンタクト層3が順次形成され、基板1の裏面にはn型電極4Aが、コンタクト層3の上にはp型電極4Bがそれぞれ形成された構造になっている。
【0022】
上記した層構造Dは、機能材料vol.17, No.8, pp26〜33(1997年、8月号)において、完全分離閉じ込め構造(Decoupled Confinement Heterostructure:DCH構造)として提案されている層構造である。
すなわち、層構造Dは、例えばInGaAsから成る2個の井戸層5A1,5A2、および各井戸層の両側に位置して例えばAlGaAsから成る3個の障壁層5B0,5B1,5B2で構成されている量子井戸構造の活性層5を有している。
【0023】
そして、活性層5内で、その厚み方向における両端に位置している障壁層5B1,5B2のそれぞれの外側には、他の層に比べるとそのバンドギャップエネルギーが大きい後述するキャリアブロッキング層が配置され、更にその外側には、例えばn−GaAsから成る下部光閉じ込め層7Aとp−GaAsから成る上部光閉じ込め層7Bがそれぞれ配置されている。ここで、活性層5内でその両端に位置する障壁層5B1,5B2のことをそれぞれサイド障壁層と呼ぶ。
【0024】
具体的には、サイド障壁層5B1と下部光閉じ込め層7Aの間には、例えばn−AlGaAsから成る下部キャリアブロッキング層6Aが介装され、サイド障壁層5B2と上部光閉じ込め層7Bの間には例えばp−AlGaAsから成る上部キャリアブロッキング層6Bが介装されている。
そして、上部光閉じ込め層7Bの中(図では厚みの中間の位置)には、例えばn−AlGaAsから成り、あるストライプ幅(W)を有する電流ブロッキング層8が形成されていて、p型電極4Bからのキャリアが効率よく活性層5に注入できるようになっている。
【0025】
ここで、上記した層構造Dに関するバンド構造図の1例を概略図として図3に示す。
このようなバンド構造図で示される層構造Dの場合、活性層5に注入されたキャリアは両側に位置するキャリアブロッキング層6A,6Bの高いバンドギャップにより外側に拡散することなく効率よく当該活性層5の中に閉じ込められてレーザ光の発振に寄与する。そして、発振レーザ光は、全体としてこのDCH構造内に閉じ込められて導波していく。したがって、このDCH構造において、キャリアブロッキング層6A,6Bの両側に位置する光閉じ込め層7A,7Bは光導波層でもある。
【0026】
以上のような層構造を有する本発明のレーザ素子A1において、上記したDCH構造は次のように設計されている。
(1)まず、井戸層5A1,5A2のそれぞれの厚みをいずれもd(nm)とし、また井戸層1層当たりの光閉じ込め係数をΓとしたとき、d値とΓ値との間には、次式:
Γ/d≦1.3×10-3nm-1 ・・・(1)
で示される関係が成立するように設計されている。
この関係が成立しているときにはじめて、後述するように、レーザ素子A1への注入電流の全てにおいて、発振レーザ光の発振スペクトルはマルチモード化し、その光出力が時間的に安定化する。
【0027】
(2)なお、上記した(1)式が成立していることを前提としたうえで、井戸層5A1,5A2の厚み(d)は8.5nm以上に設計されていることが好ましい。井戸層を上記した厚みにすると、形成される量子井戸には基底準位に加えて高次準位が存在するようになる。そして、p型電極4Bから注入されたキャリアの一部は、上記した高次準位に捕獲され、その結果、電流注入量に対する正味の利得増加率は小さくなる。
【0028】
このことは逆にいえば、戻り光に基づく発振利得の微小変化によるレーザ素子への擾乱が拡大され、より一層、コヒーレントコラプス現象が起こりやすくなるということである。
【0029】
しかし、井戸層の厚みの上限は井戸層の形成に用いる半導体材料の臨界膜厚で規定されるが、その臨界膜厚より薄い場合であっても、あまり厚くすると第2量子準位の発振が起こりはじめて発振レーザ光の劣化を招くので、概ね、12nm程度の厚みを上限とすることが好ましい。
この井戸層の厚み(d)を決定すると、それに応じて、井戸層における光閉じ込め係数(Γ)が(1)式を満足するような適宜な値として決定され、それに基づいて井戸層の成膜時に用いる半導体材料の種類や組成などが選定される。
【0030】
(3)同様の原理により、層構造Dの活性層5において、図3で示したように、障壁層5B0(5B1,5B2)の伝導帯のバンドギャップエネルギーと、井戸層5A1(5A2)の伝導帯バンドギャップエネルギーの差(ΔEc)は、170meV以下となるように設計されていることが好ましい。
上記したΔEcに設計されている場合には、注入キャリアの一部は井戸層から障壁層へ溢れ出て、やはり正味の利得増加率が小さくなる。
【0031】
しかしながら、ΔEc値が小さすぎると、そもそも注入キャリアの効率的な再結合は起こらなくなるので、ΔEc値の下限は95meV程度に設定することが好ましい。
このためには、サイド障壁層5B1,5B2を、AlxGa1-xAs(xは0以上0.1未満の数)で形成すればよく、とくに、GaAsでサイド障壁層を形成することが好適である。
【0032】
(4)なお、レーザ素子A1の共振器長(L)は格別限定されるものではないが、高出力化を意図して、その共振器長(L)を1500μm以上に設計することが好ましい。しかし、実際の素子製作上、3000μmを超える共振器長(L)のレーザ素子を製作することは、実際問題として困難であるため、共振器長(L)の上限は3000μm程度にすることが好ましい。
【0033】
(5)なお、本発明のレーザ素子の場合、電流ブロッキング層におけるストライプ幅が、発振レーザ光のプロファイル領域の中に注入キャリアの大部分が含まれるように最適化されている。具体的には、ストライプ幅は3.5μm以下に設計されている。その設計思想を以下に説明する。
本発明のレーザ素子における設計思想は、前記したように、活性層構造がレーザ発振しにくい構造となるように設計することにより、発振レーザ光のマルチモード化を実現しようとするものである。
【0034】
その場合、上記した設計思想に基づくからこそ、製作するレーザ素子に関しては、高いキンク出力を保持せしめることに配慮することが必要になる。
例えば、本発明のレーザ素子のように、、Γ値が小さく、更にd値が大きく(井戸層が厚い)設計されている場合には、いわゆる発振しきいキャリア密度は高くなる。
【0035】
そのため、層構造の詳細とは無関係に、キャリア密度の変動に対して相対的に屈折率変動が大きくなり、総じていわゆるホールバーニングは顕著になり、その結果、低出力駆動段階から横モードが不安定化して、キンク現象が発現しやすくなる。
このようなことから、本発明のレーザ素子においては、ホールバーニング現象への対応策が求められることになる。具体的には、活性層5の上方に配置されている電流ブロッキング層8のストライプ幅(W)を最適化してホールバーニング現象の発現が抑制される。
【0036】
ところで、発振レーザ光のプロファイル領域の大小は、そのレーザ素子内に形成されているストライプ幅の広狭と、電流ブロッキング層の形成など、主にレーザ構造によって生ずるストライプ内部とそれ以外の領域との間の実効的な屈折率差で決定される。
そして、電流ブロッキング層を有する半導体レーザ素子の場合、電流ブロッキング層におけるストライプ幅は、一般的には、4〜6μm程度に設計されている。
【0037】
しかしながら、IEEE, Photonics Technology Letters, vol.6, No.12, p1409〜p1411, 1994によれば、このような半導体レーザ素子の場合、注入キャリアは活性層の横方向に拡散し、そのキャリア分布領域が発振レーザ光のプロファイル領域よりも広くなってしまう。そして、このことを起点として、そのレーザ素子は、高出力駆動時に発振レーザ光のプロファイルが不安定になる。すなわち、そのレーザ素子の高出力特性が損なわれる。
【0038】
このようなことから、高出力駆動時にあっても発振レーザ光のプロファイルを安定化するためには、発振レーザ光のプロファイル領域の方が注入キャリアの分布領域よりも広くなっていて、前者の中に後者が含まれているような状態を実現させれば、ホールバーニングは抑制され、高いキンク出力を実現することができるものと考えられる。
【0039】
そして、このことは、電流ブロッキング層におけるストライプ幅を充分に狭くすることにより、注入したキャリアの分布領域を狭くすれば実現可能であると考えられる。
この観点に立ち、後述するように、ストライプ幅とキンク出力との関係を調べたところ、本発明のレーザ素子においては、ストライプ幅を3.5μm以下に設計すれば、例えば200mW以上の高出力駆動時においても、ホールバーニングを抑制する点で好適であるとの事実を見出したのである。
【0040】
なお、その場合、発振レーザ光のプロファイル領域の大きさを概略一定に保つために、ストライプ内部とそれ以外の領域の間の実効的な屈折率差を上記ストライプ幅に対応して適切に調節することが必要になる。
レーザ素子A1の製作に関しては、以上列記した設計項目を満足するように、各層を形成する半導体材料が選定される。
【0041】
その場合、使用可能な半導体材料としては、例えば、GaAs系、AlGaAs系、InGaAsP系、InGaNAs系などをあげることができ、これら材料の種類、組成、成膜時の厚みを適宜に選定し、上記した各設計項目が充足せしめられる。
なお、上記したレーザ素子A1はその層構造DがDCH構造の場合であったが、本発明のレーザ素子はこれに限定されることなく、例えば図5で示した層構造を有するレーザ素子A2であってもよい。
【0042】
このレーザ素子A2は、図4で示したように、上部がリッジ導波路形状になっていて、全体は所定の共振器長(L)を有している。そして、例えばn−GaAsから成る基板10の上に、例えばn−AlGaAsから成る下部クラッド層11Aが形成され、更にその上に後述する層構造Eが形成され、基板10の裏面にはn型電極12Aが形成され、前記層構造Eの上面には例えば窒化ケイ素(SiNx)から成る保護膜13が形成され、その開口にp型電極12Bが形成されている。
【0043】
層構造Eは、例えばInGaAsから成る3個の井戸層14A0,14A1,14A2、および各井戸層の両側に位置して例えばGaAsPから成る4個の障壁層14B1,14B2,14B3,14B4で構成されている量子井戸構造の活性層14を有する。
そして、活性層14の両端に位置する障壁層14B1,14B4の両側には、例えばAlGaAsから成る下部光閉じ込め層15AとAlGaAsから成る上部光閉じ込め層15Bがそれぞれ配置されている。
【0044】
この層構造Eは分離閉じ込め構造(Seperated Confinement Heterostructure:SCH構造)と呼ばれるものであって、その伝導帯のバンド構造図の1例を図5に示す。
本発明においては、このSCH構造を有するレーザ素子A2の場合であっても、そのSCH構造は前記した設計項目を充足するように設計されている。
【0045】
このレーザ素子A2の場合は、各井戸層の厚み(d)が発振レーザ光の発振スペクトルのマルチモード化を規定する主たる要因である。具体的には、各井戸層の厚み(d)を厚くすることが、発振スペクトルのマルチモード化にとって有用である。
なお、このレーザ素子A2の場合、リッジ導波路の幅を調整してp型電極12Bからの注入電流を制御することができる。
【0046】
以上説明したレーザ素子A1,A2を用いて本発明のレーザモジュールが組み立てられる。組み立てたレーザモジュールの1例を図6に示す。
このレーザモジュールでは、パッケージ20の底板20aの上にレーザ素子A1(A2)を冷却するためのペルチェモジュール21が配置され、更にペルチェモジュール21の上には例えばコバールから成るベース材22が配置されている。
【0047】
ベース材22の上には、チップキャリア23を介してレーザ素子A1(A2)が配置され、このレーザ素子A1(A2)と光軸を一致させた状態で、FBG24aを有する光ファイバ24が光結合されている。
光ファイバ24はファイバ固定部材25でベース材22の上に固定され、また、その出射端側はパッケージ20の筒状孔部内に気密に取り付けられたスリーブ26を介してパッケージ20から引き出されている。
【0048】
また、レーザ素子A1(A2)の背面側にはフォトダイオード27が配置され、レーザモジュールの光出力の大小をモニタできるようになっている。
なお、レーザ素子と光ファイバとの光結合効率を高めるためには、光ファイバとしてその先端がレンズ形状になっているものを用いることが好ましいが、先端がレンズ形状でなくても、途中にレンズを介在させることにより両者間の光結合効率を高めることができる。
【0049】
また、光ファイバとして楔形光ファイバを用いると、組み立てたレーザモジュールは、光結合効率が高く、また組み立てに要する部品点数も低減し、総合的な製造コストが低減する。
このレーザモジュールでは、光源であるレーザ素子A1(A2)が前記したように設計されているので、FBG24aから帰還する戻り光を受けることにより、レーザ素子A1(A2)の発振レーザ光はその発振波長が安定化しており、かつその発振スペクトルはマルチモード化していて光出力の時間的変動がない。
【0050】
したがって、このレーザモジュールでは、上記した発振レーザ光が光ファイバ24を伝送されているので、その出射光の光出力は非常に安定化している。
【0051】
【実施例】
実施例1〜3、比較例
(1)レーザ素子の構造
DCH構造を有し、全体として、図2で示した層構造のレーザ素子A1を製作した。このときの各層の仕様は表1に示したとおりである。なお、共振器長(L)はいずれも2100μmである。また、いずれのレーザ素子の場合も、前端面の反射率は2%、後端面の反射率は96%に設定した。更に、電流ブロッキング層8におけるストライプ幅は、いずれも、3.2μmに設定した。
【0052】
【表1】
【0053】
したがって、実施例1〜3、比較例の各レーザ素子におけるΓ値とΓ/d値は表2で示した値となる。
【0054】
【表2】
【0055】
(2)レーザ素子の特性
各レーザ素子を用いて図6で示したレーザモジュールを組み立てた。
なお、レーザ素子に光結合されたFGBは、反射率4%、反射帯域幅0.5nm、中心波長975nmの波長選択特性を有するように設計されているものである。
1.実施例2のレーザ素子が組み込まれているレーザモジュールでレーザ素子の電流−光出力特性を測定した。その結果を図7に示した。
図7から明らかなように、このレーザ素子は注入電流800mAまで極めて安定した状態で高光出力のレーザ光を出射している。
【0056】
2.つぎに、レーザ素子の注入電流を5mA間隔で増加させていき、その都度、レーザモジュールからの光出力(Pf)とモニタ光強度(Im)を測定し、その変化率(%)を算出した。その結果を図8に示す。
図8から明らかなように、このレーザ素子は、注入電流が変化してもその光出力の変化率は0.5%以下であり、注入電流値に対する光出力の安定性は良好である。
【0057】
3.レーザ素子への注入電流を変化させ、そのときに、素子駆動開始から5秒経過した時点における発振レーザ光の発振スペクトルを測定した。その結果を図9に示した。
図9から明らかなように、このレーザ素子は、注入電流の全ての値において、マルチモードで発振している。そこで、図9の発振スペクトルにおいて、そのピーク値から光出力で10dB低い位置におけるスペクトル幅(nm)を読み取り、それを各注入電流に対してプロットした。その結果を図10に示す。
なお、比較例のレーザ素子についても上記と同様にして発振スペクトルを測定し、同様にして10dB低い位置におけるスペクトル幅を読み取り、それも図10に示した。
【0058】
図10から明らかなように、実施例2のレーザ素子の場合は、注入電流が変化しても上記したスペクトル幅の変動は少なく、マルチモード発振が維持されている。これに反し、比較例のレーザ素子の場合は、そのスペクトル幅が大幅に変動し、しばしばシングルモード発振が現出している。
なお、実施例1,3のレーザ素子についても同様の試験を行ったところ、ほとんど同じ結果が得られた。
【0059】
また、実施例2の層構造において、電流ブロッキング層8におけるストライプ幅を変化させてレーザ素子を製作した。これらレーザ素子の電流−光出力特性を測定してキンク出力(PK:mW)を調べた。
その結果を、ストライプ幅との関係図として図11に示した。
なお、実施例1,3のレーザ素子の場合も、図11とほとんど同じ結果が得られた。
【0060】
実施例4
(1)レーザ素子の構造
SCH構造を有し、全体として図4で示した層構造のレーザ素子A2を製作した。このときの各層の仕様は表3に示したとおりである。なお、共振器長(L)は1500μmと2000μmの2種類とした。また、これらのレーザ素子の場合、前端面の反射率は1%、後端面の反射率は92%に設定した。
【0061】
【表3】
【0062】
これらのレーザ素子における井戸層の光閉じ込め係数(Γ)は0.011である。したがって、Γ/d値は1.2×10-3nm-1になっている。
このレーザ素子についても、実施例1〜3の場合と同様にマルチモードで発振することを確認することができた。
【0063】
実施例5〜15
表1で示したDCH構造を有する実施例2の層構造において、井戸層の厚みを変えることによりΓ/d値を変化させ、また共振器長(L)も変えて、表4,5で示した各種のレーザ素子を製作した。これらのレーザ素子を用いて実施例1〜3の場合と同様のレーザモジュールを組み立てた。
【0064】
【表4】
【0065】
【表5】
【0066】
そして、レーザ素子を発振させてその発振レーザ光の発振スペクトルを測定し、マルチモード化の有無を観察した。実施例5〜15のレーザ素子は全て図9で示したような発振スペクトルを示した。共振器長(L)とΓ/d(×10-3nm-1)を座標軸とする座標上にプロットした。以上の結果を図12に示した。
【0067】
図中、□印は実施例5、+印は実施例6,13、△印は実施例7,10、×印は実施例8、*印は実施例9、−印は実施例11、○印は実施例12、▲印は実施例14、■印は実施例15を示す。
なお、参考のために、実施例4のレーザ素子A2の場合の結果も図12で◆印として示した。
【0068】
図12から明らかなように、Γ/d値が1.3×10-3nm-1以下となるように設計されている各実施例のレーザ素子は、共振器長(L)の長短に無依存で、いずれも、図9で示したように、マルチモードで発振し、しかもその光出力は安定化している。このことから、発振スペクトルのマルチモード化、すなわち光出力の安定化を実現するためには、Γ/d値を1.3×10-3nm-1以下に設定することの有効性が明らかである。
【0069】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明のレーザ素子は、戻り光の作用で発振波長が安定化し、また井戸層の光閉じ込め係数(Γ)とその厚み(d)との関係を、戻り光とコピーレントコラプス現象が発現するように設計しているので、発振レーザ光の発振スペクトルはマルチモード化し、もってその光出力が安定化する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザ素子の使用形態を示す概略図である。
【図2】本発明のレーザ素子の1例A1の層構造を示す断面図である。
【図3】レーザ素子A1における層構造Dのバンド構造図の1例である。
【図4】本発明の別のレーザ素子A2の層構造を示す斜視図である。
【図5】レーザ素子A2における層構造Eのバンド構造図の1例である。
【図6】本発明のレーザモジュールの1例を示す断面図である。
【図7】実施例2のレーザ素子の電流−光出力特性図である。
【図8】実施例2のレーザ素子を組み込んだレーザモジュールのPf変化率とIm変化率を示すグラフである。
【図9】各注入電流における発振スペクトル図である。
【図10】図9の発振スペクトル図から誘導された注入電流とスペクトル幅との関係を示すグラフである。
【図11】 電流ブロッキング層のストライプ幅とキンク出力の関係を示すグラフである。
【図12】マルチモード発振した実施例5〜15の半導体レーザ素子における、共振器長(L)とΓ/d値とを座標上にプロットしたグラフである。
【符号の説明】
1 基板
2A 下部クラッド層
2B 上部クラッド層
3 コンタクト層
4A n型電極
4B p型電極
5 活性層
5A1,5A2 井戸層
5B0 障壁層
5B1,5B2 サイド障壁層
6A 下部キャリアブロック層
6B 上部キャリアブロック層
7A 下部光閉じ込め層
7B 上部光閉じ込め層
8 電流ブロッキング層
20 パッケージ
20a パッケージ20の底板
21 ペルチェモジュール
22 ベース材
23 チップキャリア
24 光ファイバ
24a FBG
25 ファイバ固定材
26 スリーブ
27 フォトダイオード
Claims (8)
- 量子井戸構造から成る活性層を有する層構造を備え、かつ戻り光の作用により安定化した波長のレーザ光を発振し、その発振スペクトルはマルチモードであるファブリ・ペロー型の半導体レーザ素子であって、
前記井戸層1層当たりの光閉じ込め係数をΓ、井戸層の厚みをd(nm)としたとき、Γとdの間では、次式:
Γ/d≦1.3×10-3nm-1
で示される関係が成立していることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記戻り光は、光帰還機構からの戻り光である請求項1の半導体レーザ素子。
- 前記光帰還機構が、ファイバブラッググレーティングである請求項2の半導体レーザ素子。
- 前記活性層における井戸層の1層の厚みは8.5nm以上である請求項1の半導体レーザ素子。
- 前記活性層における障壁層の伝導帯のバンドギャップエネルギーと井戸層の伝導帯のバンドギャップエネルギーの差が170meV以下になっている請求項1の半導体レーザ素子。
- 前記活性層を挟んで光閉じ込め層が形成されていて、前記活性層と前記光閉じ込め層の間には、前記活性層と前記光閉じ込め層のそれぞれの伝導帯におけるバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するキャリアブロック層が介装されている請求項4の半導体レーザ素子。
- 前記活性層を挟んで光閉じ込め層が形成されていて、前記活性層と前記光閉じ込め層の間には、前記活性層と前記光閉じ込め層のそれぞれの伝導帯におけるバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するキャリアブロック層が介装されている請求項5の半導体レーザ素子。
- 請求項1〜7のいずれかの半導体レーザ素子の出射端面に光ファイバが光結合されていることを特徴とするレーザモジュール。
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