JP6461436B1 - 熱電クーラー内蔵型ステム - Google Patents

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Abstract

表面に光学モジュールなどの温度制御対象体を搭載した第1のステム部材(1、1a)と、前記第1のステム部材(1、1a)と対向する第2のステム部材(2)と、前記第1のステム部材(1、1a)と前記第2のステム部材(2)とに挟まれた前記温度制御対象体を制御する熱電クーラー(5)と、を備えた熱電クーラー内蔵型ステムとするとともに、前記第1のステム部材(1、1a)と前記第2のステム部材(2)間の空間を、熱伝導率が低い絶縁性樹脂(6)で充填した。

Description

この発明は光学モジュールの温度制御機能を実現する熱電クーラー内蔵型ステムに関するものである。
従来の熱電クーラー(以下ではTEC:Thermoelectric Coolerと呼ぶこともある)及び光学構成要素を備えた同軸冷却光学モジュールにおいては、ステム上面(アイレットの上面と呼ぶこともある)にTECを搭載し、TEC上面に光学部品やその他の部品を積み上げて実装し、同軸冷却光学モジュールの構成にしている(例えば、特許文献1参照)。
また、TECの上面に部品を実装するボックスタイプの光ファイバモジュールの構成が開示されている(例えば、特許文献2参照)。また、ペルチェ素子に光源として用いる発光素子の取り付けを容易にした構成が開示されている(例えば、特許文献3参照)。また、リード電極周縁の突起部との干渉をなくし、高周波伝播損失を少なくする光素子用ステムの構成が開示されている(例えば、特許文献4参照)。さらに、既存のCANパッケージを使用して、ペルチェ素子をステムの下に配置して素子全体を冷却する構成が開示されている(例えば、特許文献5参照)。
特開2006−210935号公報 特開平9−325247号公報 特開2014−157898号公報 特開2007−150182号公報 特開2005−50844号公報
従来の方法では、熱電クーラーそのものに光学部品を積み上げていく必要があるため、搭載部品による応力などにより、光学部品の光軸が安定せず、光路の変動など、光軸に関する光学部品の特性に影響を与える可能性がある。また、熱電クーラーの熱電素子に対する応力も大きいため、落下の衝撃や振動などの外乱によって熱電クーラーが破壊されることがあるという問題点があった。
この問題点について、図8を用いて、以下さらに詳しく説明する。光学モジュールを構成する場合には、例えば図8に示すように、熱電クーラー5の真上の位置に、光学部品7を搭載する必要がある。この場合、ステム20からの高さが高くなり、その姿勢が不安定な状態となり易いため、熱ストレスなどにより、光学部品7の一部品であるLDチップ10の光軸がずれやすくなるなど、光軸に関する不具合が懸念される。
また、熱電クーラー5に対して、光学部品7に使用した積み上げ部品の自重がかかるため、振動や衝撃が加わった際に、熱電クーラー5に加わる応力が大きくなり、熱電クーラー5の支柱となる熱電素子5aの破壊や、熱電クーラー5の基板5bとステム20の接合部分からの剥離が発生しやすくなる。
特に、熱電クーラー5とステム20を導電性樹脂でボンディングしている場合は、衝撃による剥離の可能性が高くなる。
なお、LDチップに電気信号を供給するリード3a、および熱電クーラー5に電気信号を供給するリード3bは、ステム20の上面から突出してステム20に取り付けられている。また、リード3bは、接続ポイント部4で、熱電クーラー5の基板5bと接続されている。
上述の課題を解決するため、本発明においては、CANタイプの光学モジュールの温度制御機能を、ステムの一機能として実現する熱電クーラー内蔵型ステムであって、特に、部材に対する応力変動などによる光軸の位置変動など、光軸に関する特性変動の発生を抑制する熱電クーラー内蔵型ステムを実現することを目的とする。また、特に、外気の影響による熱電クーラーの破壊を抑制するため、ステムの一部材に内蔵した構成部品の延伸輪郭線が熱電クーラーを取り囲むよう構成した熱電クーラー内蔵型ステムを実現することを目的とする。
本発明に係る熱電クーラー内蔵型ステムは、
表面に温度制御対象体が搭載されるとともに、内部に樹脂により環状にモールドされ、環状の外側部分が外気の温度の影響を直接受ける環状樹脂モールド部を有する第1のステム部材と、
前記第1のステム部材の裏面側に配置され、前記第1のステム部材との間に前記温度制御対象体の温度制御を行う熱電クーラーを挟み込む第2のステム部材と、
前記熱電クーラーを取り囲むとともに、前記第1のステム部材および前記第2のステム部材間に充填された絶縁性樹脂と、
前記第2のステム部材を貫通して前記第1のステム部材に繋がるとともに、前記温度制御対象体に電気信号を供給するリードと、
前記第2のステム部材を貫通し、前記熱電クーラーの電極であるアノードとカソードに接合される前記リードとは別のリードと、
を備え、
前記環状樹脂モールド部が前記第1のステム部材の厚さ方向に貫通して設けられていることにより、前記第1のステム部材は、前記環状樹脂モールド部のリングの外側に配設される第1のステム部材外側と、前記環状樹脂モールド部のリングの内側に配設される第1のステム部材内側とに、熱的に分離されているとともに、前記熱電クーラーは、前記環状樹脂モールド部のリングの内側直下の位置に全体が配置されていることを特徴とするものである。
本発明の熱電クーラー内蔵型ステムは、ステム上面における搭載部品の高さサイズを小さくすることが可能であり、部品に及ぼす応力変動を減少させることにより光学モジュールの光軸に関する特性変動への影響を抑制できる。また、内蔵する熱電クーラーを、落下の衝撃、あるいは振動などの外乱から保護することができる。さらに、熱電クーラーを熱電クーラー内蔵型ステムの外部から制御できるとともに、周囲温度の影響を受けにくい構造とすることで、熱電クーラーによる温度コントロール範囲を広げることが可能となる。

本発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムの一例を示す図である。 本発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムに光学モジュールを搭載した図である。 本発明の実施の形態2に係る熱電クーラー内蔵型ステムの一例を示す図である。 本発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムに対する外気の影響を説明するための図である。 本発明の実施の形態2に係る熱電クーラー内蔵型ステムに対する外気の影響を説明するための図である。 図3の熱電クーラー内蔵型ステムの第1のステム部材の構造を詳しく説明するための上面図である。 本発明の実施の形態3に係る熱電クーラー内蔵型ステムの一例を示す図である。 本発明の課題を説明するための図である。
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムについて、図を基にして以下説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムの一例を示す図である。また図2は本発明の実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムに光学モジュールを搭載した図である。
図1において、光学モジュールなどの温度制御対象体を搭載するための円板状の第1のステム部材1のすぐ下側には、この光学モジュールを適切な温度に冷却するための熱電クーラー5(以下、TEC5と呼ぶこともある。TEC:Thermoelectric Cooler)が、第1のステム部材1と対向して同軸上に配置された円板状の第2のステム部材2の、上面に搭載されている。ここで、熱電クーラー5は、第1のステム部材1および第2のステム部材2の表面に、半田付けや導電性樹脂などの導電性材料で接合されている。
また、上記第1のステム部材1と第2のステム部材2には、上記光学モジュールに電気信号を供給するリード3aが、2つのステムの軸方向に貫通して設けられている。そして、図2に示すように、このリード3aは、第1のステム部材1の上面に突き出ていることにより、第1のステム部材1の上面に搭載される光学部品7の一構成部品であるLD(レーザダイオード、Laser Diodeの略)チップ10と、(図示しない)Auワイヤなどで接続することにより、外部からの動作の制御が可能となる。
また、上記の熱電クーラー5に電気信号を供給するリード3bが、第2のステム部材2を貫通して設けられ、接続ポイント部4で、熱電クーラー5の基板5bと接続されている。
また、熱電クーラー5の電極である(図示しない)アノードとカソードは、上記の接続ポイント部4において、上記リード3bと半田などにより接合されている。これにより、上記アノードとカソードの2つの端子は、熱電クーラー5の外部からの制御用端子(電極)として用いることができる。
さらに、上記第1のステム部材1と第2のステム部材2との間には、熱伝導率の小さい絶縁性樹脂6が、第1のステム部材1と第2のステム部材2の間のスペースを埋め尽くすように充填されるか、あるいは、熱電クーラー5を取り囲むように充填されている。
これにより、熱電クーラー5が発生する熱の影響を、第1のステム部材1と第2のステム部材2との間で分ける役割を果たしている。また、このことに加え、落下の衝撃や振動などによる外乱から熱電クーラー5を保護する役割を果たしている。
なお、第1のステム部材1と第2のステム部材2とを貫通するリード3aは、第1のステム部材1および第2のステム部材2の適宜の同一半径上、ほぼ等間隔に離されて4箇所設置され、絶縁性樹脂6と共に、熱電クーラー5を保護するための補強材となる。
次に、図2を用いて、第1のステム部材1の上面に熱電クーラー5以外の部品が構成される場合の、本実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムの作用について説明する。
この図に示すように、第1のステム部材1の上面に熱電クーラー5以外の部品である光学部品7を搭載した例である。第1のステム部材1の上面に光学部品7を搭載しているため、ステムからの部品の高さを、熱電クーラー5の高さ分だけ減らすことが可能となる。
従って、図8に示した、熱電クーラー5に直接、光学部品7を設置する場合に比較して、光学部品7の一部品であるLDチップ10の光軸の、熱ストレスなどによる角度ずれが抑制されるため、この光軸に関する不具合の発生率を減らすことができる。
また、熱電クーラー5は、その周囲を熱伝導率が小さい絶縁性樹脂6で覆われていることに加え、第2のステム部材2および第1のステム部材1の双方のステムを貫通するリード3aで補強されるため、耐衝撃性や耐振動性を、より向上させることが可能となる。
以上説明したように、本実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムにおいては、ステム上面の搭載部品の高さを低くできることにより、上述のような光軸に関する特性変動を抑制できる。また、第1のステム部材と第2のステム部材の間に樹脂を充填して、熱電クーラーを直に覆う、又は熱電クーラーの周囲を覆うこと、及び、第1のステム部材あるいは第2のステム部材を貫通するリード3a、あるいは第2のステム部材を貫通するリード3bを設けることにより、衝撃や振動などの外乱から熱電クーラーを保護することが可能である。
以上において、熱電クーラーは、第1のステム部材1あるいは第2のステム部材2と、半田や導電性樹脂などを用いて接続され、熱電クーラーの動作を制御するために、熱電クーラーに電流を供給するためのリード3bは、第2のステム部材2を貫通し、その上面へ突き出した形になっている。ここで、熱電クーラーの電極であるアノード端子、カソード端子と、リード3bとの接続は、半田付けなどの溶接により行われる。
一方、第1のステム部材1に搭載する部品である、光学部品7の一部品であるLDチップ10の動作制御のため、電流を供給するためのリード3aは、第1のステム部材1と第2のステム部材2の双方を貫通して設けられており、光学部品7に対する振動などの外乱を抑制する役割も兼ねている。
また、第1のステム部材(外周)と第2のステム部材(外周)間の空間(第1のステム部材の下面と、第2のステム部材の上面と、これら2つの部材の外周同士を繋ぐ曲面とで囲まれた円筒形状体の内部の空間)は、絶縁性樹脂の充填により補強されており、この絶縁性樹脂の形成は、熱電クーラーを取り囲むようにするか(この場合には絶縁性樹脂と熱電クーラーとの間に隙間が生じている)、熱電クーラーの支柱となる熱電素子5aの部分も充填して埋め尽くすか、のいずれの方法でも形成することが可能である。この絶縁性樹脂は、熱伝導率が小さく、絶縁性のあるものである。これらによって、温度コントロールが可能な機能をもった熱電クーラー内蔵型ステムを形成することが可能となる。
以上をまとめると、本実施の形態1に係る熱電クーラー内蔵型ステムは、上記の文献による発明またはその組み合わせとは、特に以下の点で明確に異なる特徴を持つ。
1つ目は、ステムの外部に熱電クーラーを配置する従来の技術とは異なり、単体のステムの一部として冷却機能を有する熱電クーラーを持つ形態としたものであることである。2つ目は、熱電クーラーの周囲に絶縁性樹脂を形成したことにより、熱電クーラー内蔵型ステムとして構成していることである。3つ目は、熱電クーラーの保護のために、ステムを貫通するリードを利用していることである。
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係る熱電クーラー内蔵型ステムについて、図3を基にして以下説明する。
実施の形態1で説明した熱電クーラー内蔵型ステムとの違いは、図3に示すように、第1のステム部材1aに、樹脂によりリング状にモールドされた領域である環状樹脂モールド部8が形成されている点である。この環状樹脂モールド部8は、熱電クーラーの機能を向上させるためにこの第1のステム部材1aに形成されたものである。この実施の形態2に係る熱電クーラー内蔵型ステムについて、以下詳しく説明する。
光学モジュール(図示しない)の各部品が実装される領域は、この図3に示す環状樹脂モールド部8の内側になっている。そして、この内側直下の位置に、熱電クーラー5の全体が配置されることで、熱電クーラー5により、第1のステム部材1aを介して光学モジュールに熱を加えたり、逆に熱を下げたりすることが可能である。なお、上記の第1のステム部材1a内に設けられた上記環状樹脂モールド部8は、その環状の輪郭部分の前記絶縁性樹脂への延伸輪郭線15(図3中の点線参照)が、前記熱電クーラーを取り囲むように構成されている。さらに好ましくは、前記複数のリード線3aの軸心を通るリング線の内側位置に上記環状樹脂モールド部8は配置される。
この場合において、環状樹脂モールド部8が形成しているリングの外側部分は、外気の温度の影響を直接受けるため、環状樹脂モールド部8が無い場合には、熱電クーラー5が外気の影響を受けやすく、熱電クーラー5がその機能を十分に果たせなくなるケースが考えられる。このため、環状樹脂モールド部8を設けることで、熱電クーラー5に対する外気温度の影響を少なくしている。
次に、本実施の形態2の作用について説明する。
図4の実施の形態1で説明した熱電クーラー内蔵型ステムを使用した場合においては、外気30が、光学モジュールに搭載したデバイスの温度より高温の場合、熱電クーラー5の上面を冷やすことで第1のステム部材1下面の温度が下がり、第1のステム部材1上面との温度差による熱伝導によって(図中の矢印参照)、第1のステム部材1の全体温度を下げるが、駆動したいデバイスの温度と外気30の差が大きい場合、熱電クーラー5の機能が不足して温度が下がらないケースが想定される。
このため、図5に示すように、第1のステム部材1aにリング状の環状樹脂モールド部8を設ける。そして、この環状樹脂モールド部8により、外気30の影響を受けやすい第1のステム部材1aを、環状樹脂モールド部8のリングの外側部分と、影響を受けにくい環状樹脂モールド部8のリングの内側部分とに分離した構成(以下で詳しく説明する)とすることで、熱電クーラー5が外気30の温度の影響を受けにくくし、熱電クーラー5の能力を十分発揮させることが可能となる。
図6は、第1のステム部材1aの構造をさらに詳しく説明するため、上記第1のステム部材1aを上側から見た上面図である。
この図において、第1のステム部材1aと第2のステム部材2を貫通するリード3aは、リング状の環状樹脂モールド部8の外側のほぼ同じ半径位置に、互いに等間隔に離れて4個配置されている。また、この環状樹脂モールド部8は、第1のステム部材1aの厚さ方向に貫通する形態で設けられている
従って、この環状樹脂モールド部8によって、第1のステム部材1aは、第1のステム部材外側12と第1のステム部材内側11に、熱的に分離される。この結果、第1のステム部材内側11の裏面に、その上面がボンディングされている熱電クーラー5(その輪郭位置を図中に点線で示す)により、第1のステム部材内側11の部分を第1のステム部材外側12と分離して、温度コントロールすることが可能である。
このように、第1のステム部材1aに環状樹脂モールド部8を設け、周囲温度の影響を受けにくい構造とすることで、熱電クーラーによる温度コントロール範囲を広げることが可能となる。
実施の形態3.
この発明の実施の形態3に係る熱電クーラー内蔵型ステムの一例について、図7を基にして以下説明する。
図7に示すように、本実施の形態の熱電クーラー内蔵型ステムは、第1のステム部材1aと第2のステム部材2間に、補強棒9を、さらに追加して設けた構成とした点が、実施の形態2で説明した熱電クーラー内蔵型ステムと異なり、その他の構成は同じである。この補強棒9は、図に示すように、第1のステム部材1aと第2のステム部材2を繋ぐように、これらのステムの半径位置において、各リードの配置位置よりもさらに外周側に、溶接により固定されて複数本設置されている。
この補強棒9は、熱電クーラーに対する、第1のステム部材1と第2のステム部材2を貫通するリード、および絶縁性樹脂による外乱からの保護を、さらに強化するものであり、熱電クーラー5を衝撃や振動などの外乱から保護するための補強材の役割を果たすものである。
なお、この図では第1のステム部材に環状樹脂モールド部8が形成されている例で説明したが、これに限らず、実施の形態1で説明したように、第1のステム部材に環状樹脂モールド部8が形成されていないものであっても、外気の影響が少ない場合には、同様の効果を奏する。
次に、この実施の形態3に係る熱電クーラー内蔵型ステムの作用について説明する。
図7に示すように、第1のステム部材1aと第2のステム部材2の間に補強棒9を設けることで、絶縁性樹脂による構造強度の面からの熱電クーラー5の保護に加え、構造強度の面からの保護が可能となる。これにより、第1のステム部材1aと第2のステム部材2の内部に搭載される熱電クーラー5や接続ポイント部4を保護できる。
以上説明したように、本実施の形態に係る熱電クーラー内蔵型ステムにおいては、第1のステム部材1a、第2のステム部材2の間に搭載される部品を、衝撃や振動などの外乱から、さらに強化して保護できる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。例えば、以上においては、第1のステム部材と第2のステム部材が上下方向(重力方向)に設置されている例で説明したが、これに限らず、これらの部材が左右方向(重力方に垂直な方向)に設置されていてもよい。また、光学モジュールに電気信号を供給する複数のリードは、第2のステム部材を貫通している例で説明したが、これに限らず、第1のステム部材を貫通していない形態、すなわち、リード上端が、第1のステム部材の上面と同一面あるいは、ほぼ同一面であってもよい。また上記リードの本数は、図では4本の場合を例に示したが、これに限らず3本以上であれば、同様の効果を奏する。
1、1a 第1のステム部材、2 第2のステム部材、3、3a、3b リード、4 接続ポイント部、5 熱電クーラー、5a 熱電素子、5b 基板、6 絶縁性樹脂、7 光学部品、8 環状樹脂モールド部、9 補強棒、10 LDチップ、11 第1のステム部材内側、12 第1のステム部材外側、15 延伸輪郭線、30 外気

Claims (5)

  1. 表面に温度制御対象体が搭載されるとともに、内部に樹脂により環状にモールドされ、環状の外側部分が外気の温度の影響を直接受ける環状樹脂モールド部を有する第1のステム部材と、
    前記第1のステム部材の裏面側に配置され、前記第1のステム部材との間に前記温度制御対象体の温度制御を行う熱電クーラーを挟み込む第2のステム部材と、
    前記熱電クーラーを取り囲むとともに、前記第1のステム部材および前記第2のステム部材間に充填された絶縁性樹脂と、
    前記第2のステム部材を貫通して前記第1のステム部材に繋がるとともに、前記温度制御対象体に電気信号を供給するリードと、
    前記第2のステム部材を貫通し、前記熱電クーラーの電極であるアノードとカソードに接合される前記リードとは別のリードと、
    を備え
    前記環状樹脂モールド部が前記第1のステム部材の厚さ方向に貫通して設けられていることにより、前記第1のステム部材は、前記環状樹脂モールド部のリングの外側に配設される第1のステム部材外側と、前記環状樹脂モールド部のリングの内側に配設される第1のステム部材内側とに、熱的に分離されているとともに、前記熱電クーラーは、前記環状樹脂モールド部のリングの内側直下の位置に全体が配置されていることを特徴とする熱電クーラー内蔵型ステム。
  2. 前記第1のステム部材および前記第2のステム部材を貫通し、前記温度制御対象体に電気信号を供給するリードを複数備えたことを特徴とする請求項1に記載の熱電クーラー内蔵型ステム。
  3. 前記熱電クーラーは、支柱となる熱電素子と、前記第1のステム部材および前記第2のステム部材にそれぞれ接合する基板と、を備え、前記熱電クーラーに電気信号を供給する別のリードに接続ポイント部を介して接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の熱電クーラー内蔵型ステム。
  4. 前記第1のステム部材と前記第2のステム部材とに繋がる補強棒を設けたことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の熱電クーラー内蔵型ステム。
  5. 前記第1のステム部材は、温度を変更するデバイスを搭載する部分と、温度を変更するデバイスを搭載しない部分とに分離された構造を有していることを特徴とする請求項1に記載の熱電クーラー内蔵型ステム。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7507682B2 (ja) * 2020-12-28 2024-06-28 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ用ステム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59193080A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 発光半導体装置
JPH08125282A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザモジュール及び電子冷却ユニット
JP2001326412A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体モジュール
JP2005050844A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Seiko Instruments Inc レーザダイオードモジュール

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745974Y2 (ja) 1987-11-30 1995-10-18 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール
NL8800140A (nl) * 1988-01-22 1989-08-16 Philips Nv Laserdiode module.
JP2986242B2 (ja) 1991-05-13 1999-12-06 株式会社トプコン 温度制御装置付き半導体レーザ
JPH09186379A (ja) * 1996-01-04 1997-07-15 Miyachi Technos Corp レーザ冷却用熱交換器及びレーザ装置
JPH09325247A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Oki Electric Ind Co Ltd 光ファイバモジュール
JP3252902B2 (ja) * 1998-12-21 2002-02-04 日本電気株式会社 温度制御ユニット
US6252726B1 (en) * 1999-09-02 2001-06-26 Lightlogic, Inc. Dual-enclosure optoelectronic packages
GB2373636B (en) * 2000-11-29 2004-09-08 Mitsubishi Chem Corp Semiconductor light emitting device with two heat sinks in contact with each other
US6868104B2 (en) * 2001-09-06 2005-03-15 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control
US6519157B1 (en) * 2001-10-23 2003-02-11 Nlight Photonics Corporation System and method for mounting a stack-up structure
US6867368B2 (en) * 2002-02-14 2005-03-15 Finisar Corporation Multi-layer ceramic feedthrough structure in a transmitter optical subassembly
JP2004327791A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp 半導体レーザモジュール及びその放熱方法、映像表示装置
JP2005303242A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Hitachi Cable Ltd 冷却機能付き電気−光変換モジュール
US7118292B2 (en) 2005-01-24 2006-10-10 Emcore Corporation Coaxial cooled laser modules with integrated thermal electric cooler and optical components
JP4923542B2 (ja) 2005-11-30 2012-04-25 三菱電機株式会社 光素子用ステムとこれを用いた光半導体装置
JP2009064829A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Nec Corp 光送信モジュールおよび光送信装置
CN101989596B (zh) * 2009-07-30 2012-10-10 爱信精机株式会社 热电模块和光发送装置
CN202586075U (zh) * 2012-05-16 2012-12-05 深圳新飞通光电子技术有限公司 一种高速同轴封装致冷型激光器组件
US9059555B2 (en) * 2012-09-12 2015-06-16 Innovative Photonic Solutions Wavelength-stabilized diode laser
KR101473650B1 (ko) * 2012-11-30 2014-12-17 (주) 빛과 전자 온도 조절이 가능한 고속 전송용 레이저 다이오드
JP6049489B2 (ja) 2013-02-15 2016-12-21 三菱電機株式会社 光源モジュール
KR101980288B1 (ko) * 2013-05-06 2019-05-20 한국전자통신연구원 고주파 광 모듈 및 이를 구비한 광 통신 장치
US9755399B2 (en) * 2015-05-05 2017-09-05 Boreal Laser Inc. Packaged laser thermal control system
KR101896697B1 (ko) * 2015-11-04 2018-09-11 한국전자통신연구원 다채널 광 모듈 및 그의 제조 방법
DE102016102327B4 (de) * 2016-02-10 2018-02-08 Schott Ag Gehäuse für ein elektronisches Bauelement sowie Lasermodul

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59193080A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Hitachi Ltd 発光半導体装置
JPH08125282A (ja) * 1994-10-28 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザモジュール及び電子冷却ユニット
JP2001326412A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体モジュール
JP2005050844A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Seiko Instruments Inc レーザダイオードモジュール

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