JPH10256648A - レーザダイオード・モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品点数が少ないレーザダイオード・モジュ
ールの提供。 【解決手段】 レーザダイオード（ＬＤ）と、前記ＬＤ
を駆動する駆動回路と、前記ＬＤの戻り光に起因する雑
音を抑止する高周波重畳回路とを単一の封止体に組み込
んでなるレーザダイオード・モジュールであって、前記
封止体は前記駆動回路および高周波重畳回路を組み込ん
だ封止本体と金属製の蓋体とからなり、前記封止本体に
は貫通状態に埋め込まれたヒートシンクを有し、前記ヒ
ートシンクにはレーザダイオードチップが固定され、前
記蓋体には前記ＬＤチップから出射されたレーザ光を封
止体の外に案内する透明ガラス板が取り付けられ、前記
封止体の少なくとも下面には表面実装用の電極層が設け
られ、かつ前記蓋体はグランドに接地される構造になっ
ている。前記ＬＤチップの一端側にはミラーが配置さ
れ、前記ＬＤチップから出射されたレーザ光を前記透明
ガラス板に案内する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は表面実装型のレーザ
ダイオード・モジュールに関し、たとえばレーザダイオ
ード（ＬＤ：半導体レーザ）の反射戻り光による弊害を
高周波重畳（高周波重畳回路）によって解消するレーザ
ダイオード・モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザは、光通信や光ディスク，
レーザビームプリンタ等情報処理装置の光源として広く
使用されている。

【０００３】半導体レーザから出射されたレーザ光の戻
り光は雑音の発生に繋がり、システム構成上好ましくな
い。たとえば、日経ＢＰ社発行「日経エレクトロニク
ス」1983年10月10日号、P173〜P194には、半導体レーザ
における反射戻り光はビデオ・ディスクにおいては画質
の劣化を引き起こすことが記載されている。

【０００４】また、この文献には、ビデオディスク用の
レーザとして、高周波モジュールを付加した半導体レー
ザ・パッケージ（レーザダイオード・モジュール）が記
載されている。この光電子装置は、高周波を重畳するこ
とによって戻り光の影響を解消し、安定したレーザ発振
を行っている。

【０００５】また、特願平6-153217号公報にも同様のＬ
Ｄモジュールについて記載されている。同文献に開示さ
れているＬＤモジュールは、その構成を要約すれば下記
のとおりである。

【０００６】すなわち、ＬＤモジュールは、板状のヒー
トシンクの一面にＬＤを実装し、他面に高周波重畳回路
や駆動回路が組み込まれたハイブリッドＩＣを実装した
構造になっている。ＬＤはＴＯ型キャンパッケージ構造
であり、前記ヒートシンクに設けた貫通穴に嵌合固定さ
れ、リード端子は前記ハイブリッドＩＣに接続されてい
る。また、ハイブリッドＩＣは、ケースの一端から４本
の外部接続用ピン端子を突出させる構造となるととも
に、前記ヒートシンク（モジュール基板）にリベットで
固定されるカバーによってヒートシンクに固定されるよ
うになっている。

【０００７】一方、本出願人においては、モジュール基
板に高周波重畳回路および駆動回路を組み込んだハイブ
リッドＩＣを重ねて固定するとともに、ＴＯ形の半導体
レーザ装置を組み込み、さらに金属性のカバーで覆って
電磁遮蔽構造としたレーザダイオード・モジュールを提
案（特願平8-293537号公報）している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスクメモリ
システム用光源として使用されているレーザダイオード
・モジュールは、システム動作時の雑音（ノイズ）を抑
制するための高周波重畳回路が組み込まれている。

【０００９】この高周波重畳回路はシステム構築時にレ
ーザダイオードとは別に設定する場合もあるが、レーザ
ダイオード・モジュールとして、高周波重畳回路（ハイ
ブリッドＩＣ）とレーザダイオードとの組み合わせによ
る複合製品とする場合もある。その場合、製品の組立構
造は窓ガラス付きパッケージに組み立てられたレーザダ
イオードを別部品の放熱板（ヒートシンク）に圧入等で
固定し、高周波重畳回路を別部品として取り付け、さら
に高周波重畳回路から発生する不要輻射を抑制のため製
品に金属性カバーで覆う構造になっている。

【００１０】しかし、このような従来のレーザダイオー
ド・モジュールは、モジュール基板に重なるハイブリッ
ドＩＣ基板部分にＴＯ形半導体レーザ装置のリードを挿
入する構造となり、半導体レーザ装置を形成する部品点
数が多い。

【００１１】また、レーザダイオード・モジュールの実
装にあっては、モジュール基板を所定箇所に固定し、か
つハイブリッドＩＣ基板から突出するリードを実装基板
の電極に電気的に接続する構成になっていることから、
実装部品点数が多いことと、実装がモジュール基板の固
定とリードの接続となり作業工数が多い。また、パッケ
ージ寸法が大きくなる。

【００１２】本発明の目的は、部品点数の少ない高周波
重畳回路付きレーザダイオード・モジュールを提供する
ことにある。

【００１３】本発明の他の目的は、実装が容易な高周波
重畳回路付きレーザダイオード・モジュールを提供する
ことにある。

【００１４】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１６】（１）レーザダイオードと、前記レーザダ
イオードを駆動する駆動回路と、前記レーザダイオード
の戻り光に起因する雑音を抑止する高周波重畳回路とを
単一の封止体に組み込んでなるレーザダイオード・モジ
ュールであって、前記封止体は前記駆動回路および高周
波重畳回路を組み込んだ封止本体と金属製の蓋体とから
なり、前記封止本体には貫通状態に埋め込まれたヒート
シンクを有し、前記ヒートシンクにはレーザダイオード
チップが固定され、前記蓋体には前記レーザダイオード
チップから出射されたレーザ光を封止体の外に案内する
光結合部品が取り付けられ、前記封止体の少なくとも下
面には表面実装用の電極層が設けられ、かつ前記蓋体は
グランドに接地される構造になっている。前記レーザダ
イオードチップの一端側にはミラーが配置され、前記レ
ーザダイオードチップから出射されたレーザ光を前記光
結合部品に案内する構造になっている。前記光結合部品
は前記蓋体に設けらた穴部分に取り付けられた透明ガラ
ス板で構成されている。

【００１７】（２）前記手段（１）の構成において、前
記穴の周囲の蓋体部分にはリング状に屈曲形成した応力
緩和部が設けられている。

【００１８】（３）前記手段（１）の構成において、前
記穴部分は一段低くなっている。

【００１９】（４）前記手段（１）の構成において、前
記穴の下部の封止本体上には、前記穴を囲むような電磁
遮蔽板が設けられている。

【００２０】（５）前記手段（１）の構成において、前
記封止本体の側壁に透明ガラス板等の光結合部品が配置
され、前記レーザダイオードチップから出射されたレー
ザ光は直接前記透明ガラス板に向かうように構成されて
いる。

【００２１】（６）前記手段（１）乃至（５）の構成に
おいて、前記封止本体の一辺を張り出させて、この張出
部分の上下面と側面に前記電極層を設けた構造になって
いる。

【００２２】前記（１）の手段によれば、（ａ）封止体
の蓋体に透明ガラス板を取り付け、レーザダイオードチ
ップは封止本体に設けたヒートシンクに直接固定した構
造になり、従来のようにＴＯ形の半導体レーザ装置をモ
ジュール基板に取り付ける構成とは異なり、部品点数が
少なくなる。

【００２３】（ｂ）レーザダイオード，駆動回路，高周
波重畳回路の電極は、封止体の下面に電極層として設け
られていることからこれらの電極層を実装基板に固定す
ることによって回路の接続とレーザダイオード・モジュ
ールの固定が同時に行える。

【００２４】したがって、モジュール基板の固定により
レーザダイオード・モジュールを固定し、リードの実装
基板との接続によって回路の接続を図る従来の構造に比
較して、実装工数の低減が達成できる。

【００２５】（ｃ）レーザダイオードチップの一端側に
はミラーが配置され、前記レーザダイオードチップから
出射されたレーザ光を前記蓋体の透明ガラス板に案内す
る構造になっていることから、封止体の薄型化が達成で
きる。

【００２６】（ｄ）金属製の蓋体は封止本体全体を被
い、かつグランドに接地されることから、高周波重畳回
路から発振される不要輻射はシールドされ、レーザダイ
オード・モジュールを組み込んだシステムの電波雑音干
渉が防止できることになる。

【００２７】前記（２）の手段によれば、前記手段
（１）の構成による効果に加え、前記穴の周囲の蓋体部
分にはリング状に屈曲形成した応力緩和部が設けられて
いることから、透明ガラス板を支持する穴周囲部分が変
形し難くなり、透明ガラス板が傾いたり位置ずれを起こ
さなくなり、光結合効率の低下を引き起こさなくなる。

【００２８】前記（３）の手段によれば、前記手段
（１）の構成による効果に加え、前記穴部分は一段低く
なっていることから、高周波重畳回路から発振される不
要輻射が透明ガラス板部分から外方に漏れ難くなるとと
もに、外部からの電波の進入も起き難くなり、レーザダ
イオード・モジュールを組み込んだシステムの電波雑音
干渉が防止できることになる。

【００２９】前記（４）の手段によれば、前記手段
（３）の構成による効果に加え、前記穴の下部の封止本
体上には、前記穴を囲むような電磁遮蔽板が設けられて
いることから、この電磁遮蔽板により不要輻射がカット
されるため、透明ガラス板部分から外方に不要輻射が漏
れ難くなるとともに、外部からの電波の進入も起き難く
なり、レーザダイオード・モジュールを組み込んだシス
テムの電波雑音干渉が防止できることになる。

【００３０】前記（５）の手段によれば、前記手段
（１）の構成による効果に加え、前記封止本体の側壁に
光結合部品が配置され、前記レーザダイオードチップか
ら出射されたレーザ光は直接前記光結合部品に向かうよ
うに構成されているため、レーザ光を封止体の側方に発
光させることができる。また、この構造は封止体の薄型
化も可能となる。

【００３１】前記（６）の手段によれば、前記手段
（１）乃至手段（５）の構成による効果に加え、前記封
止本体の一辺を張り出させて、この張出部分の上下面と
側面に前記電極層を設けた構造になっていることから、
レーザダイオード・モジュールの実装において、表面実
装以外に張出部分をコネクタ等に差し込んで実装した
り、あるいはワイヤボンディング等による実装も可能に
なる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３３】（実施形態１）本実施形態１では光磁気デ
ィスクメモリシステム用光源としてのレーザダイオード
・モジュール、すなわち高周波重畳回路を組み込んだレ
ーザダイオード・モジュールについて説明する。

【００３４】図１乃至図５は本発明の実施形態１のレー
ザダイオード・モジュールに係わる図である。

【００３５】図１および図２に示すように、本実施形態
１のレーザダイオード・モジュール１は、周囲に側壁２
を有する矩形板状の封止本体３と、この封止本体３の上
面にシームウエルドによって重ねて固定された金属製の
蓋体４とからなっている。

【００３６】また、前記蓋体４の中心部分には穴５が設
けられている。前記穴５は、図３に示すように、前記蓋
体４の内側に接合材８を介して固定される透明ガラス板
６によって気密的に塞がれている。たとえば、前記蓋体
４はコバールからなり、前記接合材８は低融点ガラスと
なっている。

【００３７】一方、前記封止本体３の略中央部分にはレ
ーザダイオードチップ７が固定されているとともに、こ
のレーザダイオードチップ７の一端側にはミラー１０が
配置され、前記レーザダイオードチップ７の一端側から
出射したレーザ光１１を反射させ、その上方に位置する
透明ガラス板６に向けて案内するようになっている。レ
ーザ光１１は前記透明ガラス板６から封止本体３と蓋体
４とからなる封止体（パッケージ）１２の外側に発光さ
れる。

【００３８】また、前記封止本体３は、図１乃至図３に
示すように、積層構造のハイブリッドＩＣ基板ともな
り、封止本体３の下面周縁側から側面下部に亘ってそれ
ぞれ電極（電極層）１３が設けられている。これらの電
極１３は、グランド（ＧＮＤ）電極層，レーザダイオー
ド（ＬＤ）に所定の電圧を印加するＬＤ電極層，電源電
圧Ｖｃｃ電極層である。

【００３９】本実施形態１では、前記封止本体３は側壁
２をも含み、３層の積層構造となり、必要箇所に配線１
７を有している。また、側壁２の上面には、銀ロウ付け
（図示せず）による矩形枠状のコバール等からなる厚さ
０．３ｍｍ程度の金属板２５が取り付けられている。前
記蓋体４は前記金属板２５との間でシームウエルドで気
密的に固定されている。

【００４０】前記蓋体４は封止本体３の側面の電極１３
を介して封止本体３の下面の電極１３に電気的に接続さ
れ、蓋体４によって電磁遮蔽を行える構造になってい
る。

【００４１】前記レーザダイオードチップ７は、図３に
示すように、サブマウント１５を介して封止本体３に貫
通状態で埋め込まれたヒートシンク１６に固定されてい
る。レーザダイオードチップ７やサブマウント１５の固
定は、それぞれ所定の接合材２０，２１により固定され
る。また、ミラー１０は特に限定はされないが、ヒート
シンク１６に接合材２２によって固定されている。前記
ヒートシンク１６は熱伝導性の良好な金属板、たとえば
銅板で形成され、封止本体３にロウ付けで固定されてい
る。前記接合材２０，２１，２２はたとえばＰｂＳｎが
使用される。

【００４２】前記サブマウント１５は、熱伝導性の良好
なＳｉＣやＡｌＮによって形成されている。

【００４３】また、前記サブマウント１５はグランド
（ＧＮＤ）となっている。なお、図５ではヒートシンク
１６は省略してあり、各電子部品と、これらの電子部品
を回路的に接続する配線１７を主として示してある。

【００４４】図１の斜線部分は所定の電子部品等を組み
込んだ配線領域１４である。

【００４５】ここで、本実施形態１のレーザダイオード
・モジュール１の等価回路（図４）と、電子部品の配線
領域１４における搭載レイアウト（図５）について説明
する。

【００４６】図４に示すように、レーザダイオード・モ
ジュール１はレーザダイオードチップ（レーザダイオー
ド）７を駆動する駆動回路と、発振を防止する高周波重
畳回路を有する回路構成になっている。すなわち、高周
波重畳を加える発振回路としてはトランジスタ（Ｑ１）
一石のコルピッツ回路を組み込んである。

【００４７】コルピッツ回路は、トランジスタのコレク
タＣとエミッタＥ間およびエミッタとベースＢ間にそれ
ぞれ容量Ｃを組み込むとともに、コレクタとベース間に
コイルＬを組み込む構造となっている。

【００４８】そこで、本実施形態１のレーザダイオード
・モジュール１では、図５に示すようにトランジスタ
（Ｑ１）のコレクタＣとエミッタＥ間にＣ１，Ｃ３を組
み込むとともに、エミッタＥとベースＢ間に容量Ｃ２を
組み込み、かつコレクタＣとベースＢ間にコイルＬ１を
組み込んでコルピッツ回路を構成している。

【００４９】また、外部端子はＶcc, ＬＤ，ＧＮＤの３
端子となっている。Ｃ１〜Ｃ７はコンデンサ、Ｒ１〜Ｒ
３は抵抗、Ｌ１はインダクタである。容量や抵抗は、両
端にそれぞれ電極を有する面実装構造となり、たとえ
ば、長さ１．０ｍｍ幅および高さがそれぞれ０．５ｍｍ
のチップ部品となっている。

【００５０】配線１７は、たとえばＡｇ／ＰｄやＣｕ等
からなる導体ペーストによって形成される。

【００５１】また、前記レーザダイオードチップ７の上
部の電極と、所定の配線１７部分が導電性のワイヤ１８
で接続されている。他の電子部品は半田リフローによっ
て表面実装で封止本体３に搭載されている。

【００５２】前記穴５は直径１．６ｍｍ程度であり、前
記封止本体３の上面と蓋体４との間隔は１ｍｍ前後であ
り、パッケージ１２は薄い構造となっている。また、前
記ヒートシンク１６は１．５ｍｍである。また、封止本
体３の側面および下面に形成される電極（配線）は、た
とえばＭｏ／ＭｎにＮｉ／Ａｕをメッキした構造になっ
ている。

【００５３】図４に示す回路においては、２端子（Ｖcc
,ＧＮＤ）間に適度のＤＣ電圧（Ｖ _CC）を加えると、電
源投入時の擾乱や熱による電流の不規則な振動を種と
し、このうちの容量ＣとコイルＬで形成される共振回路
に選択された成分が増幅され、正帰還を繰り返して発振
を開始し継続する。この結果、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）には高周波が重畳され、レーザダイオードチップ７
から出射されるレーザ光１１の発振はマルチモードとな
り、レーザ光１１の戻り光による発振の乱れは発生し難
くなる。

【００５４】本実施形態１のレーザダイオード・モジュ
ール１は、以下の効果を奏する。

【００５５】（１）封止体１２の蓋体４に透明ガラス板
６を取り付け、レーザダイオードチップ７は封止本体３
に設けたヒートシンク１６に直接固定した構造になり、
従来のようにＴＯ形の半導体レーザ装置をモジュール基
板に取り付ける構成とは異なり、部品点数が少なくな
る。この結果、材料費の低減が達成できるとともに、組
立工数の低減が可能になり、レーザダイオード・モジュ
ール１の製造コストの低減が達成できる。

【００５６】（２）レーザダイオードチップ７，駆動回
路，高周波重畳回路の電極は、封止本体３の下面に電極
層１３として設けられていることから、これらの電極層
１３を実装基板に固定することによって回路の接続とレ
ーザダイオード・モジュールの固定が同時に行える。し
たがって、モジュール基板の固定によりレーザダイオー
ド・モジュールを固定し、リードの実装基板との接続に
よって回路の接続を図る従来の構造に比較して、実装工
数の低減が達成できる。

【００５７】（３）レーザダイオードチップ７の一端側
にはミラー１０が配置され、前記レーザダイオードチッ
プ７から出射されたレーザ光１１を前記蓋体４の透明ガ
ラス板６に案内する構造になっていることから、封止体
１２の薄型化が達成できる。

【００５８】（４）金属製の蓋体４は封止本体３全体を
被い、かつグランドに接地されることから、高周波重畳
回路から発振される不要輻射はシールドされ、レーザダ
イオード・モジュール１を組み込んだシステムの電波雑
音干渉が防止できることになる。

【００５９】図６は本実施形態１の変形例である。この
例では、前記実施形態１の構成において、前記穴５の周
囲の蓋体部分にはリング状に屈曲形成した応力緩和部３
０が設けられている。応力緩和部３０は、リング状に窪
ませた構造になっている。この結果、蓋体４の内面に接
合材８を介して透明ガラス板６を固定した際の熱によっ
ても穴５の縁部分の変形を防止できるため、固定された
透明ガラス板６の姿勢等が変化せず、安定したレーザ光
１１の発光が達成できる。

【００６０】（実施形態２）図７は本発明の実施形態２
であるレーザダイオード・モジュールに係わる図であ
る。本実施形態２は穴５部分の蓋体４を一段低くした構
造になっている。

【００６１】一方、前記穴５の下部の封止本体３上に
は、前記穴５を囲むような電磁遮蔽板３７が設けられて
いる。

【００６２】本実施形態２のレーザダイオード・モジュ
ール１は、前記実施形態１による効果に加え下記の効果
を奏する。

【００６３】穴５部分の蓋体４を一段低くした構造にな
っていることから、（１）蓋体４に接合材８を介して透
明ガラス板６を固定した場合、垂直壁３５で支持される
ガラス板支持部３６の封止本体３に対する平行性が維持
でき、良好なレーザ光１１の発光が可能になる。

【００６４】（２）封止本体３の上面と穴５との間隔が
短くなり、封止本体３の上面部分に形成した高周波重畳
回路による不要輻射が穴５から外に漏れ難くなる。

【００６５】また、電磁遮蔽板３７を設けることによっ
て、前記電磁遮蔽板３７により不要輻射がカットされる
ため、透明ガラス板部分から外方に不要輻射が漏れ難く
なるとともに、外部からの電波の進入も起き難くなり、
レーザダイオード・モジュール１を組み込んだシステム
の電波雑音干渉が防止できることになる。

【００６６】（実施形態３）図８および図９は本発明の
実施形態３であるレーザダイオード・モジュール１に係
わる図であり、図８はレーザダイオード・モジュール１
の斜視図、図９は封止本体３の上面の電子部品および配
線等を示すレイアウト図である。

【００６７】本実施形態３では、ミラー１０を使用せ
ず、封止本体３の上面に平行に進むレーザ光１１を封止
本体３の側壁２に設けた穴５から外部に発光させる構造
である。前記穴５は側壁２の内面に固定された透明ガラ
ス板６によって気密的に塞がれている。

【００６８】本実施形態３によるレーザダイオード・モ
ジュール１は、前記実施形態１のレーザダイオード・モ
ジュール１が奏する効果に加えて、レーザ光１１を封止
体１２の側方に発光させることができる。また、この構
造は封止体１２の内部にミラー１０を配置する必要もな
く、封止体１２の薄型化がより進められる。

【００６９】（実施形態４）図１０は本発明の実施形態
４であるレーザダイオード・モジュール１を示す斜視図
である。

【００７０】本実施形態４は、封止本体３の一辺を張り
出させて、この張出部分４０の上下面と側面に電極１３
を設けた例である。

【００７１】本実施形態４のレーザダイオード・モジュ
ール１は前記各実施形態が奏する効果に加え、前記封止
本体３の一辺を張り出させて、この張出部分の上下面と
側面に前記電極層１３を設けた構造になっていることか
ら、レーザダイオード・モジュールの実装において、表
面実装以外に張出部分をコネクタ等に差し込んで実装し
たり、あるいはワイヤボンディング等による実装も可能
になる。

【００７２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。たとえ
ば、光結合部品として光ファイバ等であってもよい。

【００７３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７４】（１）封止体の蓋体に透明ガラス板を取り
付け、レーザダイオードチップは封止本体に設けたヒー
トシンクに直接固定し、前記レーザダイオードチップか
ら出射したレーザ光をミラーで反射させて前記透明ガラ
ス板に向かわせる構造になり、従来のようにＴＯ形の半
導体レーザ装置をモジュール基板に取り付ける構成とは
異なり、部品点数が少なくなる。この結果、材料費の低
減が達成できるとともに、組立工数の低減が可能にな
り、レーザダイオード・モジュールの製造コストの低減
が達成できる。

【００７５】（２）レーザダイオードチップ，駆動回
路，高周波重畳回路の電極は、封止本体の下面に電極層
として設けられていることから、これらの電極層を実装
基板に固定することによって回路の接続とレーザダイオ
ード・モジュールの固定が同時に行える。したがって、
モジュール基板の固定によりレーザダイオード・モジュ
ールを固定し、リードの実装基板との接続によって回路
の接続を図る従来の構造に比較して、実装工数の低減が
達成できる。

【００７６】（３）レーザダイオードチップの一端側に
はミラーが配置され、前記レーザダイオードチップから
出射されたレーザ光を前記蓋体の透明ガラス板に案内す
る構造になっていることから、従来のようにＴＯ形の半
導体レーザ装置を組み込む構造に比較して封止体の薄型
化が達成できる。

【００７７】（４）金属製の蓋体は封止本体全体を被
い、かつグランドに接地されることから、高周波重畳回
路から発振される不要輻射はシールドされ、レーザダイ
オード・モジュールを組み込んだシステムの電波雑音干
渉が防止できることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１であるレーザダイオード・
モジュールの分解斜視図である。

【図２】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の斜視図である。

【図３】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の一部を示す断面図である。

【図４】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
の等価回路図である。

【図５】本実施形態１のレーザダイオード・モジュール
のハイブリッドＩＣ基板に搭載された電子部品を示す模
式的平面図である。

【図６】本実施形態１の変形例によるレーザダイオード
・モジュールの一部の断面図である。

【図７】本発明の実施形態２であるレーザダイオード・
モジュールの一部の断面図である。

【図８】本発明の実施形態３であるレーザダイオード・
モジュールの斜視図である。

【図９】本実施形態３のレーザダイオード・モジュール
のハイブリッドＩＣ基板に搭載された電子部品を示す模
式的平面図である。

【図１０】本発明の実施形態４であるレーザダイオード
・モジュールの斜視図である。

【符号の説明】

１…レーザダイオード・モジュール、２…側壁、３…封
止本体、４…蓋体、５…穴、６…透明ガラス板、７…レ
ーザダイオードチップ、８…接合材、１０…ミラー、１
１…レーザ光、１２…封止体、１３…電極層（電極）、
１４…配線領域、１５…サブマウント、１６…ヒートシ
ンク、１７…配線、１８…ワイヤ、２０，２１，２２…
接合材、２５…金属板、３０…応力緩和部、３５…垂直
壁、３６…ガラス板支持部、３７…電磁遮蔽板、４０…
張出部分。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 健夫 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼田 政雄 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 株式会社日立製作所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザダイオードと、前記レーザダイオ
   ードを駆動する駆動回路と、前記レーザダイオードの戻
   り光に起因する雑音を抑止する高周波重畳回路とを単一
   の封止体に組み込んでなるレーザダイオード・モジュー
   ルであって、前記封止体は前記駆動回路および高周波重
   畳回路を組み込んだ封止本体と金属製の蓋体とからな
   り、前記封止本体には貫通状態に埋め込まれたヒートシ
   ンクを有し、前記ヒートシンクにはレーザダイオードチ
   ップが固定され、前記蓋体には前記レーザダイオードチ
   ップから出射されたレーザ光を封止体の外に案内する光
   結合部品が取り付けられ、前記封止体の少なくとも下面
   には表面実装用の電極層が設けられ、かつ前記蓋体はグ
   ランドに接地される構造になっていることを特徴とする
   レーザダイオード・モジュール。
2. 【請求項２】 前記レーザダイオードチップの一端側に
   はミラーが配置され、前記レーザダイオードチップから
   出射されたレーザ光を前記光結合部品に案内する構造に
   なっていることを特徴とする請求項１に記載のレーザダ
   イオード・モジュール。
3. 【請求項３】 前記光結合部品は前記蓋体に設けらた穴
   部分に取り付けられた透明ガラス板で構成されているこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザ
   ダイオード・モジュール。
4. 【請求項４】 前記穴の周囲の蓋体部分にはリング状に
   屈曲形成した応力緩和部が設けられていることを特徴と
   する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のレー
   ザダイオード・モジュール。
5. 【請求項５】 前記穴部分は一段低くなっていることを
   特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載
   のレーザダイオード・モジュール。
6. 【請求項６】 前記穴の下部の封止本体上には、前記穴
   を囲むような電磁遮蔽板が設けられていることを特徴と
   する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のレー
   ザダイオード・モジュール。
7. 【請求項７】 前記封止本体の側壁に光結合部品が配置
   され、前記レーザダイオードチップから出射されたレー
   ザ光は直接前記光結合部品に向かうように構成されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオード
   ・モジュール。
8. 【請求項８】 前記封止本体の一辺を張り出させて、こ
   の張出部分の上下面と側面に前記電極層を設けた構造に
   なっていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のい
   ずれか１項に記載のレーザダイオード・モジュール。