JPS5816585A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
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- JPS5816585A JPS5816585A JP57097771A JP9777182A JPS5816585A JP S5816585 A JPS5816585 A JP S5816585A JP 57097771 A JP57097771 A JP 57097771A JP 9777182 A JP9777182 A JP 9777182A JP S5816585 A JPS5816585 A JP S5816585A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- rear beam
- optical window
- outside
- window
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザー装置、さらに詳細には半導体
レーザー素子のリアービームが装置外部に出射するのを
防止した半導体レーザー装置に関する。
レーザー素子のリアービームが装置外部に出射するのを
防止した半導体レーザー装置に関する。
従来より、半導体レーザー装置は環樟汚染を防ぐために
“、第１図に示すように、パフケージ１を設けており、
レーザー出力となる光ビームはパッケージ１に設けた光
学窓２から取り出すようにしている。
“、第１図に示すように、パフケージ１を設けており、
レーザー出力となる光ビームはパッケージ１に設けた光
学窓２から取り出すようにしている。
しかし、この装置に用いられる半導体レーザー素子３は
両端から光ビームを出射するので、一方のビーム即ちフ
ロントビーム４のみを上記のように光学窓から取り出す
ようにしているにも拘らず、残りのビームであるリアー
ビーム５がパッケージ内部で反射してフロントビーム４
に混入するという問題が生じている。
両端から光ビームを出射するので、一方のビーム即ちフ
ロントビーム４のみを上記のように光学窓から取り出す
ようにしているにも拘らず、残りのビームであるリアー
ビーム５がパッケージ内部で反射してフロントビーム４
に混入するという問題が生じている。
このように、リアービーム成分がフロントビームに混入
すると、例えば半導体レーザー装置の光ビームの強度測
定を行なった場合、光学窓からの測定位置により強度が
異なることになるので、正しい評価ができなくなる問題
がある。また、装置の使用時にその位置関係によっては
ゴーストが発生したり、他の不都合が生じるおそれも十
分に考えられる。
すると、例えば半導体レーザー装置の光ビームの強度測
定を行なった場合、光学窓からの測定位置により強度が
異なることになるので、正しい評価ができなくなる問題
がある。また、装置の使用時にその位置関係によっては
ゴーストが発生したり、他の不都合が生じるおそれも十
分に考えられる。
従って、半導体レーザー装置の評価を行なうとき、或い
は記録装置等として使用するときには不都合となる欠点
がある。
は記録装置等として使用するときには不都合となる欠点
がある。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、リアービームの
反射に基づくゴースト等の生じない半導体レーザー装置
を提供することにある。
反射に基づくゴースト等の生じない半導体レーザー装置
を提供することにある。
本発明の要旨は、リアービームをパッケージ内部で例え
ば散乱、減衰させるようにしリアービームが光学窓から
出射することを１韮する手段を具備する半導体レーザー
装置にある。
ば散乱、減衰させるようにしリアービームが光学窓から
出射することを１韮する手段を具備する半導体レーザー
装置にある。
以下、第２図〜第４図に示す実施例により本発明の詳細
な説明・する。
な説明・する。
第２図は本発明の第１実施例を示すもので、この実施例
装置においては、一般に金属製で円板状のベースｌＯの
上に銅等からなるマウント１１が固定され、これの垂直
面１２には半導体レーザー素子１３が接合されている。
装置においては、一般に金属製で円板状のベースｌＯの
上に銅等からなるマウント１１が固定され、これの垂直
面１２には半導体レーザー素子１３が接合されている。
この半導体レーザー素子１３は、レーザー駆動回路等を
備える既知の駆動ユニットによって動作されるもので、
この例では赤外線の波長を持つ光ビームを上下に出射す
る。
備える既知の駆動ユニットによって動作されるもので、
この例では赤外線の波長を持つ光ビームを上下に出射す
る。
また、°ベースｌＯ上には、半導体レーザー素子１３及
びマウン）１１を被覆し、内外部を遮断するメタルキャ
ップ１４が密着され、メタルキャップ７’１４の上部中
央には光ビーム（フロントビーム）を取り出すための光
学窓１５が設けられている。
びマウン）１１を被覆し、内外部を遮断するメタルキャ
ップ１４が密着され、メタルキャップ７’１４の上部中
央には光ビーム（フロントビーム）を取り出すための光
学窓１５が設けられている。
そして、前記マウント１１の光ビーム反射面とメタルキ
ャップ１４の内面には、ニグロシン、バインダーとして
のラッカー、つや消し剤、粉末シリカ等から構成される
反射防止膜１６．１７が塗布されている。
ャップ１４の内面には、ニグロシン、バインダーとして
のラッカー、つや消し剤、粉末シリカ等から構成される
反射防止膜１６．１７が塗布されている。
この実施例において、半導体レーザー素子１３を動作さ
せると、フロ、ントビーム１８が上方の光学窓１５から
外部に出射し、リアービーム１９は下方に出射されて最
初の反射防止膜１６で吸収、減衰され、ここで散乱され
た残りのリアービームは第２の反射防止膜１７でほとん
ど減衰吸収される。
せると、フロ、ントビーム１８が上方の光学窓１５から
外部に出射し、リアービーム１９は下方に出射されて最
初の反射防止膜１６で吸収、減衰され、ここで散乱され
た残りのリアービームは第２の反射防止膜１７でほとん
ど減衰吸収される。
従って、従来リアービームの約３５％が光学窓から出射
されていたものが、この実施例によ、ると約４％位まで
低下させることができる。
されていたものが、この実施例によ、ると約４％位まで
低下させることができる。
なお、ニグロシンは赤外の波長領域の光ビームの吸収に
効果があり、つや消し剤、粉末シリカ粒子は反射ビーム
を散乱させる効果がある。また、カーボンブラックもニ
グロシンと同様に赤外光吸収に効果があるので、リアー
ビーム反射面に直接塗布して、或いはシート状にして用
いることが可能である。
効果があり、つや消し剤、粉末シリカ粒子は反射ビーム
を散乱させる効果がある。また、カーボンブラックもニ
グロシンと同様に赤外光吸収に効果があるので、リアー
ビーム反射面に直接塗布して、或いはシート状にして用
いることが可能である。
次に、本発明の第２の実施例を第３図に示す。
この実施例においては、マウン）１１のリアービーム反
射面２０に反射防止膜を塗布する代りに、この面を傾斜
させる構造としている。他の構成は第１実施例と同じで
ある。
射面２０に反射防止膜を塗布する代りに、この面を傾斜
させる構造としている。他の構成は第１実施例と同じで
ある。
この構成によると、リアービーム１９はフロントビーム
１８と異なる方向に反射されるので、パッケージ内部で
散乱、減衰する。特に、キャップ１４の内面を粗面とし
ておくことにより、その効果が増大する。また、先に述
べた反射防止膜と併用することも可能である。
１８と異なる方向に反射されるので、パッケージ内部で
散乱、減衰する。特に、キャップ１４の内面を粗面とし
ておくことにより、その効果が増大する。また、先に述
べた反射防止膜と併用することも可能である。
なお、リアービーム反射面２０の傾斜が急過ぎる場合に
は、最初のリアービームの反射光が直接光学窓１５から
出ることがあるので、適度な傾斜とす仝のが好ましい。
は、最初のリアービームの反射光が直接光学窓１５から
出ることがあるので、適度な傾斜とす仝のが好ましい。
さらに、半導体レーザー素子１３の光ビーム出射部が光
学窓１５の中心下にあるとすると、リアービーム反射面
２ｏの水平方向長さ文は、光学窓の中心から光学窓の径
の１／４以上の長さであれば、リアービーム１９を直接
外部に出すことがなく、パッケージ内部で散乱及び減衰
させることができる。
学窓１５の中心下にあるとすると、リアービーム反射面
２ｏの水平方向長さ文は、光学窓の中心から光学窓の径
の１／４以上の長さであれば、リアービーム１９を直接
外部に出すことがなく、パッケージ内部で散乱及び減衰
させることができる。
次に、第４図に本発明の第３実施例を示す。
この装置では、半導体レーザー素子１３の下部にリアー
ビームを集めるファイバーケーブル２１を設け、これの
下端部をマウント１１に設けた穴２２の中に挿入するよ
うにしている。これ以外の構成は、゛第３図の場合と同
一である。
ビームを集めるファイバーケーブル２１を設け、これの
下端部をマウント１１に設けた穴２２の中に挿入するよ
うにしている。これ以外の構成は、゛第３図の場合と同
一である。
穴２２は、ファイバーケーブル２２によって集められた
リアービームを散乱減衰させるた２のものであり、その
内面は適当な粗面となっている。
リアービームを散乱減衰させるた２のものであり、その
内面は適当な粗面となっている。
この装置を動作させたところ、リアービ６−ムが光学窓
１５から漏れる量は、フロントビームの強度の３〜４％
ときわめて小さくなっている。
１５から漏れる量は、フロントビームの強度の３〜４％
ときわめて小さくなっている。
このように、パッケージ内部に光ビームを散乱、減衰さ
せる場所を設けることも効果が大きいが、さらに反射防
止膜、傾斜面等を併用することも望ましい。これにより
、リアービームが光学窓から出射することはほとんどな
くなる。
せる場所を設けることも効果が大きいが、さらに反射防
止膜、傾斜面等を併用することも望ましい。これにより
、リアービームが光学窓から出射することはほとんどな
くなる。
また、上に述べたものはパッケージ内部でリアービーム
を処理する構造であるが、第４図のファイバーケーブル
２２のように簡単な光学系を用いてリアービームを外部
に取り出し、それを外部で処理する構造とすることも有
効である。
を処理する構造であるが、第４図のファイバーケーブル
２２のように簡単な光学系を用いてリアービームを外部
に取り出し、それを外部で処理する構造とすることも有
効である。
以上説明したように本発明は、リアービームをパッケー
ジ内部で吸収、散乱、減衰させるリアービーム阻止手段
が設けられており半導体レーザー素子のリアービームが
フロントビームに混入して外部に出射されるのを防止す
るので、光学窓から測定位置での強度分布をかなり均一
にでき、しかもリアービームによるゴーストも発生せず
半導体レーザー装置の正しい評価、及び画像記録に用い
た場合記°録の正しい評価が可能となる等の優れた利点
がある。
ジ内部で吸収、散乱、減衰させるリアービーム阻止手段
が設けられており半導体レーザー素子のリアービームが
フロントビームに混入して外部に出射されるのを防止す
るので、光学窓から測定位置での強度分布をかなり均一
にでき、しかもリアービームによるゴーストも発生せず
半導体レーザー装置の正しい評価、及び画像記録に用い
た場合記°録の正しい評価が可能となる等の優れた利点
がある。
第１図は、従来の半導体レーザー装置の概略縦断面図、
第２図は本発明に係る半導体レーザー装置の第１実施例
を示、す概略縦断面図、第３図は本発明の第２実施例を
示す概略縦断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す
概略縦断面図である。
第２図は本発明に係る半導体レーザー装置の第１実施例
を示、す概略縦断面図、第３図は本発明の第２実施例を
示す概略縦断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す
概略縦断面図である。
Claims (1)
- フロントビームとリアービームを出射する半導体レーザ
ー素子と、前記半導体レーザー素子を収納しその一部に
前記フロントビームを取り出す窓を有する筐体と、前記
リアービームが前記窓から前記筐体外へ出射することを
防止するための傾斜面とを有し、前記フロントビームの
出射方向に垂直な方向において、前記傾斜面の長さが前
記窓の径の１／４以上であることを特徴とする半導体レ
ーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097771A JPS5816585A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097771A JPS5816585A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5679379A Division JPS55148482A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816585A true JPS5816585A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14201112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097771A Pending JPS5816585A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066525A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Ricoh Co Ltd | 複数ビーム走査装置 |
| WO2005048421A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2008153617A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
| JPS531395A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Hitachi Zosen Corp | Method for mirror finishing work by electrolytic buff polishing |
| JPS5337587U (ja) * | 1976-09-04 | 1978-04-01 | ||
| JPS5349974A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP57097771A patent/JPS5816585A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
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| WO2005048421A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPWO2005048421A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2007-05-31 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US7508854B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-03-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP4549298B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2010-09-22 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2008153617A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-07-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
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