JPS5816584A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体レーザー装置、さらに詳細には半導体
レーザー素子のリアービームが装置外部に出射するのを
防止した半導体レーザー装置に関する。

従来より、半導体レーザー装置は環境汚染を防ぐために
、第１図に示すように、パッケージ１を設けており、レ
ーザー出力となる光ビームはパッケージｌに設けた光学
窓２から取り出すようにしている。

しかし、この装置に用いられる半導体レーザー素子３は
両端から光ビームを出射するので、一方のビーム即ちフ
ロントビーム４のみを上記のように光学窓から取り圧す
ようにしているにも拘らず、残りのビームであるリアー
ビーム５がパッケージ内部で反射してフロントビーム４
に混入するという問題が生じている。

このように、リアービーム成分がフロントビームに混入
すると、例えば半導体レーザー装置の光ビームの強度測
定を行なった場合、光学窓からの測定位置により強度が
異なることになるので、正しい評価ができなくなる問題
がある。また、装置の使用時°にその位置関係によって
はゴーストが発生したり、他の不都合が生じるおそれも
十分に考えられる。

従って、半導体レーザー装置の評価を行なうとき、或い
は記録装置等として使用するときには不都合となる欠点
がある。

本発明の目的は、上記の欠点を解消し、リアービームの
反射に基づくゴースト等の生じない半導体レーザー装置
を提供することにある。

本発明の要旨は、リアービームをパッケージ内部で例え
ば散乱、減衰させるようにしリアービームが光学窓から
出射することを防止する手段を具備する半導体レーザー
装置にある。

以下、第２図〜第４図に示す実施例により本発明の詳細
な説明する。

第２図は本発明の第１実施例を示すもので、この実施例
装置に１いては、一般に金属製で円板状のベースｌＯの
上に銅等からなるマウント１１が固定され、これの垂直
面１２には半導体レーザー素子１３が接合されている。

この半導体レーザー素子１３は、レーザー駆動回路等を
備える既知の駆動ユニットによって動作されるもので、
この例では赤外線の波長を持つ光ビームを上下に出射す
る。

また、ベース１０上には、半導体レーザー素子１３及び
マウントｌｌを被覆し、内外部を遮断するメタルキャッ
プ１４が密着され、メタルキャップ１４の上部中央には
光ビーム（フロントビーム）を取り出すための光学窓１
５が設けられている。

そして、前記マウン）１１の光ビーム反射面とメタルキ
ャップ１４の内面には、ニグロシン、バインダーとして
のラッカー、つや消し剤、粉末シリカ等から構成される
反射防止膜１６．１７が塗布されている。

この実施例に′おいて、半導体レーザー素子１３を動作
させると、フロントビーム１８が上方の光学窓１５から
外部に出射し、リアービーム１９は下方に出射されて最
初の反射防止膜１６で吸収、減衰され、ここで散乱され
た残りのリアービームは第２め反射防止膜１７でほとん
ど減衰吸収される。

従って、従来リアービームの約３５％が光学窓から出射
されていたものが、この実施例によると約４％位まで低
下させることができる。

なお、ニグロシンは赤外の波長領域の光ビームの吸収に
効果があり、つや消し剤、粉末シリカ粒子は反射ビーム
を散乱させる効果がある。また、カーボンブラックもニ
グロシンと同様に赤外光吸収に効果があるので、リアー
ビーム反射面に直接塗布して、或いはシート状にして用
いることが可能である。

次に、本発明の第２の実施例を第３図に示す。

この実施例においては、マウント１１のリアービーム反
射面２０に反射防止膜を塗布する代りに、この面を傾斜
させる構造としている。他の構成は第１実施例と同じで
ある。

この構成によると、リアービーム１９はフロントビーム
１８と異なる方向に反射されるので、パッケージ内部で
散乱、減衰する。特に、キャップ１４の内面を粗面とし
ておくことにより、その効果が増大する。また、先に述
べた反射防止膜と併用することも可能である。

なお、リアービーム反射面２０の傾斜が急過ぎる場合に
は、最初のリアービームの反射光が直接光学窓１５から
出ることがあるので、適度な傾斜とするのが好ましい。

さらに、半導体レーザー素子１３の光ビーム出射部が光
学窓１５の中心下にあるとすると、リアービーム反射面
２０の水平方向長さ文は、光学窓の中心から光学窓の径
の１八以上の長さであれば、リアービーム１９を直接外
部に出すことがなく、永ツケージ内部で散乱及び減衰さ
せることができる。

次に、第４図に本発明の＄３実施例を示す。

この装置では、半導体レーザー素子１３の下部ニリアー
ビームを集めるファイバーケープＪｌｚ２１を設け、こ
れの下端部をマウント１１に設けた穴２２の中に挿入す
るようにしている。これ以外の構成は、第３図の場合と
同一である。

穴２２′は、ファイバーケーブル２２によって集められ
たリアービームを散乱減衰させるためのものであり、そ
の内面は適当な粗面となっている。

この装置を動作させたところ、リアービームが光学窓１
５から漏れる量は、フロントビームの強度の３〜４％と
きわめて小さくなっている。

このように、パッケージ内部に光ビームを散乱、減衰さ
せる場所を設けることも効果が大きいが、さらに反射防
止膜、傾斜面等を併用することも望ましい。これにより
、リアービームが光学窓から出射することはほとんどな
くなる。

また、上に述べたものはパッケージ内部でリアービーム
を処理する構造であるが、第４図のファイバーケーブル
２２のように簡単な光学系を用いてリアービームを外部
に取り出し、それを外部で処理する構造とすることも有
効である。

以上説明したように本発明は、リアービームをパッケー
ジ内部で吸収、散乱、減衰させるリアービーム阻止手段
が設けられており半導体レーザー素子のリアービームが
フロントビームに混入、Ｌ−ｒ外部に出射されるのを防
止するので、光学窓から測定位置での強度分布をかなり
均一にでき、しかもリアービームによるゴーストも発生
せず半導体レーザー装置の正しい評価、及び画像記録に
用いた場合記録の正しい評価が可能となる等の優れた利
点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の半導体レーザー装置の概略縦断面図、
第２図は本発明に係る半導体レーザー装置の第１実施例
を示す概略縦断面図、第３図は本発明の第２実施例を示
す概略縦断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す概
略縦断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）　フロントビームとリアービームを出射する半導体
   レーザー素子と、前記半導体レーザー素子を収納しその
   一部に前記フロントビームを取り出す窓を有する筐体と
   、前記リアービームが前記筐体外へ出射することを防止
   するため前記リアービームの反射面に設けた反射防止膜
   とを有することを特−とする半導体レーザー装置。 ２）前記筐体の内面に反射防止膜を設けたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザー装置。 ３）前記反射防止膜はニグロシンな含んで構成して成る
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
   載の半導体レーザー装置。