KR20040022183A - ｘ선 차폐 이미징 검출기, ｘ선 이미징 시스템 및 그 동작방법 - Google Patents

ｘ선 차폐 이미징 검출기, ｘ선 이미징 시스템 및 그 동작방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040022183A
KR20040022183A KR1020030061843A KR20030061843A KR20040022183A KR 20040022183 A KR20040022183 A KR 20040022183A KR 1020030061843 A KR1020030061843 A KR 1020030061843A KR 20030061843 A KR20030061843 A KR 20030061843A KR 20040022183 A KR20040022183 A KR 20040022183A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ray
detector
scintillator
ray detector
optical
Prior art date
Application number
KR1020030061843A
Other languages
English (en)
Inventor
커쉬너로날드케이
Original Assignee
애질런트 테크놀로지스, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 애질런트 테크놀로지스, 인크. filed Critical 애질런트 테크놀로지스, 인크.
Publication of KR20040022183A publication Critical patent/KR20040022183A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

x선 차폐 이미징 검출기가 개시되어 있다. 일 실시예에서, x선 차폐 이미징 검출기는 신틸레이터, 광검출기 및 신틸레이터와 광검출기 사이의 광학 연결부를 포함한다. 이 x선 차폐 이미징 검출기는 또한 광학 연결부에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료를 포함한다. x선 에너지가 신틸레이터 및 광검출기의 주축에 대해 수직 이외의 비스듬한 각도로 x선 차폐 이미징 검출기 상에 충돌하는 경우, 제 1 고밀도 차폐 재료는 x선 에너지가 광검출기에 도달하기 전에 x선 에너지를 흡수하고 그것 을 감쇠시킨다. x선 시스템의 다른 실시예 및 관련 방법도 개시되어 있다.

Description

ｘ선 차폐 이미징 검출기, ｘ선 이미징 시스템 및 그 동작 방법{SHIELDED X-RAY DETECTOR}
다수의 비파괴 검사 애플리케이션은 x-선 방사를 사용하여 다른 구조체 내에 있는 피검체를 찾아낸다. 예를 들어, x-선 검출은 인간의 뼈와 같은 신체 내에 위치한 밀도가 높은 피검체를 이미지화하는데 사용된다. x-선 검출 및 이미징의 또 다른 애플리케이션은 비파괴 전자 장치 검사의 분야에 관한 것이다. 예를 들어, x-선 이미징은, 전자 장치 및 모듈을 인쇄 회로 보드에 연결하는데 사용되는 땜납의 품질을 결정하는 데 사용된다.
X-선 이미징은 이미지화될 타겟에 대략 0.1 내지 100×10-10미터의 파장길이의 전자기 에너지를 통과시킴으로써 이루어진다. x-선은 타겟 내의 객체에 대응하는 섀도우 마스크가 가해지는, x-선 검출기로 알려진 수신기 소자에 의해 수신된다. 어두운 섀도우는 타겟내에서 밀도가 높은 영역에 대응하고 밝은 섀도우는 타겟내에서 밀도가 보다 낮은 영역에 대응한다.
섀도운 마스크의 어두운 부분은 일반적으로 타겟내의 주변 영역보다 밀도가 더 높은 타겟 내의 객체에 대응한다. 이러한 방식으로, 납과 같은 중금속을 포함하는, 예를 들어 땜납과 같은 밀도가 높은 객체는 보다 낮은 밀도의 영역과 시각적으로 구별될 수 있다. 이로 인해 땜납 이음매가 쉽게 검사된다.
객체의 이미지를 현상하기 위해 x-선을 사용하는 하나의 방법은 x-선 광 에너지를 x선보다 긴 파장길이를 갖는 광 에너지로 변환하는 것이다. 보다 긴 파장길이의 광 에너지는 광을 전기 신호로 변환하는 광 포착 장치에 인가된다. x-선을 보다 긴 파장길이의 광 에너지로 변환하는 이러한 장치는 신틸레이터(scintillator)로 불린다. 예를 들어, 신틸레이터는 알루미늄 또는 탄소로 이루어진 기판 상에 배치된 세슘 요오드화물 스트립(cesium iodide strip)을 포함한다. x-선은 세슘 요오드산화물을 충돌하여 파장길이가 대략 560 나노미터(nm)인 광자를 방출한다. 광 포착 장치는 또한 세슘 요오드화물로부터 방출된 광자를 감광 장치로 안내하는 광학 경로를 포함한다. 광학 경로는 예를 들어 공기일 수 있고, 감광 장치는 예를 들어 전하 결합 장치(CCD) 소자의 어레이일 수있다. CCD 소자는 광자를 전기 신호로 변환하여 신호 프로세싱 장치로 보냄으로써 그 전기 신호는 타겟 내에서 밀도가 높은 영역을 묘사하는 데 사용가능한 이미지로 변환될 수 있다.
신틸레이터로부터의 광을 CCD 소자에 결합하는 데 사용되는 종래의 방법은 종래의 감소 광학 장치를 사용하는 단계와 신틸레이터에 의해 생성된 이미지를 종래의 렌즈를 사용하여 CCD 상으로 집속하는 단계를 포함한다.
현존하는 x선 검사 시스템에서는 타겟이 신틸레이터와 x선 사이에 배치되어야 하고, 이 신틸레이터는 이동가능하게 장착되어야한다. 소스 신틸레이터는 연속적으로 회전하고 x선 소스는 신틸레이터의 회전 방향의 반대 방향으로 나아가게 되어, "z-높이"로 지칭되는 특정 높이에서, 타겟은 초점이 맞춰질 것이다. 이러한 시스템의 단점들 중 하나는 신틸레이터를 기계적으로 장착 및 회전시키는 것과 관련하여 비용이 많이 든다는 것이다. 또 다른 단점은 임의의 시간에서 하나의 평면만이 초점이 맞쳐진다는 것이다. 이것은 타겟(즉, 자기 자신 위에 장착된 구성 요소를 포함하는 인쇄 회로 보드(PCB))의 위상(topology)이 x선 검사를 수행하기 전에 알려져야 한다는 것을 요구한다. 불행히도, 위상 매핑은 비용이 많이 들고, 어려우며 시간을 많이 소모한다.
이들 단점들 중 몇몇을 처리하기 위한 하나의 방법은 예를 들어 원형 패턴으로 배열된 다수의 별개의 x선 검출기를 사용하는 것이다. 이러한 배열을 통해 다수의 이미지가 포착되고 합성되어 하나의 x선 슬라이스가 하나 이상의 z-높이에 대해 생성될 수 있다.
x선을 전기 신호로 변환할 때 직면하는 단점들 중 하나는 세슘 요오드화물 신틸레이터 상에 충돌하는 모든 x선이 광자로 변환되는 것은 아니다라는 것이다. 이들 x선 중 몇몇은 신틸레이터를 통과하고 CCD 어레이 상에 충돌하려는 경향이 다소 있어 x선은 시간이 경과함에 따라 CCD 소자를 저하시킨다. 또한, x선은 CCD 소자에 노이즈를 생성하는 경향이 있어, CCD 어레이에 의해 공급된 전기 신호의 품질이 저하된다.
이것을 처리하기 위한 하나의 방법은 신틸레이터와 CCD 어레이 사이에 광자를 결합시킬 수 있는 재료를 CCD 어레이에 제공하고, 그와 동시에 x선들이 CCD 어레이 도달하기 전에 x선을 감쇠시키는 것이다. 하나의 가능한 해결책은 광자를 CCD 어레이에 결합하는 밀도가 높은 유리 재료를 사용하는 것이다. 불행히도, x선을 감쇠시킬 수 있는 현존하는 유리 재료는 지나치게 얇을 수 있고 연장된 기간에 걸쳐 x선에 노출된 경우 저하되는 경향이 있다(즉, 황색이 된다).
그러므로, 본 산업에서 x선에 반복적으로 노출되어도 저하되지 않는 간단하고 효율적인 x선 검출기 및 x선 시스템이 필요하다.
본 발명의 실시예들은 차폐 x선 검출기를 포함한다. 일 실시예에서, 본 발명은 x선 차폐 이미징 검출기이며, 신틸레이터, 광검출기, 신틸레이터와 광검출기 사이의 광학 연결부 및 광학 연결부에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료를 포함한다.
다른 실시예 및 관련 동작 방법도 제공된다. 본 발명의 다른 시스템, 방법,특징 및 장점은 당업자가 후속하는 도면 및 상세한 설명을 읽음으로써 분명해질 것이다. 모든 이러한 부가적인 시스템, 방법, 특징 및 장점은 본 설명에 내에 포함되고, 본 발명의 범주 내에 있으며, 첨부한 청구항에 의해 보호되어야 한다.
도 1a는 본 발명의 일 측면에 따라 구성된 x선 검출기가 존재하는 예시적인 x선 시스템을 예시하는 개략도,
도 1b는 도 1a의 x선 검출기의 프로세싱 구성 요소들을 예시하는 블록도,
도 2a는 도 1a의 x선 소스와 x선 검출기의 평면도,
도 2b는 도 2a에 도시된 부분(A-A)을 통해 취하여진 도 2a의 x선 시스템을 예시하는 측면도,
도 3a는 도 1a의 x선 검출기의 일 실시예의 분해도,
도 3b는 도 3a의 조립된 x선 검출기를 예시하는 개략도,
도 4는 도 3a의 신틸레이터를 예시하는 개략도,
도 5는 본 발명의 일 측면에 따라 구성된 x선 검출기의 단면도를 예시하는 개략도,
도 6은 x선 검출기가 x선 소스로부터 오프셋될 수 있는 또 다른 방식을 예시하는 개략도,
도 7은 도 3a의 x선 검출기의 대안적인 실시예를 도시하는 도면,
도 8은 도 5의 x선 검출기의 대안적인 실시예를 도시하는 도면,
도 9는 도 8의 x선 검출기의 대안적인 실시예를 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
102 : x선 소스104 : PCB
125 : 제어기132 : 프로세서
200 : x선 검출기202 : 신틸레이터
206 : 화이버 어레이222 : 감광 장치
502 : x선 에너지806 : 갭
청구항에서 정의된 바와 같이, 본 발명의 실시예는 후속하는 도면을 참조하여 더 자세히 이해될 수 있다. 도면 내의 구성 요소들은 정확한 축적이 아니며, 대신 본 발명의 원리를 분명히 예시된 것이다.
이하에서는, 특히 인쇄 회로 보드(PCB) 상의 땜납을 분석하는 데 사용되는 x선 시스템 및 x선 검출기를 참조하여 설명하지만, 본 발명의 실시예는 임의의 x선 시스템도 적용가능하다.
x선 검출기는 전형적으로 하드웨어 소자로 구현된다. 그러나, 이하에서 설명하는 바와 같아, x선 검출기로부터 획득된 정보를 처리하는 방법 및 x선 시스템을 제어하는 방법은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 바람직한 실시예(들)에서, 본 발명은 메모리에 저장되어 있고 적절한 인스트럭션 실행 시스템에 의해 실행되는 하드웨어 및 소프트웨어 또는 펌웨어의 조합을 사용함으로써 구현된다. 예를 들어, x선 검출기 즉, 복수의 x선 검출기의 출력은 전형적으로 검출된 x선 에너지에 기초하여 디스플레이를 형성하는(formulates) 전자 프로세싱 시스템에 공급된다. x선 시스템을 제어하는 데 컴퓨터 시스템이 사용되는 경우, 이하에서 설명하는 바와 같이, 본 발명의 방법은 메모리에 저장될 수 있고 x선 시스템과 연관된 프로세서에 의해 실행될 수 있다.
본 발명의 하드웨어 부분은 당업계에 모두 잘 알려져 있는 후속하는 기술들 중 임의의 기술 또는 그들의 조합으로 구현될 수 있는데, 그 예로는 데이터 신호에 대해 논리 함수를 구현하기 위한 논리 게이트를 갖는 이산 논리 회로(들)와, 적절한 조합 논리 게이트를 갖는 주문형 집적 회로(ASIC), 프로그램가능 게이트 어레이(들)(PGA), 필드-프로그램가능 게이트 어레이(FPGA) 등이 있다. 본 발명의 소프트웨어 부분은 하나 이상의 메모리 소자에 저장되고 적절한 범용 또는 전용 프로세서를 의해 실행될 수 있다.
논리 함수를 구현하기 위한 실행가능 인스트럭션의 순서화된 리스팅을 포함하는 x선 시스템 동작용 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 보유 시스템과 같은 인스트럭션 실행 시스템, 기구 또는 장치 또는 이 인스트럭션 실행 시스템, 기구 또는 장치로부터 인스트럭션을 인출하고 그 인스트럭션을 실행할 수 있는 다른 시스템에 의해 사용되고 또는 그에 연결되어 있는 임의의 컴퓨터 판독 가능 매체에서 구현될 수 있다. 본 명세서의 문맥에서, "컴퓨터 판독가능 매체"라는 것은 인스트럭션 실행 시스템, 기구 또는 장치에 의해 사용되고 또는 그에 연결되어 있는 프로그램을 보유, 저장, 통신, 전파 또는 운반할 수 있는 임의의 수단일 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 예를 들어 전자, 자기, 광학, 전자자기, 적외선 또는 반도체 시스템, 기구, 장치 또는 전파 매체일 수 있으나 여기에 제한되지는 않는다. 컴퓨터 판독가능 매체의 보다 구체적인 예(모든 리스트는 아님)는후속하는 즉, 하나 이상의 와이어를 갖는 전기 연결부(전자적), 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기적), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(전자적), 판독 전용 메모리(ROM)(전자적), 소거가능 프로그램가능 판독 전용 메모리(EPROM 또는 플래쉬 메모리)(전자적), 광섬유(광학적) 및 휴대용 컴팩트 디스크 판독 전용 메모리(CDROM)(광학적)를 포함한다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램이 프린트되는 종이 또는 다른 적절한 매체도 가능하다는 것을 인지해야되는데, 그 이유는 이 프로그램이 예를 들어 종이 또는 다른 매체의 광학 스캐닝을 통해 전기적으로 포착되고, 그런 다음 컴파일링되거나, 해석되거나(interpreted) 또는 이와 달리 필요한 경우 적절한 방식으로 처리되어 컴퓨터 메모리에 저장될 수 있기 때문이다.
도 1a는 x선 검출기(200)가 갖춰져 있는 예시적인 x선 시스템(100)을 예시하는 개략도이다. x선 시스템(100)은 본 발명의 실시예의 설명과 관련된 x선 시스템(100)의 부분만을 포함한다는 것을 알아야 한다. x선 시스템(100)은 x선 소스(102)와, 참조 번호(200)를 사용하여 일례가 예시되어 있는 복수의 x선 검출기 어셈블리를 포함한다. 복수의 x선 검출기(200)는 전형적으로 x선 검출기 어셈블리 고정물(이하 검출기 고정물)(110) 상에 지탱되어 있다. x선 검출기(200)는 원형과 비슷한 패턴으로 검출기 고정물(110) 상에 배열된다. 그러나, 다른 패턴도 가능하다.
x선 검출기(200) 및 검출기 고정물(110)은 연결부(114)를 통해 이미지 프로세싱 모듈(120)에 결합된다. 이미지 프로세싱 모듈(120)은 연결부(138)를 통해 제어기(125)에 결합된다. 이미지 프로세싱 모듈(120)은 일반적으로 프로세서(122),하나 이상의 메모리 소자(124) 및 로컬 인터페이스(128)를 통해 결합된 입/출력(I/O) 소자(126)를 포함한다. x선 시스템(100)은 각 x선 검출기(200)마다 이미지 프로세싱 모듈(120)을 포함할 수 있다. 각 이미지 프로세싱 모듈(120)은 원하는 프로세싱 아키텍쳐에 따라, 하나 이상의 x선 검출기로부터 입력을 수신할 수 있다.
이와 달리, 단일 이미지 프로세싱 모듈은 모든 x선 검출기(200)로부터의 정보를 처리하기에 충분한 자원을 포함할 수 있다. 환언하면, 각 x선 검출기로부터의 신호는 이미지 프로세싱 모듈(120)에 의해 병렬로 다중화 및 처리될 수 있다.
제어기(125)는 접속부(138)를 통해 이미지 프로세싱 모듈(120)에 결합되고 전형적으로 x선 시스템(100)의 기능을 제어하는 마이크로프로세서를 포함한다. 제어기(125)는 일반적으로 프로세서(132), 하나 이상의 메모리 소자(134) 및 로컬 인터페이스(138)를 통해 결합된 입/출력(I/O) 소자(136)를 포함한다.
예를 들어, 제어기(125)는 x선 소스(102)로부터의 방사를 제어하고 PCB(104)의 움직임을 x 및 y 방향으로 제어한다. x 방향에 있어서, 이미지 픽셀 피치는 감광 소자의 라인 레이트 클록킹(line rate clocking) 및 x-선 확대(magnification)에 의해 결정된다. y 방향에 있어서, 이미지 픽셀 피치는 감광 소자(이하에서 설명됨) 상의 픽셀의 피치 및 x선 확대에 의해 결정된다. PCB(104)는 스캔 방향(x)으로 이동되어 보드의 움직임은 각 x선 검출기(200)의 클록킹 주파수와 조화하여 움직인다. 제어기(125)는 또한 이미지 프로세싱 모듈(120)을 통해 각 x선 검출기(200)로부터 입력을 수신한다.
제어기(125)는 꽤 간략화되어 있고 x선 시스템(100)의 동작을 제어하고 각 x선 검출기(200)로부터 수신된 신호를 처리하는데 사용될 수 있는 x선 제어기의 기본 구성만을 도시하려한다. 일반적으로, 하드웨어 아키텍쳐에 관하여, 제어기(125)는 프로세서(132), 메모리(134) 및 로컬 인터페이스(138)를 통해 결합된 입/출력(I/O) 소자(136)를 포함한다. 로컬 인터페이스(138)는 예를 들어 당업자에게 잘 알려진 하나 이상의 버스 또는 다른 유선 또는 무선 연결부일 수 있으나 여기에 제한되는 것은 아니다. 로컬 인터페이스(138)는 통신을 인에이블하는, 버퍼(캐쉬), 드라이버 및 제어기와 같은 간략하게 하기 위해 생략되는 부가적인 소자를 포함할 수 있다. 또한, 로컬 인터페이스(138)는 앞서 언급한 구성 요소들 사이에서 적절한 통신을 인에이블하는 어드레스, 제어 및 데이터 연결(connections)을 포함한다.
I/O 소자(136)는 이미지 프로세싱 모듈(120)을 경유하고 연결부(138)를 거쳐 x선 검출기(200)의 출력을 수신하는 회로를 포함할 수 있고, x선 시스템(100)에 입력을 제공하는 회로를 포함할 수 있으며, 사용자 인터페이스를 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스는 예를 들어 키보드, 마우스, 철필(stylus) 또는 제어기(125)에 정보를 입력하는 임의의 다른 장치일 수 있다.
제어기(125)는 연결부(116)를 통해 디스플레이(118)에 결합된다. 디스플레이(118)는 제어기(125)의 출력을 수신하고 x선 분석 결과를 디스플레이한다.
프로세서(132)는 메모리(134)에 저장될 수 있는 소프트웨어를 실행하는 하드웨어 장치이다. 이 프로세서(132)는 제어기(125)의 기능성(functionality)을 구현하는 임의의 적절한 프로세서일 수 있다. 메모리(134)는 휘발성 메모리 소자들(예로, DRAM, SRAM 등과 같은 랜덤 액세스 메모리(RAM)) 중 하나 또는 이들의 조합 및 비휘발성 메모리 소자(예로, ROM, 하드 드라이브, 테이프, CD-ROM 등)를 포함할 수 있다. 또한, 메모리(134)는 전자, 자기, 광학 및/또는 다른 유형의 저장 매체를 포함할 수 있다. 메모리(134)는 다양한 구성 요소가 서로 멀리 떨어져 위치하지만 프로세서(132)에 의해 액세스될 수 있는 분산된 아키텍쳐를 가질 수 있다.
메모리(134)의 소프트웨어는 하나 이상의 개별 프로그램을 포함할 수 있고, 각각은 논리 함수를 구현하기 위한 실행가능 인스트럭션의 순서화된 리스팅인 하나 이상의 코드 세그먼트(code segments)를 포함한다. 도 1a의 예에 있어서, 메모리(134)의 소프트웨어는 x선 시스템(100)의 기능성을 제어하는 운영 시스템(O/S)(130)을 포함한다. 운영 시스템(130)은 본질적으로 다른 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하고, 스케쥴링, 입/출력 제어, 파일 및 데이터 관리, 메모리 관리 및 통신 제어 및 관련 서비스를 제공한다. 프로세서(132) 및 운영 시스템(130)은 응용 프로그램이 상위 레벨 프로그래밍 언어로 작성되는 컴퓨터 플랫폼을 정의한다.
x선 시스템(100)이 동작하는 경우, 프로세서(132)는 메모리(134)에 저장된 소프트웨어를 실행하고, 메모리(134)와 데이터를 주고 받으며, 일반적으로 소프트웨어에 따라 x선 시스템(100)의 동작을 제어하도록 구성된다.
동작시, x선 시스템(100)은 예를 들어 구성 요소가 인쇄 회로 보드(PCB)에 납땜되는 경우 형성되는 납땜 이음매의 품질을 분석하는데 사용될 수 있다. 예를들어, PCB(104)는 복수의 구성 요소를 포함하는데, 그 예가 참조 번호(106 및 108)를 사용하여 도시되어 있다. 구성 요소(106 및 108)는 일반적으로 납땜 이음매를 통해 PCB(104)에 결합된다. x선 시스템(100)은 납땜 이음매의 품질을 검사하고 결정하는데 사용될 수 있다. 간략하게 하기 위해 생략되었지만, PCB(104)는 일반적으로 x선 분석을 위해 원하는 대로 PCB(104)를 배치하기 위해 제어기(125)에 의해 제어되는 이동가능한 고정물 상에 장착된다.
x선 소스(102)는 일반적으로 x선 방사 패턴(112)의 형태로 x선을 생성한다. 이 x선 방사 패턴(112)은 PCB(104) 부분들을 통과하고 x선 검출기(200)의 어레이 상에 충돌한다. x선이 PCB(104)를 통과함에 따라, 높은 밀도 영역(예로 땜납)은 x선 검출기(200) 상에 어두운 섀도우로 나타나는 반면, 보다 낮은 밀도 영역(예로 PCB가 제조되는 재료)은 보다 밝은 섀도우로 나타난다. 이것은 x선이 통과한 구조체의 밀도에 대응하는 섀도우 마스크를 각 x선 검출기(200) 상에 형성한다. 간략하게 하기 위해 생략되었지만, x선 소스는 또한 제어기(125)에 의해 제어된다.
이하에서 더 자세히 설명되는 바와 같이, 각 x선 검출기(200)는 x선 에너지가 PCB(104)를 통과한 후 x선 소스(102)로부터 x선 에너지를 수신하기 위해 x선 시스템(100) 내에 구성 및 위치한다. x선 검출기(200)는 x선 에너지를 x선 검출기(200) 상에 떨어지는 섀도우 마스크를 나타내는 디지털화된 전기 이미지 신호로 변환한다. 모든 x선 검출기(200)로부터의 디지털화된 전기 이미지 신호는 제어기(125)에 보내진다. 프로세서는 이 신호를 예를 들어 z-높이 슬라이스(z-height slice)로 조립(assemble)하며, 이는 디스플레이(118)에 대한 출력으로서 제공될 수 있다.
도 1b는 도 1a의 x선 검출기(200)의 프로세싱 구성 요소를 예시하는 블록도이다. x선 검출기(200)는 감광 소자(222), 프로세서(230) 및 로컬 인터페이스(238)를 통해 통신하는 메모리(232)를 포함하고, 이것의 구조는 도 3a에 자세히 설명된다. 프로세서(23) 및 메모리(232)는 위에서 설명한 프로세서(122) 및 메모리(124)와 유사할 수 있지만, 특히 감광 장치(222)에 의해 생성된 데이터를 처리하는 작업에 맞춰질 수 있다. 감광 장치(222)는 예를 들어 가시 광을 전기 신호로 변환하는 CCD 소자의 어레이일 수 있다. x선 검출기(200)는 로컬 인터페이스(238)에 연결되어 있는 입/출력(I/O) 소자(234)도 포함한다. 프로세서(230)는 감광 장치(222) 상에 충돌하는 광을 나타내는 감광 장치(222)로부터 수신된 신호를 디지털 신호로 변환한다. 프로세서(230)의 출력은 연결부(114)를 통해 이미지 프로세싱 모듈(120)에 전송하는 I/O 소자(234)에 보내진다.
각 x선 검출기(200)의 프로세서(230) 및 메모리(232)는 당업자에게 알려져 있는, "바닥 고르기(flat fielding)"와 같은 이미지 보정 동작을 수행할 수 있다. 메모리(230)는 이미지 데이터를 저장하는데 사용된다. PCB(104)의 이미지는 전형적으로 병렬 스트립으로 획득된다. 예를 들어, 이들 스트립은 스트립(1,2...n)으로 지칭될 수 있다. 3차원(3D) 이미징(단일 z-높이에서의 슬라이스)에 있어서, 스트립(1)에 대한 모든 x선 검출기(200)로부터의 이미지들(이 예에서는, 16개의 이미지)은 x선 검출기(200)의 메모리(232)로부터 이미지 프로세싱 모듈(120)로 보내진다. 스트립(2)으로부터의 이미지는 또 다른 이미지 프로세싱 모듈(120)에 보내질것이다.
도 2a는 도 1a의 x선 소스(102) 및 x선 검출기(200)의 평면도(150)이다. x선 소스(102)는 일반적으로 x선 검출기(200)의 어레이에 의해 정의된 원형 패턴의 중심 내에 위치한다. 예를 들어, 도 2a에 도시된 실시예에서, x선 소스(102) 위에서 관찰할 때, 16개의 x선 검출기(200)는 x선 소스(102)의 주변에서 대체로 원형 패턴을 형성한다. 그러나, 축(152)을 사용하여 나타낸 바와 같이, x선 검출기(200)는 축(152) 상에 위치하지 않는다. 그 이유는, 이러한 위치에 있어서 x선 소스(102)로부터의 x선 에너지는 축(152) 상에 위치한 x선 검출기(200) 상에 충돌하려는 경향이 있어 이 x선 에너지는 x선 검출기의 성능을 저하시키려한다. 이것은 이하에서 설명될 것이다.
도 2b는 도 a에 도시된 부분(A-A)을 취한 도 2a의 x선 시스템(150)을 예시하는 측면도(170)이다. 도 2b의 x선 시스템(170)은 x선 소스(102)와 복수의 x선 검출기(200)를 포함한다. 수직 축(172)은 x선 검출기(200)의 주축에 수직인 축을 나타낸다.
일반적으로, x선이 축(172)을 따라 x선 검출기(200)에 충돌하는 것을 막는 것이 바람직하다. 그 이유는, x선 검출기(200)가 축(172) 상에 위치한 경우, 참조 번호(174)를 사용하여 표시된 x선은 x선 검출기(200)를 수직으로 충돌하여 관통하고 x선 검출기(200)에 위치한 광검출기(이하에서 설명됨) 상에 직접 충돌하려한다. 위에서 언급한 바와 같이, 이러한 직접 노출은 결국 x선 검출기(200)에 위치한 광검출기가 연장된 x선 노출을 통해 저하되고 기능장애를 일으킨다. 이것을 막기 위해, 이하에서 설명하는 바와 같이, x선 검출기(200)는 축(172)으로부터 오프셋되어 x선(174)은 수직으로부터 오프셋된 각도로 x선 검출기(200) 상에 충돌한다.
도 3a는 도 1a의 x선 검출기(200)의 일 실시예의 분해도이다. x선 검출기(200)는 신틸레이터(202), 화이버 어레이(206) 및 감광 장치(222)가 위치한 PCB(220)를 포함한다. 이 실시예에서, 감광 장치(200)는 광검출기 어레이이다. 신틸레이터(202)의 일부분은 세슘 요오드화물(CsI)의 스트립(도 4에 대하여 설명됨)을 포함한다. 신틸레이터(202)용으로 다른 재료가 사용될 수 있지만, 세슘 요오드화물은 우수한 붕괴 시간(decay time)을 제공한다. 다른 신틸레이터 재료는 예를 들어 나트륨 요오드화물(Nai) 및 뉴욕주 로체스터의 코닥 코포레이션에 의해 상품명 LANEX로 팔린 가돌리늄 산황화물을 포함한다. NaI는 매우 수분 흡수성이 강하고 예를 들어 CsI보다 덜 바람직하다.
x선 에너지는 인광체(phosphor)인 신틸레이터(202) 상에 충돌하고, 이로 인해 신틸레이터(202)는 x선을 대략 560 nm의 파장의 가시 광으로 변환한다. 본질적으로, 신틸레이터(202)는 자기 자신 상에 충돌하는 x선 에너지의 대부분을 대략 560 nm의 파장의 가시 광으로 변환한다. 그러나, 이하에서 설명하는 바와 같이, x선 에너지의 일부분은 신틸레이터(202)를 통과하고 x선 파장에서 유지된다. 이러한 설계의 x선 검출기(200)는 이하에서 설명하는 바와 같이 이 x선 에너지를 감쇠시킨다.
신틸레이터(202)는 광학 굴절률 매칭 매체(204)를 사용하여 화이버 어레이(206)에 결합된다. 광학 굴절률 매칭 매체의 두 개의 예는 그리스(greases)및 접착제이다. 이와 유사하게, 광학 굴절률 매칭 매체(204)는 화이버 어레이(206) 및 PCB(220) 상의 광검출기 어레이(222) 사이에 인가된다. 광검출기 어레이(222)는 바람직하게 복수의 픽셀을 정의하는 전하 결합 장치(CCD) 소자의 어레이며, 그것의 일례가 참조 번호(224)를 사용하여 예시되어 있다.
화이버 어레이(206)는 복수의 개별 광섬유를 포함하며, 그것의 일례가 참조 번호(208)로 나타내며, 각각은 대략 6 마이크론(㎛)이다. 광검출기 어레이(222) 상의 각 픽셀(224)은 대략 2000㎛2이고 86㎛ 피치로 배열된다. 그러나, 다른 픽셀 치수도 가능하다. 광섬유는 6각형 모양으로 배열될 수 있다. 6㎛의 섬유 직경, 86㎛의 픽셀 피치 및 2000㎛2는 픽셀 당 71개의 광섬유를 야기한다.
화이버 어레이(206)는 매우 높은 종횡비로 설계된다. 종횡비는 각 광섬유의 길이 대 그것의 직경 비율이다. 일 실시예에서, 화이버 어레이의 종횡비는 20:1이다. 그러나, 화이버 어레이(206) 및 픽셀(204)의 배열에 따라, 다른 종횡비도 가능하다.
본 발명의 일 측면에 따라, 제 1 감쇠 재료의 두 개의 부분(210 및 212)은 화이버 어레이(206) 주위를 샌드위치한다. 제 1 감쇠 재료는 x선 에너지를 감쇠시키고 흡수하는 임의의 고밀도 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 제 1 감쇠 재료는 납, 텅스텐, 금 또는 바람직하게, 미국 텍사스주 오스틴의 Ecomass의 상품명으로 등록된, ECOMASSR로 산업에 알려져 있는 재료일 수 있다. Ecomass은 텡스텐이 가득한 중합체이다.
도 3b는 도 3a의 조립된 x선 검출기(200)를 예시하는 개략도이다. 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)은 화이버 어레이(206)를 단단하게 샌드위치하고 PCB(220)에 부착된다. 신틸레이터(202)는 화이버 어레이(206)와 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)에 부착되어 x선 검출기(200)를 형성한다.
도 4는 도 3a의 신틸레이터(202)를 예시하는 개략도이다. 신틸레이터(202)는 바람직하게 알루미늄 또는 탄소로 이루어진 기판(302)을 포함한다. 세슘 요오드화물의 스트립(304)은 기판(302) 위에 인가된다. 참조 번호(306)로 표시된 기판은 x선 에너지를 수신한다. x선 에너지는 x선 에너지를 약 560 nm의 파장의 가시 광으로 변환하는 세슘 요오드화물 스트립(304)에 결합된다. 세슘 요오드화물 스트립(304)은 도 3a에 관하여 위에서 설명한 광학 굴절률 매칭 매체(204)를 사용하여 화이버 어레이(206)에 결합된다. 이러한 방식으로, x선은 약 560 nm의 파장의 광으로 변환되고 신틸레이터(202)로부터 화이버 어레이(206)를 통과하여 광검출기 어레이(222)(도 3a)에 공급된다. 또한, 이하에서 설명하는 바와 같이, 제 1 감쇠 재료의 두 개의 부분(210 및 212)은 임의의 x선 어레이가 광검출기 어레이(222)에 충돌하기 전에 신틸레이터(202)를 통과하는 그들을 감쇠시키는 동작을 한다.
도 5는 본 발명의 일 측면에 따라 구성된 x선 검출기(500)의 단면도를 예시하는 개략도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 감쇠 재료의 두 개의 부분(510 및 512)은 도시된 바와 같이 제 1 감쇠 재료(210 및 212) 위에 인가된다. 제 2 감쇠 재료 부분(510 및 512)은 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)과 동일한 재료 또는 상이한 재료로 제조될 수 있다. 위에서 설명한 바와 같이, 제 1 감쇠 재료부분(210 및 212) 및 제 2 감쇠 재료 부분(510 및 512)은 x선 에너지를 흡수 및 감쇠시킬 수 있는 임의의 고밀도 재료로 제조될 수 있다.
도 5에 있어서, 예시적인 x선이 참조 번호(502)를 사용하여 예시되어 있다. x선(502)은 도시된 바와 같이 신틸레이터(202) 상에 충돌한다. 신틸레이터(202)는 x선 에너지의 대부분을 약 560 nm의 파장의 광자로 변환한다. 그러나, 몇몇 x선 에너지는 신틸레이터(202)를 통과한다. 이 x선 에너지는 참조 번호(502a,502b 및 502c)를 사용하여 도 5에 표시된다. 본 발명의 일 측면에 따라, x선(502)은 PCB(220) 및 광검출기(222)의 주축에 수직과는 다른 비스듬한 각도로 신틸레이터(202) 상에 충돌한다. 이러한 방식으로, 신틸레이터를 통과한 x선 에너지는 화이버 어레이(206)를 통해 비스듬한 각도로 전도(conducted)되어 x선 에너지는 제 1 감쇠 재료의 부분(210 및 212)에서 바운스(bounce)된다. 이것은 화살표(502a,502b 및 502c)를 사용하여 표시되어 있고 꾸준히 감소하는 x선 에너지량을 나타낸다. 이러한 방식으로, 제 1 재료 부분(210 및 212) 사이에서 하나 이상의 바운스가 있은 후, x선 에너지는 광검출기(222) 상에 충돌하기 전에 사실상 0으로 감쇠된다.
신틸레이터(202)로부터 방사되는 바람직한 광자는 화살표(505)를 사용하여 표시되고 광검출기 어레이(222) 상에 직접 충돌하여 전기 신호로 변환되고 PCB(220)에서 제어기(125)(도 1a)로 보내진다.
제 2 감쇠 재료 부분(510 및 512)은 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)에 인가되어 x선 에너지(502)는 x선 검출기(500) 바깥에서 광검출기 어레이(222)에 영향을 미칠 수 없다. 이와 달리, 제 2 감쇠 재료는 도 1a에 도시된 각 x선 검출기마다 개구(openings)를 가진 단일 판일 수 있다.
도 6은 x선 검출기(500)가 x선 소스(102)로부터 오프셋될 수 있는 또 다른 방식을 예시하는 개략도(600)이다. 도 6에 예시된 바와 같이, x선 소스(102) 및 x선 검출기(500)에 의해 정의된 수직 축(610)은 x선 에너지가 x선 검출기(500)로 통과하는 것이 바람직하지 못한 축을 예시한다. 따라서, x선 검출기(500)는 축(610)에서 오프셋 축(612)으로 오프셋된다. 오프셋 각(620)은 축(610)과 오프셋 축(620) 간의 차이를 나타낸다. 이러한 방식에 있어서, 참조 번호(602)를 사용하여 표시된 x선은 PCB(104)를 통과하고 도 5에 도시된 바와 같이 x선 검출기(500) 상으로 향한다(즉, 신틸레이터(202), PCB(220) 및 광검출기 어레이(222)(도 5)의 주축에 수직과는 다른 각도로). 이러한 방식에 있어서, x선 에너지는 화이버 어레이(206)(도 5)로 향하고 위에서 설명한 바와 같이 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)의 벽에서 바운스된다. 이러한 방법을 사용함으로써 x선 에너지는 광검출기(222)에 도달되는 것이 저지된다.
도 7은 도 3a의 x선 검출기(300)의 또 다른 실시예(700)이다. 이 x선 검출기(700)는 직접 x선 변환 소자(direct x-ray conversion element)(702)를 포함한다. 직접 x선 변환 소자(702)는 x선 에너지를 전기 신호로 변환한다. x선 검출기(700)는 또한 도전체 어레이(706)를 포함하고, 그것의 일례는 참조 번호(708)를 사용하여 예시된다. 도전체(708)는 예를 들어 금속 도전체 또는 직접 x선 변환 소자(702)로부터 전기 신호를 전도하는 임의의 다른 구조체일 수 있으나여기에 제한되는 것은 아니다. x선 검출기(700)는 또한 AD(analog-to-degital) 컨버터 어레이(722)-이것의 일례가 참조 번호(724)를 사용하여 예시됨 -가 위치한 PCB(720)를 포함한다.
x선 검출기(700)는 도 3a에 대해 위에서 설명한 제 1 감쇠 재료와 유사한 제 1 감쇠 재료 부분(710 및 712)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예 따라, 직접 x선 변환 소자(702)의 표면(730) 상에 충돌하는 x선 에너지는 아날로그 전기 신호로 변환된다. 아날로그 전기 신호는 도전체(708)를 통해 AD 컨버터(724)에 직접 전도된다. AD 컨버터(724)는 도전체(708)를 통해 직접 x선 변환 소자(702)로부터 수신된 전기 신호를 디지털 신호로 변환하여 도 1a의 이미지 프로세싱 모듈(12)에 보낸다. 제 1 감쇠 재료 부분(710 및 712)은 위에서 설명한 바와 같이 직접 x선 변환 소자(702)를 통과하는 임의의 x선 에너지를 감쇠시키는 기능을 한다.
도 8은 도 5의 x선 검출기(500)의 또 다른 실시예(800)이다. 이 x선 검출기(800)는 도 5에 대해 위에서 설명한 광섬유 대신에 갭(806)을 포함한다. 이 갭(806)은 참조 번호(805)를 사용하여 표시된 가시 광을 신틸레이터(202)에서 감광 소자(222)의 각 감광 소자에 운반하는 하나 이상의 별개의 광학 채널(예로, 광학 도파관)을 정의한다. 각 광학 채널은 예를 들어, 공기, 불활성 기체 또는 도 9에 대해 설명하는 바와 같이 액체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 금 또는 알루미늄 또는 그들의 조합과 같은 굴절 코팅은 갭(806)을 접경하는 제 1 감쇠 재료 부분(210 및 212)의 표면(810 및 815)에 도포된다. 이러한 방식에 있어서, 신틸레이터(202)에 의해 제공된 가시 광(805)은 반사표면(810 및 815)에서 바운스되면서 갭(806)을 통과하며 전도된다. 그러나, 신틸레이터(202)를 통과한 x선 에너지(참조 번호(502a, 502b 및 502c)는 도 5에 대해 위에서 설명한 바와 같이 감쇠된다.
도 9는 도 8의 x선 검출기(800)의 또 다른 실시예(900)이다. 도 9에 있어서, 갭(806)은 참조 번호(805)로 표시된 가시 광이 지나가는 광학적으로 전도성의 유체(920)로 충진된다. 도 8에 대해 위에서 설명한 것과 유사한 방식으로, 참조 번호(502a,502b 및 502c)로 표시된 x선 에너지는 위에서 설명한 바와 같이 감쇠된다.
본 발명의 다양한 실시예가 설명되었지만, 당업자라면 본 발명의 범주내에서 더 많은 실시예 및 구현이 가능하다. 예를 들어 x선 검출기는 다수의 상이한 감쇠 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 또한, x선 검출기는 다양한 방법으로 x선 소스로부터 오프셋될 수 있다. 이러한 모든 수정 및 변형은 본 개시물 및 본 발명의 범주 내에 포함되려하며 후속하는 청구항에 의해 보호되려한다.
본 발명은 x선에 반복적으로 노출되어도 저하되지 않는 간단하고 효율적인 x선 검출기 및 x선 시스템을 제공한다.

Claims (22)

  1. x선 차폐 이미징 검출기에 있어서,
    신틸레이터(scintillator)와,
    광검출기(photodetector)와,
    상기 신틸레이터와 상기 광검출기 사이의 광학 연결부와,
    상기 광학 연결부에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료
    를 포함하는 x선 차폐 이미징 검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 고밀도 차폐 재료 부분 위에 제 2 고밀도 차폐 재료를 더 포함하는 x선 차폐 이미징 검출기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 연결부는 복수의 개별 광섬유를 더 포함하되, 각 광섬유는 높은 종횡비(high aspect ratio)를 갖는 x선 차폐 이미징 검출기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 각 광섬유의 종횡비는 대략 20:1인 x선 차폐 이미징 검출기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광검출기는 전하 결합 장치(CCD)인 x선 차폐 이미징 검출기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 신틸레이터 상에 충돌 및 통과하려는 x선은 상기 제 1 고밀도 차폐 재료에 의해 감쇠되는 x선 차폐 이미징 검출기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 고밀도 차폐 재료는 상기 광학 연결부를 샌드위치하는 한쌍의 구조체를 더 포함하고,
    상기 광학 연결부는,
    별개의 광학 전송 채널과,
    상기 별개의 광학 전송 채널을 접경하는 상기 한 쌍의 구조체 각각의 표면에도포된 반사성 코팅
    을 더 포함하는 x선 차폐 이미징 검출기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 고밀도 차폐 재료는 상기 광학 연결부를 샌드위치하는 한 쌍의 구조체를 더 포함하고, 상기 광학 연결부는 광학적으로 전도성의 유체를 더 포함하는 x선 차폐 이미징 검출기.
  9. x선 소스와,
    신틸레이터와,
    광검출기와,
    상기 신틸레이터와 상기 광검출기 사이의 광섬유 연결부- 상기 광섬유 연결부는 상기 x선 검출기의 주축을 정의함 -
    를 포함하는 x선 검출기와,
    상기 광섬유 연결부에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료
    를 포함하되,
    상기 x선 소스는 상기 x선 검출기로부터 오프셋되어 상기 x선 소스로부터 방사되는 x선 에너지는 상기 x선 검출기의 상기 주축으로부터 오프셋된 비스듬한 각으로 상기 x선 검출기 상에 충돌하는 x선 이미징 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 고밀도 차폐 재료 위에 제 2 고밀도 차폐 재료를 더 포함하는 x선 이미징 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광섬유 연결부는 복수의 개별 광섬유를 더 포함하되, 각 광섬유는 높은 종횡비를 갖는 x선 이미징 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 각 광섬유의 종횡비는 대략 20:1인 x선 이미징 시스템.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 광검출기는 전하 결합 장치(CCD)인 x선 이미징 시스템.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 신틸레이터 상에 충돌 및 통과하려는 x선은 상기 제 1 고밀도 차폐 재료에 의해 감쇠되는 x선 이미징 시스템.
  15. x선 이미징 시스템을 동작하는 방법에 있어서,
    x선 소스를 제공하는 단계와,
    x선 검출기를 제공하는 단계와,
    상기 x선 검출기로부터 상기 x선 소스를 오프셋하여 상기 x선 소스로부터 방사되는 x선 에너지가 상기 x선 검출기의 주축으로부터 오프셋된 비스듬한 각으로 상기 x선 검출기 상에 충돌하는 단계
    를 포함하는 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    신틸레이터를 형성하는 단계와,
    광검출기를 형성하는 단계와,
    상기 신틸레이터와 상기 광검출기 사이에 광섬유 연결부를 형성하는 단계- 상기 광섬유 연결부는 상기 x선 검출기의 주축을 정의함 -와,
    상기 광섬유 연결부에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료를 형성하는 단계
    에 의해 상기 x선 검출기를 형성하는 단계를 더 포함하는 x선 이미지 시스템 동작 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    복수의 개별 광섬유를 사용하여 상기 광섬유 연결부를 형성하는 단계를 더 포함하되, 각 광섬유는 높은 종횡비를 갖는 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    각 광섬유의 상기 종횡비는 대략 20:1인 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 광검출기는 전하 결합 장치(CCD)를 사용하여 형성되는 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    x선은 상기 제 1 고밀도 차폐 재료에 의해 감쇠되는 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  21. 제 15 항에 있어서,
    x선을 아날로그 전기 신호로 변환하는 전자 컨버터(electron converter)에 x선을 제공하는 단계와,
    AD(analog-to-digital) 컨버터의 어레이를 제공하는 단계와,
    전자 컨버터로의 상기 x선과 상기 AD 컨버터 어레이 사이에 전기적 도전 경로를 제공하는 단계- 상기 전기적 도전 경로는 상기 x선 검출기의 주축을 정의함 -와,
    상기 전기적 도전 경로에 인접한 제 1 고밀도 차폐 재료를 제공하는 단계
    에 의해 상기 x선 검출기를 형성하는 단계를 더 포함하는 x선 이미징 시스템 동작 방법.
  22. x선 차폐 이미징 검출기에 있어서,
    x선 에너지를 전기 신호로 전환하는 수단과,
    상기 전기 신호를 디지털 신호로 변환하는 수단과,
    상기 전환 수단과 상기 변환 수단을 결합하는 수단과,
    상기 전환 수단을 통과하는 x선 에너지를 감쇠시키는, 상기 결합 수단에 인접하게 위치한 수단
    을 포함하는 x선 차폐 이미징 검출기.
KR1020030061843A 2002-09-05 2003-09-04 ｘ선 차폐 이미징 검출기, ｘ선 이미징 시스템 및 그 동작방법 KR20040022183A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/235,385 US6853707B2 (en) 2002-09-05 2002-09-05 Shielded x-ray detector
US10/235,385 2002-09-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040022183A true KR20040022183A (ko) 2004-03-11

Family

ID=31715301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030061843A KR20040022183A (ko) 2002-09-05 2003-09-04 ｘ선 차폐 이미징 검출기, ｘ선 이미징 시스템 및 그 동작방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6853707B2 (ko)
EP (1) EP1396733A1 (ko)
KR (1) KR20040022183A (ko)
SG (1) SG111101A1 (ko)
TW (1) TW200404157A (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9958569B2 (en) 2002-07-23 2018-05-01 Rapiscan Systems, Inc. Mobile imaging system and method for detection of contraband
US7231013B2 (en) * 2003-03-21 2007-06-12 Agilent Technologies, Inc. Precise x-ray inspection system utilizing multiple linear sensors
US7105820B2 (en) * 2004-01-16 2006-09-12 New Jersey Institute Of Technology Terahertz imaging for near field objects
US7115875B1 (en) * 2004-02-17 2006-10-03 Photodetection Systems, Inc. PET scanner with photodetectors and wavelength shifting fibers
WO2006097882A2 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh X-ray detector with in-pixel processing circuits
US7501631B2 (en) * 2005-10-07 2009-03-10 Schick Technologies, Inc. Shielding an imaging array from X-ray noise
US8284896B2 (en) * 2009-10-26 2012-10-09 Satpal Singh Multiview x-ray inspection system
CN103890570B (zh) * 2011-11-09 2016-02-24 雅马哈发动机株式会社 X射线检查方法及装置
US10670740B2 (en) 2012-02-14 2020-06-02 American Science And Engineering, Inc. Spectral discrimination using wavelength-shifting fiber-coupled scintillation detectors
ES2685971T3 (es) 2012-02-14 2018-10-15 American Science And Engineering, Inc. Inspección de rayos X usando detectores de centelleo acoplados mediante fibra con desplazamiento de longitud de onda
EP3271709B1 (en) 2015-03-20 2022-09-21 Rapiscan Systems, Inc. Hand-held portable backscatter inspection system
JP1565085S (ko) * 2016-03-28 2019-11-25
EP3811117A4 (en) 2018-06-20 2022-03-16 American Science & Engineering, Inc. SCINTILLATION DETECTORS COUPLED TO WAVELENGTH OFFSET SHEET
US11175245B1 (en) 2020-06-15 2021-11-16 American Science And Engineering, Inc. Scatter X-ray imaging with adaptive scanning beam intensity
US11340361B1 (en) 2020-11-23 2022-05-24 American Science And Engineering, Inc. Wireless transmission detector panel for an X-ray scanner

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4946238A (en) * 1984-01-27 1990-08-07 University Of Pittsburgh Fiber optic coupler
JPS61110079A (ja) * 1984-11-02 1986-05-28 Toshiba Corp 放射線検出器
US5463224A (en) 1986-07-01 1995-10-31 American Science And Engineering, Inc. X-ray detector suited for high energy applications with wide dynamic range, high stopping power and good protection for opto-electronic transducers
JPS63311193A (ja) * 1987-06-15 1988-12-19 Seiko Instr & Electronics Ltd Ｘ線イメ−ジセンサ−
US5144141A (en) * 1991-08-19 1992-09-01 General Electric Company Photodetector scintillator radiation imager
US5391879A (en) * 1993-11-19 1995-02-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation detector
US5636299A (en) * 1994-12-28 1997-06-03 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Hybrid luminescent device and method for imaging penetrating radiation
JPH08215190A (ja) * 1995-02-09 1996-08-27 Morita Mfg Co Ltd 画像検出装置および医療用ｘ線撮影装置
JP3836208B2 (ja) 1997-04-09 2006-10-25 浜松ホトニクス株式会社 医療用小型ｘ線画像検出装置
JP3595759B2 (ja) * 1999-07-02 2004-12-02 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム

Also Published As

Publication number Publication date
EP1396733A1 (en) 2004-03-10
SG111101A1 (en) 2005-05-30
US7362846B2 (en) 2008-04-22
TW200404157A (en) 2004-03-16
US20040047448A1 (en) 2004-03-11
US6853707B2 (en) 2005-02-08
US20050018814A1 (en) 2005-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7463716B2 (en) Linear X-ray detector using rod lens array
US7362846B2 (en) Shielded x-ray detector
US4947412A (en) X-ray detector for CT scanners
EP1378148B1 (en) Method and apparatus for measuring the position, shape, size and intensity distribution of the effective focal spot of an x-ray tube
EP0378896A2 (en) Radiation detectors
JPS58118733A (ja) ラジオグラフイ装置
US8180022B2 (en) Linear X-ray detector using fiber optic face plate to alter optical path
US5909029A (en) Detector for x-ray tomography apparatus
US7045790B2 (en) Imaging apparatus
US6614045B2 (en) Imaging apparatus
EP0556901B1 (en) Apparatus for detecting high energy radiation
US6811314B2 (en) Edge phantom
US6756603B2 (en) Imaging apparatus
EP1369084B1 (en) Method for assessing the sharpness of a radiography system
JP4345739B2 (ja) バイオチップ読取装置
EP1000581B1 (en) High resolution real-time x-ray image apparatus
JP2943343B2 (ja) 微粒子測定装置
JP2776823B2 (ja) 光学検出装置
WO2023238287A1 (ja) 検査装置、検査素子および検査方法
US7102149B2 (en) Method of inspecting stray light that occurs in a radiation image reader
JP2936644B2 (ja) 異物検査装置
JP2017044588A (ja) Ｘ線検出器およびｘ線撮像システム
JP2001318154A (ja) 放射線検出器とその製造方法及びｘ線ｃｔ装置のデータ補正方法
JPH0251051A (ja) 透視装置
JPH07209497A (ja) 光刺激により得た放射線を読み取る装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid