JPS5816586A - 半導体レ−ザ−装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS5816586A JPS5816586A JP57097772A JP9777282A JPS5816586A JP S5816586 A JPS5816586 A JP S5816586A JP 57097772 A JP57097772 A JP 57097772A JP 9777282 A JP9777282 A JP 9777282A JP S5816586 A JPS5816586 A JP S5816586A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- rear beam
- fiber cable
- laser device
- laser element
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザー装置、さらに詳細には半導体
レーザー素子のリアービームが装置、外部に出射するの
を防止した半導体レーザー装置に関する。
レーザー素子のリアービームが装置、外部に出射するの
を防止した半導体レーザー装置に関する。
従来より、半導体レーザー装置は環境汚染を防ぐために
、第1図に示すように、パッケージlを設けており、レ
ーザー出力となる光ビームはパッケージ1に設けた光学
窓2から取り出すようにしている。
、第1図に示すように、パッケージlを設けており、レ
ーザー出力となる光ビームはパッケージ1に設けた光学
窓2から取り出すようにしている。
しかし、この装置に用いられる半導体レーザー素子3は
両端から光ビームを出射するので、一方のビーム即ちフ
ロントビーム4のみを上記のように光学窓から取り出す
ようにしているにも拘らず、残りのビームであるリアー
ビーム5がパッケージ内部で反射してフロントビーム4
に混入スるという問題が生じている。
両端から光ビームを出射するので、一方のビーム即ちフ
ロントビーム4のみを上記のように光学窓から取り出す
ようにしているにも拘らず、残りのビームであるリアー
ビーム5がパッケージ内部で反射してフロントビーム4
に混入スるという問題が生じている。
このように、リアービーム成分がフロントビーム、に混
入すると、例えば半導体レーザー装置の光ビームの強度
測定を行なった場合、光学窓からの測定位置により強度
が異なることになるので、正しい評価ができなくなる問
題がある。また、装置の使用時にその位置関係によって
はゴーストが発生したり゛、他の不都合が生じるおそれ
も十分に考えられる。
入すると、例えば半導体レーザー装置の光ビームの強度
測定を行なった場合、光学窓からの測定位置により強度
が異なることになるので、正しい評価ができなくなる問
題がある。また、装置の使用時にその位置関係によって
はゴーストが発生したり゛、他の不都合が生じるおそれ
も十分に考えられる。
従って、半導体レーザー装置の評価を行なうとき、或い
は記録装置等として使用するときには不都合となる欠点
がある。
は記録装置等として使用するときには不都合となる欠点
がある。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、リアービームの
反射に基づくゴースト等の生じない半導体レーザー装置
を提供することにある。
反射に基づくゴースト等の生じない半導体レーザー装置
を提供することにある。
本発明の要旨は、リアービームをパッケージ内部で例え
ば散乱、減衰させるようにしリアービームが光、学窓か
ら出射することを防止する手段を具備する半導体レーザ
ー装置にある。
ば散乱、減衰させるようにしリアービームが光、学窓か
ら出射することを防止する手段を具備する半導体レーザ
ー装置にある。
以下、第2図〜第4図に示す実施例により本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
第2図は本発明の第1実施例を示すもので、この実施例
装置においては、一般に金属製で円板状のベース10の
上に銅等からなるマウント11が固定され、これの垂直
面12には半導体レーザー素子13が接合されている。
装置においては、一般に金属製で円板状のベース10の
上に銅等からなるマウント11が固定され、これの垂直
面12には半導体レーザー素子13が接合されている。
この半導体レーザー素子13は、し−ザー駆動回路等を
備える既知の駆動ユニットによって動作されるもので、
この例では赤外線の波長を持つ光ビームを上下に出射す
る。
備える既知の駆動ユニットによって動作されるもので、
この例では赤外線の波長を持つ光ビームを上下に出射す
る。
また、ベースlO上には、−半導体レーザー素子13及
びマウン)11を被覆し、内外部を遮断するメタルキャ
ップ14が密着され、メタルキャップ14の上部中央に
は光ビーム(フロントビーム)を取り出すための光学窓
15が設けられている。
びマウン)11を被覆し、内外部を遮断するメタルキャ
ップ14が密着され、メタルキャップ14の上部中央に
は光ビーム(フロントビーム)を取り出すための光学窓
15が設けられている。
そして、前記マウント11の光ビーム反射面とメタルキ
ャップ14の内面には、ニグロシン、バインダーとして
のラッカー、つや消し剤、粉末シリカ等から構成される
反射防止膜16.17が塗布されている。
ャップ14の内面には、ニグロシン、バインダーとして
のラッカー、つや消し剤、粉末シリカ等から構成される
反射防止膜16.17が塗布されている。
この実施例において、半導体レーザー素子13を動作さ
せると、フロントビーム18が上方ノ光学窓15から外
部に出射し、リアービーム19は下方に出射されて最初
の反射防止816で吸収、減衰され、ここで散乱された
残りのリアービームは第2の反射防止膜17でほとんど
減衰吸収される。
せると、フロントビーム18が上方ノ光学窓15から外
部に出射し、リアービーム19は下方に出射されて最初
の反射防止816で吸収、減衰され、ここで散乱された
残りのリアービームは第2の反射防止膜17でほとんど
減衰吸収される。
従って、従来リアービームの約35%が光学窓から出射
されていたものが、この実施例によると約4%位まで低
下させることができる。
されていたものが、この実施例によると約4%位まで低
下させることができる。
なお、ニグロシンは赤外の波長領域の光ビームの吸収に
効−果があり、つや消し剤、粉末シリカ粒子は反射ビー
ムを散乱させる効果がある。また、カーボンブラックも
ニグロシンと同様に赤外光吸収に効果があるので1.リ
アービーム反射面に直接塗布して、或いはシート状にし
て用いることが可能である。
効−果があり、つや消し剤、粉末シリカ粒子は反射ビー
ムを散乱させる効果がある。また、カーボンブラックも
ニグロシンと同様に赤外光吸収に効果があるので1.リ
アービーム反射面に直接塗布して、或いはシート状にし
て用いることが可能である。
次に、本発明の第2の実施例を第3図に示す。
この実施例においては、マウント11のりアービーム反
射面20に反射防止膜を塗布する代りに、この面を傾斜
させる構造としている。他の構成は第1実施例と同じで
ある。
射面20に反射防止膜を塗布する代りに、この面を傾斜
させる構造としている。他の構成は第1実施例と同じで
ある。
この構成によると、リアービーム19はフロントビーム
18と異なる方向に反射されるので、パッケージ内部で
散乱、減衰する。特に、キャップ14の内面を粗面とし
ておくことにより、その効果が増大する。また、先に述
べた反射防止膜と併用することも可能である。
18と異なる方向に反射されるので、パッケージ内部で
散乱、減衰する。特に、キャップ14の内面を粗面とし
ておくことにより、その効果が増大する。また、先に述
べた反射防止膜と併用することも可能である。
なお、リアービーム反射面2oの傾斜が急過ぎる場合に
は、最初のリアービームの反射光が直接光学窓15から
出ることがあるので、適度な傾斜とするのが好ましい。
は、最初のリアービームの反射光が直接光学窓15から
出ることがあるので、適度な傾斜とするのが好ましい。
さらに、半導体レーザー素子13の光ビーム出射部が光
学窓15の中心下にあるとすると、リアービーム反射面
20の水平方向長さ文は、光学窓の中心から光学窓の径
の1/4以上の長さであれば、リアービーム19を直接
外部に出すことがなく、パッケージ内部で散乱及び減衰
させることができる。
学窓15の中心下にあるとすると、リアービーム反射面
20の水平方向長さ文は、光学窓の中心から光学窓の径
の1/4以上の長さであれば、リアービーム19を直接
外部に出すことがなく、パッケージ内部で散乱及び減衰
させることができる。
次に、第4図に本発明の第3実施例を示す。
この装置では、半導体レーザー素子13の下部にリアー
ビームを集めるファイバーケーブル21を設け、これの
下端部をマウント11に設けた穴22の中に挿入するよ
うにしている。これ以外の構成は、第3図の場合と同一
である。
ビームを集めるファイバーケーブル21を設け、これの
下端部をマウント11に設けた穴22の中に挿入するよ
うにしている。これ以外の構成は、第3図の場合と同一
である。
穴22は、ファイバーケーブル22によって集められた
°リアービームを散乱減衰させるためのものであり、そ
の内面は適当な粗面となっている。
°リアービームを散乱減衰させるためのものであり、そ
の内面は適当な粗面となっている。
この装置を動作させたところ、リアービームが光学窓1
5から漏れる量は、フロントビームの強度の3〜4%と
きわめて小さくなっている。
5から漏れる量は、フロントビームの強度の3〜4%と
きわめて小さくなっている。
このように、パッケージ内部に光ビームを散乱、減衰さ
せる場所を設けることも効果が大きいが、さらに反射防
止膜、傾斜面等を併用することも望ましい。これにより
、リアービームが光学窓から出射することはほとんどな
くなる。
せる場所を設けることも効果が大きいが、さらに反射防
止膜、傾斜面等を併用することも望ましい。これにより
、リアービームが光学窓から出射することはほとんどな
くなる。
また、上に述べたものはパラケージ内部でリアービーム
を処理する構造であるが、第4図のファイバーケーブル
22のように簡単な光学系を用いてリアービームを外部
に取り出し、それを外部で処理する構造とすることも有
効である。
を処理する構造であるが、第4図のファイバーケーブル
22のように簡単な光学系を用いてリアービームを外部
に取り出し、それを外部で処理する構造とすることも有
効である。
以上説明したように本発明は、リアービームをパッケー
ジ内部で吸収、散乱、減衰させるリアービーム阻止手段
が設けられており半導体レーザー素子のリアービームが
フロントビームに混入して外部に出射されるのを防止す
るので、光学窓から測定位置での強度分布をかなり均一
にでき、しかもリアービームによるゴーストも発生せず
半導体レーザー装置の正しい評価、及び画像記録に用い
た場合記録の正しい評価が可能となる等の優れた利点が
ある。
ジ内部で吸収、散乱、減衰させるリアービーム阻止手段
が設けられており半導体レーザー素子のリアービームが
フロントビームに混入して外部に出射されるのを防止す
るので、光学窓から測定位置での強度分布をかなり均一
にでき、しかもリアービームによるゴーストも発生せず
半導体レーザー装置の正しい評価、及び画像記録に用い
た場合記録の正しい評価が可能となる等の優れた利点が
ある。
第1図は、従来の半導体レーザー装置の概略縦断面図、
第2図は本発明に係る半導体レーザー装置の第1実施例
を示す概略縦断面図、第3図は本発明の第2実施例を示
す概略縦断面図、第4図は本発明の′第3実施例を示す
概略縦断面図である。
第2図は本発明に係る半導体レーザー装置の第1実施例
を示す概略縦断面図、第3図は本発明の第2実施例を示
す概略縦断面図、第4図は本発明の′第3実施例を示す
概略縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l) フロントビームとリアービームを出射する半導体
レーザー素子と、前記半導体レーザー素子を収納しその
一部に前記フロントビームを取り出す窓を有する筐体と
、前記リアービームを所定の方向に導くファイバーケー
ブルと、前記リアービームが前記窓から前記筐体外へ出
射することを防止するため前記ファイバーケーブルの一
端に設けた前記リアービームを散乱減衰させる散乱減衰
部とを有することを特徴とする半導体レーザー装置。 2)前記ファイバーケーブルは前記筐体外に導き出され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
レーザー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097772A JPS5816586A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097772A JPS5816586A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5679379A Division JPS55148482A (en) | 1979-05-08 | 1979-05-08 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5816586A true JPS5816586A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14201135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57097772A Pending JPS5816586A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5816586A (ja) |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP57097772A patent/JPS5816586A/ja active Pending
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