JP2001267674A - 半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング方法 - Google Patents

半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング方法

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Terumitsu Santo
輝光 山藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で製造工程を簡略化でき、２つの
半導体レーザ素子とモニタ用ＰＤを小型パッケージに容
易に搭載できる半導体レーザ装置およびそのワイヤボン
ディング方法を提供する。 【解決手段】 複数のリードピン１２１〜１２４を有す
るステム１００と、上記ステム１００上にダイボンドさ
れ、表面にモニタ用ＰＤ１４０が一体形成されたサブマ
ウント１６０と、上記サブマウント１６０上にダイボン
ドされ、モニタ用ＰＤ１４０により出射光がモニタされ
る２つの半導体レーザ素子１３１,１３２とを備える。
上記モニタ用ＰＤ１４０の第１ボンディング面(アノー
ド電極１８３)と、その第１ボンディング面に対して略
直角なリードピン１２３の第２ボンディング面(端面１
２３a)とをワイヤボンディングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、２つの半導体レ
ーザ素子を搭載する半導体レーザ装置およびそのワイヤ
ボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザ装置としては、金属
製ステム上に１つの半導体レーザ素子とその半導体レー
ザ素子の出力をモニタするモニタ用フォトダイオード
(以下、モニタ用ＰＤという)を配置したものがある。し
かしながら、ＣＤ(コンパクト・ディスク)やＤＶＤ(デ
ジタル・バーサタイル・ディスク)等の記録媒体から情
報を読み出すために、２つの半導体レーザ素子を用いて
波長の異なる２種類のレーザ光を出射する半導体レーザ
装置が必要とされている。
【０００３】そこで、２つの半導体レーザ素子とその半
導体レーザ素子の出力をモニタするモニタ用ＰＤを配置
した図１２に示すような半導体レーザ装置が考えられ
る。図１２はこの半導体レーザ装置のキャップを除いた
内部の斜視図を示している。なお、この半導体レーザ装
置は、この発明の説明を容易にするために示すものであ
って、従来技術ではない。
【０００４】図１２に示すように、この半導体レーザ装
置は、一体形成されたアイレット２０１および放熱台２
０２を有する金属製のステム２００を備えている。上記
ステム２００のアイレット２０１に一端が貫通するよう
にリードピン２２１〜２２３を取り付け、共通電極用と
してリードピン２２４の一端をアイレット２０１に電気
的に接続している。上記リードピン２２１〜２２３は、
アイレット２０１に低融点ガラスで固定し、ステム２０
０に対して電気的に絶縁している。また、上記アイレッ
ト２０１は外径が５.６ｍｍであり、直径が０.４ｍｍの
円柱状の金属からなるリードピン２２１〜２２４は、ア
イレット２０１に直径２ｍｍの円周上に９０度毎に等間
隔で配置されている。
【０００５】また、上記アイレット２０１と一体的に形
成された放熱台２０２に、シリコンサブマウント(以
下、Ｓiサブマウントという)２６０を導電性のペースト
(図示せず)によりダイボンドしている。上記シリコンサ
ブマウント２６０上に、２つの半導体レーザ素子２３
１,２３２をＡu−Ｓn合金からなるロー材(図示せず)に
よりダイボンドしている。上記Ｓiサブマウント２６０
のダイボンド面を金属で覆い、半導体レーザ素子２３
１,２３２の共通電極としている。また、上記Ｓiサブマ
ウント２６０の表面の共通電極を金属ワイヤ２５２,２
５４を介して放熱台２０２に接続している。一方、半導
体レーザ素子２３１,２３２の上部電極をリードピン２
２１,２２２に金属ワイヤ２５１,２５３を介してそれぞ
れ接続している。そして、上記ステム２００のアイレッ
ト２０１に形成された凹部２０１bに、モニタ用ＰＤ２
４０を導電性のペースト(図示せず)によりダイボンド
し、そのモニタ用ＰＤ２４０の上部電極を金属ワイヤ２
５５を介してリードピン２２３の端面２２３aに接続し
ている。
【０００６】上記２つの半導体レーザ素子２３１,２３
２は、特に、赤色レーザ光(波長６３０ｎｍ〜６８０ｎ
ｍ)を出射するＩnＧaＡlＰ系半導体レーザ素子２３１と
赤外レーザ光(波長７６０ｎｍ〜８５０ｎｍ)を出射する
ＡlＧaＡs系半導体レーザ素子２３２の組合せが用いら
れる。
【０００７】上記２つの半導体レーザ素子２３１,２３
２の発光点の相対位置が、使用中動かないようにするた
め、通常の使用温度範囲の上限である８０℃より十分融
点が高いロー材(例えばＡu−Ｓn合金等)を使用して、半
導体レーザ素子２３１,２３２をＳiサブマウント２６０
にダイボンドする必要がある。上記半導体レーザ素子２
３１,２３２を金属製の放熱台２０２に直接ダイボンド
すると、金属と半導体の線膨張係数の違いにより、半導
体レーザ素子２３１,２３２に強い応力が加わり、結晶
が壊れて劣化してしまうという問題があるため、Ｓiサ
ブマウント２６０にダイボンドすることが必須となって
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１２に示
す２つの半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置で
は、構造が複雑になると共に、モニタ用ＰＤ２４０,Ｓi
サブマウント２６０をダイボンドする工程が増えてコス
トが高くつくという問題があるそこで、Ｓiサブマウン
ト表面にモニタ用ＰＤを形成し、モニタ用ＰＤのダイボ
ンド工程を省略して、製造工程を簡略化することが考え
られる。そうした場合、モニタ用ＰＤの電極面は、２つ
の半導体レーザ素子の電極面およびＳiサブマウント表
面に形成された電極面と平行になる。この半導体レーザ
素子,モニタ用ＰＤの各電極とリードピンとを金属ワイ
ヤで接続するときに、電極およびリードピンの金属ワイ
ヤをボンディングする面は互いに平行でなければ、ワイ
ヤボンディングを容易に行うことができない。このこと
を図１２に示す構成の半導体レーザ装置を用いて以下に
説明する(モニタ用ＰＤはＳiサブマウント表面に形成さ
れるものと仮定する)。
【０００９】この半導体レーザ装置では、２つの半導体
レーザ素子２３１,２３２が両側のリードピン２２１,２
２２に夫々接続されるので、Ｓiサブマウント表面に形
成さるモニタ用ＰＤの電極と金属ワイヤで接続すること
ができるのは、図１２中上側のリードピン２２３だけで
ある。この場合、リードピン２２３の先端がアイレット
の表面２０１aから出ていないので、Ｓiサブマウント２
６０に形成されるモニタ用ＰＤの電極と平行な面が殆ど
ないという問題がある。この問題を解決する方法として
は、アイレット２０１のリードピン２２３の周囲に凹部
を設けて、リードピン２２３を露出させて、円筒状のリ
ードピン２２３の外周面にダイボンドすることも考えら
れるが、凹部がアイレットを貫通する恐れがあり、キャ
ップ(図示せず)により内部を密閉することができなくな
るので、半導体レーザ素子が劣化しやすいという問題が
ある。
【００１０】また、リードピン２２３の端面２２３aと
Ｓiサブマウントに形成されるモニタ用ＰＤの電極とを
ワイヤボンディングする場合、リードピン２２３の端面
２２３aとモニタ用ＰＤの電極面とは互いに垂直になっ
ており、従来のワイヤボンディング方法では、接続する
ことが困難であった。以下に、その理由について、図１
２の半導体レーザ装置のワイヤボンディングの工程を示
す図１３〜図１９により説明する。
【００１１】まず、図１３〜図１８により、図１２に示
す半導体レーザ装置２００のモニタ用ＰＤ２４０の電極
面とリードピン２２３の端面２２３aを金属ワイヤで接
続する従来のワイヤボンディング方法を説明する。
【００１２】図１３に示すように、ボンディングヘッド
７０は、キャピラリホルダ７２の先に取り付けられたキ
ャピラリ７１とワイヤクランプ７３とを有し、キャピラ
リ７１とワイヤクランプ７３とは一体に動くようになっ
ている。上記キャピラリ７１は、先端の直径が２００μ
ｍ程度で、金属ワイヤ５０を直線状に保ち案内する働き
をする。この金属ワイヤ５０には、直径２５μｍの金ワ
イヤを用い、キャピラリ７１の先端から突出する金属ワ
イヤ５０の先端にアーク放電等によりボール５０aを形
成する。
【００１３】次に、図１４に示すように、ボンディング
ヘッド７０を下降させ、モニタ用ＰＤ２４０の電極面に
ボール５０a(図１３に示す)を接触させて、超音波振動
を加えてボール５０aとモニタ用ＰＤ２４０の電極とを
接続する(このボール５０aが接続される点を「第１ボン
ド」と呼ぶ)。
【００１４】次に、図１５に示すように、ワイヤクラン
プ７３が開いた状態でボンディングヘッド７０を上昇さ
せ、金属ワイヤ５０を引き出すと共に、キャピラリ７１
の軸方向に対して垂直な軸を中心にステム２００を適宜
回転し、リードピン２２３のボンディング面２２３aが
キャピラリ７１の軸方向に対して垂直になるようにす
る。
【００１５】次に、図１６に示すように、リードピン２
２３のボンディング面２２３aが、キャピラリ７１の鉛
直下方に位置するように、ボンディングヘッド７０をリ
ードピン２２３のボンディング面２２３aに平行な面に
沿って移動する。このとき、モニタ用ＰＤ２４０の電極
面とリードピン２２３のボンディング面２２３aがキャ
ピラリ７１にガイドされた金属ワイヤ５０とが同一平面
上にない場合は、キャピラリ７１の軸上にリードピン２
２３のボンディング面２２３aが位置するように、ステ
ム２００を移動させればよい。
【００１６】再度、図１７に示すように、上記ボンディ
ングヘッド７０を下降させて、リードピン２２３のボン
ディング面２２３aに金属ワイヤ５０を接触させ、金属
ワイヤ５０に超音波振動を加えてリードピン２２３のボ
ンディング面２２３aと接続する(この金属ワイヤが接続
される点を「第２ボンド」と呼ぶ)。
【００１７】最後に、図１８に示すように、ワイヤクラ
ンプ７３を閉じ、その状態でボンディングヘッド７０を
引き上げることにより金属ワイヤ５０を切断する。この
後、図示していないが、ワイヤ５０の先端にはアーク放
電により金属ボールが形成され、最初の工程に戻る。
【００１８】このようなワイヤボンディング方法では、
第１ボンドのボンディング面と第２ボンドのボンディン
グ面は、互いに１３°程度の角度をなしているだけなの
で、ステム２００を回転させる中心となる軸がどこに有
っても特に問題はない。ところが、さらにステム２００
の回転角度が大きくなると、キャピラリ７１がステム２
００や半導体レーザ素子等に接触して破損する恐れがあ
ると共に、図１９に示すように、金属ワイヤ５０がキャ
ピラリ７１の先端で大きく曲げられたり、第１ボンド部
分やキャピラリ７１先端部分でねじれて切断してしまう
という問題がある。
【００１９】また、図１２に示す半導体レーザ装置にお
いて、Ｓiサブマウント２６０を放熱台２０２にダイボ
ンドする場合、半導体レーザ素子２３１,２３２とＳiサ
ブマウント２６０を固定しているロー材に熱的な影響を
与えないように樹脂に導電材(例えば銀のフィラー)を充
填した導電性ペーストで固定することが望ましい。しか
しながら、導電性ペーストは流動性が高く、ダイボンド
面に広がり易いため、金属ワイヤをボンディングする面
に導電性ペーストが付着して平滑性が失われると、ワイ
ヤボンディングができないという問題がある。
【００２０】そこで、この発明の目的は、簡単な構成で
製造工程を簡略化でき、２つの半導体レーザ素子とモニ
タ用ＰＤを小型パッケージに容易に搭載できる半導体レ
ーザ装置を提供すると共に、ステムや半導体レーザ素子
等を破損することなく、容易にかつ確実にワイヤボンデ
ィングができる上記半導体レーザ装置のワイヤボンディ
ング方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体レーザ装置は、複数のリードピン
を有するステムと、上記ステム上にダイボンドされ、表
面にモニタ用フォトダイオードが一体形成されたサブマ
ウントと、上記サブマウント上にダイボンドされ、上記
モニタ用フォトダイオードにより出射光がモニタされる
２つの半導体レーザ素子とを備え、上記各半導体レーザ
素子の電極を上記リードピンに金属ワイヤを介して電気
的に夫々接続すると共に、上記モニタ用フォトダイオー
ドの電極を上記リードピンに金属ワイヤを介して電気的
に接続する半導体レーザ装置であって、上記２つの半導
体レーザ素子および上記モニタ用フォトダイオードの少
なくとも１つの第１ボンディング面と、その第１ボンデ
ィング面とワイヤボンディングされる上記リードピンの
第２ボンディング面とが互いに略直角であることを特徴
としている。
【００２２】上記構成の半導体レーザ装置によれば、上
記２つの半導体レーザ素子の電極および上記モニタ用Ｐ
Ｄの電極は、互いに平行な電極面を有し、それら３つの
電極面のうちの少なくとも１つを第１ボンディング面と
して、その第１ボンディング面に略垂直なリードピンの
第２ボンディング面とをワイヤボンディングする。例え
ば、リードピン数が限られた直径５.６ｍｍの小型パッ
ケージにおいて、上記２つの半導体レーザ素子の出射光
の光軸が互いに平行にかつステムの表面(アイレット表
面)に垂直になるように、上記２つの半導体レーザ素子
をステム上に配列し、その配列方向の両側に２つのリー
ドピンがあり、さらにその配列方向に直交する方向にも
う１つのリードピンがある場合、各半導体レーザ素子の
電極とモニタ用ＰＤの電極をそれぞれ３つのリードピン
に割り当てて、電極とリードピンをそれぞれワイヤボン
ディングにより接続する(各素子の他の電極は共通電極
であるステムに接続)。そうした場合、２つの半導体レ
ーザ素子の配列方向の両側のリードピン外周の接平面
と、各半導体レーザ素子の電極とモニタ用ＰＤの電極の
うちの２つの電極面とは平行となり、ワイヤボンディン
グが容易にできる。ところが、残りの素子の電極面(第
１ボンディング面)は、同様に残るリードピンの外周の
接平面と平行ではあるが、配置上の制約によりワイヤボ
ンディングが困難なため、残りの素子の電極面(第１ボ
ンディング面)と略直角の関係にあるリードピンの端面
(第２ボンディング面)とワイヤボンディングする。この
互いに略直角な第１,第２ボンディング面のワイヤボン
ディングを可能にすることによって、簡単な構成で製造
工程を簡略化でき、小型のパッケージのステムに２つの
半導体レーザ素子とモニタ用ＰＤを容易に搭載できる半
導体レーザ素子を実現することができる。なお、上記２
つの半導体レーザ素子をダイボンドするサブマウントに
は、熱膨張による応力が半導体レーザ素子に加わらない
ようにシリコン等の半導体からなるサブマウントを用い
る。
【００２３】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記第１ボンディング面のボンディング位置および上記
第２ボンディング面のボンディング位置が、上記第１,
第２ボンディング面に略直交する同一平面上にあること
を特徴としている。
【００２４】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記第１ボンディング面のボンディング位置および
第２ボンディング面のボンディング位置が上記第１,第
２ボンディング面に略同一平面内に有るようにするの
で、ワイヤボンディング時にその同一平面に沿ってステ
ムを回転するから、金属ワイヤがねじれることがなくな
り、金属ワイヤが接続された半導体レーザ素子,モニタ
用ＰＤに応力が加わらないので、信頼性を向上できる。
【００２５】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記サブマウント上に形成され、上記２つの半導体レー
ザ素子がダイボンドされる金属配線を備え、上記各半導
体レーザ素子に対応する上記金属配線が電気的に絶縁さ
れていることを特徴としている。
【００２６】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記サブマウント上の半導体レーザ素子がダイボン
ドされる金属配線は、半導体レーザ素子毎に独立した金
属配線とし、互いに電気的に絶縁しておくことにより、
２つの半導体レーザ素子のダイボンド側の電気的特性が
異なっていても良い。例えば、一方の半導体レーザ素子
はｐ電極側をダイボンドし、他方の半導体レーザ素子
は、ｎ電極側をダイボンドすることが可能となるので、
使用する半導体レーザ素子に対する条件が緩やかにな
る。
【００２７】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記サブマウント上に形成され、上記２つの半導体レー
ザ素子がダイボンドされる金属配線を備え、上記２つの
半導体レーザ素子の後端面側から上記モニタ用ＰＤ側に
上記金属配線が形成されていないことを特徴としてい
る。
【００２８】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、サブマウントに一体的に形成されたモニタ用ＰＤに
半導体レーザからの出射光をできるだけ多く入射させる
ために、金属配線の半導体レーザ素子出射端面近傍を半
導体レーザ素子からモニタ用ＰＤ側に出さないようにす
る。そうすることによって、特に半導体レーザ素子の発
光点がサブマウントの表面からの高さが数μｍ程度のも
のに対して有効である。
【００２９】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記リードピンの端面が上記第２ボンディング面であっ
て、上記リードピンの端面が上記ステムの表面と同じ高
さか、または、上記ステムの表面よりも低いことを特徴
としている。
【００３０】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記第２ボンディング面であるリードピンの端面が
上記ステムの表面と同じ高さか、または、上記ステムの
表面よりも低いので、第１ボンディング面にワイヤボン
ディングするときに、ワイヤボンディング装置のキャピ
ラリが第２ボンディング面を有するリードピンに当たる
のを防止できる。
【００３１】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記ステムに、上記サブマウントをボンディングする面
と平行でかつ高さの異なるボンディング面を有する段部
を設けたことを特徴としている。
【００３２】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記ステムに、上記サブマウントをボンディングす
る面と平行でかつ高さの異なるボンディング面を有する
段部を設けることにより、ステムのサブマウントがボン
ディングされた面の導電性ぺーストがワイヤボンディン
グ面に付着することが無くなるので、ワイヤボンディン
グできないという問題が発生しなくなる。
【００３３】また、この発明の半導体レーザ装置は、複
数のリードピンを有するステムと、上記ステム上にダイ
ボンドされたサブマウントと、上記サブマウント上にダ
イボンドされた半導体レーザ素子とを備え、上記半導体
レーザ素子の電極を上記リードピンに金属ワイヤを介し
て電気的に接続する半導体レーザ装置であって、上記ス
テムに、上記サブマウントをボンディングする面と平行
でかつ高さの異なるボンディング面を有する段部を設け
たことを特徴としている。
【００３４】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、上記ステムに、上記サブマウントをボンディングす
る面と平行でかつ高さの異なるボンディング面を有する
段部を設けることにより、ステムのサブマウントがボン
ディングされた面の導電性ぺーストがワイヤボンディン
グ面に付着することが無くなるので、ワイヤボンディン
グできないという問題が発生しなくなる。
【００３５】また、この発明の半導体レーザ装置のワイ
ヤボンディング方法は、複数のリードピンを有するステ
ムと、上記ステム上に取り付けられ、表面にモニタ用フ
ォトダイオードが一体形成されたサブマウントと、上記
サブマウント上にダイボンドされ、上記モニタ用フォト
ダイオードにより出射光がモニタされる２つの半導体レ
ーザ素子とを備えた半導体レーザ装置のワイヤボンディ
ング方法であって、上記２つの半導体レーザ素子および
上記モニタ用ＰＤの少なくとも１つの第１ボンディング
面に対して上記金属ワイヤを案内するキャピラリの軸が
垂直になるように上記ステムを保持して、上記第１ボン
ディング面に上記金属ワイヤの一端をボンディングする
第１の工程と、上記第１ボンディング面に上記金属ワイ
ヤの一端をボンディングした後の上記金属ワイヤに直交
する軸を中心に、上記第１ボンディング面に略直角な上
記リードピンの第２ボンディング面に対して上記キャピ
ラリの軸が垂直になるように上記ステムを回転させて、
上記第２ボンディング面に上記金属ワイヤの他端をボン
ディングする第２の工程とを有することを特徴としてい
る。
【００３６】上記半導体レーザ装置のワイヤボンディン
グ方法によれば、上記２つの半導体レーザ素子および上
記モニタ用ＰＤの少なくとも１つの第１ボンディング面
に対してワイヤボンディング装置のキャピラリの軸が垂
直になるように上記ステムを保持して、上記第１ボンデ
ィング面に上記金属ワイヤの一端をボンディングした
後、上記金属ワイヤに直交する軸を中心に、第１ボンデ
ィング面に略直角なリードピンの第２ボンディング面に
対して上記キャピラリの軸が垂直になるようにステムを
回転させて、上記第２ボンディング面に上記金属ワイヤ
の他端をボンディングする。そうすることによって、上
記第１,第２ボンディング面にボンディングされる金属
ワイヤをねじることなく、互いに略直角な第１,第２ボ
ンディング面に金属ワイヤを接続することができる。し
たがって、２つの半導体レーザ素子とモニタ用ＰＤを小
型パッケージに収納可能な半導体レーザ装置を、ステム
や半導体レーザ素子等を破損することなく、容易にワイ
ヤボンディングができる。
【００３７】また、一実施形態の半導体レーザ装置のワ
イヤボンディング方法は、上記第２の工程において上記
ステムを回転させるときの軸が、互いに略直角な上記第
１,第２ボンディング面の交線と平行であることを特徴
としている。
【００３８】上記実施形態の半導体レーザ装置のワイヤ
ボンディング方法によれば、上記第２の工程において上
記ステムを回転させるときの軸を、互いに略直角な第
１,第２ボンディング面の交線と平行にして、ステムの
回転軸方向からワイヤボンディングを観測する。そうす
ることによって、上記金属ワイヤのねじれ具合を観測し
ながらワイヤボンディングができるので、ボンディング
の失敗がなく、ワイヤボンディングを確実に行うことが
できる。
【００３９】また、一実施形態の半導体レーザ装置のワ
イヤボンディング方法は、上記第１ボンディング面のボ
ンディング位置および上記第２ボンディング面のボンデ
ィング位置が、上記第１,第２ボンディング面に略直交
する同一平面上にあることを特徴としている。
【００４０】上記実施形態の半導体レーザ装置のワイヤ
ボンディング方法によれば、上記第１ボンディング面の
ボンディング位置および第２ボンディング面のボンディ
ング位置が上記第１,第２ボンディング面に略同一平面
内に有るようにするので、ワイヤボンディング時にその
同一平面に沿ってステムを回転させるから、金属ワイヤ
がねじれることがなくなり、金属ワイヤが接続された半
導体レーザ素子,モニタ用ＰＤに応力が加わらないの
で、信頼性を向上できる。
【００４１】また、一実施形態の半導体レーザ装置のワ
イヤボンディング方法は、上記第２の工程において上記
ステムを回転させるときの軸と上記第１ボンディング面
との距離を、上記ステムを回転させるときの軸と上記第
２ボンディング面との距離としたことを特徴としてい
る。
【００４２】上記実施形態の半導体レーザ装置のワイヤ
ボンディング方法によれば、上記ステムの回転中心とな
る軸を、軸からの第１ボンディング面までの距離と軸か
らの第２ボンディング面までの距離とを等しくすること
によって、キャピラリの先端から第１ボンディング面と
第２ボンディング面までの距離が回転前後で同じになる
ので、ワイヤボンディングが容易にでき、付着した金属
ワイヤもはずれにくい。
【００４３】また、一実施形態の半導体レーザ装置のワ
イヤボンディング方法は、上記第１の工程の後、上記キ
ャピラリを上記第１ボンディング面に対して垂直方向に
引き上げて、上記キャピラリの先端から引き出される上
記金属ワイヤの長さを、上記半導体レーザ素子の前方端
面から上記第１ボンディング面のボンディング位置まで
の距離よりも長くしたことを特徴としている。
【００４４】上記実施形態の半導体レーザ装置のワイヤ
ボンディング方法によれば、上記第１ボンディング面に
ボンディングした後、上記キャピラリを第１ボンディン
グ面に対して垂直方向に引き上げたときのキャピラリの
先端から引き出される金属ワイヤの長さを、上記半導体
レーザ素子の前方端面から第１ボンディング面のボンデ
ィング位置までの距離よりも長くすることにより、ステ
ムを回転させたときに、キャピラリが半導体レーザ素子
に当たるのを防止できる。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の半導体レーザ装
置およびそのワイヤボンディング方法を図示の実施の形
態により詳細に説明する。
【００４６】図１はこの発明の実施の一形態の半導体レ
ーザ装置のキャップを外した内部を示す斜視図である。
【００４７】図１に示すように、この半導体レーザ装置
は、一体に形成されたアイレット１０１および放熱台１
０２を有する金属製のステム１００を備えている。上記
ステム１００のアイレット１０１に一端が貫通するよう
にリードピン１２１〜１２３を取り付け、共通電極用と
してリードピン１２４の一端をアイレット１０１に電気
的に接続している。上記リードピン１２１〜１２３は、
アイレット１０１に低融点ガラスで固定し、ステム１０
０に対して電気的に絶縁している。また、上記アイレッ
ト１０１は外径が５.６ｍｍであり、直径が０.４ｍｍの
円柱状の金属製のリードピン１２１〜１２４は、アイレ
ット１０１に直径２ｍｍの円周上に９０度毎に等間隔で
配置されている。
【００４８】また、上記アイレット１０１と一体に形成
された放熱台１０２に、Ｓiサブマウント１６０を導電
性ペーストである銀ペースト１７０(図２に示す)により
ダイボンドしている。このＳiサブマウント１６０表面
にモニタ用ＰＤ１４０を一体形成している。さらに、Ｓ
iサブマウント１６０上に、２つの半導体レーザ素子１
３１,１３２をＡu−Ｓn合金からなるロー材(図示せず)
によりダイボンドしている。また、上記半導体レーザ素
子１３１の上部電極を放熱台１０２の段部１１１の面１
０２bに金属ワイヤ１５２を介して接続し、半導体レー
ザ素子１３２の上部電極をリードピン１２２に金属ワイ
ヤ１５３を介して接続している(図３参照)。一方、上記
Ｓiサブマウント２６０表面の金属配線１８１(図３に示
す)を金属ワイヤ１５１を介してリードピン１２３に接
続し、Ｓiサブマウント２６０表面の金属配線１８２(図
３に示す)を放熱台１０２の段部１１１の面１０２bに金
属ワイヤ１５４を介して接続している(図３参照)。
【００４９】なお、上記アイレット１０１には、リード
ピン１２３の周囲を含む長方形状の領域に凹部１０３を
設けると共に、リードピン１２３の端面１２３aは、ア
イレット１０１の表面１０１aより上側に出ないように
している。
【００５０】また、図２は上記半導体レーザ装置の要部
を正面から見た図であり、図３は図２に示す半導体レー
ザ装置の要部を上方から見た図である。なお、図２,図
３では、図を見やすくするためにアイレットを省略して
いる。
【００５１】図２に示すように、上記Ｓiサブマウント
１６０に形成された金属配線１８１,１８２(図３に示
す)上に、２つの半導体レーザ素子１３１,１３２をＡu
−Ｓn合金からなるロー材(図示せず)によりダイボンド
している。上記２つの半導体レーザ素子１３１,１３２
は、出射光の光軸が平行でかつアイレットの表面に垂直
な方向になるように、Ｓiサブマウント１６０上に配置
されている。なお、上記半導体レーザ素子１３１は、平
行四辺形の断面形状をしており、オフ基板上に結晶成長
させたものである。
【００５２】また、上記放熱台１０２は、Ｓiサブマウ
ント１６０をダイボンドする面１０２aとは別に、面１
０２aと平行でかつ高さの異なる面１０２bを有する段部
１１１を放熱台１０２の両側に設けている。この面１０
２aと面１０２bの高さが異なることにより、面１０２a
に塗布された銀ペースト１７０は、表面張力により面１
０２aの端より広がらない。その結果、面１０２bは平滑
性を維持することができ、Ｓiサブマウント１６０を放
熱台１０２にダイボンドした後でも、金属ワイヤ１５
２,１５４を容易にボンディングすることができる。上
記アイレット１０１(図１に示す)と一体に形成された放
熱台１０２は、共通電極用リードピン１２４(図１に示
す)と電気的に接続されている。
【００５３】また、円柱状のリードピン１２１〜１２４
は金属製であるが、その表面は平滑に仕上げられてい
る。そのため、半導体レーザ素子１３２の上部電極と平
行な接平面がリードピン１２２の外周にあり、従来のワ
イヤボンディング装置により金属ワイヤ１５３で接続す
ることができる。同様に、Ｓiサブマウント１６０上に
形成された金属配線１８１(図３に示す)とリードピン１
２１も金属ワイヤ１５１で接続することができる。
【００５４】また、図３に示すように、上記モニタ用Ｐ
Ｄ１４０のカソード１８４を、半導体レーザ素子１３２
のカソードと金属ワイヤ１５６を介して接続している。
一方、モニタ用ＰＤ１４０のアノード電極１８３をリー
ドピン１２３の端面１２３aに金属ワイヤ１５５を介し
て接続している。上記モニタ用ＰＤ１４０のアノード電
極１８３の面に対してリードピン１２３の端面１２３a
が略直角になっており、このように互いに略直角なボン
ディング面を１本の金属ワイヤ(９０°ワイヤ)で接続す
ることにより、モニタ用ＰＤをＳiサブマウントとは別
に設ける必要が無くなる。また、ステム１００のアイレ
ット１０１に凹部１０３(図１に示す)を設けて、リード
ピン１２３を露出させる必要がないため、キャップによ
り半導体レーザ装置内部の気密を保って、半導体レーザ
素子およびモニタ用ＰＤ等の半導体部品を保護すること
が可能となる。また、上記部品をすべて含んで外径が
５.６ｍｍの小型のパッケージに収納することができ
る。
【００５５】また、図４〜図１１は上記半導体レーザ装
置のワイヤボンディング方法の工程を示しており、図４
〜図１１に従って上記半導体レーザ装置のワイヤボンデ
ィング方法を以下に説明する。この半導体レーザ装置の
ワイヤボンディング方法に用いるワイヤボンディング装
置は、ステムの回転角度が９０°である点を除いて図１
３に示すワイヤボンディング装置と同一の構成をしてお
り、同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略す
る。
【００５６】まず、第１ボンディング面をモニタ用ＰＤ
１４０(図１)のアノードと接続されたアノード電極１８
３(図３に示す)表面とする。また、第２ボンディング面
をリードピン１２３の端面１２３aとし、その端面１２
３aがアイレット１０１の表面１０１aより上側に出ない
ようにしてある。これは、キャピラリ７１をできるだけ
アイレット１０１の表面１０１a側に寄せて、Ｓiサブマ
ウント１６０上の半導体レーザ素子１３１,１３２に当
たらないようにするためである。
【００５７】上記キャピラリ７１の中心軸と第２ボンデ
ィング面であるリードピン１２３の端面１２３aとの距
離をｈ1とする。このようにモニタ用ＰＤ１４０の第１
ボンディング面(アノード電極１８３)に対してキャピラ
リ７１の軸が垂直になるようにステム１００を保持す
る。
【００５８】次に、図５に示すように、ボンディングヘ
ッド７０を下降させ、第１ボンドＸを形成する。
【００５９】次に、図６に示すように、ボンディングヘ
ッド７０を上昇させる。このとき、キャピラリ７１の先
端から第１ボンドＸまでの距離をｄ2とする。この距離
ｄ2は、半導体レーザ素子１３１,１３２の前方端面から
第１ボンドＸまでの距離ｄ1よりも長くするのが望まし
い(ｄ2＞ｄ1)。そうすることによって、ステム１００を
回転させたときに、キャピラリ７１が半導体レーザ素子
１３１,１３２に当たるのを防止できる。
【００６０】次に、図７に示すように、上記ステム１０
０を、第１ボンドＸとキャピラリ７１の間に渡された金
属ワイヤ５０上で、かつ、第１ボンドＸから所定の高さ
ｈ2の点を通り図７の紙面に垂直な軸Ｏを中心に回転さ
せる。この「紙面に垂直な方向」とは、ワイヤボンディ
ングを観測する面の方向と同じである。すなわち、上記
ステム１００を回転させるときの軸Ｏを、互いに略直角
な第１,第２ボンディング面(アノード電極１８３,端面
１２３a)の交線と平行にするのである。
【００６１】そうすると、図８に示すように、ステム１
００の回転前後で、キャピラリ７１の先端から第１ボン
ドＸまでの距離と、キャピラリ７１の先端から第２ボン
ドＹまでの距離が変化しない。そのため、ステム１００
の回転中にキャピラリ７１から金属ワイヤ５０が引き出
されることがなく、金属ワイヤ５０が切断する恐れがな
い。
【００６２】さらに望ましくは、図７におけるステム１
００の回転中心の軸Ｏの高さｈ2を、図４における高さ
ｈ1と等しくする(ｈ2＝ｈ1)。そうすると、ステム１０
０の回転前後で、図６に示すキャピラリ７１先端から第
１ボンドＸまでの高さｄ2と、図８に示すキャピラリ７
１先端から第２ボンドＹまでの高さｄ3が等しくなり(ｄ
2＝ｄ3)、金属ワイヤ５０の付着状態を最良な状態とす
ることができる。
【００６３】次に、図９に示すように、ステム１００を
９０゜回転した後、ボンディングヘッド７０をリードピ
ン１２３の端面１２３aに沿って水平移動させて、キャ
ピラリ７１の先端が端面１２３aの第２ボンドＹを通る
垂線上に位置するようにする。
【００６４】そして、図１０に示すように、再度、ボン
ディングヘッド７０を下降して、第２ボンディング面で
あるリードピン１２３の端面１２３aにボンディングす
る。なお、このリードピン１２３の端面１２３aは、ス
テム１００のアイレット１０１の表面１０１aよりせい
ぜい１ｍｍ程度低いだけであるので、キャピラリ７１が
入らないといった問題は生じない。
【００６５】最後に、図１１に示すように、ワイヤクラ
ンプ７３を閉じ、その状態でボンディングヘッド７０を
上昇させて金属ワイヤ５０を切断し、ワイヤボンディン
グを完了する。
【００６６】次に、モニタ用ＰＤ１４０を一体的に形成
したＳiサブマウントについて説明する。良く知られて
いるように、半導体レーザ素子は、前方端面からのみな
らず、後方端面からもレーザ光を出射する。この半導体
レーザ素子の後方端面から出射されたレーザ光の一部が
Ｓiサブマウント１６０に一体形成されたモニタ用ＰＤ
１４０に入射し、このモニタ用ＰＤ１４０のモニタ出力
が半導体レーザの光出力の制御用信号に用いられる。
【００６７】この実施の形態の半導体レーザ装置では、
半導体レーザ素子１３２は、ＡlＧaＡs系であり、波長
７７０ｎｍ〜８５０ｎｍの赤外レーザ光を出射し、発光
点は、Ｓiサブマウント１６０の表面から略５０μｍの
ところに有る。一方、半導体レーザ素子１３１は、Ｉn
ＧaＡlＰ系であり波長６３０ｎｍ〜６８０ｎｍの赤色レ
ーザ光を出射し、発光点は、Ｓiサブマウント１６０の
表面から略５μｍのところに有る。
【００６８】上記半導体レーザ素子１３１の発光点から
Ｓiサブマウント１６０表面までの高さが略５μｍと近
い場合、モニタ用ＰＤ１４０をできるだけ半導体レーザ
素子１３１の後端面に近づける方がモニタ信号が大きく
なるので望ましい。しかし、半導体レーザ素子１３１を
搭載する金属配線１８１が、半導体レーザ素子１３１の
後端面よりわずかでもモニタ用ＰＤ１４０側にはみ出し
ていると、半導体レーザの出射光が金属配線で反射され
て、モニタ信号が数分の１にまで減少する。その結果、
赤外レーザ光に対するモニタ信号の大きさと、赤色レー
ザ光に対するモニタ信号の大きさが極端に異なり、制御
回路が複雑となる。そのため、この実施の形態の半導体
レーザ装置では、Ｓiサブマウント１６０上の金属配線
１８１は、半導体レーザ素子１３１の後端面近傍１８１
a(図３に示す)でモニタ用ＰＤ１４０側にはみ出さない
ようなパターンとしている。
【００６９】上記Ｓiサブマウント１６０上に形成され
た金属配線１８１,１８２は、半導体レーザ素子１３１,
１３２の放熱板の役割も果たしているが、半導体レーザ
素子の後方端面は、前方端面に比べて発熱が小さいた
め、放熱が悪くなっても問題がない。特に、大きな光出
力が要求され、したがって、放熱が重要な高出力半導体
レーザ素子の場合には、前方端面の反射率は常に後方端
面の反射率より低く設定するので、後方端面付近での発
熱は、前方端面ほど大きくならない。
【００７０】また、この実施の形態の半導体レーザ装置
では、半導体レーザ素子１３１はｐ電極側を金属配線１
８１にダイボンドし、半導体レーザ素子１３２はｎ電極
側を金属配線１８２にダイボンドしている。これは、赤
色半導体レーザ素子１３１は信頼性が低いため、発光点
をできるだけ金属配線に近い位置に配置したいためであ
る。一方、赤外半導体レーザ素子１３２は、表面が抵抗
の高いｐ側をダイボンド面とする方が有利なためであ
る。また、ｐ側がエピタキシャル面であるので、凹凸が
大きくワイヤボンディングが難しいという問題もある。
上記半導体レーザ装置では、金属配線１８１,１８２が
電気的に絶縁されているので、このように配置しても、
２つの半導体レーザ素子１３１,１３２が直列に配置さ
れるわけではなく、図２に示すように、金属ワイヤ１５
１〜１５４の接続の仕方により並列にすることが可能で
ある。
【００７１】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の半
導体レーザ装置によれば、モニタ用ＰＤの電極面とリー
ドピンのワイヤボンディング面を互いに垂直な面とす
る。その結果、小型のステム(例えば直径５.６ｍｍ)に
２つの半導体レーザ素子とモニタ用ＰＤとを搭載した半
導体レーザ装置を実現することができる。
【００７２】また、上記第１ボンディング面のボンディ
ング位置および第２ボンディング面のボンディング位置
が第１,第２ボンディング面に略同一平面内に有るよう
にするので、ワイヤボンディング時にその同一平面に沿
ってステムを回転するから、金属ワイヤがねじれること
がなくなり、金属ワイヤが接続された半導体レーザ素
子,モニタ用ＰＤに応力が加わらないので、信頼性を向
上できる。
【００７３】また、Ｓiサブマウント上の半導体レーザ
素子を搭載するための金属配線は、半導体レーザ素子毎
に独立した配線とし、互いに電気的に絶縁することによ
って、２つの半導体レーザ素子のダイボンド側の電気的
特性が異なっていてもよい。すなわち、一方の半導体レ
ーザ素子は、ｐ電極側をダイボンドし、他方の半導体レ
ーザ素子は、ｎ電極側をダイボンドするといったことが
可能となるので、使用する半導体レーザ素子に対する自
由度が高くなる。
【００７４】また、Ｓiサブマウント表面に一体に形成
されたモニタ用ＰＤに半導体レーザ素子からの出射光を
できるだけ多く入射させるために、Ｓiサブマウント上
の金属配線を、半導体レーザ素子の出射端面近傍を半導
体レーザ素子から外側に出さないように形成する。特
に、半導体レーザ素子の発光点がＳiサブマウントの表
面からの高さが数μｍ程度のものに対して有効である。
【００７５】上記第２ボンディング面であるリードピン
の端面がステムの表面と同じ高さか、または、ステムの
表面よりも低いので、第１ボンディング面にワイヤボン
ディングするときに、ワイヤボンディング装置のキャピ
ラリが第２ボンディング面を有するリードピンに当たる
のを防止できる。
【００７６】また、Ｓiサブマウントをダイボンドする
面とステムのワイヤボンドする面とを互いに平行で高さ
が異なる面を有する段部をステムに設けることにより、
導電性ぺーストがワイヤボンディング面に付着すること
が無くなるので、ワイヤがボンディング面に付着しない
という問題が発生しなくなる。
【００７７】また、この発明の半導体レーザ装置のワイ
ヤボンディング方法によれば、金属ワイヤを第１ボンド
に接続後、引き出した金属ワイヤを通り、金属ワイヤに
垂直な軸の周りにステムを回転することによって、金属
ワイヤをねじることなく、互いに略直角な第１,第２ボ
ンディング面に金属ワイヤを接続することができる。
【００７８】また、ステムを回転する軸は、ワイヤボン
ディングを観測する面に対して垂直方向とすることによ
って、金属ワイヤのねじれ具合を観測しながらワイヤボ
ンディングができるので、ボンディングの失敗がない。
【００７９】また、第１ボンディング面のボンディング
位置および第２ボンディング面のボンディング位置が略
同一平面上に有るようにすることによって、金属ワイヤ
がねじれることがなく、金属ワイヤが接続された半導体
レーザ素子,モニタ用ＰＤに応力が加わらないので、信
頼性を向上できる。
【００８０】さらに、上記ステムを回転させるときの軸
と第１ボンディング面との距離を、上記ステムを回転さ
せるときの軸と第２ボンディング面との距離としたこと
により、ワイヤボンディング装置のキャピラリの先端か
ら第１ボンディング面までの距離と、キャピラリの先端
から第２ボンディング面までの距離とが、ステムの回転
前後で同じになるので、ワイヤボンディングが容易にで
き、付着した金属ワイヤも外れにくくできる。
【００８１】また、上記第１ボンディング面の位置から
金属ワイヤを引き出す長さを、半導体レーザ素子の前方
端面より第１のダイボンド位置までの長さより長くする
ことにより、次の第２ボンディング面にワイヤボンディ
ングするためにステムを回転させたときに、キャピラリ
が半導体レーザ素子に当たるのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はこの発明の実施の一形態の２つの半導
体レーザ素子を有する半導体レーザ装置の斜視図であ
る。
【図２】 図２は上記半導体レーザ装置の要部の正面図
である。
【図３】 図３は上記半導体レーザ装置の要部の上面図
である。
【図４】 図４は上記半導体レーザ装置の９０゜ワイヤ
のボンディング工程を示す図である。
【図５】 図５は図４に続くボンディング工程を示す図
である。
【図６】 図６は図５に続くボンディング工程を示す図
である。
【図７】 図７は図６に続くボンディング工程を示す図
である。
【図８】 図８は図７に続くボンディング工程を示す図
である。
【図９】 図９は図８に続くボンディング工程を示す図
である。
【図１０】 図１０は図９に続くボンディング工程を示
す図である。
【図１１】 図１１は図１０に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１２】 図１２は２つの半導体レーザ素子を有する
半導体レーザ装置の斜視図である。
【図１３】 図１３は上記半導体レーザ装置の金属ワイ
ヤのボンディング工程を示す図である。
【図１４】 図１４は図１３に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１５】 図１５は図１４に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１６】 図１６は図１５に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１７】 図１７は図１６に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１８】 図１８は図１７に続くボンディング工程を
示す図である。
【図１９】 図１９は従来の金属ワイヤのボンディング
工程によりステムを９０゜回転した湯合を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
１００,２００…ステム、 １０１,２０１…アイレット、 １０２,２０２…放熱台、 １２１〜１２４,２２１〜２２４…リードピン、 １３１,１３２,２３１,２３２…半導体レーザ素子、 １６０,２６０…Ｓiサブマウント、 １４０,２４０…モニタ用ＰＤ、 １８１〜１８４…金属配線、 １５１〜１５６,２５１〜２５４…金属ワイヤ、 １７０…銀ペースト、 ５０…金属ワイヤ、 ７０…ボンディングヘッド、 ７１…キャピラリ、 ７２…キャピラリホルダ、 ７３…ワイヤクランプ。
フロントページの続き (72)発明者 山藤 輝光 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼田 智彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 AA09 CC05 RR03 5F073 AB13 EA06 FA02 FA13 FA23 FA27 FA28

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のリードピンを有するステムと、 上記ステム上にダイボンドされ、表面にモニタ用フォト
    ダイオードが一体形成されたサブマウントと、 上記サブマウント上にダイボンドされ、上記モニタ用フ
    ォトダイオードにより出射光がモニタされる２つの半導
    体レーザ素子とを備え、 上記各半導体レーザ素子の電極を上記リードピンに金属
    ワイヤを介して電気的に夫々接続すると共に、上記モニ
    タ用フォトダイオードの電極を上記リードピンに金属ワ
    イヤを介して電気的に接続する半導体レーザ装置であっ
    て、 上記２つの半導体レーザ素子および上記モニタ用フォト
    ダイオードの少なくとも１つの第１ボンディング面と、
    その第１ボンディング面とワイヤボンディングされる上
    記リードピンの第２ボンディング面とが互いに略直角で
    あることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
    いて、 上記第１ボンディング面のボンディング位置および上記
    第２ボンディング面のボンディング位置が、上記第１,
    第２ボンディング面に略直交する同一平面上にあること
    を特徴とする半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
    装置において、 上記サブマウント上に形成され、上記２つの半導体レー
    ザ素子がダイボンドされる金属配線を備え、 上記各半導体レーザ素子に対応する上記金属配線が電気
    的に絶縁されていることを特徴とする半導体レーザ装
    置。
  4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
    装置において、 上記サブマウント上に形成され、上記２つの半導体レー
    ザ素子がダイボンドされる金属配線を備え、 上記２つの半導体レーザ素子の後端面側から上記モニタ
    用フォトダイオード側に上記金属配線が形成されていな
    いことを特徴とする半導体レーザ装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
    半導体レーザ装置において、 上記リードピンの端面が上記第２ボンディング面であっ
    て、 上記リードピンの端面が上記ステムの表面と同じ高さ
    か、または、上記ステムの表面よりも低いことを特徴と
    する半導体レーザ装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５に記載の半導体レーザ装
    置において、 上記ステムに、上記サブマウントをボンディングする面
    と平行でかつ高さの異なるボンディング面を有する段部
    を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
  7. 【請求項７】 複数のリードピンを有するステムと、上
    記ステム上にダイボンドされたサブマウントと、上記サ
    ブマウント上にダイボンドされた半導体レーザ素子とを
    備え、上記半導体レーザ素子の電極を上記リードピンに
    金属ワイヤを介して電気的に接続する半導体レーザ装置
    であって、 上記ステムに、上記サブマウントをボンディングする面
    と平行でかつ高さの異なるボンディング面を有する段部
    を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
  8. 【請求項８】 複数のリードピンを有するステムと、上
    記ステム上に取り付けられ、表面にモニタ用フォトダイ
    オードが一体形成されたサブマウントと、上記サブマウ
    ント上にダイボンドされ、上記モニタ用フォトダイオー
    ドにより出射光がモニタされる２つの半導体レーザ素子
    とを備えた半導体レーザ装置のワイヤボンディング方法
    であって、 上記２つの半導体レーザ素子および上記モニタ用フォト
    ダイオードの少なくとも１つの第１ボンディング面に対
    して上記金属ワイヤを案内するキャピラリの軸が垂直に
    なるように上記ステムを保持して、上記第１ボンディン
    グ面に上記金属ワイヤの一端をボンディングする第１の
    工程と、 上記第１ボンディング面に上記金属ワイヤの一端をボン
    ディングした後の上記金属ワイヤに直交する軸を中心
    に、上記第１ボンディング面に略直角な上記リードピン
    の第２ボンディング面に対して上記キャピラリの軸が垂
    直になるように上記ステムを回転させて、上記第２ボン
    ディング面に上記金属ワイヤの他端をボンディングする
    第２の工程とを有することを特徴とする半導体レーザ装
    置のワイヤボンディング方法。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体レーザ装置のワ
    イヤボンディング方法において、 上記第２の工程において上記ステムを回転させるときの
    軸が、互いに略直角な上記第１,第２ボンディング面の
    交線と平行であることを特徴とする半導体レーザ装置の
    ワイヤボンディング方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８または９に記載の半導体レー
    ザ装置のワイヤボンディング方法において、 上記第１ボンディング面のボンディング位置および上記
    第２ボンディング面のボンディング位置が、上記第１,
    第２ボンディング面に略直交する同一平面上にあること
    を特徴とする半導体レーザ装置のワイヤボンディング方
    法。
  11. 【請求項１１】 請求項８乃至１０のいずれか１つに記
    載の半導体レーザ装置のワイヤボンディング方法におい
    て、 上記第２の工程において上記ステムを回転させるときの
    軸と上記第１ボンディング面との距離を、上記ステムを
    回転させるときの軸と上記第２ボンディング面との距離
    としたことを特徴とする半導体レーザ装置のワイヤボン
    ディング方法。
  12. 【請求項１２】 請求項８乃至１１のいずれか１つに記
    載の半導体レーザ装置のワイヤボンディング方法におい
    て、 上記第１の工程の後、上記キャピラリを上記第１ボンデ
    ィング面に対して垂直方向に引き上げて、上記キャピラ
    リの先端から引き出される上記金属ワイヤの長さを、上
    記半導体レーザ素子の前方端面から上記第１ボンディン
    グ面のボンディング位置までの距離よりも長くしたこと
    を特徴とする半導体レーザ装置のワイヤボンディング方
    法。
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