JPH11145548A - 半導体レーザ用パッケージ及びアースリードの製造方法 - Google Patents
半導体レーザ用パッケージ及びアースリードの製造方法Info
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- JPH11145548A JPH11145548A JP9303166A JP30316697A JPH11145548A JP H11145548 A JPH11145548 A JP H11145548A JP 9303166 A JP9303166 A JP 9303166A JP 30316697 A JP30316697 A JP 30316697A JP H11145548 A JPH11145548 A JP H11145548A
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- lead
- ground
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- bonding
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ素子とモニタ素子の各アースを
共通アースとすることができ、かつ、ワイヤボンディン
グ時の不着発生率の低減と加工工数の低減を図ることが
できる半導体レーザ用パッケージを提供する。 【解決手段】 アースリード５２は所定の長さに切断し
た円柱形のリードである。このリード５２は、その先端
部にリードの直径方向のつぶし加工によって第１のボン
ディング面が形成され、次にリードの長さ方向のつぶし
加工によって第２のボンディング面が形成されている。
第１のボンディング面は半導体レーザ素子７のボンディ
ング面と平行に配置され、また、第２のボンディング面
はモニタ素子１１のボンディング面と平行に配置され
る。そして、半導体レーザ素子７のグランド線１３が第
１のボンディング面に、モニタ素子１１のグランド線１
３が第２のボンディング面に、それぞれワイヤボンディ
ングによって接続される。
共通アースとすることができ、かつ、ワイヤボンディン
グ時の不着発生率の低減と加工工数の低減を図ることが
できる半導体レーザ用パッケージを提供する。 【解決手段】 アースリード５２は所定の長さに切断し
た円柱形のリードである。このリード５２は、その先端
部にリードの直径方向のつぶし加工によって第１のボン
ディング面が形成され、次にリードの長さ方向のつぶし
加工によって第２のボンディング面が形成されている。
第１のボンディング面は半導体レーザ素子７のボンディ
ング面と平行に配置され、また、第２のボンディング面
はモニタ素子１１のボンディング面と平行に配置され
る。そして、半導体レーザ素子７のグランド線１３が第
１のボンディング面に、モニタ素子１１のグランド線１
３が第２のボンディング面に、それぞれワイヤボンディ
ングによって接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
とモニタ素子とから共通にワイヤボンディングによって
接続されるアースリードを有する半導体レーザ用パッケ
ージ及びアースリードの製造方法に関する。
とモニタ素子とから共通にワイヤボンディングによって
接続されるアースリードを有する半導体レーザ用パッケ
ージ及びアースリードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に半導体レーザに用いるパッケージ
の一従来例を示す。このパッケージは、ステム１と、ス
テム１上に形成したステムヒートシンク２と、ステム１
にガラス溶着した３本のリード３、４、５と、ステム１
に直接溶接したアースリード６を有する。
の一従来例を示す。このパッケージは、ステム１と、ス
テム１上に形成したステムヒートシンク２と、ステム１
にガラス溶着した３本のリード３、４、５と、ステム１
に直接溶接したアースリード６を有する。
【０００３】半導体レーザ素子７はヒートシンク素子８
を介して、ステムヒートシンク２に接合される。半導体
レーザ素子用信号線９はリード３に、半導体レーザ素子
用グランド線１０はステムヒートシンク２にそれぞれワ
イヤボンディングによって接続される。モニタ素子１１
は、ステム１上に接合される。モニタ素子用信号線１２
はリード４に、モニタ素子用グランド線１３はリード５
にワイヤボンディングによって接続される。図７は半導
体レーザ７およびモニタ素子１１の電気的接続状態を示
した接続図である。上記のように、図６の半導体レーザ
用パッケージでは、半導体レーザ素子７およびモニタ素
子１１のアースはそれぞれ独立している。
を介して、ステムヒートシンク２に接合される。半導体
レーザ素子用信号線９はリード３に、半導体レーザ素子
用グランド線１０はステムヒートシンク２にそれぞれワ
イヤボンディングによって接続される。モニタ素子１１
は、ステム１上に接合される。モニタ素子用信号線１２
はリード４に、モニタ素子用グランド線１３はリード５
にワイヤボンディングによって接続される。図７は半導
体レーザ７およびモニタ素子１１の電気的接続状態を示
した接続図である。上記のように、図６の半導体レーザ
用パッケージでは、半導体レーザ素子７およびモニタ素
子１１のアースはそれぞれ独立している。
【０００４】ところで、ワイヤボンディングによる結線
は、接続する２つのボンディング面が平行である必要が
ある。ところが、半導体レーザ素子７とモニタ素子１１
は、ほぼ垂直に交わる面に設置されており、アースを共
通にするためには、各々の素子と平行なボンディング面
をアースリードに設ける必要がある。各々の素子と平行
なボンディング面をアースリードに設けた例として特開
平４−２０７０９２号公報が知られている。図８にアー
スリードにほぼ垂直に交わる２つのボンディング面を設
けた従来例を示す。円柱形のリード５の側面にＬ字形リ
ード５１を溶接し、モニタ素子用グランド線１３はリー
ド５の上端面に図６と同様に接続され、半導体レーザ素
子用グランド線１０は溶接したＬ字形リード５１にワイ
ヤボンディングによって接続することで半導体レーザ素
子７とモニタ素子１１のアースを共通にしている。
は、接続する２つのボンディング面が平行である必要が
ある。ところが、半導体レーザ素子７とモニタ素子１１
は、ほぼ垂直に交わる面に設置されており、アースを共
通にするためには、各々の素子と平行なボンディング面
をアースリードに設ける必要がある。各々の素子と平行
なボンディング面をアースリードに設けた例として特開
平４−２０７０９２号公報が知られている。図８にアー
スリードにほぼ垂直に交わる２つのボンディング面を設
けた従来例を示す。円柱形のリード５の側面にＬ字形リ
ード５１を溶接し、モニタ素子用グランド線１３はリー
ド５の上端面に図６と同様に接続され、半導体レーザ素
子用グランド線１０は溶接したＬ字形リード５１にワイ
ヤボンディングによって接続することで半導体レーザ素
子７とモニタ素子１１のアースを共通にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す半導体レー
ザ用パッケージにあっては、半導体レーザ素子７のグラ
ンド線１０はステム１を介してアース電位に接続されて
いるために、ステム１を介して外部ノイズが混入しやす
い。また、半導体レーザ素子７とモニタ素子１１のアー
スがそれぞれ独立しているために、これらの素子を駆動
するための電源ラインが各々に必要という問題がある。
ザ用パッケージにあっては、半導体レーザ素子７のグラ
ンド線１０はステム１を介してアース電位に接続されて
いるために、ステム１を介して外部ノイズが混入しやす
い。また、半導体レーザ素子７とモニタ素子１１のアー
スがそれぞれ独立しているために、これらの素子を駆動
するための電源ラインが各々に必要という問題がある。
【０００６】一方、図８に示すパッケージにあっては、
円柱形をしたリードにＬ字形リードを溶接によって接合
していたために、加工精度を必要とし、かつ加工工数が
掛かる。さらにワイヤボンディングを行う際にＬ字形リ
ードが共振を起こす場合があり、この場合、ワイヤの不
着が発生するという問題がある。本発明は、このような
事情に鑑みてなされたもので、半導体レーザ素子とモニ
タ素子の各アースを共通アースとすることができ、しか
も、ワイヤボンディング時の不着発生率の低減と加工工
数の低減を図ることができる半導体レーザ用パッケージ
を提供することを目的とする。
円柱形をしたリードにＬ字形リードを溶接によって接合
していたために、加工精度を必要とし、かつ加工工数が
掛かる。さらにワイヤボンディングを行う際にＬ字形リ
ードが共振を起こす場合があり、この場合、ワイヤの不
着が発生するという問題がある。本発明は、このような
事情に鑑みてなされたもので、半導体レーザ素子とモニ
タ素子の各アースを共通アースとすることができ、しか
も、ワイヤボンディング時の不着発生率の低減と加工工
数の低減を図ることができる半導体レーザ用パッケージ
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体レーザ素子とモニタ素子とから共通にワイヤ
ボンディングによって接続されるアースリードを有する
半導体レーザ用パッケージにおいて、前記アースリード
の先端部に、前記半導体レーザ素子の設置面と平行にな
るように加工された第１のボンディング面と、前記モニ
タ素子の設置面と平行になるように加工された第２のボ
ンディング面とを形成したことを特徴とする。請求項２
に記載の発明は、請求項１に記載の半導体レーザ用パッ
ケージのアースリードの製造方法であって、丸棒状の端
子部材の先端部に直径方向のつぶし加工を行うことによ
って第１の平坦部を形成する第１の工程と、前記端子部
材の先端部に長さ方向のつぶし加工を行うことによって
前記第１の平坦部に直交する第２の平坦部を形成する第
２の工程とを有することを特徴とする。
は、半導体レーザ素子とモニタ素子とから共通にワイヤ
ボンディングによって接続されるアースリードを有する
半導体レーザ用パッケージにおいて、前記アースリード
の先端部に、前記半導体レーザ素子の設置面と平行にな
るように加工された第１のボンディング面と、前記モニ
タ素子の設置面と平行になるように加工された第２のボ
ンディング面とを形成したことを特徴とする。請求項２
に記載の発明は、請求項１に記載の半導体レーザ用パッ
ケージのアースリードの製造方法であって、丸棒状の端
子部材の先端部に直径方向のつぶし加工を行うことによ
って第１の平坦部を形成する第１の工程と、前記端子部
材の先端部に長さ方向のつぶし加工を行うことによって
前記第１の平坦部に直交する第２の平坦部を形成する第
２の工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
半導体レーザ用パッケージを図面を参照して説明する。
図１は同実施形態の斜視図である。この図において、符
号１は円盤状のステム、符号２はステム１上に設けられ
たステムヒートシンクである。符号３はステム１にガラ
ス溶着された信号線リードであり、ステムヒートシンク
２の側方に配置されている。符号４はステム１にガラス
溶着された信号線リードであり、ステムヒートシンク２
の前方に配置されている。符号５２はリード３、４と同
様にステム１にガラス溶着されたアースリードであり、
ステムヒートシンク２を挟んで信号線リード３とは反対
側のステムヒートシンク２の側方に配置されている。な
お、このアースリード５２については後に詳細に説明す
る。符号６はステム１に直接溶接したケースアースリー
ドである。符号７は半導体レーザ素子であり、ヒートシ
ンク素子８を介してステムヒートシンク２の前面に取り
付けられている。
半導体レーザ用パッケージを図面を参照して説明する。
図１は同実施形態の斜視図である。この図において、符
号１は円盤状のステム、符号２はステム１上に設けられ
たステムヒートシンクである。符号３はステム１にガラ
ス溶着された信号線リードであり、ステムヒートシンク
２の側方に配置されている。符号４はステム１にガラス
溶着された信号線リードであり、ステムヒートシンク２
の前方に配置されている。符号５２はリード３、４と同
様にステム１にガラス溶着されたアースリードであり、
ステムヒートシンク２を挟んで信号線リード３とは反対
側のステムヒートシンク２の側方に配置されている。な
お、このアースリード５２については後に詳細に説明す
る。符号６はステム１に直接溶接したケースアースリー
ドである。符号７は半導体レーザ素子であり、ヒートシ
ンク素子８を介してステムヒートシンク２の前面に取り
付けられている。
【０００９】符号９は半導体レーザ素子用信号線であ
り、信号線リード３の上端に接続されている。符号１０
は半導体レーザ素子用グランド線であり、アースリード
５２の上端に接続されている。符号１１はモニタ素子で
ある。符号１２はモニタ素子用信号線であり、信号線リ
ード４の上端に接続されている。符号１３はモニタ素子
用グランド線であり、アースリード５２の先端に接続さ
れている。
り、信号線リード３の上端に接続されている。符号１０
は半導体レーザ素子用グランド線であり、アースリード
５２の上端に接続されている。符号１１はモニタ素子で
ある。符号１２はモニタ素子用信号線であり、信号線リ
ード４の上端に接続されている。符号１３はモニタ素子
用グランド線であり、アースリード５２の先端に接続さ
れている。
【００１０】図２、図３、図４は各々アースリード５２
の詳細を示す正面図、側面図、平面図である。このアー
スリード５２は、丸棒状のリード部材を所定の長さに切
断した後、リード部材を寝かせた状態で、先端部に直径
方向のつぶし加工を行い、これにより、半導体レーザ素
子用グランド線１０を接続するボンディング面５２ａを
形成し、次に、リード部材を立てた状態で長さ方向のつ
ぶし加工を行い、これにより、モニタ素子用グランド線
１３を接続するボンディング面５２ｂを形成する。この
時、ボンディング面の共振の影響を少なくするために、
ボンディング面５２ｂの平坦加工部面積をワイヤボンデ
ィングに必要な０．３ｍｍ×０．５ｍｍ程度の必要最小
限の面積とする。
の詳細を示す正面図、側面図、平面図である。このアー
スリード５２は、丸棒状のリード部材を所定の長さに切
断した後、リード部材を寝かせた状態で、先端部に直径
方向のつぶし加工を行い、これにより、半導体レーザ素
子用グランド線１０を接続するボンディング面５２ａを
形成し、次に、リード部材を立てた状態で長さ方向のつ
ぶし加工を行い、これにより、モニタ素子用グランド線
１３を接続するボンディング面５２ｂを形成する。この
時、ボンディング面の共振の影響を少なくするために、
ボンディング面５２ｂの平坦加工部面積をワイヤボンデ
ィングに必要な０．３ｍｍ×０．５ｍｍ程度の必要最小
限の面積とする。
【００１１】このアースリード５２は、ステムヒートシ
ンク２にガラス溶着によって取りつけられる。この場
合、下部側がステムヒートシンク２の下面から２０ｍｍ
延出し、上部側がステムヒートシンク２の上面から１．
２ｍｍ突出する。また、このアースリード５２は、ボン
ディング面５２ａが半導体レーザ素子７の取り付け面お
よびリード３のつぶし面と各々平行になるように、ま
た、ボンディング面５２ｂがリード４の上端面と同一の
高さでかつ平行になるように設置される。そして、半導
体レーザ素子用グランド線１０はボンディング面５２ａ
に、モニタ素子用グランド線１３はボンディング面５２
ｂに、それぞれワイヤボンディングによって接続する。
ンク２にガラス溶着によって取りつけられる。この場
合、下部側がステムヒートシンク２の下面から２０ｍｍ
延出し、上部側がステムヒートシンク２の上面から１．
２ｍｍ突出する。また、このアースリード５２は、ボン
ディング面５２ａが半導体レーザ素子７の取り付け面お
よびリード３のつぶし面と各々平行になるように、ま
た、ボンディング面５２ｂがリード４の上端面と同一の
高さでかつ平行になるように設置される。そして、半導
体レーザ素子用グランド線１０はボンディング面５２ａ
に、モニタ素子用グランド線１３はボンディング面５２
ｂに、それぞれワイヤボンディングによって接続する。
【００１２】上記に説明した配置にすることによって、
相互接続されるボンディング面の対は平行となるために
従来のワイヤボンディングツールによって容易にワイヤ
ボンディングを行うことができる。図５は上記の説明に
沿って各素子を接続した場合の接続図であり、本発明の
半導体レーザ用パッケージを用いた場合、半導体レーザ
素子とモニタ素子のアースを共通にすることができる。
相互接続されるボンディング面の対は平行となるために
従来のワイヤボンディングツールによって容易にワイヤ
ボンディングを行うことができる。図５は上記の説明に
沿って各素子を接続した場合の接続図であり、本発明の
半導体レーザ用パッケージを用いた場合、半導体レーザ
素子とモニタ素子のアースを共通にすることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、アースリードの先端部に、半導体レーザ素子の設置
面と平行になるように加工された第１のボンディング面
と、モニタ素子の設置面と平行になるように加工された
第２のボンディング面とを形成したため、従来のワイヤ
ボンディング技術で、半導体レーザ素子とモニタ素子の
アースを共通にする結線が可能になる。また、アースを
ステムに接続しないために、ステムを介した外部ノイズ
の混入を防ぎ、かつ各々の素子を駆動する電源ラインを
共通にできるという効果が得られる。
ば、アースリードの先端部に、半導体レーザ素子の設置
面と平行になるように加工された第１のボンディング面
と、モニタ素子の設置面と平行になるように加工された
第２のボンディング面とを形成したため、従来のワイヤ
ボンディング技術で、半導体レーザ素子とモニタ素子の
アースを共通にする結線が可能になる。また、アースを
ステムに接続しないために、ステムを介した外部ノイズ
の混入を防ぎ、かつ各々の素子を駆動する電源ラインを
共通にできるという効果が得られる。
【００１４】また、この発明によれば、ワイヤボンディ
ングを行う際の共振を起こし難くできるため、ワイヤの
不着発生率を低減でき、リードの共振の影響で発生する
ワイヤ切れも低減できるという効果が得られる。さら
に、溶接工数を必要としないため加工工数を低減できる
という効果も得られる。
ングを行う際の共振を起こし難くできるため、ワイヤの
不着発生率を低減でき、リードの共振の影響で発生する
ワイヤ切れも低減できるという効果が得られる。さら
に、溶接工数を必要としないため加工工数を低減できる
という効果も得られる。
【図１】本発明の一実施形態の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】図１に示すアースリード５２のボンディング面
の詳細を示す正面図である。
の詳細を示す正面図である。
【図３】同ボンディング面の詳細を示す側面図である。
【図４】同ボンディング面の詳細を示す平面図である。
【図５】同実施形態の電気的接続を示す接続図である。
【図６】従来の半導体レーザ用パッケージの構成例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】図６に示すパッケージの電気的接続を示す接続
図である。
図である。
【図８】従来の半導体レーザ用パッケージの他の構成例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１・・・ステム ２・・・ステムヒートシンク ３・・・信号線リード ４・・・信号線リード ５・・・アースリード ６・・・ケースアースリード ７・・・半導体レーザ素子 ８・・・ヒートシンク素
子 ９・・・半導体レーザ素子用信号線 １０・・・半導体レーザ素子用グランド線 １１・・
・モニタ素子 １２・・・モニタ素子用信号線 １３・・・モニタ素
子用グランド線 ５１・・・Ｌ字形アースリード ５２・・・アースリー
ド
子 ９・・・半導体レーザ素子用信号線 １０・・・半導体レーザ素子用グランド線 １１・・
・モニタ素子 １２・・・モニタ素子用信号線 １３・・・モニタ素
子用グランド線 ５１・・・Ｌ字形アースリード ５２・・・アースリー
ド
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子とモニタ素子とから共
通にワイヤボンディングによって接続されるアースリー
ドを有する半導体レーザ用パッケージにおいて、 前記アースリードの先端部に、 前記半導体レーザ素子の設置面と平行になるように加工
された第１のボンディング面と、 前記モニタ素子の設置面と平行になるように加工された
第２のボンディング面と、 を形成したことを特徴とする半導体レーザ用パッケー
ジ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ用パッケ
ージのアースリードの製造方法において、 丸棒状の端子部材の先端部に直径方向のつぶし加工を行
うことによって第１の平坦部を形成する第１の工程と、 前記端子部材の先端部に長さ方向のつぶし加工を行うこ
とによって前記第１の平坦部に直交する第２の平坦部を
形成する第２の工程と、 を有することを特徴とするアースリードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303166A JPH11145548A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 半導体レーザ用パッケージ及びアースリードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303166A JPH11145548A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 半導体レーザ用パッケージ及びアースリードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145548A true JPH11145548A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17917690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9303166A Pending JPH11145548A (ja) | 1997-11-05 | 1997-11-05 | 半導体レーザ用パッケージ及びアースリードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145548A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562693B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JP2007103685A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nec Schott Components Corp | レーザダイオード用ステム |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP9303166A patent/JPH11145548A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562693B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| US6784464B2 (en) | 2000-03-14 | 2004-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and wire bonding method capable of easily performing reliable wire bonding |
| JP2004311923A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子用パッケージ |
| JP4550386B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子用パッケージ |
| JP2007103685A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nec Schott Components Corp | レーザダイオード用ステム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |