JP2900912B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2900912B2 JP2900912B2 JP9101310A JP10131097A JP2900912B2 JP 2900912 B2 JP2900912 B2 JP 2900912B2 JP 9101310 A JP9101310 A JP 9101310A JP 10131097 A JP10131097 A JP 10131097A JP 2900912 B2 JP2900912 B2 JP 2900912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- electrode
- wire
- semiconductor device
- center line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に光半導体装置のようにパッケージ内に内装された半
導体素子と電極とをワイヤボンディングする構成の半導
体装置に関する。
特に光半導体装置のようにパッケージ内に内装された半
導体素子と電極とをワイヤボンディングする構成の半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体装置として、例えば、特公平８
−４０９８号公報に記載されている半導体装置の構成を
図３に示す。円形板状のステム１の上面にマウントブロ
ック２が立設され、このマウントブロック２の一側面に
チップキャリア３を介して発光素子４が搭載される。ま
た、前記ステム１の上面には前記発光素子４に近接して
モニタ用受光素子５が搭載され、さらにその両側には円
柱状の金属棒からなる電極６Ａ，６Ｂが封止ガラス７に
より絶縁された状態でステム１に支持されている。そし
て、前記発光素子４にはボンディングワイヤ９Ａ，９Ｂ
を介して前記一方の電極６Ａとマウントブロック２に対
する電気接続が行われ、同様に前記受光素子５にはボン
ディングワイヤ１０により他方の電極６Ｂへの電気接続
が行われる。
−４０９８号公報に記載されている半導体装置の構成を
図３に示す。円形板状のステム１の上面にマウントブロ
ック２が立設され、このマウントブロック２の一側面に
チップキャリア３を介して発光素子４が搭載される。ま
た、前記ステム１の上面には前記発光素子４に近接して
モニタ用受光素子５が搭載され、さらにその両側には円
柱状の金属棒からなる電極６Ａ，６Ｂが封止ガラス７に
より絶縁された状態でステム１に支持されている。そし
て、前記発光素子４にはボンディングワイヤ９Ａ，９Ｂ
を介して前記一方の電極６Ａとマウントブロック２に対
する電気接続が行われ、同様に前記受光素子５にはボン
ディングワイヤ１０により他方の電極６Ｂへの電気接続
が行われる。
【０００３】ここで、前記発光素子４のボンディングワ
イヤ９Ａと電極６Ａとのボンディングに際しては、同図
（ｂ）に拡大図示するように、電極６Ａを構成している
円柱状金属棒の円周面の一部にボンディングワイヤ９Ａ
の先端部を熱圧着法により行っている。また、この場
合、特開昭６２−１４５８８９号公報や特開昭６２−１
５０７９６号公報では、図４に示すように、電極６Ａ’
として角柱状の金属棒を用い、その平坦面にボンディン
グワイヤ９Ａをボンディングする構成も提案されてい
る。
イヤ９Ａと電極６Ａとのボンディングに際しては、同図
（ｂ）に拡大図示するように、電極６Ａを構成している
円柱状金属棒の円周面の一部にボンディングワイヤ９Ａ
の先端部を熱圧着法により行っている。また、この場
合、特開昭６２−１４５８８９号公報や特開昭６２−１
５０７９６号公報では、図４に示すように、電極６Ａ’
として角柱状の金属棒を用い、その平坦面にボンディン
グワイヤ９Ａをボンディングする構成も提案されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、ボンディ
ングワイヤを金属棒で構成された電極にボンディングす
る場合、前記した従来技術のうち、後者の角柱状をした
電極６Ａ’にワイヤボンディングを行う構成では、平坦
面に対するボンディングであるために、ボンディングの
信頼性を高める上では有効であるが、電極６Ａ’を角柱
状に加工するための工数が必要となり、電極が高コスト
なものになる。また、ボンディング装置によるボンディ
ング方法が固定的に設定されている場合が殆どであるた
め、電極の平坦面を所定の方向に位置決めする必要があ
り、そのための組立工程が複雑化するという問題があ
る。因に、平坦面に位置ずれが生じていると、ボンディ
ング強度の低下、ボンディング未着が生じ易くなる。
ングワイヤを金属棒で構成された電極にボンディングす
る場合、前記した従来技術のうち、後者の角柱状をした
電極６Ａ’にワイヤボンディングを行う構成では、平坦
面に対するボンディングであるために、ボンディングの
信頼性を高める上では有効であるが、電極６Ａ’を角柱
状に加工するための工数が必要となり、電極が高コスト
なものになる。また、ボンディング装置によるボンディ
ング方法が固定的に設定されている場合が殆どであるた
め、電極の平坦面を所定の方向に位置決めする必要があ
り、そのための組立工程が複雑化するという問題があ
る。因に、平坦面に位置ずれが生じていると、ボンディ
ング強度の低下、ボンディング未着が生じ易くなる。
【０００５】一方、前者の円柱状の電極６Ａの側面にボ
ンディングワイヤを接続する構成において、前記した特
公昭８−４０９８号公報に記載の技術では、マウントブ
ロック２にボンディングワイヤ９Ｂをボンディングする
ためのワイヤボンディング装置をそのまま利用している
ため、電極６Ａの円周状の側面のうち、マウントブロッ
ク２のボンディング面と垂直な方向の中心線と交差する
位置にボンディングワイヤ９Ａをボンディングしてい
る。これは、この種の円周面に対するワイヤボンディン
グ時に生じるボンディングツール（キャピラリ）の滑り
や圧着面積の低減を解消するためになされたものであ
る。しかしながら、このワイヤボンディング技術による
ワイヤボンディングの強度について本発明者が検討を行
ったところ、満足できるボンディング強度が得られてお
らず、小さな外力によってもボンディングワイヤ９Ａが
電極６Ａから外れてしまい、この種半導体装置の信頼性
が低下される要因となっていることが判明した。
ンディングワイヤを接続する構成において、前記した特
公昭８−４０９８号公報に記載の技術では、マウントブ
ロック２にボンディングワイヤ９Ｂをボンディングする
ためのワイヤボンディング装置をそのまま利用している
ため、電極６Ａの円周状の側面のうち、マウントブロッ
ク２のボンディング面と垂直な方向の中心線と交差する
位置にボンディングワイヤ９Ａをボンディングしてい
る。これは、この種の円周面に対するワイヤボンディン
グ時に生じるボンディングツール（キャピラリ）の滑り
や圧着面積の低減を解消するためになされたものであ
る。しかしながら、このワイヤボンディング技術による
ワイヤボンディングの強度について本発明者が検討を行
ったところ、満足できるボンディング強度が得られてお
らず、小さな外力によってもボンディングワイヤ９Ａが
電極６Ａから外れてしまい、この種半導体装置の信頼性
が低下される要因となっていることが判明した。
【０００６】本発明の目的は、円柱状の金属棒からなる
電極に対して信頼度の高いワイヤボンディングが得られ
る半導体装置を提供することである。
電極に対して信頼度の高いワイヤボンディングが得られ
る半導体装置を提供することである。
【０００７】
【問題を解決するための手段】本発明者が、円柱状の電
極の側面に対して、異なる角度でのワイヤボンディング
についての実験を行ったところ、ワイヤボンディング装
置のボンディングツール（キャピラリ，ウェッジ）の移
動方向の中心線に対して、電極の径寸法のほぼ１／２だ
け偏位した位置を中心としてワイヤボンディングを行っ
たときが、最も高いボンディング強度が得られることが
判明した。
極の側面に対して、異なる角度でのワイヤボンディング
についての実験を行ったところ、ワイヤボンディング装
置のボンディングツール（キャピラリ，ウェッジ）の移
動方向の中心線に対して、電極の径寸法のほぼ１／２だ
け偏位した位置を中心としてワイヤボンディングを行っ
たときが、最も高いボンディング強度が得られることが
判明した。
【０００８】そこで、本発明は、ボンディングワイヤ
は、円柱状をした電極の中心線とその周面とが交差する
点を基準とし、ここから前記中心線と垂直な方向に沿っ
て前記電極の半径のほぼ１／２の寸法だけ偏位した位置
にボンディングした構成とする。この電極の中心線は、
ワイヤボンディング装置のボンディングツールがボンデ
ィング時に駆動される方向に沿った方向である。また、
ステム上にマウントブロックが垂直に立設され、このマ
ウントブロックの垂直な平坦面に対してボンディングワ
イヤのワイヤボンディングが行われる半導体装置におい
ては、前記電極の中心線はこのマウントブロックの平坦
面と垂直な方向に向けられる。
は、円柱状をした電極の中心線とその周面とが交差する
点を基準とし、ここから前記中心線と垂直な方向に沿っ
て前記電極の半径のほぼ１／２の寸法だけ偏位した位置
にボンディングした構成とする。この電極の中心線は、
ワイヤボンディング装置のボンディングツールがボンデ
ィング時に駆動される方向に沿った方向である。また、
ステム上にマウントブロックが垂直に立設され、このマ
ウントブロックの垂直な平坦面に対してボンディングワ
イヤのワイヤボンディングが行われる半導体装置におい
ては、前記電極の中心線はこのマウントブロックの平坦
面と垂直な方向に向けられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実
施形態の平面図とその要部の拡大図である。なお、ここ
では、封止用のキャップは取り除いた状態を示してい
る。表面にＮｉメッキやＡｕメッキが施された円形板状
の金属製のステム１の上面に金属製のマウントブロック
２が立設され、このマウントブロック２の垂直方向に平
坦な一側面にチップキャリア３を介して発光素子４が搭
載される。また、前記ステム１の上面には前記発光素子
４に近接してモニタ用受光素子５が搭載される。さら
に、この受光素子５の両側には前記ステム１を貫通した
円柱状の金属棒からなる電極６Ａ，６Ｂが封止ガラス７
により絶縁された状態で支持されている。また、前記ス
テム１の下面側には前記マウントブロック２に接続され
る導通電極（リード）８が突出形成されている。ここ
で、前記電極６Ａはステム１上の立設長さの長い長電極
（リード）として、また前記電極６Ｂはステム１上の立
設長さの短い短電極（リード）として構成されている。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実
施形態の平面図とその要部の拡大図である。なお、ここ
では、封止用のキャップは取り除いた状態を示してい
る。表面にＮｉメッキやＡｕメッキが施された円形板状
の金属製のステム１の上面に金属製のマウントブロック
２が立設され、このマウントブロック２の垂直方向に平
坦な一側面にチップキャリア３を介して発光素子４が搭
載される。また、前記ステム１の上面には前記発光素子
４に近接してモニタ用受光素子５が搭載される。さら
に、この受光素子５の両側には前記ステム１を貫通した
円柱状の金属棒からなる電極６Ａ，６Ｂが封止ガラス７
により絶縁された状態で支持されている。また、前記ス
テム１の下面側には前記マウントブロック２に接続され
る導通電極（リード）８が突出形成されている。ここ
で、前記電極６Ａはステム１上の立設長さの長い長電極
（リード）として、また前記電極６Ｂはステム１上の立
設長さの短い短電極（リード）として構成されている。
【００１０】そして、前記発光素子４はボンディングワ
イヤ９Ａ，９Ｂにより前記長電極６Ａとマウントブロッ
ク２に対して電気接続が行われ、同様に前記受光素子５
はボンディングワイヤ１０により短電極６Ｂへの電気接
続が行われる。これらボンディングワイヤ９Ａ，９Ｂ，
１０におけるボンディングは、ＵＳＮＴＣ（超音波ボー
ルボンディング，ネールヘッド熱圧着法）等によりワイ
ヤボンドされている。そして、前記ボンディングワイヤ
９Ｂはマウントブロック２の平坦面にボンディングさ
れ、またボンディングワイヤ１０は短電極６Ｂの頂面の
平坦面にボンディングされており、それぞれ信頼性の高
いボンディングを容易に得ることが可能とされている。
イヤ９Ａ，９Ｂにより前記長電極６Ａとマウントブロッ
ク２に対して電気接続が行われ、同様に前記受光素子５
はボンディングワイヤ１０により短電極６Ｂへの電気接
続が行われる。これらボンディングワイヤ９Ａ，９Ｂ，
１０におけるボンディングは、ＵＳＮＴＣ（超音波ボー
ルボンディング，ネールヘッド熱圧着法）等によりワイ
ヤボンドされている。そして、前記ボンディングワイヤ
９Ｂはマウントブロック２の平坦面にボンディングさ
れ、またボンディングワイヤ１０は短電極６Ｂの頂面の
平坦面にボンディングされており、それぞれ信頼性の高
いボンディングを容易に得ることが可能とされている。
【００１１】一方、発光素子３を長電極６Ａに接続する
他方のボンディングワイヤ９Ａは、長電極６Ａの円周面
の一部にボンディングされているが、ここでは、図１
（ｂ）のように、マウントブロック３の平坦面に対して
一方のボンディングワイヤ９Ｂをワイヤボンディングを
実行することが可能なように、このマウントブロック２
の平坦面と垂直な方向に駆動される図外のワイヤボンデ
ィング装置のツール（キャピラリ，ウェッジ）を利用し
てワイヤボンディングを行っている。そして、この長電
極６Ａに対し、ボンディングツールの移動方向、すなわ
ちマウントブロック２の平坦面に対して垂直な方向に沿
う長電極６Ａの中心線とその周面とが交差する位置Ａを
基準点とし、この基準点Ａから前記マウントブロック２
の平坦面に沿う方向で、しかも長電極６Ａの半径のほぼ
１／２だけ偏位された位置Ｂにワイヤボンディングの中
心位置を設定し、この中心位置Ｂに対して前記ボンディ
ングワイヤ９Ａをワイヤボンディングしている。この場
合、偏位を行う方向は、ボンディングワイヤ９Ａが延在
されてくる側の半径位置と反対側の半径位置に設定され
る。
他方のボンディングワイヤ９Ａは、長電極６Ａの円周面
の一部にボンディングされているが、ここでは、図１
（ｂ）のように、マウントブロック３の平坦面に対して
一方のボンディングワイヤ９Ｂをワイヤボンディングを
実行することが可能なように、このマウントブロック２
の平坦面と垂直な方向に駆動される図外のワイヤボンデ
ィング装置のツール（キャピラリ，ウェッジ）を利用し
てワイヤボンディングを行っている。そして、この長電
極６Ａに対し、ボンディングツールの移動方向、すなわ
ちマウントブロック２の平坦面に対して垂直な方向に沿
う長電極６Ａの中心線とその周面とが交差する位置Ａを
基準点とし、この基準点Ａから前記マウントブロック２
の平坦面に沿う方向で、しかも長電極６Ａの半径のほぼ
１／２だけ偏位された位置Ｂにワイヤボンディングの中
心位置を設定し、この中心位置Ｂに対して前記ボンディ
ングワイヤ９Ａをワイヤボンディングしている。この場
合、偏位を行う方向は、ボンディングワイヤ９Ａが延在
されてくる側の半径位置と反対側の半径位置に設定され
る。
【００１２】図２は、前記マウントブロック２の平坦面
と垂直な方向の中心線とその周面とが交差した前記基準
点Ａに対し、マウントブロック２の平坦面に沿う方向に
沿ってワイヤボンディングの中心位置Ｂを徐々に変化さ
せて、しかも前記中心線と並行な方向にボンディングツ
ールを駆動させてボンディングを行った場合のボンディ
ング強度の変化を示す特性である。ここでは、この種の
半導体装置で最も一般的に用いられている長電極の直径
がφ０．４５ｍｍで、φ２５μｍのＡｕ線を用い、ＵＳ
ＮＴＣによるボンディングを行った場合である。これか
ら、図１（ｂ）に示した実施形態の構成のように、マウ
ントブロック２の平坦面に沿って、長電極６Ａの半径の
ほぼ１／２の径位置にワイヤボンディングの中心位置Ｂ
を配置すれば、ボンディング強度に最も高いものが得ら
れることが確認されている。
と垂直な方向の中心線とその周面とが交差した前記基準
点Ａに対し、マウントブロック２の平坦面に沿う方向に
沿ってワイヤボンディングの中心位置Ｂを徐々に変化さ
せて、しかも前記中心線と並行な方向にボンディングツ
ールを駆動させてボンディングを行った場合のボンディ
ング強度の変化を示す特性である。ここでは、この種の
半導体装置で最も一般的に用いられている長電極の直径
がφ０．４５ｍｍで、φ２５μｍのＡｕ線を用い、ＵＳ
ＮＴＣによるボンディングを行った場合である。これか
ら、図１（ｂ）に示した実施形態の構成のように、マウ
ントブロック２の平坦面に沿って、長電極６Ａの半径の
ほぼ１／２の径位置にワイヤボンディングの中心位置Ｂ
を配置すれば、ボンディング強度に最も高いものが得ら
れることが確認されている。
【００１３】なお、図２から、ボンディング強度の高い
領域は、前記したワイヤボンディングの中心位置Ｂより
も若干電極の中心寄りに偏っているが、ワイヤボンディ
ング装置の位置精度は、通常±４０μｍ（０．０４ｍ
ｍ）程度であるため、前記したワイヤボンディング位置
Ｂを中心にボンディングを行えば、このボンディング強
度の高い領域を含んだワイヤボンディングが実行でき、
確実でかつ強固なワイヤボンディングを行うことができ
る。また、このワイヤボンディングにおいては、長電極
６Ａの側面を認識し、そこから一定の距離だけ横方向に
シフトした位置にワイヤボンディングを実行すればよい
ため、金属リードに平面加工した場合と同じ方法でボン
ディングする手法、すなわち、従来から用いられている
ボンディング位置の認識手法をそのまま利用してのワイ
ヤボンディングが可能となり、特に複雑な制御が必要と
されることもない。特に、このようなワイヤボンディン
グでは、前記したワイヤボンディングの中心位置Ｂは、
長電極６Ａの直径寸法の１／４の位置となるため、中心
位置Ｂを見いだすことも容易なものとなる。
領域は、前記したワイヤボンディングの中心位置Ｂより
も若干電極の中心寄りに偏っているが、ワイヤボンディ
ング装置の位置精度は、通常±４０μｍ（０．０４ｍ
ｍ）程度であるため、前記したワイヤボンディング位置
Ｂを中心にボンディングを行えば、このボンディング強
度の高い領域を含んだワイヤボンディングが実行でき、
確実でかつ強固なワイヤボンディングを行うことができ
る。また、このワイヤボンディングにおいては、長電極
６Ａの側面を認識し、そこから一定の距離だけ横方向に
シフトした位置にワイヤボンディングを実行すればよい
ため、金属リードに平面加工した場合と同じ方法でボン
ディングする手法、すなわち、従来から用いられている
ボンディング位置の認識手法をそのまま利用してのワイ
ヤボンディングが可能となり、特に複雑な制御が必要と
されることもない。特に、このようなワイヤボンディン
グでは、前記したワイヤボンディングの中心位置Ｂは、
長電極６Ａの直径寸法の１／４の位置となるため、中心
位置Ｂを見いだすことも容易なものとなる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、円柱状を
した電極の中心線とその周面とが交差する点を基準と
し、ここからこの中心線と垂直な方向に沿って電極の半
径のほぼ１／２の寸法だけ偏位した位置にボンディング
ワイヤをボンディングした構成とすることにより、ボン
ディング強度の高いワイヤボンディングが実現できる。
これにより、電極の周面一部を平坦化加工してワイヤボ
ンディングを行う必要がなく、電極の加工が容易になる
とともに、信頼性の高いワイヤボンディングが実現でき
る。また、ワイヤボンディングに際しては、電極のボン
ディング方向と垂直な方向に偏位させた位置を認識して
ボンディングを行えばよいため、従来のボンディング位
置の認識方法がそのまま利用でき、特殊な制御ソフトを
用いることなく、容易なワイヤボンディングが実現でき
る。
した電極の中心線とその周面とが交差する点を基準と
し、ここからこの中心線と垂直な方向に沿って電極の半
径のほぼ１／２の寸法だけ偏位した位置にボンディング
ワイヤをボンディングした構成とすることにより、ボン
ディング強度の高いワイヤボンディングが実現できる。
これにより、電極の周面一部を平坦化加工してワイヤボ
ンディングを行う必要がなく、電極の加工が容易になる
とともに、信頼性の高いワイヤボンディングが実現でき
る。また、ワイヤボンディングに際しては、電極のボン
ディング方向と垂直な方向に偏位させた位置を認識して
ボンディングを行えばよいため、従来のボンディング位
置の認識方法がそのまま利用でき、特殊な制御ソフトを
用いることなく、容易なワイヤボンディングが実現でき
る。
【図１】本発明の半導体装置の一実施形態の平面図とそ
の要部の拡大図である。
の要部の拡大図である。
【図２】電極に対するワイヤボンディング位置とボンデ
ィング強度の測定結果を示す図である。
ィング強度の測定結果を示す図である。
【図３】従来の半導体装置の一例の平面図とその一部の
拡大図である。
拡大図である。
【図４】他のワイヤボンディングの構成を示す図であ
る。
る。
１ ステム ２ マウントブロック ３ チップキャリア ４ 発光素子 ５ 受光素子 ６Ａ，６Ｂ 電極 ９Ａ，９Ｂ ボンディングワイヤ １０ ボンディングワイヤ Ａ 基準点 Ｂ ボンディング中心位置
Claims (4)
- 【請求項１】 パッケージ内に内装した素子と、パッケ
ージに設けられた円柱状の電極とをボンディングワイヤ
により接続する構成を含む半導体装置において、前記ボ
ンディングワイヤは、前記電極の中心線とその周面とが
交差する点を基準とし、ここから前記中心線と垂直な方
向に沿って前記電極の半径のほぼ１／２の寸法だけ偏位
した位置にボンディングしたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記電極の中心線は、ワイヤボンディン
グ装置のボンディングツールがボンディング時に駆動さ
れる方向に沿った方向である請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 ステム上にマウントブロックが垂直に立
設され、このマウントブロックの垂直な平坦面に対して
ボンディングワイヤのワイヤボンディングが行われる半
導体装置において、前記電極の中心線はこのマウントブ
ロックの平坦面と垂直な方向に向けられている請求項１
または２の半導体装置。 - 【請求項４】 偏位した位置は、前記電極に対してボン
ディングワイヤが延在される側と反対側の半径位置であ
る請求項１ないし３のいずれかの半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9101310A JP2900912B2 (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9101310A JP2900912B2 (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294326A JPH10294326A (ja) | 1998-11-04 |
| JP2900912B2 true JP2900912B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=14297247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9101310A Expired - Fee Related JP2900912B2 (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900912B2 (ja) |
-
1997
- 1997-04-18 JP JP9101310A patent/JP2900912B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10294326A (ja) | 1998-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5842628A (en) | Wire bonding method, semiconductor device, capillary for wire bonding and ball bump forming method | |
| US20020041011A1 (en) | Semiconductor device | |
| US7910946B2 (en) | Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same | |
| US5960262A (en) | Stitch bond enhancement for hard-to-bond materials | |
| EP0126664A2 (en) | Wire bonding method for producing a semiconductor device and semiconductor device produced by this method | |
| KR20060048506A (ko) | 와이어 본딩용 모세관 | |
| US6112973A (en) | Angled transducer-dual head bonder for optimum ultrasonic power application and flexibility for tight pitch leadframe | |
| US5874354A (en) | Method for electrically connecting a semiconductor chip to at least one contact surface and smart card module and smart card produced by the method | |
| US6352197B1 (en) | Method and apparatus for wire-bonding for electric components | |
| JP2900912B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR19990063716A (ko) | 반도체 칩을 적어도 하나의 접촉면과 전기적으로 접속하기 위한 방법 | |
| JPH0286184A (ja) | 光電子装置 | |
| JP3553726B2 (ja) | 電子部品用キャップおよびそれを用いた半導体レーザとその製法 | |
| JP3753685B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2003179193A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置の検査方法 | |
| KR970007598B1 (ko) | 와이어 본딩방법 | |
| JPH056893A (ja) | キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置 | |
| JPH06241889A (ja) | 半導体装置 | |
| US20230170324A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device | |
| JP3410193B2 (ja) | 気密封止型光半導体装置 | |
| JPH1092858A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS58123747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11135542A (ja) | ワイヤボンディング装置用キャピラリ | |
| JP3257266B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6390185A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |