JPH0214592A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0214592A JPH0214592A JP16562588A JP16562588A JPH0214592A JP H0214592 A JPH0214592 A JP H0214592A JP 16562588 A JP16562588 A JP 16562588A JP 16562588 A JP16562588 A JP 16562588A JP H0214592 A JPH0214592 A JP H0214592A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- photodiode
- resin
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザの組立構造に関する吃のである
。
。
第２図は従来の半導体レーザの構成を示す図１（ａｌは
斜視図、（ｂｌは主要部分の配置を示す断面図１ある。
斜視図、（ｂｌは主要部分の配置を示す断面図１ある。
半導体レーザチップ（通常０．３ Ｘ ０．３ Ｘ （
１露程度の大きさ）（１）はヒートシンク（２）の側面
ｅ接着され、ヒートシンク（２）はステム（８）に接着
さｔている。フォトダイオード（匍（通常Ｉ Ｘ Ｉ
Ｘ Ｏ。
１露程度の大きさ）（１）はヒートシンク（２）の側面
ｅ接着され、ヒートシンク（２）はステム（８）に接着
さｔている。フォトダイオード（匍（通常Ｉ Ｘ Ｉ
Ｘ Ｏ。
２５■程度の大きさ）はステム（８）に接着されており
、フォトダイオード（４）の受光面は、半導体レーザチ
ップ（１）の片端面と対向する位置関係にある。
、フォトダイオード（４）の受光面は、半導体レーザチ
ップ（１）の片端面と対向する位置関係にある。
ステム（８）と半導体レーザチップ（１）表面及びフォ
トダイオード（４）表面間は、金属細線（６ンで配線さ
れている。ステム（８）の上にはキャップ（６）が溶接
されている。キャップ（６）の中央はガラス窓（γ）に
なっている。
トダイオード（４）表面間は、金属細線（６ンで配線さ
れている。ステム（８）の上にはキャップ（６）が溶接
されている。キャップ（６）の中央はガラス窓（γ）に
なっている。
次に動作について説明する、半導体レーザでは前後両端
面から光が出射する。半導体し〜ザチツプ（１）の前端
面から出射した光は、ガラス窓（γ）を通してパッケー
ジ外部に放射される。一方、半導体レーザチップ（１）
の後端面から出射した光はフォトダイオード（４）の受
光面に入射する。フォトダイオード（４）は入射光量に
比例した電流に変換する。半導体レーザチップ（１）の
前端面から出る光量と後端面から出る光量との割合は、
２つの端面の反射率によって決定され、レーザの駆動電
流・光出力に依らず一定になる。パッケージ外部に出る
光出力を一定にして使用する場合は、フォトダイオード
（４）に入射する光量をモニタしながら、すなわちフォ
トダイオード（４）に流れる電流が一定になるようモニ
タしながら、レーザの駆動電流を調整し、パッケージの
外２部に出る光出力を一定に制御する。
面から光が出射する。半導体し〜ザチツプ（１）の前端
面から出射した光は、ガラス窓（γ）を通してパッケー
ジ外部に放射される。一方、半導体レーザチップ（１）
の後端面から出射した光はフォトダイオード（４）の受
光面に入射する。フォトダイオード（４）は入射光量に
比例した電流に変換する。半導体レーザチップ（１）の
前端面から出る光量と後端面から出る光量との割合は、
２つの端面の反射率によって決定され、レーザの駆動電
流・光出力に依らず一定になる。パッケージ外部に出る
光出力を一定にして使用する場合は、フォトダイオード
（４）に入射する光量をモニタしながら、すなわちフォ
トダイオード（４）に流れる電流が一定になるようモニ
タしながら、レーザの駆動電流を調整し、パッケージの
外２部に出る光出力を一定に制御する。
従来の半導体レーザは以上のように構成されているので
、レーザ外部に出射した光が外部の光学系で反射されて
レーザに戻ってきたとき、フォトダイオードの受光面に
入射する。この戻り光が本来のモニタ光に上乗せされる
ので、光出力−モニタ電流特性の直線性が乱れる。光デ
イスク装置において、定光出力動作時、上記直線性の乱
れが生じると、光出力の過不足が生じミディスクの焼損
・記憶ピットの不形成等の問題が発生し、これらの対策
が課題であった。
、レーザ外部に出射した光が外部の光学系で反射されて
レーザに戻ってきたとき、フォトダイオードの受光面に
入射する。この戻り光が本来のモニタ光に上乗せされる
ので、光出力−モニタ電流特性の直線性が乱れる。光デ
イスク装置において、定光出力動作時、上記直線性の乱
れが生じると、光出力の過不足が生じミディスクの焼損
・記憶ピットの不形成等の問題が発生し、これらの対策
が課題であった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、外部からの戻シ光がフォトダイオードの受光面
に入射しないようにすることを目的とする。
もので、外部からの戻シ光がフォトダイオードの受光面
に入射しないようにすることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、半導体レーザチップの
端面を除く周囲及び上部に不透明な樹脂を厚く塗布した
ものである。
端面を除く周囲及び上部に不透明な樹脂を厚く塗布した
ものである。
レーザチップに塗布した不透明な樹脂は、外部からの戻
り光を遮り、フォトダイオードの受光面に戻り光が入射
するのを防ぐ。
り光を遮り、フォトダイオードの受光面に戻り光が入射
するのを防ぐ。
この発明の一実施例を図によって説明する。第１図は半
導体レーザの構造を示す図で（ａ＋は斜視図、（ｂ）は
主要部分の断面図である。図において（１）〜（７）は
第２図の従来例に示したものと同等であるので説明を省
略する。（８）は半導体レーザチップ（１）上の樹脂で
ある。樹脂（８）は粘性が高く、レーザ光に対し不透明
なものを用い、半導体レーザチップ（１）のダイボンド
・ワイヤボンド完了後に塗布する。
導体レーザの構造を示す図で（ａ＋は斜視図、（ｂ）は
主要部分の断面図である。図において（１）〜（７）は
第２図の従来例に示したものと同等であるので説明を省
略する。（８）は半導体レーザチップ（１）上の樹脂で
ある。樹脂（８）は粘性が高く、レーザ光に対し不透明
なものを用い、半導体レーザチップ（１）のダイボンド
・ワイヤボンド完了後に塗布する。
塗布する場所は、半導体レーザチップ（１）の上部およ
び両側面で、光出射面である両端面には塗布しない。樹
脂（８）塗布後にキャップ（６）を封止して組立を完了
させる。
び両側面で、光出射面である両端面には塗布しない。樹
脂（８）塗布後にキャップ（６）を封止して組立を完了
させる。
次に動作について説明する。
この半導体レーザにおいて外部光学系で反射されて戻っ
てきた光がレーザパッケージ内に入射しても、樹脂（８
）に当った光は反射され、フォトダイオード（４）には
届かない。従来は半導体レーザチップ（１）で遮光され
た部分だけ光が当らなかったものが、本実施例では樹脂
（８）でも遮光されるので、フォトダイオード（４）の
受光面全体が戻り光に対し遮光される。このためフォト
ダイオード（４）に入射する光は半導体レーザチップ（
１）裏面から出射された光成分のみとなり、光出力−モ
ニタ電流特性の直線性が乱れることがなくなる。
てきた光がレーザパッケージ内に入射しても、樹脂（８
）に当った光は反射され、フォトダイオード（４）には
届かない。従来は半導体レーザチップ（１）で遮光され
た部分だけ光が当らなかったものが、本実施例では樹脂
（８）でも遮光されるので、フォトダイオード（４）の
受光面全体が戻り光に対し遮光される。このためフォト
ダイオード（４）に入射する光は半導体レーザチップ（
１）裏面から出射された光成分のみとなり、光出力−モ
ニタ電流特性の直線性が乱れることがなくなる。
以上のように、この発明によれば従来の組立工程に塗布
工程を追加して半導体レーザチップ周辺に不透明な樹脂
を塗布するだけで、特別な部品をを使用することなく、
戻り光がフォトダイオードに入射しない半導体レーザが
得られる効果がある。
工程を追加して半導体レーザチップ周辺に不透明な樹脂
を塗布するだけで、特別な部品をを使用することなく、
戻り光がフォトダイオードに入射しない半導体レーザが
得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザの構成
を示す斜視図及び主要部分の断面図、第２図は従来の半
導体レーザの構成を示す斜視図及び主要部分の断面図で
ある。 図において、（１）は半導体レーザチップ、（２）はヒ
ートシンク、（３）はステム、（４）はフォトダイオー
ド、（５）は金属細線、（６）はキャップ、（γ）はガ
ラス窓、（８）は樹脂である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
を示す斜視図及び主要部分の断面図、第２図は従来の半
導体レーザの構成を示す斜視図及び主要部分の断面図で
ある。 図において、（１）は半導体レーザチップ、（２）はヒ
ートシンク、（３）はステム、（４）はフォトダイオー
ド、（５）は金属細線、（６）はキャップ、（γ）はガ
ラス窓、（８）は樹脂である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体レーザチップとフォトダイオードとを内蔵する半
導体レーザにおいて、半導体レーザチップ周辺に不透明
な樹脂を塗布し、半導体レーザ外部からの入射光がフォ
トダイオードに入射しないようにしたことを特徴とする
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562588A JPH0214592A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16562588A JPH0214592A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214592A true JPH0214592A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15815918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16562588A Pending JPH0214592A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16562588A patent/JPH0214592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
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