JPH0290585A - レーザ装置 - Google Patents

レーザ装置

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JPH0290585A
JPH0290585A JP63242795A JP24279588A JPH0290585A JP H0290585 A JPH0290585 A JP H0290585A JP 63242795 A JP63242795 A JP 63242795A JP 24279588 A JP24279588 A JP 24279588A JP H0290585 A JPH0290585 A JP H0290585A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser chip
light
laser
mount
monitoring
Prior art date
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Pending
Application number
JP63242795A
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English (en)
Inventor
Takeshi Ogawa
武 小川
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光半導体に関し、特にレーザ装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、レーザ装置は、第２図に示すように、レーザチッ
プの主ビーム光２が出射される方向の反対側にモニタ用
受光素子１３がパッケージのステム４から垂直に形成さ
れたマウント台１５にマウントされている構造になって
いた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のレーザ装置は、マウントがパッケージの
ステムに対し垂直方向に立っておりレーザチップをマウ
ントするのが難かしくなるという欠点がある。
またモニタ光を主ビームと逆の方向から出射される光か
らとるため、主ビームが出射される側の面と逆の面を全
反射構造とするレーザチップではモニタ光がとれないと
いう欠点があった。
このような問題点はレーザ装置の生産性向上、製造歩留
り向上を計る上で解決しなければならない重要な課題の
１つである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のレーザ装置は、パッケージのステムと平行に形
成されたマウント台の上面にマウントされたレーザチッ
プと、表面に反射率の高い反射膜を形成した受光素子と
を備え、その受光素子をレーザチップから出射された光
に対して受光面を所定の角度に傾けて設けた構造を有し
ている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。レーザチッ
プ１をパッケージのステム４に形成されたマウント台５
の上面にマウントする。表面に反射率が８０〜９５％の
反射膜６を形成したモニタ用受光素子３を、レーザチッ
プ１から出射された光２に対し、４５°の角度に設置す
る。
レーザチップ１から出射された光をモニタ用受光素子３
の表面で反射させて８０〜９５％を主ビーム２として窓
から外部へ取出し、残りの５〜２０％をモニタ光として
モニタ用受光素子３に入射させる。
尚、反射膜６には所定の反射率となるよう膜厚を定めて
５ｉｏ２膜とＳｉ３Ｎ４膜を積層した多層構造を採用し
た。受光素子はｐｉｒｌフォトダイオードを用いた。
レーザチップの構造は活性層を多層半導体層で埋め込ん
だ埋め込み構造半導体レーザ等どのような構造のもので
もよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はレーザチップをステムに形
成されたマウント台の上面にマウントし、８０〜９５％
に反射率をもつ物質を表面に形成したモニタ用受光素子
をレーザチップの出射光に対し４５°傾はマウントする
ことにより、マウント・ボンディングが容易になり、か
つ主ビームが出射される逆の面から光のでない高出力用
レーザチップでも出射光のモニタができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のレーザ装置の断面図であり、第２図は
従来のレーザ装置の断面図である。 ｌ・・・レーザチップ、２・・・主ビーム、３．１３・
・・モニタ用受光素子、４・・・パッケージのステム、
５．１５・・・マウント台、６・・・反射膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ステム上に固定したマウント台上面にレーザチップを接
    着し、表面に反射率の高い反射膜を形成した受光素子を
    、前記レーザチップから出力された光に対して受光面を
    所定の角度傾けて前記レーザチップ前方に設けたことを
    特徴とするレーザ装置。
JP63242795A 1988-09-27 1988-09-27 レーザ装置 Pending JPH0290585A (ja)

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