JPH0423381A - レーザダイオード - Google Patents
レーザダイオードInfo
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- JPH0423381A JPH0423381A JP2123587A JP12358790A JPH0423381A JP H0423381 A JPH0423381 A JP H0423381A JP 2123587 A JP2123587 A JP 2123587A JP 12358790 A JP12358790 A JP 12358790A JP H0423381 A JPH0423381 A JP H0423381A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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-
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-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、レーザダイオードに関する。
（ロ）従来の技術
従来レーザダイオードには、いわゆるカンシールタイプ
のものや、ユニットタイプのものが使用されている。第
４図及び第５図は、従来のユニットタイプのレーザダイ
オード２１の断面図を示している。このユニットタイプ
のレーザダイオード２１では、基板２２上にサブマウン
ト２３を介してレーザダイオードチップ２９をグイボン
ディングしてなるものである。また、サブマウント２３
にはモニタ素子２７としてのホトダイオードが作りこま
れている。
のものや、ユニットタイプのものが使用されている。第
４図及び第５図は、従来のユニットタイプのレーザダイ
オード２１の断面図を示している。このユニットタイプ
のレーザダイオード２１では、基板２２上にサブマウン
ト２３を介してレーザダイオードチップ２９をグイボン
ディングしてなるものである。また、サブマウント２３
にはモニタ素子２７としてのホトダイオードが作りこま
れている。
このモニタ素子２７は、レーザダイオードチップ２９の
後方劈開面２９ｂから出射するレーザ光を受光する。こ
のモニタ素子２７の受光電流（モニタ電流）に基づいて
ＡＰＣ回路により、レーザダイオードチップ２９のレー
ザ光出力が所定の値になるよう、駆動電流が制御される
。
後方劈開面２９ｂから出射するレーザ光を受光する。こ
のモニタ素子２７の受光電流（モニタ電流）に基づいて
ＡＰＣ回路により、レーザダイオードチップ２９のレー
ザ光出力が所定の値になるよう、駆動電流が制御される
。
サブマウント２３上には、レーザダイオードチップ２９
やモニタ素子２７に導通するアルミ配線２５．２６が形
成されており、これらアルミ配線２５．２６及び基板２
２はフレキシブル回路３４上のリード３４ａ、３４ｂ、
３４ｃとワイヤＷによりワイヤボンディングされている
。
やモニタ素子２７に導通するアルミ配線２５．２６が形
成されており、これらアルミ配線２５．２６及び基板２
２はフレキシブル回路３４上のリード３４ａ、３４ｂ、
３４ｃとワイヤＷによりワイヤボンディングされている
。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上記従来のレーザダイオード２１においては、レーザダ
イオードがオープンにされた場合に、この前方劈開面２
９ａが外気にさらされて、特に空気中の水分により表面
状態が変化するという、耐環境性に劣る問題点があった
。カンシールタイプの場合には、密封されているからこ
の問題は生じにくいが、レーザダイオードの小形化が図
れない。
イオードがオープンにされた場合に、この前方劈開面２
９ａが外気にさらされて、特に空気中の水分により表面
状態が変化するという、耐環境性に劣る問題点があった
。カンシールタイプの場合には、密封されているからこ
の問題は生じにくいが、レーザダイオードの小形化が図
れない。
この発明は上記に鑑みなされたもので、耐環境性の向上
を図れるレーザダイオードチップの提供を目的としてい
る。
を図れるレーザダイオードチップの提供を目的としてい
る。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用上記課題を解
決するため、この発明のレーザダイオードは、基台上に
サブマウントを介してレーザダイオードチップをボンデ
ィングしてなるものにおいて、前記レーザダイオードチ
ップの前方劈開面を透明樹脂で被覆したことを特徴とす
るものである。
決するため、この発明のレーザダイオードは、基台上に
サブマウントを介してレーザダイオードチップをボンデ
ィングしてなるものにおいて、前記レーザダイオードチ
ップの前方劈開面を透明樹脂で被覆したことを特徴とす
るものである。
この透明樹脂は、液状のものを前方劈開面に付着し、こ
れを硬化させたものである。液状の透明樹脂を付着した
時、この液状の透明樹脂表面は、表面張力により平坦と
なって前方劈開面を被覆し、硬化後もその状態が保持さ
れる。
れを硬化させたものである。液状の透明樹脂を付着した
時、この液状の透明樹脂表面は、表面張力により平坦と
なって前方劈開面を被覆し、硬化後もその状態が保持さ
れる。
このように前方劈開面が透明樹脂で被覆され、外気が遮
断されるため、前方劈開面の表面状態の変化、特に湿度
による変化を防止することができる。
断されるため、前方劈開面の表面状態の変化、特に湿度
による変化を防止することができる。
（ホ）実施例
この発明の一実施例を、第１図乃至第３図に基づいて以
下に説明する。
下に説明する。
この実施例レーザダイオード１は、いわゆるユニットタ
イプのものであり、第１図は、その中央縦断面図、第３
図は、保護樹脂層１３を除いて示す外観斜視図である。
イプのものであり、第１図は、その中央縦断面図、第３
図は、保護樹脂層１３を除いて示す外観斜視図である。
基板２は、アルミニウム板の表面にニッケルメッキ及び
金メツキを施したものである。
金メツキを施したものである。
基板２の前方中央部には、サブマウント３がインジウム
等の接続材料により載置固定される。サブマウント３は
、シリコン製の矩形板材により基本的に構成され、その
表面には二酸化シリコン皮膜４を介して、レーザダイオ
ードチップ９に電力を供給するためのアルミニウム配線
５、後記するモニタ素子７の作動によりサブマウント３
に生じた電流を取り出すためのアルミニウム配線６が形
成される。
等の接続材料により載置固定される。サブマウント３は
、シリコン製の矩形板材により基本的に構成され、その
表面には二酸化シリコン皮膜４を介して、レーザダイオ
ードチップ９に電力を供給するためのアルミニウム配線
５、後記するモニタ素子７の作動によりサブマウント３
に生じた電流を取り出すためのアルミニウム配線６が形
成される。
前記サブマウント３上における前方中央部には、前記ア
ルミニウム配線５が延びてボンディング面を形成してお
り、このボンディング面上に、レーザダイオードチップ
９が導電性ロウ材ＩＯによってボンディングされる。こ
の時、レーザダイオードチップ９の二つの劈開面９ａ、
９ｂは、それぞれサブマウント３の前後方向を向くよう
にされる。
ルミニウム配線５が延びてボンディング面を形成してお
り、このボンディング面上に、レーザダイオードチップ
９が導電性ロウ材ＩＯによってボンディングされる。こ
の時、レーザダイオードチップ９の二つの劈開面９ａ、
９ｂは、それぞれサブマウント３の前後方向を向くよう
にされる。
導電性ロウ材１０は、第２図にも示すようにレーザダイ
オードチップ９の底面９ｃ全体を固着しているのではな
く、間隙ｇ、ｇが残される。
オードチップ９の底面９ｃ全体を固着しているのではな
く、間隙ｇ、ｇが残される。
一方、前記サブマウント３の表面中央部、すなわちレー
ザダイオードチップ９の後方劈開面９ｂと隣接する領域
には、サブマウント３表面からＰ型不純物を拡散させて
ＰＮ接合を形成した、ホトダイオード素子が一体に作り
込まれており、これがモニタ素子７として機能する。こ
のモニタ素子７には、前記アルミニウム配線６が連絡さ
れている。
ザダイオードチップ９の後方劈開面９ｂと隣接する領域
には、サブマウント３表面からＰ型不純物を拡散させて
ＰＮ接合を形成した、ホトダイオード素子が一体に作り
込まれており、これがモニタ素子７として機能する。こ
のモニタ素子７には、前記アルミニウム配線６が連絡さ
れている。
アルミニウム配線５１．６は、それぞれ基板２上接続す
るフレキシブル回路１４上の対応するり−ド１４ａ、１
４ｂにワイヤＷ、 、Ｗ２によりワイヤボンディングさ
れている。また、レーザダイオードチップ９の負極は、
サブマウント３上の二酸化シリコン皮膜４を窓開けして
内部導通させられたバンド８に、ワイヤＷ４でワイヤボ
ンディングすることにより基板２に電気的に接続される
。
るフレキシブル回路１４上の対応するり−ド１４ａ、１
４ｂにワイヤＷ、 、Ｗ２によりワイヤボンディングさ
れている。また、レーザダイオードチップ９の負極は、
サブマウント３上の二酸化シリコン皮膜４を窓開けして
内部導通させられたバンド８に、ワイヤＷ４でワイヤボ
ンディングすることにより基板２に電気的に接続される
。
さらに基板２は、ワイヤＷ３により、フレキシブル回路
１４のリード１４ｃとワイヤＷ３によりワイヤボンディ
ングされる。
１４のリード１４ｃとワイヤＷ３によりワイヤボンディ
ングされる。
レーザダイオードチップ９は、透明樹脂１２で被覆され
る。この透明樹脂１２は、前方劈開面９ａを被覆するだ
けでなく、レーザダイオードチップ９の後方にも拡がり
、後方襞間面９ｂとモニタ素子７を結ぶ固体導波路１２
ａを構成する。
る。この透明樹脂１２は、前方劈開面９ａを被覆するだ
けでなく、レーザダイオードチップ９の後方にも拡がり
、後方襞間面９ｂとモニタ素子７を結ぶ固体導波路１２
ａを構成する。
この透明樹脂１２には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等
が使用され、これらの樹脂を液状とし、レーザダイオー
ドチップ９に付着する。この液状の樹脂は、前方劈開面
９ａにおいてその表面張力により平坦な表面を形成する
。また、この液状の樹脂は、レーザダイオードチップ底
面９ｃとサブマウント３上面との間隙ｇ、ｇ内を毛管現
象により満たす。
が使用され、これらの樹脂を液状とし、レーザダイオー
ドチップ９に付着する。この液状の樹脂は、前方劈開面
９ａにおいてその表面張力により平坦な表面を形成する
。また、この液状の樹脂は、レーザダイオードチップ底
面９ｃとサブマウント３上面との間隙ｇ、ｇ内を毛管現
象により満たす。
この状態で樹脂が硬化すると、前方劈開面９ａでは、樹
脂表面の平坦さが保持されたまま硬化し、平坦な出射面
１２ｂが形成される。また、レーザダイオードチップ９
の全体が透明樹脂１２で封止される。
脂表面の平坦さが保持されたまま硬化し、平坦な出射面
１２ｂが形成される。また、レーザダイオードチップ９
の全体が透明樹脂１２で封止される。
基板２上には、さらに保護樹脂層１３が形成され、サブ
マウント３、ワイヤＷ１〜Ｗ４等が被覆保護される。従
って、レーザダイオード１を指やピンセット等でそのま
ま挟んで取り扱うことができる。
マウント３、ワイヤＷ１〜Ｗ４等が被覆保護される。従
って、レーザダイオード１を指やピンセット等でそのま
ま挟んで取り扱うことができる。
この実施例レーザダイオード１では、前方劈開面９ａか
ら発したレーザ光は、透明樹脂１２の平坦な出射面１２
ｂより前方に出射する。
ら発したレーザ光は、透明樹脂１２の平坦な出射面１２
ｂより前方に出射する。
また、後方劈開面９ｂより出射した光は、固体導波路１
２ａ中を進行し、透明樹脂１２と保護樹脂層１３との境
界面で反射してモニタ素子７に受光される。なお、保護
樹脂層１３を透明樹脂とし、その中に白色顔料や酸化チ
タン等を分散させておけば、固体導波路１２ａ外に透過
した光は、保護樹脂層１３内で散乱反射し、再び固体導
波路１２ａ中に戻りモニタ素子に受光され、このモニタ
素子７の受光量をより大きくすることができる。
２ａ中を進行し、透明樹脂１２と保護樹脂層１３との境
界面で反射してモニタ素子７に受光される。なお、保護
樹脂層１３を透明樹脂とし、その中に白色顔料や酸化チ
タン等を分散させておけば、固体導波路１２ａ外に透過
した光は、保護樹脂層１３内で散乱反射し、再び固体導
波路１２ａ中に戻りモニタ素子に受光され、このモニタ
素子７の受光量をより大きくすることができる。
一方、レーザダイオードチップ９が透明樹脂１２で封止
されるため、レーザダイオードチップ９が外気より遮断
され、外気、特に湿度による劈開面９ａ、９ｂ、底面９
ｃ等の表面状態の変化を防止することができる。従って
、ユニットタイプでもカンシールタイプに劣らぬ耐環境
性、特に耐湿性を持たせることができる。
されるため、レーザダイオードチップ９が外気より遮断
され、外気、特に湿度による劈開面９ａ、９ｂ、底面９
ｃ等の表面状態の変化を防止することができる。従って
、ユニットタイプでもカンシールタイプに劣らぬ耐環境
性、特に耐湿性を持たせることができる。
従来のカンシールタイプのレーザダイオードでは、小さ
くても直径５．６ｍｍ程度であったものが、この実施例
レーザダイオード１では、ＩＩＩＩｆｉ角（フレキシブ
ル回路１４は除いての大きさ）にまですることが可能で
あり、しかもカンシールタイプに劣らぬ耐環境性を有し
ているから、レーザダイオードの大幅な小形化を図るこ
とが可能となる。
くても直径５．６ｍｍ程度であったものが、この実施例
レーザダイオード１では、ＩＩＩＩｆｉ角（フレキシブ
ル回路１４は除いての大きさ）にまですることが可能で
あり、しかもカンシールタイプに劣らぬ耐環境性を有し
ているから、レーザダイオードの大幅な小形化を図るこ
とが可能となる。
なお、上記実施例では、透明樹脂１２は、レーザダイオ
ードチップ９を封止するだけではなく、固体導波路１２
ａまでも形成しているが、透明樹脂は、レーザダイオー
ドチップ９表面のみ、あるいは前方劈開面９ａのみを被
覆する構成としてもよく適宜設計変更可能である。
ードチップ９を封止するだけではなく、固体導波路１２
ａまでも形成しているが、透明樹脂は、レーザダイオー
ドチップ９表面のみ、あるいは前方劈開面９ａのみを被
覆する構成としてもよく適宜設計変更可能である。
また、この発明は、カンシールタイプのレーザダイオー
ドにも適用可能である。
ドにも適用可能である。
（へ）発明の詳細
な説明したように、この発明のレーザダイオードは、レ
ーザダイオードチップの前方劈開面を透明樹脂で被覆し
たことを特徴とするものであるから、前方劈開面を外気
より遮断し、耐環境性、特に耐湿性の向上を図れる利点
ををしている。また、ユニットタイプのレーザダイオー
ドでは、その小形化を図れる利点を有している。
ーザダイオードチップの前方劈開面を透明樹脂で被覆し
たことを特徴とするものであるから、前方劈開面を外気
より遮断し、耐環境性、特に耐湿性の向上を図れる利点
ををしている。また、ユニットタイプのレーザダイオー
ドでは、その小形化を図れる利点を有している。
第１図は、この発明の一実施例に係るレーザダイオード
の中央縦断面図、第２図は、同レーザダイオードの要部
拡大断面図、第３図は、同レーザダイオードの保護樹脂
を除いて示す斜視図、第４図は、従来のレーザダイオー
ドの外観斜視図、第５図は、同従来のレーザダイオード
の中央縦断面図である。 ２：基板、 ３：サブマウント、９：レーザ
ダイオードチップ、 ９ａ：前方劈開面、 １２：透明樹脂。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 中 村 茂 信３：サブマウント 第 図 第 図
の中央縦断面図、第２図は、同レーザダイオードの要部
拡大断面図、第３図は、同レーザダイオードの保護樹脂
を除いて示す斜視図、第４図は、従来のレーザダイオー
ドの外観斜視図、第５図は、同従来のレーザダイオード
の中央縦断面図である。 ２：基板、 ３：サブマウント、９：レーザ
ダイオードチップ、 ９ａ：前方劈開面、 １２：透明樹脂。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 中 村 茂 信３：サブマウント 第 図 第 図
Claims (1)
- （１）基台上にサブマウントを介してレーザダイオード
チップをボンディングしてなるレーザダイオードにおい
て、 前記レーザダイオードチップの前方劈開面を透明樹脂で
被覆したことを特徴とするレーザダイオード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123587A JP2547466B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | レーザダイオード |
| US07/946,022 US5226052A (en) | 1990-05-08 | 1992-09-10 | Laser diode system for cutting off the environment from the laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123587A JP2547466B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | レーザダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423381A true JPH0423381A (ja) | 1992-01-27 |
| JP2547466B2 JP2547466B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=14864286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123587A Expired - Fee Related JP2547466B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-14 | レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2547466B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414293A (en) * | 1992-10-14 | 1995-05-09 | International Business Machines Corporation | Encapsulated light emitting diodes |
| WO2000059086A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
| US6310900B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-10-30 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276554U (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | ||
| JPS6428882A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Photoelectronic device, manufacture thereof, and lead frame used in same manufacture |
| JPH02159084A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | モールド発光素子 |
| JPH02209785A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Sony Corp | 光半導体装置 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123587A patent/JP2547466B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2547466B2 (ja) | 1996-10-23 |
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