JPS6276554U - - Google Patents

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JPS6276554U
JPS6276554U JP16854985U JP16854985U JPS6276554U JP S6276554 U JPS6276554 U JP S6276554U JP 16854985 U JP16854985 U JP 16854985U JP 16854985 U JP16854985 U JP 16854985U JP S6276554 U JPS6276554 U JP S6276554U
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JP
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semiconductor laser
substrate
laser device
modular
transparent
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JP16854985U
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Description

【図面の簡単な説明】
図面はいずれも本考案の実施例を説明する図で
、第１図は平面図、第２図は正面図、第３図は側
面図、第４図Ａ〜Ｇ及び第５図Ａ〜Ｇは製造工程
を説明する図である。 （主な符号）、１…基板、２，２１〜２３…レ
ーザーチツプ、３…回路素子、５…リボンワイヤ
、６…封止剤、７…樹脂、８…整形手段。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体レーザーチツプを、その駆動手段とと
    もに熱伝導率の高い基板上に搭載固定して結線し
    、少くとも半導体レーザーチツプを透明封止剤で
    上記基板上に封止するとともに上記半導体レーザ
    ーチツプの発光部前面に上記透明封止剤によつて
    光の投射面を形成したモジユール化半導体レーザ
    ー装置。 ２ 基板が窒化アルミニウムセラミツク基板であ
    る実用新案登録請求の範囲第１項に記載のモジユ
    ール化半導体レーザー装置。 ３ 基板が酸化ベリリウムセラミツク基板である
    実用新案登録請求の範囲第１項に記載のモジユー
    ル化半導体レーザー装置。 ４ 透明封止剤がアクリル系透明樹脂材である実
    用新案登録請求の範囲第１項に記載のモジユール
    化半導体レーザー装置。
JP16854985U 1985-11-01 1985-11-01 Pending JPS6276554U (ja)

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JPS6276554U true JPS6276554U (ja) 1987-05-16

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0414888A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Rohm Co Ltd レーザダイオード
JPH0423381A (ja) * 1990-05-14 1992-01-27 Rohm Co Ltd レーザダイオード

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5540590B2 (ja) * 1973-05-25 1980-10-18
JPS58119690A (ja) * 1982-01-11 1983-07-16 Hitachi Ltd レ−ザ−光源装置
JPS5935912B2 (ja) * 1982-04-21 1984-08-31 ゼネラル・エレクトリツク・コムパニ− 芳香族ジエステルおよびジニトリルのアリ−ロキシ誘導体の製造法
JPS6063977A (ja) * 1983-09-17 1985-04-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置

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