JPH0724323B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH0724323B2
JPH0724323B2 JP1229503A JP22950389A JPH0724323B2 JP H0724323 B2 JPH0724323 B2 JP H0724323B2 JP 1229503 A JP1229503 A JP 1229503A JP 22950389 A JP22950389 A JP 22950389A JP H0724323 B2 JPH0724323 B2 JP H0724323B2
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laser device
liquid crystal
crystal cell
polarizer
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勝久 多田
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体レーザのパッケージの構造に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の半導体レーザ装置のパッケージの構造を
示す図である。同図において、（１）はレーザダイオー
ド（以下LDと略称する）素子、（２）はLD素子（１）を
取付けたサブマウント、（３）はLD素子（１）から出る
熱を吸収するためのヒートシンク（例えがAgやAuから成
るもの）、（４）はヒートシンク（３）を取付けたステ
ム、（５）はステム（４）を覆う気密封止用キャップで
ある。また、（61）、（62）はファラデー回転子（10）
をはめ込んだ１対の偏光子（例えば方解石）、（11）は
ファラデー回転子（10）を機能させる永久磁石である。
ファラデー回転子（10）をはめ込んだ１対の偏光子（6
1）、（62）は互いに45度だけ偏光方向がずれている。
次に、動作について説明する。LD素子（１）から射出さ
れたレーザ光は偏光子（61）を通過する。次に、レーザ
光はファラデー回転子（10）を通過するが、この間に偏
光面が45度だけ回転し、もう一方の偏光子（62）を通っ
て外部へ取り出される。このレーザ光が外部の光ファイ
バの接合部等で反射して、再び半導体レーザ装置へ戻っ
て来る。これを反射戻り光という。この反射戻り光は偏
光子（62）を通り、ファラデー回転子（10）を通過中に
偏光面が再び45度だけ回転し、もう一方の偏光子（61）
へ到達する。しかし、この反射戻り光は射出光に対して
90度回転しているため、偏光子（61）を通過することが
できない。それ故、半導体レーザ装置は反射戻り光の影
響を受けずに動作することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体レーザ装置は、上述のように永久磁石（1
1）を用いるので磁場が発生し、そのために塵埃が付着
し易く、また、磁場を嫌うようなシステムには使用する
ことができない。また、ファラデー回転子（10）を用い
るため半導体レーザ装置が高価になるという問題があ
る。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、磁場を発生させることなく安価に反射戻り
光を防止することができる半導体レーザ装置を提供する
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段） この発明に係る半導体レーザ装置はツイストネマチック
液晶セルとこの両主面に配置された１対の偏光子とから
なる反射戻り光防止手段をキャップのレーザ光導出孔に
設けたものである。
〔作用〕
この発明における半導体レーザ装置では、ツイストネマ
チック液晶セルの作用によって、磁場を発生させること
なく安価に反射戻り光が阻止される。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は光アイソレータをTN（ツイストネマチック）液晶セ
ルで構成したこの発明の一実施例による半導体レーザ装
置を示す図である。同図において、（７）はTN液晶セル
であり、（１）乃至（５）、及び（61）、（62）は第２
図の場合と同じである。TN液晶セル（７）における液晶
分子は分子短軸方向に45度ねじれた配列をしている。
次に、動作について説明する。LD素子（１）から射出さ
れたレーザ光は偏光子（61）を通過し、次に、TN液晶セ
ル（７）を通過する。レーザ光はこのTN液晶セル（７）
を通過中に偏光面が45度だけ回転する。TN液晶セル
（７）を通過したレーザ光はもう一方の偏光子（62）を
通って外部へ取り出される。外部の光ファイバ接合部等
で反射した反射戻り光は偏光子（62）を通り、TN液晶セ
ル（７）を通過する間に偏光面が再び45度だけ回転し
て、もう一方の偏光子（61）へ到達する。しかし、この
反射戻り光は射出光に対して90度回転しているため、偏
光子（61）を通過することができない。それ故、半導体
レーザ装置は反射戻り光の影響を受けることなく動作す
ることができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、光アイソレータをTN
液晶セルで構成するようにしたので、磁場を発生させる
ことなく安価に反射戻り光を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面側面図、第２図は従来の半導体レーザ装置を示
す断面側面図である。 図において、（１）、（２）、（３）は半導体レーザ装
置本体、（５）はキャップ、（７）はツイストネマチッ
ク液晶セル、（61）、（62）は偏光子である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体レーザ装置本体を覆う気密封止用キ
    ャップに設けたレーザ光導出孔に、ツイストネマチック
    液晶セルとこの両主面に配置された１対の偏光子とから
    なる反射戻り光防止手段を設けて構成された半導体レー
    ザ装置。
JP1229503A 1989-09-05 1989-09-05 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JPH0724323B2 (ja)

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CA002005957A CA2005957C (en) 1989-09-05 1989-12-19 Semiconductor laser device
US07/461,915 US5020065A (en) 1989-09-05 1990-01-08 Semiconductor laser device
DE69021151T DE69021151T2 (de) 1989-09-05 1990-01-17 Halbleiterlaser-Vorrichtung.
EP90100939A EP0416195B1 (en) 1989-09-05 1990-01-17 Semiconductor laser device

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EP (1) EP0416195B1 (ja)
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DE (1) DE69021151T2 (ja)

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