JPS62298195A - レ−ザダイオ−ド - Google Patents
レ−ザダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS62298195A JPS62298195A JP14168386A JP14168386A JPS62298195A JP S62298195 A JPS62298195 A JP S62298195A JP 14168386 A JP14168386 A JP 14168386A JP 14168386 A JP14168386 A JP 14168386A JP S62298195 A JPS62298195 A JP S62298195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- optical isolator
- degrees
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 9
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021532 Calcite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザへの反射戻り光を遮断する光ア
イソレータを用いたレーザダイオードに関するものであ
る。
イソレータを用いたレーザダイオードに関するものであ
る。
第３図は例えば応用物理第５５巻第２号Ｐ、１０９に示
された従来の光アイソレータを含むレーザダイオードモ
ジュールを示す断面図であり、図において１は永久磁石
、２はファラデー材料（Ｙ Ｉ Ｇ結晶）、３は偏光子
（方解石）、４は検光子（方解石）、５は１から４で構
成された光アイソレータ、６は半導体レーザ、１１は光
ファイバ、１２はレンズである。
された従来の光アイソレータを含むレーザダイオードモ
ジュールを示す断面図であり、図において１は永久磁石
、２はファラデー材料（Ｙ Ｉ Ｇ結晶）、３は偏光子
（方解石）、４は検光子（方解石）、５は１から４で構
成された光アイソレータ、６は半導体レーザ、１１は光
ファイバ、１２はレンズである。
次に動作について説明する。半導体レーザ６から出射さ
れた光は偏光子３を通過し、レンズ１２で集光され、フ
ァラデー回転子２を通過し、レンズ１２で集光され、検
光子４を通って光ファイバに入る。半導体レーザ６の前
面に、光の偏光面を４５度回転させることが可能なファ
ラデー回転子２を設けると、半導体レーザ６からの出射
光の偏光面は、ファラデー回転子２を通過することによ
り４５度回転する。一方、光ファイバ１１や他の光学部
品からの反射戻り光の偏光面は、ファラデー回転子２を
通過することにより、さらに４５度回転し、半導体レー
ザ６からの出射光に対し、９０度回転するため、反射戻
り光は偏光子３で阻止される。反射戻り光が半導体レー
ザ６に入ると、レーザ発振が不安定になり、光通信、光
デイスクメモリ等においてエラーを生じるが、この光ア
イソレータ５により、戻り光の影響が生じな（なる。
れた光は偏光子３を通過し、レンズ１２で集光され、フ
ァラデー回転子２を通過し、レンズ１２で集光され、検
光子４を通って光ファイバに入る。半導体レーザ６の前
面に、光の偏光面を４５度回転させることが可能なファ
ラデー回転子２を設けると、半導体レーザ６からの出射
光の偏光面は、ファラデー回転子２を通過することによ
り４５度回転する。一方、光ファイバ１１や他の光学部
品からの反射戻り光の偏光面は、ファラデー回転子２を
通過することにより、さらに４５度回転し、半導体レー
ザ６からの出射光に対し、９０度回転するため、反射戻
り光は偏光子３で阻止される。反射戻り光が半導体レー
ザ６に入ると、レーザ発振が不安定になり、光通信、光
デイスクメモリ等においてエラーを生じるが、この光ア
イソレータ５により、戻り光の影響が生じな（なる。
従来のレーザダイオードモジュールは半導体レーザ、光
アイソレータ、光ファイバが独立に構成されているので
、大形化してしまい、また光軸合わせ等の組立が困難で
あるという問題があった。
アイソレータ、光ファイバが独立に構成されているので
、大形化してしまい、また光軸合わせ等の組立が困難で
あるという問題があった。
また、使用する光学部品数が多く、高価となるという問
題があった。さらに、モジュール製造工程においても、
半導体レーザが気密封止されていないため、破損しやす
く、信頬性が悪いという問題があった。
題があった。さらに、モジュール製造工程においても、
半導体レーザが気密封止されていないため、破損しやす
く、信頬性が悪いという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体レーザが気密封止できるとともに、モ
ジュール化しやすく、さらに戻り光の影響を受けない高
性能、高信頼性を有するレーザダイオードを得ることを
目的とする。
たもので、半導体レーザが気密封止できるとともに、モ
ジュール化しやすく、さらに戻り光の影響を受けない高
性能、高信頼性を有するレーザダイオードを得ることを
目的とする。
この発明に係るレーザダイオードは、半導体レーザを気
密封止し、気密封土用キャンプもしくは窓中に光アイソ
レータを設けて半導体レーザと光アイソレータとを一体
化したものである。
密封止し、気密封土用キャンプもしくは窓中に光アイソ
レータを設けて半導体レーザと光アイソレータとを一体
化したものである。
この発明においては、光アイソレータ付キャンプもしく
は窓は、半導体レーザの出射光に対する反射戻り光を遮
断し、上記半導体レーザを気密封止する。
は窓は、半導体レーザの出射光に対する反射戻り光を遮
断し、上記半導体レーザを気密封止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は永久磁石、２はファラデー回転子、３
は偏光子、４は検光子、５は以上の各素子工ないし４で
構成された光アイソレータ、６は半導体レーザ、７は光
アイソレータ５を備えたキャップ、９は半導体レーザ６
をマウントするための金属ブロック、８は半導体レーザ
６と金属ブロック９をマウントするステムであり、ステ
ム８と光アイソレータ５を備えたキャップ７とは内部を
気密にするよう密着されている。
図において、１は永久磁石、２はファラデー回転子、３
は偏光子、４は検光子、５は以上の各素子工ないし４で
構成された光アイソレータ、６は半導体レーザ、７は光
アイソレータ５を備えたキャップ、９は半導体レーザ６
をマウントするための金属ブロック、８は半導体レーザ
６と金属ブロック９をマウントするステムであり、ステ
ム８と光アイソレータ５を備えたキャップ７とは内部を
気密にするよう密着されている。
次に動作について説明する。半導体レーザ６から出射さ
れた光は、キャップ７の光アイソレータ５の部分から外
部に取り出される。半導体レーザ６からの出射光の偏光
面は、偏光子３及び光の偏光面を４５度回転させること
が可能なファラデー回転子２を通過することにより、４
５度回転し、検光子４を通って外部へ取り出される。一
方、半導体レーザ６には、半４体レーザ６の出射光に対
する光ファイバ等の他の光学部品からの反射戻り光があ
る。この反射戻り光の偏光面は、ファラデー回転子２を
通過する時さらに４５度回転し、半導体レーザ６からの
出射光に対し９０度回転するため、反射戻り光は偏光子
３で阻止される。光アイソレータ５は以上のように作用
し、従って半導体レーザ６は反射戻り光の影響を受けず
、安定に動作する。
れた光は、キャップ７の光アイソレータ５の部分から外
部に取り出される。半導体レーザ６からの出射光の偏光
面は、偏光子３及び光の偏光面を４５度回転させること
が可能なファラデー回転子２を通過することにより、４
５度回転し、検光子４を通って外部へ取り出される。一
方、半導体レーザ６には、半４体レーザ６の出射光に対
する光ファイバ等の他の光学部品からの反射戻り光があ
る。この反射戻り光の偏光面は、ファラデー回転子２を
通過する時さらに４５度回転し、半導体レーザ６からの
出射光に対し９０度回転するため、反射戻り光は偏光子
３で阻止される。光アイソレータ５は以上のように作用
し、従って半導体レーザ６は反射戻り光の影響を受けず
、安定に動作する。
また光アイソレータ５とキャップ７は一体化しており、
半導体レーザ６は気密封止されている。
半導体レーザ６は気密封止されている。
第２図は本発明の他の実施例を示す図であり、この実施
例では気密封止用窓１３に光アイソレータ５を設けてい
る。この場合も、光アイソレータ付キャップを設けた上
記第１の実施例と同様に、半導体レーザ６は気密封止さ
れている。
例では気密封止用窓１３に光アイソレータ５を設けてい
る。この場合も、光アイソレータ付キャップを設けた上
記第１の実施例と同様に、半導体レーザ６は気密封止さ
れている。
以上のように、この発明に係るレーザダイオードによれ
ば、半導体レーザを気密封止し、気密封止用キャップも
しくは窓に光アイソレータを設けて半導体レーザと光ア
イソレータとを一体化したので、装置が大形化せず安価
にでき、またモジュール化が容易で高性能を有するもの
が得られる効果がある。
ば、半導体レーザを気密封止し、気密封止用キャップも
しくは窓に光アイソレータを設けて半導体レーザと光ア
イソレータとを一体化したので、装置が大形化せず安価
にでき、またモジュール化が容易で高性能を有するもの
が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレーザダイオード装
置を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例による
レーザダイオード装置を示す断面図、第３図は従来のレ
ーザダイオード装置を示す断面図である。 １は永久磁石、２はファラデー回転子、３は偏光子、４
は検光子、５は１から４で構成された光アイソレータ、
６は半導体レーザ、７は光アイソレータ５を備えたキャ
ップ、８はステム、９は金属ブロック、１０はモニタ光
用ガラス、１３は光アイソレータ５を備えた窓。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第２図 第３図 １゛放ヌ竹ｆ ２；ファラデづＴ肩オ子 ３’：ｍｆ−７− ４：＃！−４− ５：ｆ７ｆ’ンＺ−夕 ６：≠ｓａ：１！／−グ １１：ヂ７．／’２／／′／” １２：ｌンＸ
置を示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例による
レーザダイオード装置を示す断面図、第３図は従来のレ
ーザダイオード装置を示す断面図である。 １は永久磁石、２はファラデー回転子、３は偏光子、４
は検光子、５は１から４で構成された光アイソレータ、
６は半導体レーザ、７は光アイソレータ５を備えたキャ
ップ、８はステム、９は金属ブロック、１０はモニタ光
用ガラス、１３は光アイソレータ５を備えた窓。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第２図 第３図 １゛放ヌ竹ｆ ２；ファラデづＴ肩オ子 ３’：ｍｆ−７− ４：＃！−４− ５：ｆ７ｆ’ンＺ−夕 ６：≠ｓａ：１！／−グ １１：ヂ７．／’２／／′／” １２：ｌンＸ
Claims (1)
- （１）光アイソレータを用いたレーザダイオードにおい
て、 半導体レーザを気密封止し、気密封止用キャップ又は窓
中に上記半導体レーザからの光をアイソレートする光ア
イソレータを設けたことを特徴とするレーザダイオード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14168386A JPS62298195A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | レ−ザダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14168386A JPS62298195A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | レ−ザダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298195A true JPS62298195A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15297780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14168386A Pending JPS62298195A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | レ−ザダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298195A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175786A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JPH03200390A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
| EP0714157A3 (en) * | 1994-11-23 | 1996-08-21 | At & T Corp | System and method for eliminating unstable distortion levels in analog laser modules |
| US5917643A (en) * | 1993-03-12 | 1999-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
| US7106771B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and optical pickup device |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14168386A patent/JPS62298195A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175786A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JPH03200390A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 |
| US5917643A (en) * | 1993-03-12 | 1999-06-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
| EP0714157A3 (en) * | 1994-11-23 | 1996-08-21 | At & T Corp | System and method for eliminating unstable distortion levels in analog laser modules |
| US7106771B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and optical pickup device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62298195A (ja) | レ−ザダイオ−ド | |
| JP2003066284A (ja) | 光アイソレータモジュール | |
| US5020065A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2943436B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH06265822A (ja) | 光アイソレータ | |
| JP2007101652A (ja) | 光アイソレータ、およびこれを備えた光デバイス | |
| JPS61121027A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JPH077156B2 (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JP2949318B2 (ja) | レンズ付き光アイソレータ | |
| JPH10142558A (ja) | 光アイソレータおよびその製造方法 | |
| JPS62196620A (ja) | レ−ザモジユ−ル | |
| JPH11295564A (ja) | 光アイソレータモジュールと光アイソレータ部品 | |
| JPH0368915A (ja) | 光アイソレータおよび光アイソレータ内蔵半導体レーザモジュール | |
| JP2574858B2 (ja) | 光アイソレータ付半導体レーザ | |
| US6760494B2 (en) | Fiber optical polarizer assembly | |
| JPH01175786A (ja) | 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置 | |
| JP2001013379A (ja) | 光モジュール | |
| JPH11218648A (ja) | 光複合モジュール | |
| JP2006220727A (ja) | 光アイソレータ、光アイソレータ付き光学系装置用キャップ、及びそれを用いた光学系装置、並びにそれを用いた光モジュール | |
| JP6226428B2 (ja) | 光アイソレータ付偏波保存ファイバの製造方法。 | |
| JPH03137616A (ja) | 光アイソレータおよび光アイソレータ内蔵半導体レーザモジュール | |
| JP2004029335A (ja) | 光アイソレータと光アイソレータモジュール | |
| JP2004062006A (ja) | 光アイソレータ | |
| JP2000081547A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JPH02135416A (ja) | 光アイソレータ及び光アイソレータ付き半導体レーザ装置 |