JPS5936824B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5936824B2
JPS5936824B2 JP51149696A JP14969676A JPS5936824B2 JP S5936824 B2 JPS5936824 B2 JP S5936824B2 JP 51149696 A JP51149696 A JP 51149696A JP 14969676 A JP14969676 A JP 14969676A JP S5936824 B2 JPS5936824 B2 JP S5936824B2
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JP
Japan
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base
pellet
ceramic
cap
glass
Prior art date
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Expired
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JP51149696A
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English (en)
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JPS5374368A (en
Inventor
元 村上
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

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  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣ）フォ
トトランジスタ、フォトダイオードなどのように入射光
によつて制御され、あるいはフォトセルなどのように入
射光エネルギーを電気エネルギーに変換するフォト半導
体装置に関するものである。
従来、紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣのパッケ
ージとしては、ペレットを配置したセラミックベース上
に、光線透過ガラス窓を有するコバールキヤツプを配置
して、これをＡｕ−Ｓｎ封止としたものがある。
このパッケージの欠点は封止のためにＡｕすなわち金を
用いるので高価になることである。本発明の目的はパッ
ケージの封止のためにＡｕを用いることなく、したがつ
て安価に製作しうる；半導体装置を提供することにある
。
この目的を達成するため本発明は、セラミックベース上
にペレットを配置すると共にリードを介して所要の端子
を導出し、さらに前記ペレットに対向する部分に光線透
過ガラス窓を有するセラミつ ツクキヤツプを、ガラス
封止層を介して前記ベース土に封着させるようにしたも
のであり、以下、図面に示す一実施例について説明する
。
図は本発明装置の一実施例による紫外線消去型プログラ
マブルＲＯＭＩＣを示すものであり、セフ ラミツクベ
ース１１上に形成された凹所１２内にペレット（ＩＣチ
ップ）１３が配置されている。
ペレット１３の端子はボンディングワイヤ１４を介して
電装されたリード１６によつて外部に導出される。他方
、キャップＩＴは基本的にはセラミつツクから成つてい
るが、ペレット１３の配置される凹所１２とほぼ対応す
る位置および大きさで貫通穴があけられており、そこに
紫外線透過ガラス１８を埋込んだ構成になつている。な
お、一般的には、ガラス１８は半導体装置としての光特
性に５従い、例えば赤外線を特に透過し易い材料が選定
されたり、或いは可視光線を特に透過し易い材料が選定
されたりする。上記のようなペレット１３およびリード
１６を配置したセラミックベース１１上の凹所１２以外
−０の部分と、これに対向するキャップＩＴの非ガラス
部分すなわちセラミック部分とに液状のガラス封止層１
９、２１を施し、この後、ベース１１上にキャップＩＴ
を被せて固化させることにより、ガラス封止の工Ｃ装置
が完成される。
５ 上記のようなパッケージ構造によれば、ベースおよ
びキャップをセラミックから構成するので、両者を安価
なガラス封止とすることが可能になり、コストが大幅に
低減される。
また端子リードをリードフレームによつて構成すれば製
造が容易になり、この点でもコストダウンを達成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明による半導体装置の一実例を示す分解縦断面
図である。 符号の説明 １１・・・・・・セラミツクベース、１３
・・・・・・ペレツト、１６・・・・・・リード、１７
・・・・・・セラミツクキヤツプ、１８・・・・・・紫
外線透過ガラス、１９，２１・・・・・・ガラス封止層
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 受光部を有する半導体ペレットが表面上の所定位置
    に装着されるセラミックベースと、前記受光部に照射す
    べき光を透過するガラス窓を有し前記ベース上に配置さ
    れるセラミックキャップと、このキャップと前記ベース
    との間を気密封止するためのガラス層と、前記ペレット
    に電気的に接続され前記ガラス層による封止部を介して
    外方へ導出される複数のリードとをそなえた半導体装置
    。
JP51149696A 1976-12-15 1976-12-15 半導体装置 Expired JPS5936824B2 (ja)

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JP62145041A Division JPS63126252A (ja) 1987-06-12 1987-06-12 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS5374368A JPS5374368A (en) 1978-07-01
JPS5936824B2 true JPS5936824B2 (ja) 1984-09-06

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JPS5553447A (en) * 1978-10-16 1980-04-18 Fujitsu Ltd Semiconductor package of ultraviolet ray transmitting type
JPS5916389A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp 双方向光モジユ−ル及びその装置

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JPS5139466B2 (ja) * 1971-12-23 1976-10-28
JPS51144182A (en) * 1975-06-05 1976-12-10 Mitsubishi Electric Corp Indirectly heated semiconductor unit

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