JPS63126252A - 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法 - Google Patents
紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法Info
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- JPS63126252A JPS63126252A JP62145041A JP14504187A JPS63126252A JP S63126252 A JPS63126252 A JP S63126252A JP 62145041 A JP62145041 A JP 62145041A JP 14504187 A JP14504187 A JP 14504187A JP S63126252 A JPS63126252 A JP S63126252A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣの製造
方法に関する。
方法に関する。
従来、紫外線消去型プログラマブＮＲＯＭＩＣのパッケ
ージとしては、ベレットを配置したセラミックベース上
に、光線透過ガラス窓を有するコバールキャップを配置
して、これをＡ ｕ −Ｓ ｎ封止どしたものがある。
ージとしては、ベレットを配置したセラミックベース上
に、光線透過ガラス窓を有するコバールキャップを配置
して、これをＡ ｕ −Ｓ ｎ封止どしたものがある。
例えば、この封止構造はアメリカ特許第３，９２４，２
４６号に示されている。このパッケージの欠点は封止の
ためにＡｕすなわち金を用いるので高価になることであ
る。また、組立工程が多くなるという欠点がある。
４６号に示されている。このパッケージの欠点は封止の
ためにＡｕすなわち金を用いるので高価になることであ
る。また、組立工程が多くなるという欠点がある。
本発明の目的はパッケージの封止のためにＡｕを用いる
ことなく、したがって安価に製作しうる紫外線消去型プ
ログラマブルＲＯＭＩＣの製造方法を提供することにあ
る。
ことなく、したがって安価に製作しうる紫外線消去型プ
ログラマブルＲＯＭＩＣの製造方法を提供することにあ
る。
この目的を達成するために、本発明の製造方法によれば
、以下の工程から成ることを特徴とする。
、以下の工程から成ることを特徴とする。
すなわち、
（ａｌ セラミックペース主表面の凹部内に受光部を
有する紫外線消去型プログラムＲＯＭＩＣチップを取付
け、かつ前記セラミックベース主表面の凹部の周辺から
該セラミックベースの外方へ導出される複数のリードを
封止用ガラス層によって固定し、かつ凹部の周辺に位置
する前記複数のリードの端部なボンディングワイヤによ
って前記ＲＯＭＩＣチップに電気的接続してなるセラミ
ックベースの構造体を用意する工程と、 （ｂｌ 前記セラミックペース主表面に対応した太き
さを持つセラミックキャップに対し、前記セラミックペ
ース主表面の凹部内に取付けされる前記ＲＯＭＩＣチッ
プの受光部に対応した位置において、前記受光部に照射
すべき紫外線を透過するためのガラス窓を埋込みし、前
記ガラス窓が埋込みされた前記セラミックキャップの周
辺部において封止用ガラス層を施してなるセラミックキ
ャップの構造体を用意する工程と、 （Ｃ＋ 前記（ａ）の工程によって予め形成されたセ
ラミックベースの構造体の上に前記（１））の工程によ
って予め形成されたセラミックキャップの構造体を被せ
て、前記セラミックベースおよび前記セラミックキャッ
プの封止用ガラス層によってガラス封止する工程と、 から成ることを特徴とする。
有する紫外線消去型プログラムＲＯＭＩＣチップを取付
け、かつ前記セラミックベース主表面の凹部の周辺から
該セラミックベースの外方へ導出される複数のリードを
封止用ガラス層によって固定し、かつ凹部の周辺に位置
する前記複数のリードの端部なボンディングワイヤによ
って前記ＲＯＭＩＣチップに電気的接続してなるセラミ
ックベースの構造体を用意する工程と、 （ｂｌ 前記セラミックペース主表面に対応した太き
さを持つセラミックキャップに対し、前記セラミックペ
ース主表面の凹部内に取付けされる前記ＲＯＭＩＣチッ
プの受光部に対応した位置において、前記受光部に照射
すべき紫外線を透過するためのガラス窓を埋込みし、前
記ガラス窓が埋込みされた前記セラミックキャップの周
辺部において封止用ガラス層を施してなるセラミックキ
ャップの構造体を用意する工程と、 （Ｃ＋ 前記（ａ）の工程によって予め形成されたセ
ラミックベースの構造体の上に前記（１））の工程によ
って予め形成されたセラミックキャップの構造体を被せ
て、前記セラミックベースおよび前記セラミックキャッ
プの封止用ガラス層によってガラス封止する工程と、 から成ることを特徴とする。
以下、図面に示す一実施例について説明する。
図は本発明の紫外線消去型プログラマブ／ｌ／ＲＯＭＩ
Ｃの製造方法を説明するためのものであり、予め用意さ
れるセラミックベースの構造体は、セラミックベース１
１上に形成された凹所１２内にベレン）（ＩＣチップ）
１３が配置されている。
Ｃの製造方法を説明するためのものであり、予め用意さ
れるセラミックベースの構造体は、セラミックベース１
１上に形成された凹所１２内にベレン）（ＩＣチップ）
１３が配置されている。
ベレット１３の端子はボンディングワイヤ１４を介して
電装されたリード１６によって外部に導出される。
電装されたリード１６によって外部に導出される。
他方、セラミックキャップの構造体は、キャップ１７が
セラミックから成っており、ベレット１３の配置される
凹所１２とほぼ対応する位置および大きさで貫通穴があ
けられており、そこに紫外線透過ガラス１８を埋込んだ
構成になっている。
セラミックから成っており、ベレット１３の配置される
凹所１２とほぼ対応する位置および大きさで貫通穴があ
けられており、そこに紫外線透過ガラス１８を埋込んだ
構成になっている。
なお、紫外線消去型プログラマプ＃ＲＯＭＩＣのパッケ
ージ以外の一般的な光半導体装置においては、光透過の
ためのガラス材料として赤外線を特に透過し易い材料が
選定され、或いは、可視光線を特に透過し易い材料が選
定されるが、これらのガラス材料は、所望の光透過特性
を得るための材料を選択するために、紫外線透過ガラス
材料の熱膨張係数が大きくなるので、セラミックキャッ
プへのガラス窓の取付けは、従来、樹脂やガラス質接着
剤を介して行なわれていた。
ージ以外の一般的な光半導体装置においては、光透過の
ためのガラス材料として赤外線を特に透過し易い材料が
選定され、或いは、可視光線を特に透過し易い材料が選
定されるが、これらのガラス材料は、所望の光透過特性
を得るための材料を選択するために、紫外線透過ガラス
材料の熱膨張係数が大きくなるので、セラミックキャッ
プへのガラス窓の取付けは、従来、樹脂やガラス質接着
剤を介して行なわれていた。
上記のようなベレット１３およびリード１６を配置した
セラミックベース１１上の凹所１２以外の部分と、これ
に対向するキャップ１７の非ガラス部分すなわちセラミ
ック部分とに液状のガラス封止層１９，２１を施し、こ
の後、ベースｌｌ上にキャップ１７を被せて固化させる
ことにより、ガラス封止のＩＣ装置が完成される。すな
わち、予めガラス封止層１９．２１が形成されたベース
とキャップとを溶融させてガラス封止する。
セラミックベース１１上の凹所１２以外の部分と、これ
に対向するキャップ１７の非ガラス部分すなわちセラミ
ック部分とに液状のガラス封止層１９，２１を施し、こ
の後、ベースｌｌ上にキャップ１７を被せて固化させる
ことにより、ガラス封止のＩＣ装置が完成される。すな
わち、予めガラス封止層１９．２１が形成されたベース
とキャップとを溶融させてガラス封止する。
上記のようなパッケージ構造の製造方法によれば、ベー
スおよびキャップな化ラミックから構成し、これらの両
者を安価なガラス層で封止することが可能となるので、
コストが大幅に低減される。
スおよびキャップな化ラミックから構成し、これらの両
者を安価なガラス層で封止することが可能となるので、
コストが大幅に低減される。
また端子リードをリードフレームによって構成すれば製
造が容易になり、この点でもコストダウンを達成するこ
とができる。
造が容易になり、この点でもコストダウンを達成するこ
とができる。
本発明の構成によれば、紫外線透過ガラスは一般に赤外
線もしくは可視光線の透過ガラスに比較して、セラミッ
クに近い熱膨張係数を有するので、セラミックキャップ
へガラス窓を埋込んでも、ガラス窓のクラックの発生も
しくは歪みを低減でき、気密性を向上させることができ
る。また、ガラス窓部を小さくできるため、その周辺長
（すなわち、ガラスとセラミックが接している部分の長
さ）を短か（できる。その為、セラミックとガラスの熱
膨張係数の差によっておこるクラックもしくは歪みをさ
らに小さくでき、さらに気密性を向上させることができ
る。
線もしくは可視光線の透過ガラスに比較して、セラミッ
クに近い熱膨張係数を有するので、セラミックキャップ
へガラス窓を埋込んでも、ガラス窓のクラックの発生も
しくは歪みを低減でき、気密性を向上させることができ
る。また、ガラス窓部を小さくできるため、その周辺長
（すなわち、ガラスとセラミックが接している部分の長
さ）を短か（できる。その為、セラミックとガラスの熱
膨張係数の差によっておこるクラックもしくは歪みをさ
らに小さくでき、さらに気密性を向上させることができ
る。
さらに、本発明の方法によれば、ＲＯＭＩＣペレットを
有するセラミックペースの構造体を予め形成しておき、
これに予めガラス窓を埋込んだセラミックキャップの構
造体を封止用ガラスによってガラス封止するので、封止
工程が簡単となり、従って、塵埃などの異物がＲＯＭＩ
Ｃチップ表面に付着するのを防止することができる。そ
れによって、製品の歩留りを改善することができる。特
に紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣチップでは、
その表面に付着する異物が問題となるので、歩留りもし
くは信頼性の向上の点から極めて有利７エ製造方法とな
る。
有するセラミックペースの構造体を予め形成しておき、
これに予めガラス窓を埋込んだセラミックキャップの構
造体を封止用ガラスによってガラス封止するので、封止
工程が簡単となり、従って、塵埃などの異物がＲＯＭＩ
Ｃチップ表面に付着するのを防止することができる。そ
れによって、製品の歩留りを改善することができる。特
に紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣチップでは、
その表面に付着する異物が問題となるので、歩留りもし
くは信頼性の向上の点から極めて有利７エ製造方法とな
る。
図は本発明の紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣの
製造方法に従う工程における断面図である。 １１・・・セラミックペース、１３・・・ペレット、１
６・・・リード、１７・・・セラミックキャップ、１８
・・・紫外線透過ガラス、１９．２１・・・ガラス封止
層。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 図面の浄；Ｙ、（ｒ、’Ｍ古：二変更なし）第 １
図 Ｒ 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和６２年 特許願 第１４５０４１、発明の名称 紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣの製造方法補正
をする者 事件との関係 特許出願人
製造方法に従う工程における断面図である。 １１・・・セラミックペース、１３・・・ペレット、１
６・・・リード、１７・・・セラミックキャップ、１８
・・・紫外線透過ガラス、１９．２１・・・ガラス封止
層。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 図面の浄；Ｙ、（ｒ、’Ｍ古：二変更なし）第 １
図 Ｒ 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示 昭和６２年 特許願 第１４５０４１、発明の名称 紫外線消去型プログラマブルＲＯＭＩＣの製造方法補正
をする者 事件との関係 特許出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）セラミックベース主表面の凹部内に受光部を
有する紫外線消去型プログラムＲＯＭＩＣチップを取付
け、かつ前記セラミックベース主表面の凹部の周辺から
該セラミックベースの外方へ導出される複数のリードを
封止用ガラス層によって固定し、かつ凹部の周辺に位置
する前記複数のリードの端部をボンディングワイヤによ
って前記ＲＯＭＩＣチップに電気的接続してなるセラミ
ックベースの構造体を用意する工程と （ｂ）前記セラミックベース主表面に対応した大きさを
持つセラミックキャップに対し、前記セラミックベース
主表面の凹部内に取付けされる前記ＲＯＭＩＣチップの
受光部に対応した位置において、前記受光部に照射すべ
き紫外線を透過するためのガラス窓を埋込みし、前記ガ
ラス窓が埋込みされた前記セラミックキャップの周辺部
において封止用ガラス層を施してなるセラミックキャッ
プの構造体を用意する工程と、 （ｃ）前記（ａ）の工程によって予め形成されたセラミ
ックベースの構造体の上に前記（ｂ）の工程によって予
め形成されたセラミックキャップの構造体を被せて、前
記セラミックベースおよび前記セラミックキャップの封
止用ガラス層によってガラス封止する工程と、 から成ることを特徴とする紫外線消去型プログラマブル
ＲＯＭＩＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145041A JPS63126252A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145041A JPS63126252A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51149696A Division JPS5936824B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126252A true JPS63126252A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=15376024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62145041A Pending JPS63126252A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍｉｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63126252A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3924246A (en) * | 1974-05-15 | 1975-12-02 | Isotronics Inc | Ultraviolet-transmitting window |
| JPS51144182A (en) * | 1975-06-05 | 1976-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Indirectly heated semiconductor unit |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62145041A patent/JPS63126252A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3924246A (en) * | 1974-05-15 | 1975-12-02 | Isotronics Inc | Ultraviolet-transmitting window |
| JPS51144182A (en) * | 1975-06-05 | 1976-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Indirectly heated semiconductor unit |
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