JPH03288462A - 受光半導体装置 - Google Patents
受光半導体装置Info
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- JPH03288462A JPH03288462A JP2088201A JP8820190A JPH03288462A JP H03288462 A JPH03288462 A JP H03288462A JP 2088201 A JP2088201 A JP 2088201A JP 8820190 A JP8820190 A JP 8820190A JP H03288462 A JPH03288462 A JP H03288462A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 86
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 7
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XNMARPWJSQWVGC-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[11-[[5-(dimethylamino)naphthalen-1-yl]sulfonylamino]undecanoylamino]propoxy]-4-[(5,5,8,8-tetramethyl-6,7-dihydronaphthalene-2-carbonyl)amino]benzoic acid Chemical compound CC1(C)CCC(C)(C)C=2C1=CC(C(=O)NC=1C=C(C(=CC=1)C(O)=O)OCCCNC(=O)CCCCCCCCCCNS(=O)(=O)C1=C3C=CC=C(C3=CC=C1)N(C)C)=CC=2 XNMARPWJSQWVGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品、特に固体撮像素子、EPROM
(Erasable Programable Rea
d 0nly Memory)等の受光部を有する半導
体装置及びその製造方法に関する。
(Erasable Programable Rea
d 0nly Memory)等の受光部を有する半導
体装置及びその製造方法に関する。
半導体集積回路のパッケージを材料で分類すると、樹脂
モールド技術を利用したプラスチックパッケージ、セラ
ミックス配線基板を利用したセラミックパッケージ、2
枚のセラミックス板間にリードをはさみ低融点ガラスで
封止したガラス封止パッケージの3種類がある。現在、
固体撮像素子。
モールド技術を利用したプラスチックパッケージ、セラ
ミックス配線基板を利用したセラミックパッケージ、2
枚のセラミックス板間にリードをはさみ低融点ガラスで
封止したガラス封止パッケージの3種類がある。現在、
固体撮像素子。
EPROM等の受光部を有する半導体素子のパッケージ
では、上記セラミックパッケージ、ガラス封止パッケー
ジが耐湿性面の有利さから普及しているが、コスト面か
らは単価の安いプラスチックパッケージが望ましい。
では、上記セラミックパッケージ、ガラス封止パッケー
ジが耐湿性面の有利さから普及しているが、コスト面か
らは単価の安いプラスチックパッケージが望ましい。
受光部を有する半導体素子でプラスチックパッケージを
用いて製造した半導体装置としては、特開昭54−87
185号公報においてキャビティを有するプラスチック
パッケージを透光部材で封止する構造が、特開昭59−
8362号公報において上記特開昭54−87185号
公報と同形のキャビティを有するプラスチックパッケー
ジのキャビティ内部全体に透明樹脂を充填した構造が知
られている。
用いて製造した半導体装置としては、特開昭54−87
185号公報においてキャビティを有するプラスチック
パッケージを透光部材で封止する構造が、特開昭59−
8362号公報において上記特開昭54−87185号
公報と同形のキャビティを有するプラスチックパッケー
ジのキャビティ内部全体に透明樹脂を充填した構造が知
られている。
第3図は特開昭54−87185号公報に記載された半
導体装置の構造である。リードフレーム1を一体成形し
たキャビティを有するプラスチックパッケージ2にチッ
プ3がダイボンディングされている。チップ3とリード
フレームlのボンディングポスト部13は、ボンディン
グワイヤ4で電気的に接続されている。プラスチツクパ
ッケージ2上部の開口部には透光部材5が接着剤6で接
着されており、プラスチックパッケージ2を封止してい
る。
導体装置の構造である。リードフレーム1を一体成形し
たキャビティを有するプラスチックパッケージ2にチッ
プ3がダイボンディングされている。チップ3とリード
フレームlのボンディングポスト部13は、ボンディン
グワイヤ4で電気的に接続されている。プラスチツクパ
ッケージ2上部の開口部には透光部材5が接着剤6で接
着されており、プラスチックパッケージ2を封止してい
る。
第4図は、特開昭59−8362号公報に記載された半
導体装置の構造である。この構造は第1図に記載されて
いるプラスチックパッケージ2のキャビティ内部全体に
透明樹脂7が充填されている。
導体装置の構造である。この構造は第1図に記載されて
いるプラスチックパッケージ2のキャビティ内部全体に
透明樹脂7が充填されている。
第3図の構造体ではプラスチックパッケージ2の透湿性
が考慮されておらず、プラスチックパッケージ2に使用
される樹脂を、現状では最も透湿性が小さいSiO,フ
ィラー(80vo1%程度)が混入されたエポキシ樹脂
(ビスフェノールA型、フェノールボラック型)にした
としても、外部からのキャビティ内部への透湿を防ぐ事
ができず、キャビティ内の湿度上昇が問題となる。つま
り、高湿度状態でチップ3を動作させると、第5図の如
くチップ3の発熱により透光部材5とチップ3との間に
温度差が生じ、透光部材5の内壁部やチップ3の受光面
側に結露8が生じ受光部の受光を阻害しまうのである。
が考慮されておらず、プラスチックパッケージ2に使用
される樹脂を、現状では最も透湿性が小さいSiO,フ
ィラー(80vo1%程度)が混入されたエポキシ樹脂
(ビスフェノールA型、フェノールボラック型)にした
としても、外部からのキャビティ内部への透湿を防ぐ事
ができず、キャビティ内の湿度上昇が問題となる。つま
り、高湿度状態でチップ3を動作させると、第5図の如
くチップ3の発熱により透光部材5とチップ3との間に
温度差が生じ、透光部材5の内壁部やチップ3の受光面
側に結露8が生じ受光部の受光を阻害しまうのである。
また、キャビティ内の移動異物がチップ3の受光面の上
方空間に移動し、受光部の受光を阻害するという問題も
有る。
方空間に移動し、受光部の受光を阻害するという問題も
有る。
第4図の構造体では、キャビティ部が透明樹脂7で充填
されており、透光部材5の内壁部等に結露8が生じる等
の問題は生じないが、キャビティ内部に透明樹脂7を充
填する場合に、透明樹脂7の充填量が多いと、第6図(
a)のように透明樹脂7がキャビティ部からはみだし、
外観不良を生じるという問題が、また、透明樹脂7の充
填量が少ないと、第6図(b)のように透明樹脂7中に
ボイド10が発生し受光部の受光を阻害する場合が有る
という問題があり、製品を高歩留まりで製造することが
困難であった。
されており、透光部材5の内壁部等に結露8が生じる等
の問題は生じないが、キャビティ内部に透明樹脂7を充
填する場合に、透明樹脂7の充填量が多いと、第6図(
a)のように透明樹脂7がキャビティ部からはみだし、
外観不良を生じるという問題が、また、透明樹脂7の充
填量が少ないと、第6図(b)のように透明樹脂7中に
ボイド10が発生し受光部の受光を阻害する場合が有る
という問題があり、製品を高歩留まりで製造することが
困難であった。
また、従来技術では、透明樹脂をキャビティ内部全体に
充填していたので、ボンディングワイヤ等も透明樹脂に
拘束されており、半導体装置に熱ストレスがかかったと
きに、ボンディングワイヤの断線等の問題が生じていた
。
充填していたので、ボンディングワイヤ等も透明樹脂に
拘束されており、半導体装置に熱ストレスがかかったと
きに、ボンディングワイヤの断線等の問題が生じていた
。
本発明の目的は、低コストでしかも、容易に高歩留まり
で製造できる耐湿性に優れた半導体装置及びその製造方
法を提供することにある。
で製造できる耐湿性に優れた半導体装置及びその製造方
法を提供することにある。
本願発明の特徴とするところは、キャビティ内部の結露
を防止するためにキャビティ部に透明樹脂を使用した受
光保護部を形成し、透明樹脂のボイドの発生やキャビテ
ィからのはみだしを防ぐために、受光保護部をキャビテ
ィ内部の一部だけに限定した。さらに、詳細に説明すれ
ば、受光保護部を半導体素子の受光部側の面を含むキャ
ビティ下面を下面とし、該透光部材の内壁側を上面とす
る柱状にし、透明樹脂を囲うように樹脂逃げ部をキャビ
ティ内に形成したことにある。また、透明樹脂の流出を
防止するためにキャビティ内部に樹脂流出防止手段を設
けた。さらに、詳細に説明すれば、樹脂流出防止手段を
半導体素子の受光部側の面またはキャビティの底面に設
けた。
を防止するためにキャビティ部に透明樹脂を使用した受
光保護部を形成し、透明樹脂のボイドの発生やキャビテ
ィからのはみだしを防ぐために、受光保護部をキャビテ
ィ内部の一部だけに限定した。さらに、詳細に説明すれ
ば、受光保護部を半導体素子の受光部側の面を含むキャ
ビティ下面を下面とし、該透光部材の内壁側を上面とす
る柱状にし、透明樹脂を囲うように樹脂逃げ部をキャビ
ティ内に形成したことにある。また、透明樹脂の流出を
防止するためにキャビティ内部に樹脂流出防止手段を設
けた。さらに、詳細に説明すれば、樹脂流出防止手段を
半導体素子の受光部側の面またはキャビティの底面に設
けた。
そして、その製造方法として、まず、半導体素子の受光
部側の面を含むキャビティ下面に透明樹脂をポツティン
グし、その後、キャビティの開口部を覆う透光部材を透
明樹脂と接触するようにプラスチックパッケージに接着
したことにある。
部側の面を含むキャビティ下面に透明樹脂をポツティン
グし、その後、キャビティの開口部を覆う透光部材を透
明樹脂と接触するようにプラスチックパッケージに接着
したことにある。
本発明の半導体装置及びその製造方法により、セラミッ
クパッケージやガラス封止パッケージと比較して単価の
安いプラスチックパッケージを使用したときに、半導体
素子と透光部材間の空間の一部に透明樹脂により受光保
護部が形成されているので、透光部材内面及び素子の受
光面の結露を防止できる。更に、透明樹脂による受光保
護部の形成が、キャビティ内部での部分形成になってい
るため、受光保護部を囲うように樹脂逃げ部をキャビテ
ィ内部に形成することができ、樹脂のキャビテイ外部へ
のはみだしによる外観不良を防止することができると共
に、透明樹脂の使用量も小量で済むものである。また、
半導体素子の受光部側の面またはキャビティの底面に設
けられた樹脂流出防止手段により受光保護部を形成する
ときに。
クパッケージやガラス封止パッケージと比較して単価の
安いプラスチックパッケージを使用したときに、半導体
素子と透光部材間の空間の一部に透明樹脂により受光保
護部が形成されているので、透光部材内面及び素子の受
光面の結露を防止できる。更に、透明樹脂による受光保
護部の形成が、キャビティ内部での部分形成になってい
るため、受光保護部を囲うように樹脂逃げ部をキャビテ
ィ内部に形成することができ、樹脂のキャビテイ外部へ
のはみだしによる外観不良を防止することができると共
に、透明樹脂の使用量も小量で済むものである。また、
半導体素子の受光部側の面またはキャビティの底面に設
けられた樹脂流出防止手段により受光保護部を形成する
ときに。
樹脂の所望範囲からの流出を防止できるので、受光保護
部を所望の形状にすることができる。
部を所望の形状にすることができる。
製造方法としては、透明樹脂の表面張力を利用して、半
導体素子の受光部側の面を含むキャビティ下面の一部に
透明樹脂をボッティングし、その後、キャビティの開口
部を覆う透光部材をポツティングした透明樹脂と接触す
るように落下させ、透明樹脂と透光部材を加熱硬化によ
り接着する工程により半導体装置を製作することができ
るので、簡単な工程で容易にボイド発生等の問題を解決
することができるものである。
導体素子の受光部側の面を含むキャビティ下面の一部に
透明樹脂をボッティングし、その後、キャビティの開口
部を覆う透光部材をポツティングした透明樹脂と接触す
るように落下させ、透明樹脂と透光部材を加熱硬化によ
り接着する工程により半導体装置を製作することができ
るので、簡単な工程で容易にボイド発生等の問題を解決
することができるものである。
以下本発明の一実施例を第1図により説明する。
第1図は1本発明を適用したプラスチックパッケージの
断面図である。第4図と、同一部分には同一符号が附し
である。本実施例の半導体装置は固体撮像素子であり、
受光部11を有する半導体チップ3は、リードフレーム
1を一体成形したキャビティを有するプラスチックパッ
ケージ2のダイアタッチ部に装着されている。チップ3
のポンディングパッド12とリードフレーム1のボンデ
ィングポスト13は、Alのボンディングワイヤ4で電
気的に接続されている。プラスチックパッケージ2の開
口部には、エキシボ系接着剤6により。
断面図である。第4図と、同一部分には同一符号が附し
である。本実施例の半導体装置は固体撮像素子であり、
受光部11を有する半導体チップ3は、リードフレーム
1を一体成形したキャビティを有するプラスチックパッ
ケージ2のダイアタッチ部に装着されている。チップ3
のポンディングパッド12とリードフレーム1のボンデ
ィングポスト13は、Alのボンディングワイヤ4で電
気的に接続されている。プラスチックパッケージ2の開
口部には、エキシボ系接着剤6により。
ホウケイ酸ガラスの透光部材5が固定されている。
そして、チップ3の受光面側の表面(受光部11を含む
領域)を下面とし、透光部材5の内壁側(受光部11が
受光する光が透光部材5を通過する領域を含む領域)を
上面とした円柱状に白金触媒による付加反応タイプのシ
リコーン樹脂を使用した透明樹脂(主鎖がポリシロキサ
ン、側鎖がフェニル基、一部接着性を高めるために水酸
基となっているもの。)により受光保護部17をキャビ
ティ内部の一部(はぼキャビティの中心部)に形成しで
ある。そして、受光保護部17を前述のように形成する
ことにより、キャビティ内部に円柱状の受光保護部の側
面を囲うように樹脂逃げ部16を形成することができる
。この構造により受光部11が受光する光が通過する受
光面表面及び投光部材5の光通過領域に結露が生じるこ
とを防ぐことができるのである。また、受光保護部17
の透明樹脂を樹脂逃げ部16に逃すことができるので、
キャビテイ外部に透明樹脂がはみ出すことがなく、外観
不良を生じることが無い。同時に、透明樹脂の使用量を
必要最小限にすることができるのである。さらに、ボン
ディングワイヤ4及びリードフレーム1の大半が透明樹
脂に拘束されないので、熱ストレスによるボンディング
ワイヤ4の断線、及び透明樹脂7とボンディングワイヤ
4及びリードフレーム1間での接着面の剥離等の問題が
生じないものである。
領域)を下面とし、透光部材5の内壁側(受光部11が
受光する光が透光部材5を通過する領域を含む領域)を
上面とした円柱状に白金触媒による付加反応タイプのシ
リコーン樹脂を使用した透明樹脂(主鎖がポリシロキサ
ン、側鎖がフェニル基、一部接着性を高めるために水酸
基となっているもの。)により受光保護部17をキャビ
ティ内部の一部(はぼキャビティの中心部)に形成しで
ある。そして、受光保護部17を前述のように形成する
ことにより、キャビティ内部に円柱状の受光保護部の側
面を囲うように樹脂逃げ部16を形成することができる
。この構造により受光部11が受光する光が通過する受
光面表面及び投光部材5の光通過領域に結露が生じるこ
とを防ぐことができるのである。また、受光保護部17
の透明樹脂を樹脂逃げ部16に逃すことができるので、
キャビテイ外部に透明樹脂がはみ出すことがなく、外観
不良を生じることが無い。同時に、透明樹脂の使用量を
必要最小限にすることができるのである。さらに、ボン
ディングワイヤ4及びリードフレーム1の大半が透明樹
脂に拘束されないので、熱ストレスによるボンディング
ワイヤ4の断線、及び透明樹脂7とボンディングワイヤ
4及びリードフレーム1間での接着面の剥離等の問題が
生じないものである。
第2図は、本発明の一実施例の製造方法である。
(a)は、プラスチックパッケージ2にチップ3をダイ
ボンディングし、ワイヤボンディングした図である。(
b)は、透光部材5をプラスチックパッケージ2に接着
するために、プラスチックパッケージ2の封止部の接着
部14に熱硬化性エポキシ系接着剤6を塗布し、チップ
3受光面側の表面(受光部11を含む領域)上にシリコ
ーン樹脂を使用した透明’Ijtsをポツティングした
図である。
ボンディングし、ワイヤボンディングした図である。(
b)は、透光部材5をプラスチックパッケージ2に接着
するために、プラスチックパッケージ2の封止部の接着
部14に熱硬化性エポキシ系接着剤6を塗布し、チップ
3受光面側の表面(受光部11を含む領域)上にシリコ
ーン樹脂を使用した透明’Ijtsをポツティングした
図である。
このとき、透明樹脂は、表面張力によりチップ3上でほ
ぼ半球状になっており、そのポツティング高さはキャビ
テイ外に透明樹脂の一部(半球の上部)が突出する高さ
である。(C)は、透光部材5を熱硬化性エポキシ系接
着剤6とシリコーン樹脂を使用した透明樹脂のキャビテ
イ外に突出した部分に接触させ、透明樹脂が表面張力に
より透光部材5のキャビティ側表面(受光部11が受光
する光が通過する領域を含む表面)に広がるようにし、
円柱状の受光保護部17の中心軸と受光部11の中心が
ほぼ重なるように受光保護部17を形成し、キャビティ
内部の残りの空間を樹脂逃げ部16とし、その後加熱し
、加熱硬化により透光部材5をプラスチックパッケージ
2に接着させた図である。ここで、透明樹脂はチップ3
上にボッティングしであるので、上述の方法で半導体装
置を製作すれば、透明樹脂の表面張力により円柱状の受
光保護部17の中心軸と受光部11の中心を重ねること
ができるので、受光部11の受光を確実に保護すること
ができるものである。また、透明樹脂と接着剤6にUV
硬化性(アクリル系等)樹脂を用い、透光部材5の接着
をUV照射により行なうことも可能である。
ぼ半球状になっており、そのポツティング高さはキャビ
テイ外に透明樹脂の一部(半球の上部)が突出する高さ
である。(C)は、透光部材5を熱硬化性エポキシ系接
着剤6とシリコーン樹脂を使用した透明樹脂のキャビテ
イ外に突出した部分に接触させ、透明樹脂が表面張力に
より透光部材5のキャビティ側表面(受光部11が受光
する光が通過する領域を含む表面)に広がるようにし、
円柱状の受光保護部17の中心軸と受光部11の中心が
ほぼ重なるように受光保護部17を形成し、キャビティ
内部の残りの空間を樹脂逃げ部16とし、その後加熱し
、加熱硬化により透光部材5をプラスチックパッケージ
2に接着させた図である。ここで、透明樹脂はチップ3
上にボッティングしであるので、上述の方法で半導体装
置を製作すれば、透明樹脂の表面張力により円柱状の受
光保護部17の中心軸と受光部11の中心を重ねること
ができるので、受光部11の受光を確実に保護すること
ができるものである。また、透明樹脂と接着剤6にUV
硬化性(アクリル系等)樹脂を用い、透光部材5の接着
をUV照射により行なうことも可能である。
ここで、本発明の構造及び製造方法を実現させるために
は、第7図の斜線部分に示された範囲(直線Aと直線B
と曲線Cに囲まれた範囲)の受光部11−透光部材5間
距離、透明樹脂の粘度が必要である。ここで、第7図の
直#XAは、チップ3の上方に存在するボンディングワ
イヤ4の高さ(チップ3の受光面側表面からボンディン
グワイヤ4の最高点までの距離)を示している(通常は
。
は、第7図の斜線部分に示された範囲(直線Aと直線B
と曲線Cに囲まれた範囲)の受光部11−透光部材5間
距離、透明樹脂の粘度が必要である。ここで、第7図の
直#XAは、チップ3の上方に存在するボンディングワ
イヤ4の高さ(チップ3の受光面側表面からボンディン
グワイヤ4の最高点までの距離)を示している(通常は
。
0.3α位)、つまり、ボンディングワイヤ4が透孔部
材5に接触するのを防ぐために、受光部11−透光部材
5間距離は直線A以上でなければならないのである。ま
た、第7図の直線Bは、キャビティの一部に受光保護部
17を形成する透明樹脂として使用することができる透
明樹脂の粘度限界を示したものである。つまり、直線3
以上の粘度では樹脂中に極小のボイドを含んでしまうの
である。
材5に接触するのを防ぐために、受光部11−透光部材
5間距離は直線A以上でなければならないのである。ま
た、第7図の直線Bは、キャビティの一部に受光保護部
17を形成する透明樹脂として使用することができる透
明樹脂の粘度限界を示したものである。つまり、直線3
以上の粘度では樹脂中に極小のボイドを含んでしまうの
である。
本発明に使用する透明樹脂は、通常、使用前に真空状態
でボイド抜きを行い、ボイドの発生を防止しているが、
直I!B以上の粘度の樹脂では極小のボイドを含んでい
るためにボイド抜きを完全に行うことができないのであ
る。そしてその後、樹脂を熱硬化させると、樹脂中のボ
イドの体積が膨張し、受光を阻害する大きさを有するボ
イドと成るものである。次に1曲線Cは、樹脂の粘度毎
で得られるポツティング形状の限界高さを示したもので
ある。つまり、各粘度で樹脂をポンティングして曲線C
以上のポツティング高さを形成することは不可能なので
ある。なぜならば、曲線C以上の高さを有するように樹
脂をポツティングしようとすると、表面張力の限界を越
えてしまい、チップ3上から樹脂が流出することとなる
のである。
でボイド抜きを行い、ボイドの発生を防止しているが、
直I!B以上の粘度の樹脂では極小のボイドを含んでい
るためにボイド抜きを完全に行うことができないのであ
る。そしてその後、樹脂を熱硬化させると、樹脂中のボ
イドの体積が膨張し、受光を阻害する大きさを有するボ
イドと成るものである。次に1曲線Cは、樹脂の粘度毎
で得られるポツティング形状の限界高さを示したもので
ある。つまり、各粘度で樹脂をポンティングして曲線C
以上のポツティング高さを形成することは不可能なので
ある。なぜならば、曲線C以上の高さを有するように樹
脂をポツティングしようとすると、表面張力の限界を越
えてしまい、チップ3上から樹脂が流出することとなる
のである。
以上のことから、本発明においては、第7図の斜線部分
に示された範囲(直線Aと直線Bと曲線Cに囲まれた範
囲)の受光部上1−透光部材5間距離、透明樹脂の粘度
となるのである。
に示された範囲(直線Aと直線Bと曲線Cに囲まれた範
囲)の受光部上1−透光部材5間距離、透明樹脂の粘度
となるのである。
なお、ボッティング高さの限界高さを上げるには、第8
図のようにチップ3上にダム15の如き樹脂の流出を防
ぐ樹脂流出防止手段を設けることが考えられる。そして
、このようにダム15を設けた場合は、第7図の曲線C
が上方に移動することと成るのである。つまり、ダム1
5により樹脂の流出を防ぎ、チップ3上に表面張力によ
り形成することができるポツティング高さをダム15を
設けない場合よりも上げることができるのである。
図のようにチップ3上にダム15の如き樹脂の流出を防
ぐ樹脂流出防止手段を設けることが考えられる。そして
、このようにダム15を設けた場合は、第7図の曲線C
が上方に移動することと成るのである。つまり、ダム1
5により樹脂の流出を防ぎ、チップ3上に表面張力によ
り形成することができるポツティング高さをダム15を
設けない場合よりも上げることができるのである。
さらに、ダム15を設けることにより、安定したポツテ
ィング形状を得ることができる。また、ダム15はチッ
プ3上だけではなく、プラスチックパッケージ2の底面
上に設けることもできる。そして、ダム15をプラスチ
ックパッケージ2上に設けた場合は、チップ3上だけに
樹脂をボッティングした場合と比較したときに、確実に
受光部1工上に樹脂をボッティングすることができ、信
頼性の面で良好である。
ィング形状を得ることができる。また、ダム15はチッ
プ3上だけではなく、プラスチックパッケージ2の底面
上に設けることもできる。そして、ダム15をプラスチ
ックパッケージ2上に設けた場合は、チップ3上だけに
樹脂をボッティングした場合と比較したときに、確実に
受光部1工上に樹脂をボッティングすることができ、信
頼性の面で良好である。
本発明によれば、パッケージがプラスチック製であり、
また、パッケージ中に充填する透明樹脂を節減できるの
で低コストで耐湿性に優れた半導体装置を提供できる。
また、パッケージ中に充填する透明樹脂を節減できるの
で低コストで耐湿性に優れた半導体装置を提供できる。
その他に、構造的にボンディングワイヤまたはリードフ
レームの大半が透明樹脂に拘束されないので、熱ストレ
スに強い半導体装置を提供できる。
レームの大半が透明樹脂に拘束されないので、熱ストレ
スに強い半導体装置を提供できる。
また上記特性を有した半導体装置を、容易に、且つ歩留
まり良く製造することができる。
まり良く製造することができる。
第1図は1本発明の一実施例を適用した半導体装置の断
面図、第2図は、本発明の一実施例を適用した半導体装
置の製造方法を示した図、第3図及び第4図は、従来の
半導体装置の断面図、第5図は、第3図の半導体装置の
問題点を示した図、第6図は、第4図の半導体装置の問
題点を示した図、第7図は、本発明に必要なボッティン
グ高さを得るために必要な樹脂粘度とチップ−透光部材
間距離の領域を示した図、第8図及び第9図は。 本発明の他の実施例を示した図である。 l・・・リードフレーム、 2・・・プラスチックパッケージ、3・・・チップ、4
・・・ボンディングワイヤ、5・・・透光部材、6・・
・接着剤、7・・・透明樹脂、8・・・結露、9・・・
透明樹脂のはみ出し、10・・・ボイド、11・・・受
光部、12・・・ポンディングパッド、13・・・ボン
ディングポスト部、14・・・接着部、15・・・ダム
、16・・・樹脂逃げ部、17・・・受光保護部 第 1 口 躬 3 口 萬 4 口 蛸 20 第 4 口 第 5 口 (αン (0) (づ) (6)
面図、第2図は、本発明の一実施例を適用した半導体装
置の製造方法を示した図、第3図及び第4図は、従来の
半導体装置の断面図、第5図は、第3図の半導体装置の
問題点を示した図、第6図は、第4図の半導体装置の問
題点を示した図、第7図は、本発明に必要なボッティン
グ高さを得るために必要な樹脂粘度とチップ−透光部材
間距離の領域を示した図、第8図及び第9図は。 本発明の他の実施例を示した図である。 l・・・リードフレーム、 2・・・プラスチックパッケージ、3・・・チップ、4
・・・ボンディングワイヤ、5・・・透光部材、6・・
・接着剤、7・・・透明樹脂、8・・・結露、9・・・
透明樹脂のはみ出し、10・・・ボイド、11・・・受
光部、12・・・ポンディングパッド、13・・・ボン
ディングポスト部、14・・・接着部、15・・・ダム
、16・・・樹脂逃げ部、17・・・受光保護部 第 1 口 躬 3 口 萬 4 口 蛸 20 第 4 口 第 5 口 (αン (0) (づ) (6)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、キャビティを有するプラスチックパッケージと、該
キャビティの開口部を覆う透光部材と、該キャビティ内
に搭載された受光部を有する半導体素子と、該キャビテ
ィ内部の一部に透明樹脂により形成された受光保護部と
、該受光保護部を囲うように前記キャビティ内に形成さ
れた樹脂逃げ部とからなることを特徴とする半導体装置
。 2、前記受光保護部が前記半導体素子の受光部側の面を
含む領域を下面とし、前記透光部材の内壁側の面を上面
とする柱状の透明樹脂であることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置。 3、前記透明樹脂の流出を防止する樹脂流出防止手段を
有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 4、前記樹脂流出防止手段が前記半導体素子の受光部側
の面または前記キャビティの底面に設けられていること
を特徴とする請求項3記載の半導体装置。 5、プラスチックパッケージのキャビティに受光部を有
する半導体素子を搭載し、該半導体装置の受光部側面上
に透明樹脂をポッティングし、該キャビティの開口部を
覆う透光部材を該透明樹脂と接触するように該プラスチ
ックパッケージに接着することを特徴とする半導体装置
製造方法。 6、前記ポッティングにおいて、樹脂流出防止手段によ
り前記透明樹脂の流出を防止することを特徴とする請求
項5記載の半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2088201A JPH03288462A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 受光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2088201A JPH03288462A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 受光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03288462A true JPH03288462A (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=13936285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2088201A Pending JPH03288462A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 受光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03288462A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
-
1990
- 1990-04-04 JP JP2088201A patent/JPH03288462A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
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