JPS62205649A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62205649A
JPS62205649A JP61047245A JP4724586A JPS62205649A JP S62205649 A JPS62205649 A JP S62205649A JP 61047245 A JP61047245 A JP 61047245A JP 4724586 A JP4724586 A JP 4724586A JP S62205649 A JPS62205649 A JP S62205649A
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JP
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operating
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JP61047245A
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Noboru Komatsu
小松　昇
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、外部光をとり入れる受光素子とこの受光素
子に接続し受光素子が発する電気信号によって動作を行
なう動作ＩＣを備えた半導体装置に関し、特にカメラ用
測光ＩＣに使用されるものである。
〔発明の技術的背景〕
４１す光に用いられる半導体装置における従来の一例の
構造を第２図に示す。第２図ａは゛斡導体装置の斜視図
、第２図すは第２図ａのＡＡ線に沿う断面図を示す。図
中、１０１は受光素子、１０２は上記受光素子が受光し
て発する電気信号によって動作を行なう動作ＩＣで、叙
上の受光素子１０１と動作Ｔに１０２は透光性封止樹脂
体１０３、例えばエポキシ樹脂で一体にモールド封止さ
れ、さらに動作ＩＣ１０２に不所望に外部光が入射する
ことによって発生する誤動作を防止するために、上記透
光性封止樹脂体１０３の外側を遮光性樹脂層１０４でモ
ールドを施すとともに、この遮光性樹脂Ｆ！１１０４が
受光素子の受光面に対向する部分に光導入窓１０４ａを
設けている。なお、上記受光素子１０１．動作ＩＣ１０
２はいずれも取付ヘッド１０５．１０５にマウン１〜さ
れ、各電極はボンディングワイヤ１０６．１０６・・・
で外部導出リード１０７．１０７・・・に接続されてい
る。また、この半導体装置の製品型名等を示すマーク型
層１０８は上記遮光性樹脂Ｒづ１０４上にマーキング手
段によって形成されたものである。
〔背景技術の問題点〕
上記従来の構造によると、動作ＩＣに外部光が入射する
と誤動作するので、透光性封止樹脂体！０３の周囲をさ
らに遮光性樹脂層１０４でモールドが施される。すなわ
ち、二重モールド構造が必須で。
しかも、受光素子上に光導入窓１０４ａが必要であるた
め、製造に長時間を要するとともに、材料（モール１〜
材）も高価につく。特に、上記光導入窓１０４ａを設け
ることはここに遮光性樹脂層が流れこみやすく、工程の
歩留が低下するなどの問題がある。
〔発明のＩＪ的〕
この発明は上記従来の半導体装置の欠点に鑑み、改良さ
れた構造の半導体装置を提供する。
〔発明の概要〕
この発明の半導体装置は、外部光をとり入れる受光素子
、この受光素子に接続し受光素子が発する電気信号によ
って動作する動作ＩＣ１上記受光素子と動作ＩＣを一体
に封止する透光性封止樹脂体、少くとも動作ＩＣに対向
する上記透光性封止樹脂体の」ユ部表面域に被着され列
部光を遮断するマーク液固層、およびこのマーク液固層
、」二に被着されたマーク型層を具備してなり、動作Ｉ
　Ｃに対する遮光層がマーク液で施されるので製造工程
の短縮、歩留の向−に、材料の低廉化がはかれる。
〔発明の実施例〕
以ド、この発明の一実施例につき第１図を参照して説明
する。なお、説明において従来と変わらない部分につい
ては図面に従来の各部と同じ符号を付けて示し説明を省
略する。
第１図ａは一実施例の半導体装置の斜視図、第１図すは
第１図ａのＡＡ線に沿う断面図を示す。
図において、１１はマーク液固層で、透光性封止樹脂体
１０３上にて、少くとも動作ＩＣ１０２の上面域に被着
されたものである。このマーク液固層１１は外部光を遮
断するもので、外部光が例えば可視域の光に対してはこ
れを遮断する黒色の着色剤が添加されたマーク液、赤外
域の光に対してはこれを遮断する添加剤が加えられたマ
ーク液または上記黒色の着色剤が添加されたマーク液と
して一般に求めることができる。そして、上記マーク液
の塗着にあたっては、特に受光素子１０１のＬ方には付
着しないように避けて動作ＩＣ上方のみとするか、また
はマスクによって窓１１ａを設けるようにする。
次に、マーク型層１０８の形成は上記マーク液固層１１
上に従来の場合と全く同様に施される。
なお、上記マーク液固層形成のためのマーク液に、例え
ば紫外線同化性のものを用いればこれの固化が迅速に達
成できてさらに能率の向」：をはかることができる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、従来の二重モールド構造としないの
で、モールド用の遮光性樹脂層が不要でかつ、製造に要
する時間も短縮でき、光導入窓形成のための不良発生も
ない等の顕著な利点がある。
また、この発明における遮光のためのマーク液の使用量
も僅少でよく、廉価である利点もある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置にかかり、第１図ａは斜
視図、第１図すは第１図ａのＡＡ線に沿う断面図、第２
図は従来の゛ト導体装置にかかり。 第２図ａは斜視図、第２図すは第２図ａのＡＡ線に沿う
断面図である。 １１　　　　　マーク液固層 １０１　　　　　受光素子 １０２　　　　　動作ＩＣ １０３透光性封止樹脂体 １０８　　　　　マーク型層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外部光をとり入れる受光素子と、この受光素子に接続し
    受光素子が発する電気信号によって動作を行なう動作Ｉ
    Ｃと、前記受光素子と動作ＩＣを一体に封止する透光性
    封止樹脂体と、少くとも動作ＩＣに対向する前記透光性
    封止樹脂体の上部表面域に被着され外部光を遮断するマ
    ーク液固層と、このマーク液固層上に被着されたマーク
    型層を具備した半導体装置。
JP61047245A 1986-03-06 1986-03-06 半導体装置 Pending JPS62205649A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04107844U (ja) * 1991-03-05 1992-09-17 日本電気株式会社 混成集積回路装置
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WO1997005660A1 (fr) * 1995-08-02 1997-02-13 Matsushita Electronics Corporation Dispositif de prise de vues a semi-conducteurs et fabrication dudit dispositif
WO2005038908A1 (ja) * 2003-10-16 2005-04-28 Rohm Co., Ltd. 電子機器およびその製造方法

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