JPS62102548A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS62102548A JPS62102548A JP24131085A JP24131085A JPS62102548A JP S62102548 A JPS62102548 A JP S62102548A JP 24131085 A JP24131085 A JP 24131085A JP 24131085 A JP24131085 A JP 24131085A JP S62102548 A JPS62102548 A JP S62102548A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は封止用樹脂を外囲器とし、その一部に透光性部
材を設けた半導体装置の製造方法に係り、特にこの透光
性部材の取り着は方法の改良に関する。
材を設けた半導体装置の製造方法に係り、特にこの透光
性部材の取り着は方法の改良に関する。
消去可能な読出し専用メモリとして利用するＥＦＲＯＭ
等では半導体素子に記憶されたメモリの消去を紫外線の
照射によって行っており、このためこの種の半導体装置
では、半導体素子に対向する外囲器の一部分に紫外線透
過性ガラス（υＶガラス）または透明アルミナ製リッド
を低融点ガラスの接着剤で固着する方法が採用されてい
る。
等では半導体素子に記憶されたメモリの消去を紫外線の
照射によって行っており、このためこの種の半導体装置
では、半導体素子に対向する外囲器の一部分に紫外線透
過性ガラス（υＶガラス）または透明アルミナ製リッド
を低融点ガラスの接着剤で固着する方法が採用されてい
る。
一方、受光素子としてフォトトランジスタによって光を
受け、これを駆動処理するバイポーラ型集積回路素子を
外囲器内に組込んだカメラ測光用素子が実用化されてい
る。この半導体装置の製造方法を第２図（ａ）の概観図
ならびに第２図（ｂ）の断面図により説明する。
受け、これを駆動処理するバイポーラ型集積回路素子を
外囲器内に組込んだカメラ測光用素子が実用化されてい
る。この半導体装置の製造方法を第２図（ａ）の概観図
ならびに第２図（ｂ）の断面図により説明する。
リードフレーム（２０）のベッド部にフォトトランジス
タ（２１）ならびにバイポーラ型集積回路素子（２２）
を常法によって固着してからこのリードフレームのリー
ドと、このトランジスタ（２１）及び集積回路素子（２
２）の電極間に金属細線（２７）を熱圧着法によって架
橋して所要な回路接続を得てがら、透明樹脂層（２３）
をトランスファモールド法によって被覆する。更に、こ
の透明樹脂層（２３）には黒色樹脂層（２４）をトラン
スファモールド法によって設けるが、前記フォトトラン
ジスタ（２１）に対向する部分には後述する透光部材（
２５）を取り着けるために空所を形成しておく。これに
はトランスファモールド法において使用されるギャビテ
イに該当する位置に治具を置く手法によって達成してい
る。
タ（２１）ならびにバイポーラ型集積回路素子（２２）
を常法によって固着してからこのリードフレームのリー
ドと、このトランジスタ（２１）及び集積回路素子（２
２）の電極間に金属細線（２７）を熱圧着法によって架
橋して所要な回路接続を得てがら、透明樹脂層（２３）
をトランスファモールド法によって被覆する。更に、こ
の透明樹脂層（２３）には黒色樹脂層（２４）をトラン
スファモールド法によって設けるが、前記フォトトラン
ジスタ（２１）に対向する部分には後述する透光部材（
２５）を取り着けるために空所を形成しておく。これに
はトランスファモールド法において使用されるギャビテ
イに該当する位置に治具を置く手法によって達成してい
る。
更にこの黒色樹脂層（２４）に形成した孔部に透光部材
（２５）として機能するガラス層を接着剤（２６）によ
って固着してカメラ測光用半導体装置を完成するが、こ
の接着工程には透光性樹脂を使用する。
（２５）として機能するガラス層を接着剤（２６）によ
って固着してカメラ測光用半導体装置を完成するが、こ
の接着工程には透光性樹脂を使用する。
前述のようにカメラ測光用半導体装置では透明樹脂なら
びに黒色樹脂のトランスファモールド工程に加えて前記
透光部材も同様なキュア工程を経て一体化されている。
びに黒色樹脂のトランスファモールド工程に加えて前記
透光部材も同様なキュア工程を経て一体化されている。
これらの３度にわたるキュア工程の合計は３０時間以上
が必要となって極めて不経済であるほかに、透光部材を
透光樹脂による接着工程に先立ち、耐湿性を考慮して予
熱処理も必要となり、その管理にも充分な配慮が必要と
なる。
が必要となって極めて不経済であるほかに、透光部材を
透光樹脂による接着工程に先立ち、耐湿性を考慮して予
熱処理も必要となり、その管理にも充分な配慮が必要と
なる。
このように透明樹脂による透明部材の接着工程を採用す
るとトランスファモールド工程の処理時間が増大するた
めに生産コスト上昇は否めない。
るとトランスファモールド工程の処理時間が増大するた
めに生産コスト上昇は否めない。
本発明は上記欠点を除去した新規な樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供するもので、特にその工程を簡素化
することによって特性向上を図る。
置の製造方法を提供するもので、特にその工程を簡素化
することによって特性向上を図る。
上記目的を達成するために、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置即ち、その外囲器の一部に備える透光部材を黒
色樹脂のトランスファモールド工程による成形時に一体
に封止する手法を採用する。
導体装置即ち、その外囲器の一部に備える透光部材を黒
色樹脂のトランスファモールド工程による成形時に一体
に封止する手法を採用する。
第１図（ａ）に示した斜視図及び（ｂ）の断面図により
本発明を詳述する。第１図（ａ）に示すように本発明に
係る樹脂封止型半導体装置用は、その外囲器を構成する
黒色樹脂層■の一部に、透孔部材■を設けるが、この黒
色樹脂層■をトランスファモールド工程によって封止す
る際に一体としているので第２図（ａ）（ｂ）に示した
接着樹脂層が存在しない。
本発明を詳述する。第１図（ａ）に示すように本発明に
係る樹脂封止型半導体装置用は、その外囲器を構成する
黒色樹脂層■の一部に、透孔部材■を設けるが、この黒
色樹脂層■をトランスファモールド工程によって封止す
る際に一体としているので第２図（ａ）（ｂ）に示した
接着樹脂層が存在しない。
この透孔部材■鞍してはフッ化マグネシウムを蒸着した
シアンブルーフィルタ４１３（東芝ガラス製）を使用し
、これに対向する位置には後述するフォトトランジスタ
を位置させる。このような対応関係を得るには、先ずリ
ードフレムに）のベッド部（図示せず）にフェトトラン
ジスタ■ならびにバイポーラ型集積回路素子０を常法に
従ってマウントする。次に、これらのマウントされた半
導体素子に設けられた電極（図示せず）とこのリードフ
レームに形成したリード端子間に金属細線■をボンディ
ングによって差し渡して必要な電気接続を施し、更にト
ランスファモールド工程を施して外囲器として機能する
樹脂層を形成し、この電気的回路接続されたリード端子
を導出する。
シアンブルーフィルタ４１３（東芝ガラス製）を使用し
、これに対向する位置には後述するフォトトランジスタ
を位置させる。このような対応関係を得るには、先ずリ
ードフレムに）のベッド部（図示せず）にフェトトラン
ジスタ■ならびにバイポーラ型集積回路素子０を常法に
従ってマウントする。次に、これらのマウントされた半
導体素子に設けられた電極（図示せず）とこのリードフ
レームに形成したリード端子間に金属細線■をボンディ
ングによって差し渡して必要な電気接続を施し、更にト
ランスファモールド工程を施して外囲器として機能する
樹脂層を形成し、この電気的回路接続されたリード端子
を導出する。
このトランスファモールド工程は透明樹脂層（８）と黒
色樹脂層■につぃて実施する。
色樹脂層■につぃて実施する。
先ずフォトトランジスタ■及びバイポーラ型集積回路素
子０をマウントしたリードフレーム■は通常のトランス
ファモールド用設備により封止する。すなわち、一対の
金型の分割面に形成するランナゲート及びキャビティを
設け、このキャビティ内に被封止物である前記リードフ
レーム（イ）を配置し、この一方、金型のはゾ中心に設
けたポットに収容した予熱した透明樹脂をプランジャに
よって押圧して、溶融した透明樹脂をキャビティ内に運
んで封止を行い、更にＣｕｒｅ工程を長時間実施する。
子０をマウントしたリードフレーム■は通常のトランス
ファモールド用設備により封止する。すなわち、一対の
金型の分割面に形成するランナゲート及びキャビティを
設け、このキャビティ内に被封止物である前記リードフ
レーム（イ）を配置し、この一方、金型のはゾ中心に設
けたポットに収容した予熱した透明樹脂をプランジャに
よって押圧して、溶融した透明樹脂をキャビティ内に運
んで封止を行い、更にＣｕｒｅ工程を長時間実施する。
次に透明樹脂層■に隣接する黒色樹脂層■をトランスフ
ァモールド法によって形成するが、前述のように透明部
材■を同時に一体化する。この透明部材■はフォトトラ
ンジスタ■に対向する位置に設置するためにキャビティ
内に収容する透明樹脂層（８）には治具を重ねて設け、
エジェクタピンによる押圧力を利用して固定する。この
状態で前述のトランスファモールド工程を実施すると第
１図（ｂ）に示す断面構造が得られる。この図は第１図
（ａ）に示した半導体装置災をＡ−Ａ線で切断した位置
の構造を示しているが、第１図とは異なり接着用透明樹
脂は不要となる。
ァモールド法によって形成するが、前述のように透明部
材■を同時に一体化する。この透明部材■はフォトトラ
ンジスタ■に対向する位置に設置するためにキャビティ
内に収容する透明樹脂層（８）には治具を重ねて設け、
エジェクタピンによる押圧力を利用して固定する。この
状態で前述のトランスファモールド工程を実施すると第
１図（ｂ）に示す断面構造が得られる。この図は第１図
（ａ）に示した半導体装置災をＡ−Ａ線で切断した位置
の構造を示しているが、第１図とは異なり接着用透明樹
脂は不要となる。
また、前述のトランスファモールド工程と同様にキュア
工程は当然必要となる。尚前述の透光部材として例示し
たフィルタは視感度補正用とじて使用するものである。
工程は当然必要となる。尚前述の透光部材として例示し
たフィルタは視感度補正用とじて使用するものである。
このように本発明では従来必要であった接着樹脂による
種々の制約因子を排除する外に、トランスファモールド
工程の短縮を図って、製造工程の安定をもたらすもので
ある。この結果カメラ測光用半導体装置の少滴りを向上
すると共にコストダウンを達成し、更にその機能を長期
にわたって発揮できる信頼性紘増す利点がある。
種々の制約因子を排除する外に、トランスファモールド
工程の短縮を図って、製造工程の安定をもたらすもので
ある。この結果カメラ測光用半導体装置の少滴りを向上
すると共にコストダウンを達成し、更にその機能を長期
にわたって発揮できる信頼性紘増す利点がある。
第１図（ａ）は本発明の実施例を示す斜視図、第１図（
ｂ）は第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断した位置での
構造を示す断面図、第２図（ａ）は従来例を示す斜視図
、第２図（ｂ）は第２図（ａ）をＡ−Ａ％で切断した位
置での構造を示す断面図である。
ｂ）は第１図（ａ）をＡ−Ａ線により切断した位置での
構造を示す断面図、第２図（ａ）は従来例を示す斜視図
、第２図（ｂ）は第２図（ａ）をＡ−Ａ％で切断した位
置での構造を示す断面図である。
Claims (1)
- リードフレームに半導体素子を固着し、両者間を電気的
に接続後透明樹脂で固定し、この半導体素子に対向する
透光性部材をそれ以外に黒色樹脂層をモールド工程によ
り隣接して一体化することを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24131085A JPS62102548A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24131085A JPS62102548A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102548A true JPS62102548A (ja) | 1987-05-13 |
Family
ID=17072383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24131085A Pending JPS62102548A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807976A2 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24131085A patent/JPS62102548A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807976A2 (en) * | 1996-05-17 | 1997-11-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| EP0807976A3 (en) * | 1996-05-17 | 1999-03-24 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| EP1715525A2 (en) * | 1996-05-17 | 2006-10-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
| EP1715525A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
| EP1715526A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| EP1715524A3 (en) * | 1996-05-17 | 2008-01-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus |
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
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