JPH0653554A - 光半導体デバイス - Google Patents

光半導体デバイス

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JPH0653554A
JPH0653554A JP4201263A JP20126392A JPH0653554A JP H0653554 A JPH0653554 A JP H0653554A JP 4201263 A JP4201263 A JP 4201263A JP 20126392 A JP20126392 A JP 20126392A JP H0653554 A JPH0653554 A JP H0653554A
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JP
Japan
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resin
optical semiconductor
thermoplastic resin
semiconductor device
led
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JP4201263A
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Mamoru Maekawa
守 前川
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂硬化時間の短縮、デバイス形状の多様
化、及び樹脂の損失量の低減を実現する光半導体デバイ
スを提供することである。 【構成】 一対のリードフレーム10,11と、一方の
フレーム10の端部に半田付けされると共に、他方のフ
レーム11の端部に金ワイヤ13でワイヤボンディング
されたLED素子12とを備え、フレーム10,11の
端部、LED素子12、及び金ワイヤ13をシリコン樹
脂15で封止し、更にシリコン樹脂15を熱可塑性樹脂
16でモールドした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザダイオード等の光半導体デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】光半導体デバイスとして一般的な発光ダ
イオード(LED)を例にすると、図2に示すように樹
脂によってLED素子を封止したモールド型LEDがあ
る。このLEDは、一対の電極としてのリードフレーム
20,21と、一方のフレーム20の端部にダイボンデ
ィングされると共に、他方のフレーム21の端部に金ワ
イヤ23でワイヤボンディングされたLED素子22と
を備え、リードフレーム20,21の端部、LED素子
22、及び金ワイヤ23をエポキシ樹脂24でレンズ状
に封止したものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エポキシ樹
脂24は熱硬化性樹脂であるため、樹脂成形時に樹脂の
硬化時間が例えば熱可塑性樹脂に比べて長く、デバイス
の生産性がそれほど良くない。又、一般に流動樹脂を注
型に流し込み、加熱して硬化させるため、樹脂モールド
の形状、延いてはデバイスの形状が制約される。更に
は、注型に流し込む際に流出した樹脂は再利用すること
ができず、無駄になる樹脂の量が多い。
【0004】これらの問題点は、上記モールド型LED
に限らず、ステムにLED素子を取付けたステム型LE
Dを始めとして、LED素子をエポキシ樹脂でモールド
したLED全般にも起こることであり、更には、LED
の他に、レーザダイオード素子等の光半導体素子をエポ
キシ樹脂で封止した光半導体デバイス全般にも相当す
る。
【0005】従って、本発明の目的は、樹脂硬化時間の
短縮、デバイス形状の多様化、及び樹脂の損失量の低減
を実現する光半導体デバイスを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の光半導体デバイスは、一対の電極と、一方
の電極に取付けられると共に、他方の電極に接続された
光半導体素子とを備え、光半導体素子及び一対の電極の
一部分をシリコン樹脂で封止し、このシリコン樹脂を熱
可塑性樹脂でモールドしたことを特徴とする。
【0007】この構成では、モールド樹脂として熱可塑
性樹脂を使用しており、熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂で
あるエポキシ樹脂よりも硬化時間が短くなるため、デバ
イスの生産性が向上する。しかも、熱可塑性樹脂は加熱
すれば流動性が良くなるため、モールド形状に制約が無
くなるだけでなく、樹脂成形時に流出した樹脂も再利用
することができる。
【0008】ところで、熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂よ
りも加熱状態においては流動性に富むため、光半導体素
子と電極とを接続しているワイヤを含む領域を熱可塑性
樹脂で直接モールドした場合、樹脂成形時の樹脂の流れ
によってワイヤが変形したりすることがある。これを防
止するために、本発明では、シリコン樹脂で光半導体素
子と電極の一部分を封止し、このシリコン樹脂を熱可塑
性樹脂で包み込む形態を採っている。これにより、熱可
塑性樹脂をモールド樹脂として使用することが可能とな
り、前記利点が不都合なく得られるようになる。
【0009】なお、熱可塑性樹脂としては、樹脂モール
ド部が光路となること等を考慮すると、アクリル樹脂、
ポリカ樹脂等を使用するのが好ましい。
【0010】
【実施例】以下、本発明の光半導体デバイスを実施例に
基づいて説明する。その一実施例として、発光ダイオー
ドを図1に示す。このLEDは、一対の電極としてのリ
ードフレーム10,11と、一方のフレーム10の端部
にダイボンディングされると共に、他方のフレーム11
の端部に金ワイヤ13でワイヤボンディングされたLE
D素子12とを備え、フレーム10,11の端部、LE
D素子12、及び金ワイヤ13をシリコン樹脂15で封
止し、更にシリコン樹脂15を熱可塑性樹脂16でモー
ルドしたものである。
【0011】なお、シリコン樹脂15の封止には、ディ
ップ手段を用いるか、或いは適当な注型を使用して図示
のような形状に成形し、成形後に乾燥・硬化させればよ
い。又、熱可塑性樹脂16のモールドには、例えば図に
示すような形状の場合にはペレット状の注型を用い、シ
リコン樹脂15を包み込むように熱可塑性樹脂でモール
ドし、その後に冷却して乾燥・硬化させればよい。特
に、熱可塑性樹脂を成形する時に、シリコン樹脂で金ワ
イヤ13が完全に覆われているため、熱可塑性樹脂の流
動による金ワイヤの変形等は起こらず、何ら問題なく熱
可塑性樹脂16でモールドすることができる。
【0012】上記実施例は、モールド型LEDの場合で
あるが、ステム型LED等の場合も同様に、シリコン樹
脂でLED素子やワイヤ等を覆い、シリコン樹脂を熱可
塑性樹脂でモールドする。更に、レーザダイオード等の
その他の光半導体デバイスにおいても、全く同様であ
り、光半導体素子やワイヤ等をシリコン樹脂及び熱可塑
性樹脂で順に包み込めばよい。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光半導体
デバイスは、シリコン樹脂で光半導体素子及び電極の一
部分を封止し、シリコン樹脂を熱可塑性樹脂でモールド
してなるため、下記の効果を有する。 (1)モールド樹脂として熱硬化性樹脂であるエポキシ
樹脂を使用する場合に比べて、熱可塑性樹脂は硬化時間
が短いため、デバイスの生産性が向上する。 (2)加熱状態における熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂よ
りも流動性が良いため、樹脂モールドの形状を多様にす
ることができ、デバイスの用途が広くなる。 (3)熱可塑性樹脂が良好な流動性を示すため、樹脂成
形時に流出した樹脂を再利用でき、樹脂を無駄なく使用
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るLEDの構造を示す図
である。
【図2】従来例に係るLEDの構造を示す図である。
【符号の説明】
10,11 リードフレーム 12 LED素子 13 金ワイヤ 15 シリコン樹脂 16 熱可塑性樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一対の電極と、一方の電極に取付けられる
    と共に、他方の電極に接続された光半導体素子とを備
    え、光半導体素子及び一対の電極の一部分をシリコン樹
    脂で封止し、このシリコン樹脂を熱可塑性樹脂でモール
    ドしたことを特徴とする光半導体デバイス。
JP4201263A 1992-07-28 1992-07-28 光半導体デバイス Pending JPH0653554A (ja)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997020673A1 (fr) * 1995-12-07 1997-06-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication de produits electroniques enrobes de resine
US6008681A (en) * 1998-06-02 1999-12-28 Conexant Systems, Inc. Method and apparatus for deriving power from a clock signal coupled through a transformer
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP2003069081A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US6538306B1 (en) * 1999-07-02 2003-03-25 Rohm Co., Ltd. Electronic part
JP2005252293A (ja) * 1996-06-26 2005-09-15 Siemens Ag 半導体発光素子
US7005311B2 (en) 1993-09-30 2006-02-28 Osram Gmbh Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof
US7102215B2 (en) 1997-07-29 2006-09-05 Osram Gmbh Surface-mountable light-emitting diode structural element
WO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2008-08-14 Nikon Corporation 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
EP3989758B1 (en) * 2019-06-25 2023-08-09 Philip Morris Products S.A. An aerosol-generating system and a cartridge for an aerosol-generating system having improved heating assembly

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7288831B2 (en) 1993-09-30 2007-10-30 Osram Gmbh Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof
US7102212B2 (en) 1993-09-30 2006-09-05 Osram Gmbh Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof
US7005311B2 (en) 1993-09-30 2006-02-28 Osram Gmbh Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof
US6052893A (en) * 1995-12-07 2000-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Process for manufacturing a resin-encapsulated electronic product
WO1997020673A1 (fr) * 1995-12-07 1997-06-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication de produits electroniques enrobes de resine
JP2005252293A (ja) * 1996-06-26 2005-09-15 Siemens Ag 半導体発光素子
US7183632B2 (en) 1997-07-29 2007-02-27 Osram Gmbh Surface-mountable light-emitting diode structural element
US7102215B2 (en) 1997-07-29 2006-09-05 Osram Gmbh Surface-mountable light-emitting diode structural element
US7508002B2 (en) 1997-07-29 2009-03-24 Osram Gmbh Surface-mountable light-emitting diode structural element
US6008681A (en) * 1998-06-02 1999-12-28 Conexant Systems, Inc. Method and apparatus for deriving power from a clock signal coupled through a transformer
US6590235B2 (en) 1998-11-06 2003-07-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6538306B1 (en) * 1999-07-02 2003-03-25 Rohm Co., Ltd. Electronic part
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP2003069081A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
WO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2008-08-14 Nikon Corporation 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
JPWO2008096714A1 (ja) * 2007-02-05 2010-05-20 株式会社ニコン 樹脂封止発光素子、平面状光源及びそれらの製造方法、並びに液晶表示装置
EP3989758B1 (en) * 2019-06-25 2023-08-09 Philip Morris Products S.A. An aerosol-generating system and a cartridge for an aerosol-generating system having improved heating assembly

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