JPH0466381B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0466381B2 JPH0466381B2 JP62227260A JP22726087A JPH0466381B2 JP H0466381 B2 JPH0466381 B2 JP H0466381B2 JP 62227260 A JP62227260 A JP 62227260A JP 22726087 A JP22726087 A JP 22726087A JP H0466381 B2 JPH0466381 B2 JP H0466381B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing body
- resin
- cavity
- mold
- metal frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 14
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はメタルフレームの先端部に設けられ
た発光ダイオードを射出成形を用いて樹脂封止す
る方法に関するものである。
た発光ダイオードを射出成形を用いて樹脂封止す
る方法に関するものである。
一般に発光ダイオードの樹脂封止は注型成形法
を用いて行われている。
を用いて行われている。
この方法はポツト状の型内にエポキシ樹脂など
の熱硬化性樹脂を加熱溶融して注入し、その樹脂
に発光ダイオードをダイボンデイング及びワイヤ
ーボンデイングしたメタルフレームの先端を挿入
し、その状態を維持しながら炉内で樹脂の加熱硬
化を行い、しかるのち型から樹脂を離型して製品
を得る多段の工程を要するものであつた。
の熱硬化性樹脂を加熱溶融して注入し、その樹脂
に発光ダイオードをダイボンデイング及びワイヤ
ーボンデイングしたメタルフレームの先端を挿入
し、その状態を維持しながら炉内で樹脂の加熱硬
化を行い、しかるのち型から樹脂を離型して製品
を得る多段の工程を要するものであつた。
上記注型成形法では、硬化時間が長く、全工程
を完了するまでに約24時間を要し、これがため生
産性が悪く、連続して生産を行うためには24時間
分のストツクを有する大規模な設備を必要とす
る。
を完了するまでに約24時間を要し、これがため生
産性が悪く、連続して生産を行うためには24時間
分のストツクを有する大規模な設備を必要とす
る。
更にこの成形法では、樹脂に圧力がほとんど加
えられないため、寸法精度が悪く、メタルフレー
ムをインサートしたときにエアーを巻き込み易い
他、メタルフレームを中心に固定しておくのが困
難で偏心しやすい問題があつた。
えられないため、寸法精度が悪く、メタルフレー
ムをインサートしたときにエアーを巻き込み易い
他、メタルフレームを中心に固定しておくのが困
難で偏心しやすい問題があつた。
そこで最近では、放出成形により金型内にメタ
ルフレームをインサートし、キヤビテイ内に樹脂
を射出充填して、発光ダイオードの樹脂封止を行
うことが試みられている。
ルフレームをインサートし、キヤビテイ内に樹脂
を射出充填して、発光ダイオードの樹脂封止を行
うことが試みられている。
しかし、射出成形では注型成形に比較して、高
速、高圧で樹脂の充填が行われるため、その際の
樹脂の流動等により、ワイヤーボンデイングされ
た金線(φ0.02mm)が破断してしまうことがあり、
それを防止するために低速、低圧にて射出を行う
と、フローマーク、ウエルドライン等の成形不良
が生じ、歩留りが悪くなつて量産には適さないな
どの問題があつた。
速、高圧で樹脂の充填が行われるため、その際の
樹脂の流動等により、ワイヤーボンデイングされ
た金線(φ0.02mm)が破断してしまうことがあり、
それを防止するために低速、低圧にて射出を行う
と、フローマーク、ウエルドライン等の成形不良
が生じ、歩留りが悪くなつて量産には適さないな
どの問題があつた。
そこで封止を低速、低圧射出による一次封止体
の成形と高速、高圧による二次封止体の成形の2
つの工程により封止方法(特願昭61−277305)を
先に開発した。
の成形と高速、高圧による二次封止体の成形の2
つの工程により封止方法(特願昭61−277305)を
先に開発した。
この方法は第6図に示すように、メタルフレー
ム1の先端部にダイボンデイング及びワイヤーボ
ンデイングされた発光ダイオードのチツプ2をワ
イヤー3と共に低速、低圧射出成形による一次封
止体4により被覆し、更に一次封止体4の外側
に、二次封止体5を高速、高圧射出成形して、従
来の射出成形による樹脂封止の問題点を解決して
いる。
ム1の先端部にダイボンデイング及びワイヤーボ
ンデイングされた発光ダイオードのチツプ2をワ
イヤー3と共に低速、低圧射出成形による一次封
止体4により被覆し、更に一次封止体4の外側
に、二次封止体5を高速、高圧射出成形して、従
来の射出成形による樹脂封止の問題点を解決して
いる。
この方法では低速、低圧で小さなキヤビテイに
より一次封止を行うので樹脂の流動長を短く、時
間も短時間であることから、従来の低速、低圧よ
りは、高速、高圧で一次封止が行え、そのためワ
イヤーの断線、フローマーク、ウエルドラインの
発生等の成形不良を解消でき、またそれによつて
一次封止されたメタルフレームを仕上げ用のキヤ
ビテイにインサートして高速、高圧で二次封止す
るので、成形品精度が向上する。
より一次封止を行うので樹脂の流動長を短く、時
間も短時間であることから、従来の低速、低圧よ
りは、高速、高圧で一次封止が行え、そのためワ
イヤーの断線、フローマーク、ウエルドラインの
発生等の成形不良を解消でき、またそれによつて
一次封止されたメタルフレームを仕上げ用のキヤ
ビテイにインサートして高速、高圧で二次封止す
るので、成形品精度が向上する。
しかしながら、上記の方法では、第7図に示す
ように樹脂の流動により一次封止体4が仕上げ用
キヤビテイ6内で変成されてしまい、チツプ2の
中心と二次封止体5により形成されるレンズ頭部
の中心との間にずれ、即ちセンターオフSが生じ
易く、光学特性が悪化して輝度が低下する他、フ
オトダイオード等では戻り光量が減つて効率が低
下する虞れがあつた。
ように樹脂の流動により一次封止体4が仕上げ用
キヤビテイ6内で変成されてしまい、チツプ2の
中心と二次封止体5により形成されるレンズ頭部
の中心との間にずれ、即ちセンターオフSが生じ
易く、光学特性が悪化して輝度が低下する他、フ
オトダイオード等では戻り光量が減つて効率が低
下する虞れがあつた。
この発明は二次封止体の射出成形時におけるセ
ンターオフの発生を防止するために考えられたも
のであつて、その目的はきわめて簡単な手段によ
りセンターオフを許容値(3/100mm)以内とする
ことができる新たな方法を提供することにある。
ンターオフの発生を防止するために考えられたも
のであつて、その目的はきわめて簡単な手段によ
りセンターオフを許容値(3/100mm)以内とする
ことができる新たな方法を提供することにある。
上記目的によるこの発明は、メタルフレームの
先端部にダイボンデイング及びワイヤーボンデイ
ングされた発光ダイオードのチツプを、ワイヤー
と共に仕上り寸法より小さなキヤビテイを有する
金型にインサートし、そのキヤビテイに第1の樹
脂を充填して、メタルフレームの先端部と共に上
記チツプ及びワイヤーを包む封止体を一次的に成
形し、更にそのメタルフレームを他の金型に移行
して、一次封止体と共に先端部を仕上用キヤビテ
イにインサートし、第2の樹脂を充填して一次封
止体の外側に二次封止体を成形するに当り、一次
封止体の成形時に、仕上用キヤビテイのゲート対
向側型面と接する突起を、一次封止体の側面に一
体形成し、これによりセンターオフに付いての問
題点を解決してなるものである。
先端部にダイボンデイング及びワイヤーボンデイ
ングされた発光ダイオードのチツプを、ワイヤー
と共に仕上り寸法より小さなキヤビテイを有する
金型にインサートし、そのキヤビテイに第1の樹
脂を充填して、メタルフレームの先端部と共に上
記チツプ及びワイヤーを包む封止体を一次的に成
形し、更にそのメタルフレームを他の金型に移行
して、一次封止体と共に先端部を仕上用キヤビテ
イにインサートし、第2の樹脂を充填して一次封
止体の外側に二次封止体を成形するに当り、一次
封止体の成形時に、仕上用キヤビテイのゲート対
向側型面と接する突起を、一次封止体の側面に一
体形成し、これによりセンターオフに付いての問
題点を解決してなるものである。
先ずメタルフレーム11の先端部を、先端にダ
イボンデイング及びワイヤーボンデイングされた
発光ダイオードのチツプ12とワイヤー13と共
に、第1金型14のキヤビテイ15に装填する。
イボンデイング及びワイヤーボンデイングされた
発光ダイオードのチツプ12とワイヤー13と共
に、第1金型14のキヤビテイ15に装填する。
このキヤビテイ15は仕上り寸法より小さなキ
ヤビテイからなり、ゲート16の対向型面には突
起形成用の凹部17が穿設してある。
ヤビテイからなり、ゲート16の対向型面には突
起形成用の凹部17が穿設してある。
次に金型の型締を行つて上記キヤビテイ15に
第1の樹脂18を射出充填する。この射出充填は
金線からなる上記ワイヤー13が切れない程度の
低速、低圧により行い、キヤビテイ15に充填さ
れた樹脂により、発光ダイオード12及びワイヤ
ー13の一次封止体19を形成し、同時に凹部1
7により、先端面が第2金型20の仕上用キヤビ
テイ21のゲート対向側型面に接する長さの突起
22を形成する。
第1の樹脂18を射出充填する。この射出充填は
金線からなる上記ワイヤー13が切れない程度の
低速、低圧により行い、キヤビテイ15に充填さ
れた樹脂により、発光ダイオード12及びワイヤ
ー13の一次封止体19を形成し、同時に凹部1
7により、先端面が第2金型20の仕上用キヤビ
テイ21のゲート対向側型面に接する長さの突起
22を形成する。
上記一次成形が完了したら、型開きを行つて、
側面に上記突起22を一体形成した一次封止体1
9と共に、メタルフレーム11を第2金型20へ
移送する。そして突起22をゲート21aの対向
側に位置させて仕上用キヤビテイ21に一次封止
体19を挿填したのち型締を行い、第2の樹脂2
3の射出充填を行つて二次封止体24を成形す
る。
側面に上記突起22を一体形成した一次封止体1
9と共に、メタルフレーム11を第2金型20へ
移送する。そして突起22をゲート21aの対向
側に位置させて仕上用キヤビテイ21に一次封止
体19を挿填したのち型締を行い、第2の樹脂2
3の射出充填を行つて二次封止体24を成形す
る。
この射出充填は発光ダイオード12及びワイヤ
ー13が、既に一次封止体19に包まれ、また一
次封止体19のゲート対向側が、先端面をキヤビ
テイ型面に接した上記突起22によつて支えられ
ていることから、高速、高圧にて行つても何ら支
障がなく、仕上用キヤビテイ21により、一次封
止体18の外側に二次封止体24が成形される。
また二次成形後における上記突起22は、二次封
止体内に収まり、先端面が二次封止体24の側面
に露出する。しかしながら、この露出は側面であ
るので発光ダイオードの位置より下側にある限り
特に問題となることはないが、一次封止体19を
形成する第1の樹脂18の耐熱温度が低いと、そ
の先端面が半田付けの際に溶けることがあるの
で、突起22は必要最小限の径とすることが好ま
しい。また突起22の断面形状は特に限定され
ず、第4図及び第5図に示すように、円柱であつ
てもよい。
ー13が、既に一次封止体19に包まれ、また一
次封止体19のゲート対向側が、先端面をキヤビ
テイ型面に接した上記突起22によつて支えられ
ていることから、高速、高圧にて行つても何ら支
障がなく、仕上用キヤビテイ21により、一次封
止体18の外側に二次封止体24が成形される。
また二次成形後における上記突起22は、二次封
止体内に収まり、先端面が二次封止体24の側面
に露出する。しかしながら、この露出は側面であ
るので発光ダイオードの位置より下側にある限り
特に問題となることはないが、一次封止体19を
形成する第1の樹脂18の耐熱温度が低いと、そ
の先端面が半田付けの際に溶けることがあるの
で、突起22は必要最小限の径とすることが好ま
しい。また突起22の断面形状は特に限定され
ず、第4図及び第5図に示すように、円柱であつ
てもよい。
なお、上記例では一次封止と二次封止を独立し
た金型で行つたが、これは一つの金型に一次封止
用キヤビテイと二次封止用キヤビテイを刻設した
ものを用いても良い。
た金型で行つたが、これは一つの金型に一次封止
用キヤビテイと二次封止用キヤビテイを刻設した
ものを用いても良い。
また一次封止用樹脂としてはポリカーボネイ
ト、ポリメチルペンテン、ポリアリレート樹脂な
でが好適であり、二次封止用樹脂としてはP.P.S、
液晶ポリカー、ガラス入P.B.T等が好適である。
ト、ポリメチルペンテン、ポリアリレート樹脂な
でが好適であり、二次封止用樹脂としてはP.P.S、
液晶ポリカー、ガラス入P.B.T等が好適である。
この発明は上述のように、メタルフレームの先
端部を発光ダイオード及びワイヤーと共に、一次
と二次とに別けて射出成形により樹脂封止する際
に、一次封止体の側面に突起を一体形成し、この
突起を二次封止体の成形に際する一次封止体の支
えとして仕上用キヤビテイの型面に当接し、これ
によりキヤビテイ内の樹脂の流動による一次封止
体の押し曲げを防止してなることから、二次成形
を高速、高圧により行つてもセンターオフが生じ
難く、封止体が射出成形によるものであつても、
センターオフを通常の許容値以下とすることがで
きる。
端部を発光ダイオード及びワイヤーと共に、一次
と二次とに別けて射出成形により樹脂封止する際
に、一次封止体の側面に突起を一体形成し、この
突起を二次封止体の成形に際する一次封止体の支
えとして仕上用キヤビテイの型面に当接し、これ
によりキヤビテイ内の樹脂の流動による一次封止
体の押し曲げを防止してなることから、二次成形
を高速、高圧により行つてもセンターオフが生じ
難く、封止体が射出成形によるものであつても、
センターオフを通常の許容値以下とすることがで
きる。
また一次封止体の側面に突起を一体成形するだ
けでよいので、封止体やキヤビテイの構造が複雑
となるようなこともなく、外形精度が良好で輝度
が高く、フオトダイオード等にあつては戻り光量
の大きいなどの効率の良い製品を量産できる利点
を有する。
けでよいので、封止体やキヤビテイの構造が複雑
となるようなこともなく、外形精度が良好で輝度
が高く、フオトダイオード等にあつては戻り光量
の大きいなどの効率の良い製品を量産できる利点
を有する。
第1図から第5図はこの発明に係る発光ダイオ
ードの樹脂封止方法を示すものであつて、第1図
は一次封止体の成形説明図、第2図は一次封止体
を成形したメタルフレームの側面図、第3図は二
次封止体の成形説明図、第4図は他の実施例によ
る一次封止体を有するメタルフレームの平面図、
第5図はその側面図、第6図は樹脂封止体を有す
るメタルフレームの側面図、第7図は上記樹脂封
止体の問題点を示す説明図である。 11……メタルフレーム、12……発光ダイオ
ードチツプ、13……ワイヤー、15……キヤビ
テイ、17……凹部、19……一次封止体、21
……仕上用キヤビテイ、21a……ゲート、22
……突起、24……二次封止体。
ードの樹脂封止方法を示すものであつて、第1図
は一次封止体の成形説明図、第2図は一次封止体
を成形したメタルフレームの側面図、第3図は二
次封止体の成形説明図、第4図は他の実施例によ
る一次封止体を有するメタルフレームの平面図、
第5図はその側面図、第6図は樹脂封止体を有す
るメタルフレームの側面図、第7図は上記樹脂封
止体の問題点を示す説明図である。 11……メタルフレーム、12……発光ダイオ
ードチツプ、13……ワイヤー、15……キヤビ
テイ、17……凹部、19……一次封止体、21
……仕上用キヤビテイ、21a……ゲート、22
……突起、24……二次封止体。
Claims (1)
- 1 メタルフレームの先端部にダイボンデイング
及びワイヤーボンデイングされた発光ダイオード
のチツプを、ワイヤーと共に仕上り寸法より小さ
なキヤビテイを有する金型にインサートし、その
キヤビテイに第1の樹脂を充填して、メタルフレ
ームの先端部と共に上記チツプ及びワイヤーを包
む封止体を一次的に成形し、更にそのメタルフレ
ームを他の金型に移行して、一次封止体と共に先
端部を仕上用キヤビテイにインサートし、第2の
樹脂を充填して一次封止体の外側に二次封止体を
成形するに当り、一次封止体の成形時に、仕上用
キヤビテイのゲート対向側型面と接する突起を、
一次封止体の側面に一体形成してなることを特徴
とする発光ダイオードの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62227260A JPS6469019A (en) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | Method of sealing light-emitting diode with resin |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62227260A JPS6469019A (en) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | Method of sealing light-emitting diode with resin |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6469019A JPS6469019A (en) | 1989-03-15 |
JPH0466381B2 true JPH0466381B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=16858033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62227260A Granted JPS6469019A (en) | 1987-09-10 | 1987-09-10 | Method of sealing light-emitting diode with resin |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6469019A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141560A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Ledランプ及びその製造方法 |
DE10163116B4 (de) * | 2001-12-24 | 2008-04-10 | G.L.I. Global Light Industries Gmbh | Verfahren zum Herstellen von lichtleitenden LED-Körpern in zwei räumlich und zeitlich getrennten Stufen |
DE10242947B8 (de) * | 2002-09-16 | 2009-06-18 | Odelo Led Gmbh | Verfahren zum Herstellen von LED-Körpern mit Hilfe einer Querschnittsverengung und Vorrichtung zur Durchführung des Herstellungsverfahrens |
-
1987
- 1987-09-10 JP JP62227260A patent/JPS6469019A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6469019A (en) | 1989-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3417079B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7256428B2 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
JP3956335B2 (ja) | 樹脂注型用金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH0927643A (ja) | 受光/発光素子 | |
JPH07283441A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0466381B2 (ja) | ||
JPH0653554A (ja) | 光半導体デバイス | |
JPS63129680A (ja) | 発光ダイオ−ドの樹脂封止方法 | |
KR20100039892A (ko) | 하우징 일체형 광 반도체 부품 및 그 제조방법 | |
US6696006B2 (en) | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip | |
JPH05198611A (ja) | 独立した封止キャビティを持つモールディング組立体 | |
JPH01152676A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JPH04329680A (ja) | 発光装置 | |
JP3054311B2 (ja) | ホトインタラプタの構造 | |
JPH0466382B2 (ja) | ||
JPH0342495B2 (ja) | ||
JP2609894B2 (ja) | 被封止部品のトランスファ樹脂封止成形方法とこれに用いられる樹脂封止成形用金型装置及びフィルムキャリア | |
JP2951077B2 (ja) | モールド型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP4167158B2 (ja) | 光素子の樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
JPS5827326A (ja) | Icチツプの樹脂封止方法 | |
JPH0629338A (ja) | 半導体装置製造用樹脂封止金型及びそれを用いた製造方法 | |
JPH0329382A (ja) | Ledランプの製造方法 | |
JP4055988B2 (ja) | チップインダクタの製造方法及び装置 | |
JPS60206185A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3122360B2 (ja) | 電子スイッチの製造方法、電子スイッチ製造用の成形型 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |