JPH07283441A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
光半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】
【目的】生産効率の高めることができるとともに、はん
だ接続の際の熱に耐えることができ、また光半導体素子
として必要な光透過部を確保することができる光半導体
装置を提供すること。 【構成】パッケージ１０内部に光半導体素子３０が取り
付けられたリードフレーム２０が配設されてなる光半導
体装置において、パッケージ１０は、一端部が開放した
中空容器状に形成され、リードフレーム２０の光半導体
素子３０が設けられた側が中空部１１ａの内底部に露出
して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部１１
と、耐熱部１１の中空部１１ａ内に充填された透明樹脂
からなる透明部１２とを備えている。
だ接続の際の熱に耐えることができ、また光半導体素子
として必要な光透過部を確保することができる光半導体
装置を提供すること。 【構成】パッケージ１０内部に光半導体素子３０が取り
付けられたリードフレーム２０が配設されてなる光半導
体装置において、パッケージ１０は、一端部が開放した
中空容器状に形成され、リードフレーム２０の光半導体
素子３０が設けられた側が中空部１１ａの内底部に露出
して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部１１
と、耐熱部１１の中空部１１ａ内に充填された透明樹脂
からなる透明部１２とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＥＤ等の発光半導体
素子又はフォトトランジスタやＣＣＤ等の受光半導体素
子等の光半導体素子を樹脂で封止した光半導体装置及び
光半導体装置製造方法に関する。
素子又はフォトトランジスタやＣＣＤ等の受光半導体素
子等の光半導体素子を樹脂で封止した光半導体装置及び
光半導体装置製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から光半導体装置は、発光半導体素
子又は受光半導体素子等の光半導体素子をダイパッド部
に搭載し、光半導体素子の各端子をダイパッド部の周囲
に設けられたリード部にボンディングワイヤを介して接
続されたリードフレームを成形金型に投入し、エポキシ
樹脂を用いてキャスティング若しくはトランスファモー
ルドによって封止して形成されている。しかしながら、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂は形成時の硬化時間が３
〜５分と長く生産性に劣るという問題があった。そこ
で、硬化時間が短い樹脂として、熱可塑性樹脂を用いる
ことが検討されている。なお、光半導体装置では光透過
部を確保しなければならないため、非結晶性の透明熱可
塑性樹脂を使用する必要がある。
子又は受光半導体素子等の光半導体素子をダイパッド部
に搭載し、光半導体素子の各端子をダイパッド部の周囲
に設けられたリード部にボンディングワイヤを介して接
続されたリードフレームを成形金型に投入し、エポキシ
樹脂を用いてキャスティング若しくはトランスファモー
ルドによって封止して形成されている。しかしながら、
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂は形成時の硬化時間が３
〜５分と長く生産性に劣るという問題があった。そこ
で、硬化時間が短い樹脂として、熱可塑性樹脂を用いる
ことが検討されている。なお、光半導体装置では光透過
部を確保しなければならないため、非結晶性の透明熱可
塑性樹脂を使用する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような熱可塑性
樹脂を用いた光半導体装置にあっては次のような問題が
あった。すなわち、熱可塑性樹脂は硬化時間が短く、生
産性が高いという利点はあるが、非結晶性の透明熱可塑
性樹脂は、耐熱温度が低く半導体パッケージとして必要
なはんだ耐熱性を確保することができないという問題が
あった。
樹脂を用いた光半導体装置にあっては次のような問題が
あった。すなわち、熱可塑性樹脂は硬化時間が短く、生
産性が高いという利点はあるが、非結晶性の透明熱可塑
性樹脂は、耐熱温度が低く半導体パッケージとして必要
なはんだ耐熱性を確保することができないという問題が
あった。
【０００４】そこで本発明は、光半導体素子のパッケー
ジを硬化時間が短い熱可塑性樹脂を用いて形成すること
により生産効率の高めるとともに、はんだ接続の際の熱
に耐えることができ、また光半導体素子として必要な光
透過部を確保することができる光半導体装置及びこの光
半導体装置を製造する光半導体装置製造方法を提供する
ことを目的としている。
ジを硬化時間が短い熱可塑性樹脂を用いて形成すること
により生産効率の高めるとともに、はんだ接続の際の熱
に耐えることができ、また光半導体素子として必要な光
透過部を確保することができる光半導体装置及びこの光
半導体装置を製造する光半導体装置製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明は、パッケージ内部に光半導体
素子が取り付けられたリードフレームが配設されてなる
光半導体装置において、前記パッケージは、一端部が開
放した中空容器状に形成され、前記リードフレームの前
記光半導体素子が設けられた側が中空部の内底部に露出
して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部と、
この耐熱部の中空部内に充填された透明樹脂からなる透
明部とを備えることとした。
達成するために、本発明は、パッケージ内部に光半導体
素子が取り付けられたリードフレームが配設されてなる
光半導体装置において、前記パッケージは、一端部が開
放した中空容器状に形成され、前記リードフレームの前
記光半導体素子が設けられた側が中空部の内底部に露出
して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部と、
この耐熱部の中空部内に充填された透明樹脂からなる透
明部とを備えることとした。
【０００６】また、光半導体素子を樹脂により封止する
光半導体装置製造方法において、成形金型内にリードフ
レームを設置する工程と、前記成形金型内に耐熱性熱可
塑性樹脂を充填して一端部が開放した中空容器状でその
内底部に前記リードフレームが露出した耐熱部を形成す
る工程と、前記リードフレームの前記中空容器の内底部
が露出した部分に光半導体素子を搭載する工程と、前記
光半導体素子の各端子を前記リードフレームの所定のリ
ード部にワイヤで接続する工程と、前記耐熱部の中空部
に透明樹脂を充填する工程とを備えることとした。
光半導体装置製造方法において、成形金型内にリードフ
レームを設置する工程と、前記成形金型内に耐熱性熱可
塑性樹脂を充填して一端部が開放した中空容器状でその
内底部に前記リードフレームが露出した耐熱部を形成す
る工程と、前記リードフレームの前記中空容器の内底部
が露出した部分に光半導体素子を搭載する工程と、前記
光半導体素子の各端子を前記リードフレームの所定のリ
ード部にワイヤで接続する工程と、前記耐熱部の中空部
に透明樹脂を充填する工程とを備えることとした。
【０００７】
【作用】上記手段を講じた結果、次のような作用が生じ
る。すなわち、パッケージ内部に光半導体素子が取り付
けられたリードフレームが配設されてなる光半導体装置
において、外部とのはんだ付け接続に供されるリードフ
レームの光半導体素子が設けられた側を耐熱性熱可塑性
樹脂により形成された中空容器状の耐熱部の中空部の内
底部に露出して配置したので、はんだ付け接続の際に発
生する２８０℃前後の熱により耐熱部が融解することは
ない。また、内底部上方の中空部に光透過部が確保され
ているために、光半導体素子の受光部又は発光部による
機能を発揮させることができる。
る。すなわち、パッケージ内部に光半導体素子が取り付
けられたリードフレームが配設されてなる光半導体装置
において、外部とのはんだ付け接続に供されるリードフ
レームの光半導体素子が設けられた側を耐熱性熱可塑性
樹脂により形成された中空容器状の耐熱部の中空部の内
底部に露出して配置したので、はんだ付け接続の際に発
生する２８０℃前後の熱により耐熱部が融解することは
ない。また、内底部上方の中空部に光透過部が確保され
ているために、光半導体素子の受光部又は発光部による
機能を発揮させることができる。
【０００８】一方、上記のような光半導体素子を製造す
る場合において、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成している
ので、硬化時間を１０秒程度と短くすることができる。
このため、射出成形後、成形金型からすぐに光半導体装
置を取り出すことができ、次の工程へと送ることができ
る。また、光透過部は中空容器状に形成された耐熱部の
中空部に充填して形成するようにしているので、充填後
すぐに光半導体装置を金型等から取り出して次の工程へ
と送ることができる。したがって、光半導体装置の生産
性を向上させることが可能である。
る場合において、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成している
ので、硬化時間を１０秒程度と短くすることができる。
このため、射出成形後、成形金型からすぐに光半導体装
置を取り出すことができ、次の工程へと送ることができ
る。また、光透過部は中空容器状に形成された耐熱部の
中空部に充填して形成するようにしているので、充填後
すぐに光半導体装置を金型等から取り出して次の工程へ
と送ることができる。したがって、光半導体装置の生産
性を向上させることが可能である。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る光半導体装置
を示す断面図である。図中１０はパッケージ、２０はリ
ードフレーム、３０は発光ダイオード等の光半導体素子
を示している。パッケージ１０は耐熱性熱可塑性樹脂で
あるポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）により形成
された中空容器状の耐熱部１１と、耐熱部１１の中空部
１１ａに配置され透明熱可塑性樹脂であるポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）により形成された光透過部１２と
から構成されている。リードフレーム２０の光半導体素
子３０が設けられた側が耐熱部１１の中空部の内底部に
露出させて配置されており、光半導体素子３０が接合さ
れた矩形状のダイパッド部２１と、このダイパッド部２
１を囲むように配置されたリード部２２を備えている。
光半導体素子３０の各端子３１はボンディングワイヤ３
２を介してリード部２２上の接合部２２ａに接続されて
いる。
を示す断面図である。図中１０はパッケージ、２０はリ
ードフレーム、３０は発光ダイオード等の光半導体素子
を示している。パッケージ１０は耐熱性熱可塑性樹脂で
あるポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）により形成
された中空容器状の耐熱部１１と、耐熱部１１の中空部
１１ａに配置され透明熱可塑性樹脂であるポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）により形成された光透過部１２と
から構成されている。リードフレーム２０の光半導体素
子３０が設けられた側が耐熱部１１の中空部の内底部に
露出させて配置されており、光半導体素子３０が接合さ
れた矩形状のダイパッド部２１と、このダイパッド部２
１を囲むように配置されたリード部２２を備えている。
光半導体素子３０の各端子３１はボンディングワイヤ３
２を介してリード部２２上の接合部２２ａに接続されて
いる。
【００１０】なお、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）は不透明の樹脂であるが、２８０℃の下でも融解し
ない。ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）は２８０℃以
下で融解するが透明の樹脂である。
Ｓ）は不透明の樹脂であるが、２８０℃の下でも融解し
ない。ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）は２８０℃以
下で融解するが透明の樹脂である。
【００１１】上述した光半導体装置は図２の（ａ）〜
（ｃ）に示す製造工程により形成される。すなわち、図
２の（ａ）に示すようにリードフレーム２０を成形金型
としての第１の成形金型４０内に設置する。第１の成形
金型４０は矩形状溝部の開放側を図中下方に向けた上型
４０ａと、開放側を図中上方に向けた有底枠状の下型４
０ｂとから構成されており、リードフレーム２０は上型
４０ａと下型４０ｂに挟むようにして設置する。下型４
０ｂの底部に設けられた樹脂注入孔４１を介して耐熱性
熱可塑性樹脂であるポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）を注入し、第１の成形金型４０内部を充填する。充
填後１０秒程度でポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）は硬化し、これにより中空容器状の耐熱部１１が形
成される。その結果、リードフレーム２０は、耐熱部１
１の内底部に露出した状態となる。
（ｃ）に示す製造工程により形成される。すなわち、図
２の（ａ）に示すようにリードフレーム２０を成形金型
としての第１の成形金型４０内に設置する。第１の成形
金型４０は矩形状溝部の開放側を図中下方に向けた上型
４０ａと、開放側を図中上方に向けた有底枠状の下型４
０ｂとから構成されており、リードフレーム２０は上型
４０ａと下型４０ｂに挟むようにして設置する。下型４
０ｂの底部に設けられた樹脂注入孔４１を介して耐熱性
熱可塑性樹脂であるポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）を注入し、第１の成形金型４０内部を充填する。充
填後１０秒程度でポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）は硬化し、これにより中空容器状の耐熱部１１が形
成される。その結果、リードフレーム２０は、耐熱部１
１の内底部に露出した状態となる。
【００１２】次に上型４０ａを取り外し、光半導体素子
３０をダイパッド部２１に搭載（ベアボンディング）
し、光半導体素子３０の各端子３１をダイパッド部２１
の側方に設けられたリード部２２の接合部２２ａにボン
ディングワイヤ３２を介して接続する。
３０をダイパッド部２１に搭載（ベアボンディング）
し、光半導体素子３０の各端子３１をダイパッド部２１
の側方に設けられたリード部２２の接合部２２ａにボン
ディングワイヤ３２を介して接続する。
【００１３】続いて耐熱部１１の開口部に第２の成形金
型５０を蓋するように設置する。第２の成形金型５０に
設けられた樹脂注入孔５１を介して透明熱可塑性樹脂で
あるポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を注入し、中空
部１１ａを充填する。充填後１０秒程度でポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）は硬化し、これにより光透過部１
２が形成され、光半導体装置が完成する。
型５０を蓋するように設置する。第２の成形金型５０に
設けられた樹脂注入孔５１を介して透明熱可塑性樹脂で
あるポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を注入し、中空
部１１ａを充填する。充填後１０秒程度でポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）は硬化し、これにより光透過部１
２が形成され、光半導体装置が完成する。
【００１４】このような光半導体装置では、外部とのは
んだ付け接続に供されるリードフレームを耐熱性熱可塑
性樹脂により形成された中空容器状の耐熱部の内底部に
配置したので、はんだ付け接続の際に発生する２８０℃
前後の熱により融解することはない。また、光透過部が
確保されているために、光半導体素子の受光部又は発光
部による機能を発揮させることができる。
んだ付け接続に供されるリードフレームを耐熱性熱可塑
性樹脂により形成された中空容器状の耐熱部の内底部に
配置したので、はんだ付け接続の際に発生する２８０℃
前後の熱により融解することはない。また、光透過部が
確保されているために、光半導体素子の受光部又は発光
部による機能を発揮させることができる。
【００１５】一方、光半導体素子を製造する場合におい
て、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成しているので、硬化時
間を１０秒程度と短くすることができる。このため、射
出成形後、第１の成形金型からすぐに光半導体装置を取
り出すことができ、次の工程へと送ることができる。こ
のため、生産性が向上する。また、光透過部１２は中空
容器状に形成された耐熱部１１の中空部１１ａに透明熱
可塑性樹脂を充填して形成するようにしているので、硬
化時間を１０秒程度と短くすることができる。このた
め、射出成形後、第１の成形金型からすぐに光半導体装
置を取り出すことができ、次の工程へと送ることができ
る。このため、生産性が向上する。
て、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成しているので、硬化時
間を１０秒程度と短くすることができる。このため、射
出成形後、第１の成形金型からすぐに光半導体装置を取
り出すことができ、次の工程へと送ることができる。こ
のため、生産性が向上する。また、光透過部１２は中空
容器状に形成された耐熱部１１の中空部１１ａに透明熱
可塑性樹脂を充填して形成するようにしているので、硬
化時間を１０秒程度と短くすることができる。このた
め、射出成形後、第１の成形金型からすぐに光半導体装
置を取り出すことができ、次の工程へと送ることができ
る。このため、生産性が向上する。
【００１６】上述したように本実施例によれば、耐熱性
が必要な部分と光透過性が必要な部分に硬化時間の短い
熱可塑性樹脂を用いることができるため、光半導体装置
の生産性を向上させることができる。また、リードフレ
ームの供給から製品の完成までを一貫したラインで製造
できるようになる。
が必要な部分と光透過性が必要な部分に硬化時間の短い
熱可塑性樹脂を用いることができるため、光半導体装置
の生産性を向上させることができる。また、リードフレ
ームの供給から製品の完成までを一貫したラインで製造
できるようになる。
【００１７】なお、光透過部１２をシリコン、エポキシ
等の透明熱硬化性樹脂で形成するようにしてもよい。す
なわち、第１の成形金型で耐熱部１１を形成した後、第
２の成形金型に設置し、光透過部１２を透明熱硬化性樹
脂であるエポキシ樹脂をキャスティング若しくはトラン
スファモールドによって封止して形成する。この場合に
は光透過部１２の硬化時間が長くなるが、光透過部１２
は既に硬化している耐熱部１１によって保持されている
ので、透明熱硬化性樹脂が硬化中であっても第２の成形
金型から光半導体装置を取り出すことが可能となる、こ
のため、生産効率を向上させることが可能となる。
等の透明熱硬化性樹脂で形成するようにしてもよい。す
なわち、第１の成形金型で耐熱部１１を形成した後、第
２の成形金型に設置し、光透過部１２を透明熱硬化性樹
脂であるエポキシ樹脂をキャスティング若しくはトラン
スファモールドによって封止して形成する。この場合に
は光透過部１２の硬化時間が長くなるが、光透過部１２
は既に硬化している耐熱部１１によって保持されている
ので、透明熱硬化性樹脂が硬化中であっても第２の成形
金型から光半導体装置を取り出すことが可能となる、こ
のため、生産効率を向上させることが可能となる。
【００１８】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。すなわち上記実施例では、耐熱性熱可
塑性樹脂として、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）を用いているが、液晶ポリマ（ＬＣＰ）やポリエー
テルニトリル（ＰＥＮ）を用いるようにしてもよく、こ
れらを混ぜたものを用いてもよい。また、透明熱可塑性
樹脂として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用い
ているが、ポリカーボネート（ＰＣ）、アモルファスポ
レオレフィン系（ＡＰＯ）を用いるようにしてもよく、
これらを混ぜたものを用いてもよい。さらに透明熱硬化
性樹脂として、エポキシ樹脂を用いているが、シリコン
を用いてもよい。このほか本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
るものではない。すなわち上記実施例では、耐熱性熱可
塑性樹脂として、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）を用いているが、液晶ポリマ（ＬＣＰ）やポリエー
テルニトリル（ＰＥＮ）を用いるようにしてもよく、こ
れらを混ぜたものを用いてもよい。また、透明熱可塑性
樹脂として、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）を用い
ているが、ポリカーボネート（ＰＣ）、アモルファスポ
レオレフィン系（ＡＰＯ）を用いるようにしてもよく、
これらを混ぜたものを用いてもよい。さらに透明熱硬化
性樹脂として、エポキシ樹脂を用いているが、シリコン
を用いてもよい。このほか本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージ内部に光半
導体素子が取り付けられたリードフレームが配設されて
なる光半導体装置において、外部とのはんだ付け接続に
供されるリードフレームを耐熱性熱可塑性樹脂により形
成された中空容器状の耐熱部の内底部に配置したので、
はんだ付け接続の際に発生する２８０℃前後の熱により
耐熱部が融解することはない。また、内底部上方の中空
部に光透過部が確保されているために、光半導体素子の
受光部又は発光部による機能を発揮させることが可能で
ある。
導体素子が取り付けられたリードフレームが配設されて
なる光半導体装置において、外部とのはんだ付け接続に
供されるリードフレームを耐熱性熱可塑性樹脂により形
成された中空容器状の耐熱部の内底部に配置したので、
はんだ付け接続の際に発生する２８０℃前後の熱により
耐熱部が融解することはない。また、内底部上方の中空
部に光透過部が確保されているために、光半導体素子の
受光部又は発光部による機能を発揮させることが可能で
ある。
【００２０】一方、光半導体素子を製造する場合におい
て、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成しているので、硬化時
間を１０秒程度と短くすることができる。このため、射
出成形後、成形金型からすぐに光半導体装置を取り出す
ことができ、次の工程へと送ることができる。また、光
透過部は中空容器状に形成された耐熱部の中空部に充填
して形成するようにしているので、充填後すぐに光半導
体装置を金型等から取り出して次の工程へと送ることが
できる。したがって、光半導体装置の生産性を向上させ
ることが可能である。
て、耐熱部を熱可塑性樹脂で形成しているので、硬化時
間を１０秒程度と短くすることができる。このため、射
出成形後、成形金型からすぐに光半導体装置を取り出す
ことができ、次の工程へと送ることができる。また、光
透過部は中空容器状に形成された耐熱部の中空部に充填
して形成するようにしているので、充填後すぐに光半導
体装置を金型等から取り出して次の工程へと送ることが
できる。したがって、光半導体装置の生産性を向上させ
ることが可能である。
【図１】本発明の一実施例に係る光半導体装置の断面
図。
図。
【図２】同装置の製造方法を示す工程図。
１０…パッケージ １１…耐熱部 １２…光透過部 ２０…リードフレ
ーム ２１…ダイパッド部 ２２…リード部 ２２ａ…接合部 ３０…光半導体素
子 ３１…端子 ３２…ボンディン
グワイヤ ４０…第１の成形金型 ４０ａ…上型 ４０ｂ…下型 ５０…第２の成形
金型
ーム ２１…ダイパッド部 ２２…リード部 ２２ａ…接合部 ３０…光半導体素
子 ３１…端子 ３２…ボンディン
グワイヤ ４０…第１の成形金型 ４０ａ…上型 ４０ｂ…下型 ５０…第２の成形
金型
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 31/02
Claims (4)
- 【請求項１】パッケージ内部に光半導体素子が取り付け
られたリードフレームが配設されてなる光半導体装置に
おいて、 前記パッケージは、一端部が開放した中空容器状に形成
され、前記リードフレームの前記光半導体素子が設けら
れた側が中空部の内底部に露出して配置された耐熱性熱
可塑性樹脂からなる耐熱部と、この耐熱部の中空部内に
充填された透明樹脂からなる透明部とを備えていること
を特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】前記透明樹脂は透明熱可塑性樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。 - 【請求項３】前記透明樹脂は透明熱硬化性樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。 - 【請求項４】光半導体素子を樹脂により封止する光半導
体装置製造方法において、 成形金型内にリードフレームを設置する工程と、 前記成形金型内に耐熱性熱可塑性樹脂を充填して一端部
が開放した中空容器状でその内底部に前記リードフレー
ムが露出した耐熱部を形成する工程と、 前記リードフレームの前記中空容器の内底部が露出した
部分に光半導体素子を搭載する工程と、 前記光半導体素子の各端子を前記リードフレームの所定
のリード部にワイヤで接続する工程と、 前記耐熱部の中空部に透明樹脂を充填する工程とを備え
ていることを特徴とする光半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6077368A JPH07283441A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6077368A JPH07283441A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283441A true JPH07283441A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13631966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6077368A Pending JPH07283441A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283441A (ja) |
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