JPH05206183A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05206183A JPH05206183A JP1377092A JP1377092A JPH05206183A JP H05206183 A JPH05206183 A JP H05206183A JP 1377092 A JP1377092 A JP 1377092A JP 1377092 A JP1377092 A JP 1377092A JP H05206183 A JPH05206183 A JP H05206183A
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- Japan
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- case
- terminal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程を簡略化し、製造時間
の短縮化、製造コストの低減化を図る。 【構成】 金型Ｍ内に、端子５を載置した回路基板１が
底面となるようにセットし、この状態でケース６′と回
路基板１と端子５とを射出成型により一体成型し、その
後回路基板１に電子部品４を搭載し、次にケース６′と
回路基板１とで形成された凹部に封止樹脂８を注入封止
してなることを特徴とする。
の短縮化、製造コストの低減化を図る。 【構成】 金型Ｍ内に、端子５を載置した回路基板１が
底面となるようにセットし、この状態でケース６′と回
路基板１と端子５とを射出成型により一体成型し、その
後回路基板１に電子部品４を搭載し、次にケース６′と
回路基板１とで形成された凹部に封止樹脂８を注入封止
してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板より外部接続用
の端子を引き出している半導体装置の製造方法に関す
る。
の端子を引き出している半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術について、図２を参照して説明
する。図２（ａ）乃至（ｆ）は従来例による半導体装置
の製造方法を示す工程図である。
する。図２（ａ）乃至（ｆ）は従来例による半導体装置
の製造方法を示す工程図である。
【０００３】図２（ａ）に示す金属ベース絶縁回路基板
１上の銅箔パターン２に、図２（ｂ）に示すようにハン
ダクリーム３を盛る。
１上の銅箔パターン２に、図２（ｂ）に示すようにハン
ダクリーム３を盛る。
【０００４】次に、図２（ｃ）に示すように集積回路を
構成するのに必要な半導体を含む電子部品４をハンダク
リーム３上に載置し、この状態で加熱しハンダを溶融さ
せて、図２（ｄ）のように電子部品４のハンダ付けを完
了する。
構成するのに必要な半導体を含む電子部品４をハンダク
リーム３上に載置し、この状態で加熱しハンダを溶融さ
せて、図２（ｄ）のように電子部品４のハンダ付けを完
了する。
【０００５】次に、図２（ｅ）に示すように金属ベース
絶縁回路基板１の外周部に、壁面となる端子５を有する
ケース６をシリコンあるいはエポキシ等の接着剤７で固
着する。
絶縁回路基板１の外周部に、壁面となる端子５を有する
ケース６をシリコンあるいはエポキシ等の接着剤７で固
着する。
【０００６】その後、最後にケース６の内部に液状封止
樹脂８を注入・硬化して（図２（ｆ）参照）強度ならび
に信頼性を維持できるようにしている。
樹脂８を注入・硬化して（図２（ｆ）参照）強度ならび
に信頼性を維持できるようにしている。
【０００７】なお、ケース６と端子５は熱可塑性樹脂を
使用して、射出成型によって作られている。
使用して、射出成型によって作られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
な従来の半導体装置の製造方法においては、封止樹脂と
して液状樹脂８を注入・硬化するために、その樹脂注入
用の容器となる壁面を形成するにあたり、ケース６をこ
の容器の壁面となる金属ベース絶縁回路基板１に固着す
る、いわゆる接着工程（図２（ｅ））が必要となる。
な従来の半導体装置の製造方法においては、封止樹脂と
して液状樹脂８を注入・硬化するために、その樹脂注入
用の容器となる壁面を形成するにあたり、ケース６をこ
の容器の壁面となる金属ベース絶縁回路基板１に固着す
る、いわゆる接着工程（図２（ｅ））が必要となる。
【０００９】この接着工程は、一般にシリコンあるいは
エポキシ材が使用されるが、これらを使用した接着作業
は比較的時間を要し、また熱硬化性接着剤の場合は加熱
槽などの設備を必要とするためかえって製造コストが高
くつく。
エポキシ材が使用されるが、これらを使用した接着作業
は比較的時間を要し、また熱硬化性接着剤の場合は加熱
槽などの設備を必要とするためかえって製造コストが高
くつく。
【００１０】本発明は、上記に鑑み、樹脂封止用の凹部
を形成するための回路基板とケースおよび端子との接着
工程を簡略化することで、製造時間の短縮および低コス
ト化を実現し得る半導体装置の製造方法の提供を目的と
する。
を形成するための回路基板とケースおよび端子との接着
工程を簡略化することで、製造時間の短縮および低コス
ト化を実現し得る半導体装置の製造方法の提供を目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、回路基板の周囲を囲む枠状ケースの形成用
金型の内部に、外部接続用の端子を載置した回路基板が
底面となるようにセットし、前記ケースと前記回路基板
と前記端子とを熱可塑性樹脂を使用した射出成型により
一体成型し、その後前記回路基板に半導体素子を含む電
子部品を搭載し、次に前記ケースと前記回路基板とで形
成された凹部に封止樹脂を注入して封止してなることを
特徴とする。
に本発明は、回路基板の周囲を囲む枠状ケースの形成用
金型の内部に、外部接続用の端子を載置した回路基板が
底面となるようにセットし、前記ケースと前記回路基板
と前記端子とを熱可塑性樹脂を使用した射出成型により
一体成型し、その後前記回路基板に半導体素子を含む電
子部品を搭載し、次に前記ケースと前記回路基板とで形
成された凹部に封止樹脂を注入して封止してなることを
特徴とする。
【００１２】
【作用】ケースと回路基板と端子とを、ケース成型時の
射出成型により一体成型するので、従来のように別工程
で一体化したケース及び端子をさらに接着剤によって回
路基板に接着するという工程が不要となり、製造工程を
著しく簡略化できる。この結果、製造時間の短縮化及び
低コスト化を実現できる。
射出成型により一体成型するので、従来のように別工程
で一体化したケース及び端子をさらに接着剤によって回
路基板に接着するという工程が不要となり、製造工程を
著しく簡略化できる。この結果、製造時間の短縮化及び
低コスト化を実現できる。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例について図１を参照して説
明する。図１（ａ）乃至（ｆ）は本実施例による半導体
装置の製造方法を示す工程図である。
明する。図１（ａ）乃至（ｆ）は本実施例による半導体
装置の製造方法を示す工程図である。
【００１４】なお、図２に示した従来例と同一機能部分
には同一符号を付している。
には同一符号を付している。
【００１５】図１（ａ）に示すように、金属ベース絶縁
回路基板１及び端子５を金型Ｍ内に嵌め込み、いわゆる
インサート成型によりケース６′を形成する。
回路基板１及び端子５を金型Ｍ内に嵌め込み、いわゆる
インサート成型によりケース６′を形成する。
【００１６】これにより、絶縁回路基板１を底面としこ
れを囲むよう、ケース６′が絶縁回路基板１及び端子５
と一体化されて接合されているので、上面に開口を有す
る樹脂封止用の容器（凹部）ができあがる（図１（ｂ）
参照）。なお、ケース６′の材質は、後工程のハンダ付
け時の加熱に耐えるために熱変形温度が２３０℃以上の
熱可塑性樹脂が良い。
れを囲むよう、ケース６′が絶縁回路基板１及び端子５
と一体化されて接合されているので、上面に開口を有す
る樹脂封止用の容器（凹部）ができあがる（図１（ｂ）
参照）。なお、ケース６′の材質は、後工程のハンダ付
け時の加熱に耐えるために熱変形温度が２３０℃以上の
熱可塑性樹脂が良い。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、底面であ
る絶縁回路基板１上の部品搭載領域の銅箔パターン２上
にハンダクリーム３を供給する。このハンダクリーム３
は例えば融点１８３℃のＳｎ／Ｐｂ共晶ハンダを用い
る。
る絶縁回路基板１上の部品搭載領域の銅箔パターン２上
にハンダクリーム３を供給する。このハンダクリーム３
は例えば融点１８３℃のＳｎ／Ｐｂ共晶ハンダを用い
る。
【００１８】そして、図１（ｄ）に示すように、このハ
ンダクリーム３上に所定の部品、すなわち集積回路を構
成するのに必要な半導体素子を含む電子部品４を載置
し、この状態で加熱し、図１（ｅ）のようにハンダを溶
融させてハンダ付けする。
ンダクリーム３上に所定の部品、すなわち集積回路を構
成するのに必要な半導体素子を含む電子部品４を載置
し、この状態で加熱し、図１（ｅ）のようにハンダを溶
融させてハンダ付けする。
【００１９】その後、ハンダ付け部の不純物残渣を除去
し、図１（ｂ）で形成された容器の上面の開口から液状
封止樹脂８を注入し加熱・硬化させて図１（ｆ）のよう
に集積回路搭載の半導体装置が組み上がる。
し、図１（ｂ）で形成された容器の上面の開口から液状
封止樹脂８を注入し加熱・硬化させて図１（ｆ）のよう
に集積回路搭載の半導体装置が組み上がる。
【００２０】このように、ケース６′をつくる際、金属
ベース絶縁回路基板１が底面となるよう絶縁回路基板１
を金型Ｍにインサートして射出成型し、ケース６′と絶
縁回路基板１と端子５とを一体的に接合することによっ
て、端子５付きのケース６′と同様に、注入樹脂の容器
を作ることができるから、従来のような絶縁回路基板１
と端子５付きケース６′との接着工程を不要とし、半導
体製造工程を簡略化できる。したがって、製造時間を短
縮でき、しかも製造コストも安くつく。
ベース絶縁回路基板１が底面となるよう絶縁回路基板１
を金型Ｍにインサートして射出成型し、ケース６′と絶
縁回路基板１と端子５とを一体的に接合することによっ
て、端子５付きのケース６′と同様に、注入樹脂の容器
を作ることができるから、従来のような絶縁回路基板１
と端子５付きケース６′との接着工程を不要とし、半導
体製造工程を簡略化できる。したがって、製造時間を短
縮でき、しかも製造コストも安くつく。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、回
路基板より外部接続用の端子を平行に引き出している半
導体装置の製造工程を著しく簡略化でき、製造時間の短
縮化及び低コスト化を実現できる。
路基板より外部接続用の端子を平行に引き出している半
導体装置の製造工程を著しく簡略化でき、製造時間の短
縮化及び低コスト化を実現できる。
【図１】（ａ）乃至（ｆ）は本発明の一実施例による半
導体装置の製造方法を示す工程図である。
導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】（ａ）乃至（ｆ）は従来例による半導体装置の
製造方法を示す工程図である。
製造方法を示す工程図である。
１ 回路基板 ４ 電子部品 ５ 端子 ６′ケース ８ 封止樹脂 Ｍ 形成用金型
Claims (1)
- 【請求項１】 回路基板の周囲を囲む枠状ケースの形成
用金型の内部に、外部接続用の端子を載置した回路基板
が底面となるようにセットし、前記ケースと前記回路基
板と前記端子とを熱可塑性樹脂を使用した射出成型によ
り一体成型し、その後前記回路基板に半導体素子を含む
電子部品を搭載し、次に前記ケースと前記回路基板とで
形成された凹部に封止樹脂を注入して封止してなること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1377092A JPH05206183A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1377092A JPH05206183A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206183A true JPH05206183A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11842487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1377092A Pending JPH05206183A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206183A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08203942A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10396056B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-08-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device fabrication method |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP1377092A patent/JPH05206183A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08203942A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US10396056B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-08-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device fabrication method |
| US11075190B2 (en) | 2015-07-01 | 2021-07-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device fabrication method |
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