JPH01152676A - 発光ダイオード装置 - Google Patents
発光ダイオード装置Info
- Publication number
- JPH01152676A JPH01152676A JP62311226A JP31122687A JPH01152676A JP H01152676 A JPH01152676 A JP H01152676A JP 62311226 A JP62311226 A JP 62311226A JP 31122687 A JP31122687 A JP 31122687A JP H01152676 A JPH01152676 A JP H01152676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synthetic resin
- light emitting
- lens part
- recess
- thermosetting synthetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光部を合成樹脂製のレンズによってモール
ドした発光ダイオードの改良に関するものである。
ドした発光ダイオードの改良に関するものである。
従来、発光ダイオードにおける発光部をモールドするレ
ンズ部は、エポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂製にする
のが、例えば、特開昭５９−２２９８８４号公報等に記
載されているように一般的であり、発光部をモールドす
るレンズ部を熱硬化性合成樹脂製にするのは、両リード
線を前記モールドの後において半田メツキすること等に
対して耐熱性と、強度とを保持することにある。
ンズ部は、エポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂製にする
のが、例えば、特開昭５９−２２９８８４号公報等に記
載されているように一般的であり、発光部をモールドす
るレンズ部を熱硬化性合成樹脂製にするのは、両リード
線を前記モールドの後において半田メツキすること等に
対して耐熱性と、強度とを保持することにある。
しかし、発光部をモールドするレンズ部を、熱硬化性合
成樹脂製にした場合、当該レンズ部の成形は、エポキシ
樹脂に対して離型性を有するポリプロピレン樹脂製の成
形型内に、エポキシ樹脂とその硬化剤とを注入し、これ
に両リード線の先端における発光部を挿入したのち、約
５０〜９０分の間、約１５０℃に加熱することによって
前記エポキシ樹脂を硬化させることによって行うもので
あって、前記加熱硬化のために長い時間を必要とするか
ら、リードフレームを長いフープ状に連続した状態で製
造することができず、生産性が低いのであり、しかも、
前記ポリプロピレン樹脂製の成形型は、約１０回程度の
使用によって離型性を喪失し、成形型は頻繁に取替えし
なけれぼならないから、前記生産性の低いことと相俟っ
て、製造コストが可成り嵩む点に問題があった。
成樹脂製にした場合、当該レンズ部の成形は、エポキシ
樹脂に対して離型性を有するポリプロピレン樹脂製の成
形型内に、エポキシ樹脂とその硬化剤とを注入し、これ
に両リード線の先端における発光部を挿入したのち、約
５０〜９０分の間、約１５０℃に加熱することによって
前記エポキシ樹脂を硬化させることによって行うもので
あって、前記加熱硬化のために長い時間を必要とするか
ら、リードフレームを長いフープ状に連続した状態で製
造することができず、生産性が低いのであり、しかも、
前記ポリプロピレン樹脂製の成形型は、約１０回程度の
使用によって離型性を喪失し、成形型は頻繁に取替えし
なけれぼならないから、前記生産性の低いことと相俟っ
て、製造コストが可成り嵩む点に問題があった。
本発明は、この問題を解消した発光ダイオード装置を提
供することを目的とするものである。
供することを目的とするものである。
ｃ問題を解決するための手段〕
・ この目的を達成するため本発明は、発光ダイオード
における発光部をモールドするレンズ部を、熱可塑性合
成樹脂製にする一方、該レンズ部には、当該レンズ部か
ら両リード線が突出する付根部に凹み部を設け、該凹み
部内に、光拡散剤を混入した熱硬化性合成樹脂体を装着
する構成にした。
における発光部をモールドするレンズ部を、熱可塑性合
成樹脂製にする一方、該レンズ部には、当該レンズ部か
ら両リード線が突出する付根部に凹み部を設け、該凹み
部内に、光拡散剤を混入した熱硬化性合成樹脂体を装着
する構成にした。
このように構成すると、発光部をモールドするレンズ部
を、リードフレームを挟んだ金属製の成型金型内に熱可
塑性合成樹脂を射出することによって成形し、この射出
成形に同時に形成した凹み部内に、予め光拡散剤（フィ
ラー）を混入した熱硬化性合成樹脂を充填することによ
って製造することができ、前記した従来のような長い時
間を要する硬化工程を必要としないから、その製造行程
は、従来よりも遥かに簡単になり、リードフレームを長
いフープ状に連続した状態で製造することが可能になる
と共に、熱可塑性合成樹脂の射出形成であるから、成形
金型の寿命も、前記従来の熱硬化性合成樹脂に対するポ
リプロピレン樹脂製の成形型とは比較にならないほど増
大できるのである。
を、リードフレームを挟んだ金属製の成型金型内に熱可
塑性合成樹脂を射出することによって成形し、この射出
成形に同時に形成した凹み部内に、予め光拡散剤（フィ
ラー）を混入した熱硬化性合成樹脂を充填することによ
って製造することができ、前記した従来のような長い時
間を要する硬化工程を必要としないから、その製造行程
は、従来よりも遥かに簡単になり、リードフレームを長
いフープ状に連続した状態で製造することが可能になる
と共に、熱可塑性合成樹脂の射出形成であるから、成形
金型の寿命も、前記従来の熱硬化性合成樹脂に対するポ
リプロピレン樹脂製の成形型とは比較にならないほど増
大できるのである。
また、前記のように発光部をモールドするレンズ部を、
熱可塑性合成樹脂製にしたものでありながら、当該レン
ズ部において、当該レンズ部から両リード線が突出する
付根部に凹み部を設け、この凹み部内に熱硬化性合成樹
脂体を装着したことにより、この熱硬化性合成樹脂体が
、両リード線を半田メツキすること等に対する耐熱性と
、強度とを保証するのであり、更にまた、前記凹み部内
に装着した光拡散剤入り熱硬化性合成樹脂体は、発光部
からの光に対して反射板としての作用をなすのである。
熱可塑性合成樹脂製にしたものでありながら、当該レン
ズ部において、当該レンズ部から両リード線が突出する
付根部に凹み部を設け、この凹み部内に熱硬化性合成樹
脂体を装着したことにより、この熱硬化性合成樹脂体が
、両リード線を半田メツキすること等に対する耐熱性と
、強度とを保証するのであり、更にまた、前記凹み部内
に装着した光拡散剤入り熱硬化性合成樹脂体は、発光部
からの光に対して反射板としての作用をなすのである。
従って本発明によると、耐熱性と強度とを損なうことな
く、発光ダイオードの生産性と、成形金型の寿命とを向
上することができるから、所定の耐熱性と強度とを備え
た発光ダイオードを著しく安価に提供できると共に、光
拡散剤入り熱硬化性合成樹脂体の反射作用により、発光
ダイオードにおける発光効率を向上できる効果を有する
。
く、発光ダイオードの生産性と、成形金型の寿命とを向
上することができるから、所定の耐熱性と強度とを備え
た発光ダイオードを著しく安価に提供できると共に、光
拡散剤入り熱硬化性合成樹脂体の反射作用により、発光
ダイオードにおける発光効率を向上できる効果を有する
。
以下本発明の実施例を図面（第１図及び第２図）につい
て説明するに、図において符号１は、本発明による発光
ダイオードを示し、この発光ダイオード１は、カソード
リード線２と、アノードリード線３と、前記カソードリ
ード線２の先端にマウントされた発光チップ４と、該発
光チップと前記アノードリード線３の先端とを接続する
金線５と、並びにこれら両リード線２，３の先端におけ
る発光部をモールドするレンズ部６とによって構成され
ている。
て説明するに、図において符号１は、本発明による発光
ダイオードを示し、この発光ダイオード１は、カソード
リード線２と、アノードリード線３と、前記カソードリ
ード線２の先端にマウントされた発光チップ４と、該発
光チップと前記アノードリード線３の先端とを接続する
金線５と、並びにこれら両リード線２，３の先端におけ
る発光部をモールドするレンズ部６とによって構成され
ている。
そして、前記レンズ部６を、ポリカーボネート樹脂やア
クリル樹脂等の透明な熱可塑性合成樹脂にて、該レンズ
部６から両リード線２．３が突出する付根部に凹み部７
を設けて形成し、前記凹み部７内に、予め光拡散剤（フ
ィラー）を混入して白色に着色したエポキシ樹脂等の熱
硬化性合成樹脂体８を装着した構成にする。
クリル樹脂等の透明な熱可塑性合成樹脂にて、該レンズ
部６から両リード線２．３が突出する付根部に凹み部７
を設けて形成し、前記凹み部７内に、予め光拡散剤（フ
ィラー）を混入して白色に着色したエポキシ樹脂等の熱
硬化性合成樹脂体８を装着した構成にする。
このようにレンズ部６を、熱可塑性合成樹脂製にしたも
のでありながら、当該レンズ部６から両リード線２，３
が突出する部分に凹み部７を設けて、この凹み部７内に
熱硬化性合成樹脂体８を装着したことにより、レンズ部
６を熱可塑性合成樹脂製にしたことによる耐熱性及び強
度の低下を、前記凹み部７内に装着した熱硬化性合成樹
脂体８によって防止することができる一方、この熱硬化
性合成樹脂体８に光拡散剤を混入したことにより、前記
発光チップ４において発光する光を、レンズ部６の先端
に向け′て反射することができるのである。
のでありながら、当該レンズ部６から両リード線２，３
が突出する部分に凹み部７を設けて、この凹み部７内に
熱硬化性合成樹脂体８を装着したことにより、レンズ部
６を熱可塑性合成樹脂製にしたことによる耐熱性及び強
度の低下を、前記凹み部７内に装着した熱硬化性合成樹
脂体８によって防止することができる一方、この熱硬化
性合成樹脂体８に光拡散剤を混入したことにより、前記
発光チップ４において発光する光を、レンズ部６の先端
に向け′て反射することができるのである。
なお、前記発光ダイオード１を製造するに際しては、先
づ、第３図に示すように、薄い金属板を打ち抜いて、一
つの発光ダイオードを構成するカソードリード線２とア
ノードリード線３とを適宜間隔で多数本成形したリード
フレーム９を形成し、このリードフレーム９を矢印Ａ方
向に移送する途次において、当該リードフレーム１にお
ける各カソードリード線２の先端に発光チップ４を各々
マウントしたのち、この各発光チップ４と各アノードリ
ード線３との間を金線５にて各々接続する。
づ、第３図に示すように、薄い金属板を打ち抜いて、一
つの発光ダイオードを構成するカソードリード線２とア
ノードリード線３とを適宜間隔で多数本成形したリード
フレーム９を形成し、このリードフレーム９を矢印Ａ方
向に移送する途次において、当該リードフレーム１にお
ける各カソードリード線２の先端に発光チップ４を各々
マウントしたのち、この各発光チップ４と各アノードリ
ード線３との間を金線５にて各々接続する。
次イで、このリードフレーム９を、その矢印Ａへの移送
途中において、各発光ダイオードにおけるレンズ部６を
形成するための左右二つ割りの金属製の成形金型１０．
１１間に、第４図に示すように、両リード線２．３の先
端部が成形空間部１２内に突出するように挟み込みんだ
のち、成形空間部１２内に、熱可塑性合成樹脂を射出す
ることにより、レンズ部６を射出成形する（このとき、
同時に凹み部７を形成する）。そして、前記各レンズ部
６における凹み部７内に、第５図に示すように、予め光
拡散剤を混入した熱硬化性合成樹脂８をノズル１３から
液体の状態で注入して硬化し、次いで、各リード線２．
３に半田メツキ等の各種を処理を行ったのち、発光ダイ
オードｌをリードフレーム９から切り放すようにすれば
良いのである。
途中において、各発光ダイオードにおけるレンズ部６を
形成するための左右二つ割りの金属製の成形金型１０．
１１間に、第４図に示すように、両リード線２．３の先
端部が成形空間部１２内に突出するように挟み込みんだ
のち、成形空間部１２内に、熱可塑性合成樹脂を射出す
ることにより、レンズ部６を射出成形する（このとき、
同時に凹み部７を形成する）。そして、前記各レンズ部
６における凹み部７内に、第５図に示すように、予め光
拡散剤を混入した熱硬化性合成樹脂８をノズル１３から
液体の状態で注入して硬化し、次いで、各リード線２．
３に半田メツキ等の各種を処理を行ったのち、発光ダイ
オードｌをリードフレーム９から切り放すようにすれば
良いのである。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は発光ダイオード
の縦断正面図、第２図は第１図の■−■視断面断面図３
図は製造工程を示す図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ視
拡大断面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ視拡大断面図であ
る。 １・・・・発光ダイオード、２・・・・カソードリード
線、３・・・・アノードリード線、４・・・・発光チッ
プ、６・・・・レンズ部、７・・・・凹み部、８・・・
・熱硬化性合成樹脂体。
の縦断正面図、第２図は第１図の■−■視断面断面図３
図は製造工程を示す図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ視
拡大断面図、第５図は第３図のＶ−Ｖ視拡大断面図であ
る。 １・・・・発光ダイオード、２・・・・カソードリード
線、３・・・・アノードリード線、４・・・・発光チッ
プ、６・・・・レンズ部、７・・・・凹み部、８・・・
・熱硬化性合成樹脂体。
Claims (1)
- （１）、発光ダイオードにおける発光部をモールドする
レンズ部を、熱可塑性合成樹脂製にする一方、該レンズ
部には、当該レンズ部から両リード線が突出する付根部
に凹み部を設け、該凹み部内に、光拡散剤を混入した熱
硬化性合成樹脂体を装着したことを特徴とする発光ダイ
オード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31122687A JPH081963B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 発光ダイオード装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31122687A JPH081963B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 発光ダイオード装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152676A true JPH01152676A (ja) | 1989-06-15 |
| JPH081963B2 JPH081963B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=18014612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31122687A Expired - Lifetime JPH081963B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 発光ダイオード装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081963B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0440554U (ja) * | 1990-07-31 | 1992-04-07 | ||
| KR19990013680A (ko) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 사토겐이치로 | 반도체 발광소자 |
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| KR20020045694A (ko) * | 2000-12-09 | 2002-06-20 | 이택렬 | 광 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| KR20030024283A (ko) * | 2001-09-17 | 2003-03-26 | 광전자 주식회사 | 방열 리드프레임과 이를 이용한 광 반도체 소자 및 그제조방법과, 반도체 소자 |
| JP2005210587A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 超音波センサ用音響整合層の製造方法および成形型 |
| US7128444B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31122687A patent/JPH081963B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0440554U (ja) * | 1990-07-31 | 1992-04-07 | ||
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| US6084252A (en) * | 1997-03-10 | 2000-07-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR19990013680A (ko) * | 1997-07-30 | 1999-02-25 | 사토겐이치로 | 반도체 발광소자 |
| KR20020045694A (ko) * | 2000-12-09 | 2002-06-20 | 이택렬 | 광 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| KR20030024283A (ko) * | 2001-09-17 | 2003-03-26 | 광전자 주식회사 | 방열 리드프레임과 이를 이용한 광 반도체 소자 및 그제조방법과, 반도체 소자 |
| US7128444B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
| JP2005210587A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 超音波センサ用音響整合層の製造方法および成形型 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081963B2 (ja) | 1996-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7267791B2 (en) | Method for the production of light-guiding LED bodies in two chronologically separate stages | |
| US20090278267A1 (en) | Method for manufacturing light guide plates | |
| DE10137336A1 (de) | Kollimierende Lampe | |
| JPH01152676A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| JP5554691B2 (ja) | Ｌｅｄチップ実装用基板の金型、及び、ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法 | |
| JP2009302241A (ja) | 樹脂封止体の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ | |
| JPH0653554A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JPH098357A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP3326275B2 (ja) | 発光ダイオードランプにおけるレンズ部用合成樹脂製成形型の成形方法 | |
| JPH04329680A (ja) | 発光装置 | |
| JPH0466381B2 (ja) | ||
| JP2017027991A (ja) | 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型 | |
| JPS63293584A (ja) | 発光表示体 | |
| KR20050082711A (ko) | 렌즈몰딩부를 구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH0329382A (ja) | Ｌｅｄランプの製造方法 | |
| JPH01166591A (ja) | レーザダイオード | |
| WO2016006650A1 (ja) | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、成形装置 | |
| JPH09129077A (ja) | 照光式キートップおよびその製造方法 | |
| KR20180002733U (ko) | 표면실장형 led등 및 그 제조 방법 | |
| JP7295479B2 (ja) | パッケージ及び発光装置 | |
| JPH06163995A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN211789077U (zh) | 一种贴片式led封装支架 | |
| JP2018067580A (ja) | 電子制御装置 | |
| JP2617236B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05129731A (ja) | モールド型半導体レーザ装置の製造方法 |