JPH05129731A - モールド型半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
モールド型半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH05129731A JPH05129731A JP3290119A JP29011991A JPH05129731A JP H05129731 A JPH05129731 A JP H05129731A JP 3290119 A JP3290119 A JP 3290119A JP 29011991 A JP29011991 A JP 29011991A JP H05129731 A JPH05129731 A JP H05129731A
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- semiconductor laser
- laser chip
- synthetic resin
- frame
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体レーザチップ８の部分を、合成樹脂製
の封止材１１，１２にて封止する場合において、前記半
導体レーザチップにおける性能の劣化、及び金属線の切
断が発生しないようにする。 【構成】 前記半導体レーザチップ８をマウントする支
持板５に、前記半導体レーザチップ８を囲う枠型に形成
した合成樹脂製の枠体６をトランスフア成形によって一
体的に成形し、この枠体６内に、前記合成樹脂製の封止
材を、液体の状態で流し込み注入する。
の封止材１１，１２にて封止する場合において、前記半
導体レーザチップにおける性能の劣化、及び金属線の切
断が発生しないようにする。 【構成】 前記半導体レーザチップ８をマウントする支
持板５に、前記半導体レーザチップ８を囲う枠型に形成
した合成樹脂製の枠体６をトランスフア成形によって一
体的に成形し、この枠体６内に、前記合成樹脂製の封止
材を、液体の状態で流し込み注入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線の発光素子
として、半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装
置のうち、前記半導体レーザチップの部分を合成樹脂製
のモールド部にて封止したいわゆるモールド型半導体レ
ーザ装置の製造方法に関するものである。
として、半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装
置のうち、前記半導体レーザチップの部分を合成樹脂製
のモールド部にて封止したいわゆるモールド型半導体レ
ーザ装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のモールド型半導体レーザ
装置は、例えば、特開昭６４−２８８８２号公報等に記
載され、且つ、図１４及び図１５に示すように、第１リ
ード端子Ｂを備えた支持板Ａに対してマウントした半導
体レーザチップＣの部分を、透光性を有する合成樹脂製
のモールド部Ｄにて封止し、前記モールド部Ｄのうち前
記半導体レーザチップＣにおける前方劈開面からのレー
ザ光線Ｅが発射される部分に、ガラス板等の透明板Ｆを
装着することによって、レーザ光線Ｅをコーヒレントな
状態で発射するようにしている。なお、符号Ｇ，Ｈは、
前記第２及び第３リード端子を示す。
装置は、例えば、特開昭６４−２８８８２号公報等に記
載され、且つ、図１４及び図１５に示すように、第１リ
ード端子Ｂを備えた支持板Ａに対してマウントした半導
体レーザチップＣの部分を、透光性を有する合成樹脂製
のモールド部Ｄにて封止し、前記モールド部Ｄのうち前
記半導体レーザチップＣにおける前方劈開面からのレー
ザ光線Ｅが発射される部分に、ガラス板等の透明板Ｆを
装着することによって、レーザ光線Ｅをコーヒレントな
状態で発射するようにしている。なお、符号Ｇ，Ｈは、
前記第２及び第３リード端子を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のモ
ールド型半導体レーザ装置においては、その半導体レー
ザチップＣを封止する合成樹脂製のモールド部Ｄは、前
記特開昭６４−２８８８２号公報等に記載されているよ
うに、トランスフア成形方法によって成形するようにし
ている。
ールド型半導体レーザ装置においては、その半導体レー
ザチップＣを封止する合成樹脂製のモールド部Ｄは、前
記特開昭６４−２８８８２号公報等に記載されているよ
うに、トランスフア成形方法によって成形するようにし
ている。
【０００４】しかし、このトランスフア成形方法は、支
持板Ａに半導体レーザチップＣをマウントし、次いで該
半導体レーザチップＣと各リード端子Ｇ，Ｈとの間を細
い金属線にてワイヤーボンディングしたのち、これらを
一対の金型にて挟み付けて、両金型におけるキャビティ
ー内に溶融状態の合成樹脂を高い圧力で充填するもので
あって、このモールド部Ｄにおけるトランスフア成形に
際して、半導体レーザチップＣ及び各金属線は、前記キ
ャビティー内に圧力充填される溶融合成樹脂によって、
圧力によるダメージと、熱によるダメージとの両方を同
時に受けることになるから、半導体レーザチップＣの性
能が劣化したり、或いは、前記細い金属線に切断が発生
したりすることになって、製品の歩留り率が低下と言う
問題があった。
持板Ａに半導体レーザチップＣをマウントし、次いで該
半導体レーザチップＣと各リード端子Ｇ，Ｈとの間を細
い金属線にてワイヤーボンディングしたのち、これらを
一対の金型にて挟み付けて、両金型におけるキャビティ
ー内に溶融状態の合成樹脂を高い圧力で充填するもので
あって、このモールド部Ｄにおけるトランスフア成形に
際して、半導体レーザチップＣ及び各金属線は、前記キ
ャビティー内に圧力充填される溶融合成樹脂によって、
圧力によるダメージと、熱によるダメージとの両方を同
時に受けることになるから、半導体レーザチップＣの性
能が劣化したり、或いは、前記細い金属線に切断が発生
したりすることになって、製品の歩留り率が低下と言う
問題があった。
【０００５】本発明は、半導体レーザチップの部分を合
成樹脂製のモールド部にて封止するに際して、前記半導
体レーザチップの性能が劣化すること、及び金属線に切
断が発生することを確実に低減できるようにした製造方
法を提供することを技術的課題とするものである。
成樹脂製のモールド部にて封止するに際して、前記半導
体レーザチップの性能が劣化すること、及び金属線に切
断が発生することを確実に低減できるようにした製造方
法を提供することを技術的課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、半導体レーザチップをマウントする支
持板及び前記半導体レーザチップに対するリード端子の
部分に、前記半導体レーザチップを囲うように枠型に形
成した合成樹脂製の枠体をトランスフア成形によって一
体的に成形し、次いで、支持板に対する前記半導体レー
ザチップのマウント及びワイヤーボンディングを行い、
次に、前記枠体のうち前記半導体レーザチップにおける
前方劈開面と対向する部分にガラス板等の透明板を固着
し、そして、前記枠体の内部に、前記半導体レーザチッ
プに対する合成樹脂製の封止材を液体の状態で流し込み
注入したのち硬化すると言う方法を採用した。
るため本発明は、半導体レーザチップをマウントする支
持板及び前記半導体レーザチップに対するリード端子の
部分に、前記半導体レーザチップを囲うように枠型に形
成した合成樹脂製の枠体をトランスフア成形によって一
体的に成形し、次いで、支持板に対する前記半導体レー
ザチップのマウント及びワイヤーボンディングを行い、
次に、前記枠体のうち前記半導体レーザチップにおける
前方劈開面と対向する部分にガラス板等の透明板を固着
し、そして、前記枠体の内部に、前記半導体レーザチッ
プに対する合成樹脂製の封止材を液体の状態で流し込み
注入したのち硬化すると言う方法を採用した。
【０００７】
【作 用】このように、半導体レーザチップの支持板及
びリード端子に、合成樹脂製の枠体をトランスフア成形
によって一体的に成形し、前記半導体レーザチップのマ
ウント及びワイヤーボンディング並びに透明板の固着を
行ったのち、前記枠体の内部に、合成樹脂製の封止材
を、液体の状態で流し込み注入したのち硬化することに
より、前記支持板にマウントした半導体レーザチップの
部分を、前記枠体内における合成樹脂製の封止材によっ
て、確実に封止することができる一方、この合成樹脂製
の封止材は、従来におけるモールド部のようにトランス
フア成形によって成形したものではなく、半導体レーザ
チップ及びリード端子の部分に予めトランスフア成形に
よって一体的に成形した枠体の内部に、合成樹脂を液体
の状態で流し込み注入して硬化したものであるから、前
記半導体レーザチップ及びこれに接続した各金属線に対
して、従来のように、圧力及び熱によるダメージを及ぼ
すことを防止できるのである。
びリード端子に、合成樹脂製の枠体をトランスフア成形
によって一体的に成形し、前記半導体レーザチップのマ
ウント及びワイヤーボンディング並びに透明板の固着を
行ったのち、前記枠体の内部に、合成樹脂製の封止材
を、液体の状態で流し込み注入したのち硬化することに
より、前記支持板にマウントした半導体レーザチップの
部分を、前記枠体内における合成樹脂製の封止材によっ
て、確実に封止することができる一方、この合成樹脂製
の封止材は、従来におけるモールド部のようにトランス
フア成形によって成形したものではなく、半導体レーザ
チップ及びリード端子の部分に予めトランスフア成形に
よって一体的に成形した枠体の内部に、合成樹脂を液体
の状態で流し込み注入して硬化したものであるから、前
記半導体レーザチップ及びこれに接続した各金属線に対
して、従来のように、圧力及び熱によるダメージを及ぼ
すことを防止できるのである。
【０００８】
【発明の効果】従って、本発明によると、半導体レーザ
チップの部分を、合成樹脂にて封止するに際して、前記
半導体レーザチップに性能の劣化が発生すること、前記
半導体レーザチップとリード端子との間を接続する金属
線に切断が発生することを確実に低減できて、製品の歩
留り率を大幅に向上できる効果を有する。
チップの部分を、合成樹脂にて封止するに際して、前記
半導体レーザチップに性能の劣化が発生すること、前記
半導体レーザチップとリード端子との間を接続する金属
線に切断が発生することを確実に低減できて、製品の歩
留り率を大幅に向上できる効果を有する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。先づ、図１〜図８は、第１の実施例を示し、この図
において符号１は、薄金属板製のリードフレームを示
し、このリードフレーム１には、一つの半導体レーザ装
置を構成する三本のリード端子２，３，４が、長手方向
に適宜間隔で一体的に造形され、前記三本のリード端子
２，３，４のうち中央に位置する第１リード端子２の先
端には、放熱板を兼ねた矩形状の支持板５が一体的に造
形されている。
る。先づ、図１〜図８は、第１の実施例を示し、この図
において符号１は、薄金属板製のリードフレームを示
し、このリードフレーム１には、一つの半導体レーザ装
置を構成する三本のリード端子２，３，４が、長手方向
に適宜間隔で一体的に造形され、前記三本のリード端子
２，３，４のうち中央に位置する第１リード端子２の先
端には、放熱板を兼ねた矩形状の支持板５が一体的に造
形されている。
【００１０】前記リードフレーム１を、その長手方向に
沿って移送する途中において、三本のリード端子２，
３，４の先端部に、図２に示すように、平面視において
略コ字状に構成した枠体６を、合成樹脂のトランスフア
成形によって一体的に成形する。このとき、前記支持板
５が、枠体６の下面側に露出するようにする。次いで、
前記支持板５の上面に、図３に示すように、サブマウン
ト７をマウントしたのち、このサブマウント７の上面
に、半導体レーザチップ８を、当該半導体レーザチップ
８における前方劈開面８ａからのレーザ光線９が、前記
第１リード端子２とは反対の方向に発射するように横向
きにマウントし、更に、これら半導体レーザチップ８と
サブマウント７との間、及びこれらと前記第２及び第３
リード端子３，４との間を図示しない細い金属線にはワ
イヤーボンディングする。
沿って移送する途中において、三本のリード端子２，
３，４の先端部に、図２に示すように、平面視において
略コ字状に構成した枠体６を、合成樹脂のトランスフア
成形によって一体的に成形する。このとき、前記支持板
５が、枠体６の下面側に露出するようにする。次いで、
前記支持板５の上面に、図３に示すように、サブマウン
ト７をマウントしたのち、このサブマウント７の上面
に、半導体レーザチップ８を、当該半導体レーザチップ
８における前方劈開面８ａからのレーザ光線９が、前記
第１リード端子２とは反対の方向に発射するように横向
きにマウントし、更に、これら半導体レーザチップ８と
サブマウント７との間、及びこれらと前記第２及び第３
リード端子３，４との間を図示しない細い金属線にはワ
イヤーボンディングする。
【００１１】次に、前記支持板５及び前記枠体６の先端
面に、図４に示すように、前記半導体レーザチップ８に
おける前方劈開面８ａに対向するガラス板等の透明板１
０を、接着剤又はガラス用金属半田等により固着する。
そして、前記枠体６内に、図５に示すように、シリコン
樹脂等のように比較的軟らかい透光性合成樹脂製の第１
封止材１１を、液体の状態で流し込み注入することによ
り、当該第１封止材１１で前記半導体レーザチップ８及
びサブマウント７を被覆すると共に、当該第１封止材１
１を前記半導体レーザチップ８における前方劈開面８ａ
と前記透明板１０との間まで充満するようにし、更に、
前記枠体６内に、エポキシ樹脂等の合成樹脂製の第２封
止材１２を、同じく液体の状態で流し込み注入するので
ある。
面に、図４に示すように、前記半導体レーザチップ８に
おける前方劈開面８ａに対向するガラス板等の透明板１
０を、接着剤又はガラス用金属半田等により固着する。
そして、前記枠体６内に、図５に示すように、シリコン
樹脂等のように比較的軟らかい透光性合成樹脂製の第１
封止材１１を、液体の状態で流し込み注入することによ
り、当該第１封止材１１で前記半導体レーザチップ８及
びサブマウント７を被覆すると共に、当該第１封止材１
１を前記半導体レーザチップ８における前方劈開面８ａ
と前記透明板１０との間まで充満するようにし、更に、
前記枠体６内に、エポキシ樹脂等の合成樹脂製の第２封
止材１２を、同じく液体の状態で流し込み注入するので
ある。
【００１２】このようにすると、支持板５にマウントし
た半導体レーザチップ８の部分を、図６〜図８に示すよ
うに、前記支持板５に対して一体的に成形した合成樹脂
製枠体６内における合成樹脂製の第１封止材１１及び第
２封止材１２によって、確実に封止することができる一
方、この合成樹脂製の第１封止材１１及び第２封止材１
２は、従来におけるモールド部のようにトランスフア成
形によって成形したものではなく、半導体レーザチップ
８及びリード端子３，４の部分に予めトランスフア成形
によって一体的に成形した枠体６の内部に、合成樹脂を
液体の状態で流し込み注入して硬化したものであるか
ら、前記半導体レーザチップ８及びこれに接続した各金
属線に対して、従来のように、圧力及び熱によるダメー
ジを及ぼすことを防止できるのである。
た半導体レーザチップ８の部分を、図６〜図８に示すよ
うに、前記支持板５に対して一体的に成形した合成樹脂
製枠体６内における合成樹脂製の第１封止材１１及び第
２封止材１２によって、確実に封止することができる一
方、この合成樹脂製の第１封止材１１及び第２封止材１
２は、従来におけるモールド部のようにトランスフア成
形によって成形したものではなく、半導体レーザチップ
８及びリード端子３，４の部分に予めトランスフア成形
によって一体的に成形した枠体６の内部に、合成樹脂を
液体の状態で流し込み注入して硬化したものであるか
ら、前記半導体レーザチップ８及びこれに接続した各金
属線に対して、従来のように、圧力及び熱によるダメー
ジを及ぼすことを防止できるのである。
【００１３】図９〜図１２は、第２の実施例を示し、こ
の第２の実施例は、先端に支持板５を備えた第１リード
端子２の途中を、その先端における支持板５が、他の第
２及び第３リード端子３，４よりも適宜寸法だけ低くす
るように折り曲げしたのち、これらに対して合成樹脂製
の枠体６を、トランスフア成形によって一体的に成形し
たものであり、その他は、前記第１の実施例の場合と同
様であり、このように第１リード端子２の先端における
支持板５を、他の第２及び第３リード端子３，４よりも
適宜寸法だけ低くすることにより、前記枠体６の底を、
完全に塞ぐことができるから、前記枠体６内に合成樹脂
を液体の状態で流し込み注入することが、容易にできる
利点がある。
の第２の実施例は、先端に支持板５を備えた第１リード
端子２の途中を、その先端における支持板５が、他の第
２及び第３リード端子３，４よりも適宜寸法だけ低くす
るように折り曲げしたのち、これらに対して合成樹脂製
の枠体６を、トランスフア成形によって一体的に成形し
たものであり、その他は、前記第１の実施例の場合と同
様であり、このように第１リード端子２の先端における
支持板５を、他の第２及び第３リード端子３，４よりも
適宜寸法だけ低くすることにより、前記枠体６の底を、
完全に塞ぐことができるから、前記枠体６内に合成樹脂
を液体の状態で流し込み注入することが、容易にできる
利点がある。
【００１４】なお、前記実施例は、半導体レーザチップ
８に対する封止材を、第１封止材１１と、第２封止材１
２との二層にした場合を示したが、本発明は、これに限
らず、封止材として、透光性を有する合成樹脂を使用し
て、これを、前記枠体６内に、液体の状態で流し込み注
入した一層構造にしても良いのであり、また、図１３に
示すように、支持板５に枠体６からの延長部５ａを設け
て、この延長部５ａに、取付け孔５ｂを穿設するように
構成しても良いことは言うまでもない。
８に対する封止材を、第１封止材１１と、第２封止材１
２との二層にした場合を示したが、本発明は、これに限
らず、封止材として、透光性を有する合成樹脂を使用し
て、これを、前記枠体６内に、液体の状態で流し込み注
入した一層構造にしても良いのであり、また、図１３に
示すように、支持板５に枠体６からの延長部５ａを設け
て、この延長部５ａに、取付け孔５ｂを穿設するように
構成しても良いことは言うまでもない。
【図１】本発明の第１実施例に使用するリードフレーム
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】前記図１のリードフレームに枠体を成形した状
態の斜視図である。
態の斜視図である。
【図３】前記図１のリードフレームにおける各枠体の内
部に半導体レーザチップをマウントした状態の斜視図で
ある。
部に半導体レーザチップをマウントした状態の斜視図で
ある。
【図４】前記図１のリードフレームにおける各枠体に透
明板を固着した状態の斜視図である。
明板を固着した状態の斜視図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】第１実施例によって製造した半導体レーザ装置
の縦断正面図である。
の縦断正面図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII視断面図である。
【図９】本発明の第２実施例に使用するリードフレーム
の斜視図である。
の斜視図である。
【図１０】前記図９のリードフレームにおける第１リー
ド端子を折り曲げた状態の斜視図である。
ド端子を折り曲げた状態の斜視図である。
【図１１】前記図９のリードフレームに枠体を成形した
状態の斜視図である。
状態の斜視図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】本発明の更に別の実施例を示す斜視図であ
る。
る。
【図１４】従来におけるモールド型半導体レーザ装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図１５】従来におけるモールド型半導体レーザ装置の
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【符号の説明】 １ リードフレーム ２，３，４ リード端子 ５ 支持板 ６ 枠体 ７ サブマウント ８ 半導体レーザチップ １０ 透明板 １１ 第１封止材 １２ 第２封止材
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザチップをマウントする支持板
及び前記半導体レーザチップに対する各リード端子の部
分に、前記半導体レーザチップを囲うように枠型に形成
した合成樹脂製の枠体をトランスフア成形によって一体
的に成形し、次いで、支持板に対する前記半導体レーザ
チップのマウント及びワイヤーボンディングを行い、次
に、前記枠体のうち前記半導体レーザチップにおける前
方劈開面と対向する部分にガラス板等の透明板を固着
し、そして、前記枠体の内部に、前記半導体レーザチッ
プに対する合成樹脂製の封止材を液体の状態で流し込み
注入したのち硬化することを特徴とするモールド型半導
体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290119A JP2951077B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US07/970,468 US5307362A (en) | 1991-11-06 | 1992-11-02 | Mold-type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290119A JP2951077B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11034099A Division JP3217763B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 半導体レーザ装置の構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129731A true JPH05129731A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2951077B2 JP2951077B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17752052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290119A Expired - Fee Related JP2951077B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951077B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500451A (ja) * | 2003-05-26 | 2007-01-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | レーザーダイオード構成素子を製造するための方法およびレーザーダイオード構成素子のためのケーシングおよびレーザーダイオード構成素子 |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| KR100989764B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2010-10-26 | 로무 가부시키가이샤 | 몰드형 반도체 레이저 |
| JP2018529232A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP3290119A patent/JP2951077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500451A (ja) * | 2003-05-26 | 2007-01-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | レーザーダイオード構成素子を製造するための方法およびレーザーダイオード構成素子のためのケーシングおよびレーザーダイオード構成素子 |
| KR100989764B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2010-10-26 | 로무 가부시키가이샤 | 몰드형 반도체 레이저 |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| JP4713250B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
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