JP2018529232A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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Abstract
Description
2 更なるオプトエレクトロニクス部品
3 隣接するオプトエレクトロニクス部品
10 オプトエレクトロニクス半導体チップ
12 放出方向
14 放出された放射
100 ハウジング
102 凹部
103 出口面の横幅
104 出口面
106 外壁面
107 外壁面の一部位
110 ハウジング本体
111 ハウジング壁
112 開口部
113 開口部の横幅
114 キャビティ
120 ハウジング基部
122 上側
123 下側
125 基部凹部
126 リードフレーム
127 接触要素
128 チップ接触パッド
129 基部接触パッド
140 封止材料
200 ハウジング本体を有するハウジング部品集合体
202 ハウジング部品集合体の凹部
205 分割面
210 成形型
212 出口面の形を定めるパーツ
214 凹部の形を定めるパーツ
300 オプトエレクトロニクス部品
310 ハウジング
311 外壁面
312 ハウジングカバー
313 キャビティ
314 凹部
316 ベアリング面
317 下側
318 上側
319 側面
320 ハウジング基部
321 前端部
322 はんだ接触部
330 台座
334 高さ
Claims (20)
- ハウジング(100、310)に配置されて電磁放射(14)を放出するためのオプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を有する、オプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)であって、
前記ハウジング(100、300)は外壁面(106、311)と、前記電磁放射(14)に対して透明な出口面(104)を有し、
前記出口面(104)は前記外壁面(106、311)に比べて前記ハウジング(100、310)の内部に向かう方向に後退しており、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)から放出方向(12)において放出された放射(14)を前記出口面(104)を通って前記オプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)から出せるように配置されている、オプトエレクトロニクス部品。 - 前記外壁面(106、311)には分割跡があり、前記出口面(104)には分割跡がない、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記出口面(104)は前記放出方向(12)に対し垂直である、
請求項1または2に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は、前記ハウジング(100、310)のハウジング基部(120、320)の上側(122)の上方に配置されている、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記放出方向(12)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)に対し平行である、
請求項4に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)は、前記出口面(104)の領域に基部凹部(125)を有し、
前記基部凹部(125)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)と前記外壁面(106、311)の間に位置する、
請求項4または5に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は前記上側(122)に配置されている台座(330)に配置されている、
請求項4〜6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記台座(330)は前記上側(122)に施されたメタライゼーション層により形成され、前記メタライゼーション層の高さ(334)は前記上側(122)に垂直な方向において少なくとも20μm、特に100μmから300μmである、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング(100、310)は、前記ハウジング基部(120、320)を有するハウジング本体(110)と、封止材料(140)とを有し、
前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)に隣接するキャビティ(114、313)が前記ハウジング本体(110)に形成されており、
前記ハウジング本体(110)は少なくとも前記外壁面(106)の一部を有し、
前記キャビティ(114、313)は少なくとも一部が前記封止材料(140)で封止されており、
前記出口面(104)は前記封止材料(140)から形成される、
請求項4〜8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング本体(110)は、内部に前記出口面(104)が配置されている開口部(112)を有し、
前記開口部(112)は少なくとも一部が前記封止材料(140)で封止されている、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記外壁面(106)の一部位(107)は前記封止材料(140)から形成される、
請求項9または10に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(127)は、チップ接触パッド(128)および基部接触パッド(129)を有する接触要素(127)を有しており、
前記チップ接触パッド(128)および前記基部接触パッド(129)は互いに導通接続しており、
前記接触要素(127)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)から、前記ハウジング基部(120、320)において前記上側(122)の反対側に位置する下側(123)まで延伸しており、
前記チップ接触パッド(128)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)の一部を形成し、前記基部接触パッド(129)は前記ハウジング基部(120、320)の前記下側(123)の一部を形成している、
請求項9〜11のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング(100、310)は、前記放射(14)に対して透明でありかつ前記ハウジング基部(120、320)に配置されているハウジングカバー(312)を有し、
前記外壁面(311)と前記出口面(104)は少なくとも一部が前記ハウジングカバー(312)に形成されており、
前記ハウジングカバー(312)は前記ハウジング基部(120、320)に配置されている、
請求項4〜8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(120、320)は、回路基板またはセラミック基板を有している、
請求項13に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 外壁面(106、311)と、内部に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ(10)から放出された電磁放射(14)に対して透明な出口面(104)とを有するハウジング(100、310)、を有するオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)を製造するための方法であって、
前記出口面(104)は前記外壁面(106、311)に比べて前記ハウジング(100、310)の内部に向かう方向に後退しており、
前記方法は、
前記放射に対して透明な成形材料から前記出口面(104)を、前記出口面(104)の形を定める成形型(210)を使用して、ハウジング部品集合体(200)内で成形する工程を含む、方法。 - 前記ハウジング部品集合体(200)を分割することにより、前記外壁面(106、311)を形成する工程を更に含む、
請求項15に記載の方法。 - 前記出口面(104)は、前記成形型(210)によって形が定められる、前記ハウジング部品集合体(200)の凹部(202)の中に形成され、
前記凹部(202)は、前記ハウジング部品集合体(200)の分割の際に分割される、
請求項16に記載の方法。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を受け入れるためのキャビティ(114、313)を有する前記ハウジング(100、310)の、ハウジング本体(110)を有する前記ハウジング部品集合体(200)を準備する工程と、
前記成形型(210)を前記キャビティ(114、313)に配置する工程と、
前記キャビティ(114、313)に前記透明な成形材料を充填する工程と、を更に含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。 - 前記成形型(210)の、前記出口面(104)の形を定めるパーツが、前記ハウジング本体(110)の開口部(112)に配置される、
請求項18に記載の方法。 - 前記出口面(104)と共に、前記ハウジング(100、310)のハウジングカバー(312)を有する前記ハウジング部品集合体(200)が、前記透明な成形材料から成形され、
前記方法は、更に前記ハウジングカバー(312)を、前記ハウジング(100、310)のハウジング基部(120、320)に配置する工程を更に含む、
請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
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