JP2014531132A - 放射放出部品 - Google Patents

放射放出部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2014531132A
JP2014531132A JP2014536169A JP2014536169A JP2014531132A JP 2014531132 A JP2014531132 A JP 2014531132A JP 2014536169 A JP2014536169 A JP 2014536169A JP 2014536169 A JP2014536169 A JP 2014536169A JP 2014531132 A JP2014531132 A JP 2014531132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
emitting component
housing
laser diode
diode chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014536169A
Other languages
English (en)
Inventor
ウォイチックアンドレアス
アンドレアス ウォイチック
ジョシップ マリッチ
ジョシップ マリッチ
マルチン オサルテ
マルチン オサルテ
フランク モルメル
フランク モルメル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2014531132A publication Critical patent/JP2014531132A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02315Support members, e.g. bases or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02218Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232Lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

放射放出部品であって、本部品との電気的接触を形成するための少なくとも2つの接続領域を備えている金属キャリアボディと、金属キャリアボディに固定されており、かつ少なくとも2つの接続領域に導電接続されているレーザダイオードチップと、金属キャリアボディを部分的に囲んでいるハウジングと、を有し、ハウジングがプラスチックによって形成されており、接続領域が、それぞれ、少なくとも部分的にハウジングの底面および側面に沿って延在しており、側面が底面を横切る方向に延在しており、本部品が、底面または側面が本部品の実装面を形成するように接続領域によって表面実装可能である、放射放出部品、を開示する。レーザダイオードチップを駆動するためのトランジスタおよびキャパシタもキャリアボディの上に取り付けることができる。

Description

放射放出部品を開示する。
特許文献1には、放射放出部品が記載されている。
国際公開第02/17451号
本発明の1つの目的は、特に汎用的に使用することのできる放射放出部品を開示することである。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本放射放出部品は、金属キャリアボディを備えている。金属キャリアボディは、例えば金属からなることができる。さらに、金属キャリアボディを、外面が金属で被覆された基材によって形成することが可能である。基材は、例えば、外面における金属とは異なる金属とすることもできる。いずれの場合も、金属キャリアボディは、少なくともその外面において金属特性を有する。
この場合、金属キャリアボディは、複数の部分から構成されるように具体化されていることが好ましい。この場合、金属キャリアボディの複数の部分は、互いに直接的には導電接続されていない。すなわち、意図された位置における放射放出部品の電気接続部のみが、金属キャリアボディの複数の部分の間の導電接続を形成する。さらには、互いに電気的に接続されていない金属キャリアボディの部分を、コンタクトワイヤ(例えば金から構成されるいわゆるボンディングワイヤ)によって互いに接続することができる。
金属キャリアボディは、例えば、いわゆるリードフレームとして具体化されている。すなわちこの場合、金属キャリアボディは、構造化された金属片によって形成されている。金属キャリアボディは、部品との電気的接触を形成するための少なくとも2つの接続領域を備えている。これら2つの接続領域を介して、外部から放射放出部品との電気的接触を形成することができ、すなわち、少なくとも2つの接続領域が、放射放出部品のアクティブコンポーネントに導電接続されている。
本放射放出部品の少なくとも一構造形態によると、本放射放出部品は、レーザダイオードチップを備えており、このチップは金属キャリアボディに固定されている。この場合、レーザダイオードチップは、金属キャリアボディを介して少なくとも2つの接続領域に導電接続されている。レーザダイオードチップは、例えば、端面発光型半導体レーザダイオードである。
レーザダイオードチップは、動作時に紫外放射から赤外放射のスペクトルの電磁放射を生成するのに適したものとすることができる。特に、レーザダイオードチップは、有色光(例えば赤色光、青色光、または緑色光など)を生成するのに適したものとすることもできる。
レーザダイオードチップを金属キャリアボディに固定する目的で、例えばはんだ付けまたは接着接合によってレーザダイオードチップを金属キャリアボディに固定することができる。この場合、レーザダイオードチップと金属キャリアボディとの間に配置される結合手段を介して、レーザダイオードチップと金属キャリアボディとの間に導電接触を形成することも可能である。この場合、結合手段は、特に、導電性はんだまたは導電性接着剤とすることができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本放射放出部品は、ハウジングを備えており、このハウジングは金属キャリアボディを部分的に囲んでいる。ハウジングは、放射放出部品の外面の少なくとも一部分を形成している。この場合、金属キャリアボディは、部分的に直接的に、かつ確実に固定された状態で(in a positively locking manner)ハウジングに隣接していることができ、例えばハウジングに結合するため、金属キャリアボディをハウジングに埋め込むことができる。これを目的として、例えば射出成形により、ハウジングの材料によって金属キャリアボディを封止することができる。
金属キャリアボディの一部(例えば少なくとも、部品との電気的接触を形成するための接続領域)は、ハウジングによって覆われておらず、放射放出部品の外側から少なくとも部分的に自由にアクセスすることができる。金属キャリアボディが、複数の部分から構成されるように具体化されている場合、金属キャリアボディの各部分をハウジングによって機械的に結合することができる。
ハウジングは、その基本形状として、例えば立方体状または平行六面体状に具体化することができる。したがって、本放射放出部品は特に簡単に取り付けることができ、なぜなら、この外形によって本放射放出部品を簡単かつ正確に把持することができるためである。
ハウジングは、金属キャリアボディと、金属キャリアボディ上に貼り付けられたコンポーネントとを完全には囲んでおらず、例えば少なくとも1つの開口部を有し、動作時にレーザダイオードチップによって生成される電磁放射が、この開口部を通じて外部に放出されることができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、ハウジングはプラスチックによって形成されている。この場合、ハウジングは、いわゆるプレモールドハウジング(premold housing)として具体化することができる。この場合、ハウジングは、例えばトランスファ成形または射出成形によって作製される。
一例として、ハウジングは、金属キャリアボディ(すなわち例えばすでに構造化された金属片)を射出成形によりハウジング材料によって封止することによって作製される。これにより、本部品のアクティブ要素を中に配置することのできる少なくとも1つの空洞を有するハウジングが形成される。ハウジングの空洞内には、一例として、レーザダイオードチップが配置される。
金属キャリアボディの一部は、ハウジングの中に延在しており、アクティブコンポーネント(特にレーザダイオードチップ)とは反対側のハウジングの面に、特に、本部品との電気的接触を形成するための接続領域を形成しており、この接続領域において、外部から放射放出部品との電気的接触を形成することができる。
ハウジングを形成する目的には、一例として、液晶ポリマーまたは他の何らかのプラスチックを使用することができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、接続領域は、それぞれ、少なくとも一部分がハウジングの底面および側面に沿って延在しており、側面は底面を横切る方向に延在している。この場合、ハウジングの底面と側面は互いに直接隣接しており、例えば、互いに垂直に位置することもできる。したがって、接続領域は、底面に沿ってのみ延在する、または側面に沿ってのみ延在するのではなく、外部とハウジングとの境界を形成している少なくとも2つの面にわたって、少なくとも部分的に延在している。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本部品は、底面または側面が部品の実装面を形成するように、接続領域によって表面実装可能である。すなわち、本放射放出部品は、表面実装技術(SMT)によって、所望の使用位置に固定して電気的に接触接続することができる。したがって、本放射放出部品は、表面実装可能な部品(表面実装デバイス:SMD)である。
この場合、本放射放出部品は、所望の位置において少なくとも2つの(特に2つの)向きに実装することができる。底面が部品の実装面を形成する、または、底面を横切る方向に延在する側面が実装面を形成する。したがって、本部品は、(側面に対する底面の位置に応じて)少なくとも2つの異なる向きに実装することができる。これが可能であるのは、特に、接続領域が底面および側面の両方に沿って延在しているためである。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本放射放出部品は、本部品との電気的接触を形成するための少なくとも2つの接続領域を備えている金属キャリアボディと、金属キャリアボディに固定されており、かつ少なくとも2つの接続領域に導電接続されているレーザダイオードチップと、金属キャリアボディを部分的に囲んでいるハウジングと、を備えている。この場合、ハウジングはプラスチックによって形成されており、接続領域は、それぞれ、少なくとも部分的にハウジングの底面および側面に沿って延在しており、側面が底面を横切る方向に延在しており、本部品は、底面または側面が本部品の実装面を形成するように接続領域によって表面実装可能である。
この場合、本発明の放射放出部品の基本をなす1つの概念として、本部品が、底面を実装面として、または側面を実装面として実装されることにより、特に簡単な方法で、部品の放射特性を部品の使用条件に合わせることができる。レーザダイオードチップは、活性領域(例えばpn接合部)に平行および垂直な異なる発散角(いわゆる速軸および遅軸)を有する。空間内の発散角の所望の向きは、所望の用途に応じて変わる。本放射放出部品が、底面を実装面として、または側面を実装面として実装される結果として、より大きい発散角またはより小さい発散角が生じるように意図される方向を簡単な方法で選択することができる。一例として、ハウジングの底面は活性ゾーンのpn接合部に平行に延在している。この場合、ハウジングの側面は、pn接合部を横切る方向に(特に垂直に)延在することができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、金属キャリアボディに面していないレーザダイオードチップの領域は、空気または他の何らかの気体に隣接している。言い換えれば、この実施形態の場合におけるレーザダイオードチップは、放射に対して透過性の材料によってポッティングされておらず、レーザダイオードチップが金属キャリアボディに固定されている部分を除いて、レーザダイオードチップは露出しており、その外面に自由にアクセスすることができる。すなわち、レーザダイオードチップと、例えば放射放出部品のハウジングを形成しているプラスチックとは、直接には接触していない。このようにすることで、レーザダイオードチップの半導体材料とプラスチックとで線膨張係数が異なるために機械的応力が発生することもない。したがって、このようにして具体化された放射放出部品(レーザダイオードチップの少なくとも一部分が空気または他の何らかの気体に隣接している)は、経年劣化に対する特に高い安定性と故障に対する安全性を特徴とする。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、ハウジングの底面および側面それぞれに、少なくとも1本の取付けピンが形成されている。この場合、取付けピンは、ハウジングの一体部分とすることができ、すなわち、取付けピンは、ハウジングと一体に形成することができ、ハウジングと同じ材料からなることができる。
一例として、接続領域の少なくとも一部分が沿っている底面および側面に、それぞれ2本の取付けピンが形成されている。放射放出部品を実装するとき、取付けピンによって部品を位置合わせすることができる。すなわち、ハウジングに固定されている取付けピン、またはハウジングに一体化されている取付けピンによって、例えばプリント基板における対応する孔の中に、確実に固定された状態に位置決めすることができる。
このようにすることで、複雑な位置決めを必要とせずに、放射放出部品を、意図された位置に特に正確に実装することができる。プレモールドハウジングとして具体化されたハウジングは製造公差が特に小さいため、ハウジングがプレモールドハウジングであり、実装する目的に底面および側面に取付けピンを有する場合、複雑な位置決めを必要とせずに、放射放出部品を、意図された位置に特に正確に位置合わせすることができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本放射放出部品は、ハウジングのさらなる側面に放射出口窓を備えており、この放射出口窓は、レーザダイオードチップの放射出口面に面している。すなわち、放射出口窓は、レーザダイオードチップの放出方向においてレーザダイオードチップの下流に配置されており、動作時にレーザダイオードチップによって放出される電磁放射の少なくとも大部分が放射出口窓に入射する。放射出口窓に入射する放射の大部分、好ましくはこの放射の少なくとも75%は、このようにして放射出口窓を通過して放射放出部品から放出される。
放射出口窓は、動作時にレーザダイオードチップによって生成される電磁放射の少なくとも放射通路の領域において、この放射に対して透過性として具体化されている。放射出口窓の領域にはハウジングが存在しない。一例として、すでにハウジングを形成する段階で、ハウジングの他の側面よりも高さが低く、かつ放射出口窓が隣接している1つの側面を形成する。この目的のため、放射出口窓は、例えば透明なハウジングカバーによって形成することができる。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、放射出口窓は、少なくとも放射通路の領域において、所望の状態に設定される平均粗さを有する。すなわち放射出口窓は、放射通路の領域において、なめらかに具体化されているのではなく、所望の状態に粗面化されている。
この場合、少なくとも放射出口窓のうち放射が通過する領域において放射出口窓を粗面化することによって、動作時にレーザダイオードチップによって生成される電磁放射の不均一な強度プロファイルを均一化できることが判明した。特に、レーザダイオードチップがブロードストライプレーザ(broad-stripe laser)またはマルチモードレーザである場合、観察者は、遠視野において局所的極大値(いわゆるホットスポット)を知覚することがある。少なくとも放射通路の領域における所望の粗面化の結果として、この不均一性を低減することができる。
この場合、粗面化部は統計的であることが好ましく、すなわち、例えばフーリエ変換などの解析法によって、粗面化部の周期性を認識することはできない。粗面化部の平均粗さは、動作時にレーザダイオードチップによって生成される電磁放射の波長のオーダーである。特に、平均粗さは、この場合、動作時にレーザダイオードチップによって生成される放射のピーク波長の少なくとも0.5倍から最大で1.5倍の範囲とすることができる。ピーク波長とは、放出される放射の最大強度の波長である。平均粗さは、動作時にレーザダイオードチップによって生成される放射のピーク波長の少なくとも0.75倍から最大で1.25の範囲内であることが好ましい。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、本放射放出部品は、レーザダイオードチップをスイッチングするためのトランジスタと、レーザダイオードチップにエネルギを供給するための少なくとも2個のキャパシタの並列接続とを備えており、これらトランジスタおよびキャパシタは、金属キャリアの上に固定されており、かつ少なくとも2つの接続領域に導電接続されており、本部品は、レーザパルスを生成するのに適している。
複数のキャパシタを使用することにより、特に、キャパシタに蓄えられている電気エネルギの放電の時定数(すなわちレーザダイオードチップに電流を印加するときの時定数)を短くすることができる。トランジスタ、キャパシタ、および接続領域が同じ金属キャリア上に配置されており、したがって空間的に互いに特に近いことにより、放射放出部品における信号経路が短くなり、これによりシステムのインダクタンスが減少し、特に短いレーザパルスシーケンスが可能である。一例として、このようにすることで、本放射放出部品は、ナノ秒のレーザパルスを生成するのに適したものとすることができる。
本発明の放射放出部品は、特に、その小さい外形寸法を特徴とし、これにより、放射放出部品のコンポーネント(例えばトランジスタ、キャパシタ、レーザダイオードチップなど)を空間的に互いに特に近くに配置することができる。放射放出部品の長さは、一例として、少なくとも7.5mm〜最大で12.5mmの範囲内であり、幅は、少なくとも5mm〜最大で9mmの範囲内であり、高さは、少なくとも3mm〜最大で7mmの範囲内である。このような放射放出部品の場合、トランジスタ、キャパシタ、およびレーザダイオードチップを、互いの間の距離として、10mm以下、好ましくは7mm以下に、相互に配置することが可能である。すなわち、任意の2つのコンポーネントの間の距離は、10mm以下、好ましくは7mm以下である。これにより、特に短いスイッチング時間が可能である。
本放射放出部品の少なくとも一実施形態によると、トランジスタは、少なくとも2本のコンタクトワイヤを介してレーザダイオードチップに導電接続されている。コンタクトワイヤそれぞれは、それぞれトランジスタおよびレーザダイオードチップに導電接続されている金属キャリアボディの領域に形成することができる。複数のコンタクトワイヤを使用することによって、インダクタンスをさらに低減することが可能であり、これによりレーザパルスの特に高速のパルスシーケンスが可能である。
本発明の放射放出部品の場合、さらに、放射放出部品が2個以上のレーザダイオードチップを備えていることが可能である。この場合、レーザダイオードチップは、これらが同じタイプである(すなわち例えば同じ波長域の放射を生成する)ように具体化することができ、または、異なるタイプである(したがって例えば異なる色の光を放出する)ように具体化することができる。放射放出部品は、レーザダイオードチップごとに1個のトランジスタを備えており(トランジスタは1対1の関係でレーザダイオードチップに割り当てられる)、レーザダイオードチップごとに、そのレーザダイオードチップ専用に割り当てられる少なくとも2個のキャパシタの並列接続を備えていることが好ましい。
本発明の放射放出部品の場合、駆動エレクトロニクス(すなわち例えばトランジスタ)とレーザダイオードチップとの間の信号経路が短い結果として、パルス動作のパラメータ(例えばレーザパルスのパルス幅や立ち上がり時間および立ち下がり時間)を低減することができ、これは有利である。プラスチックによって形成されているハウジングを使用することにより、例えば金属ハウジングを備えた放射放出部品と比較して、特に安価に製造することのできる、特にコスト効果の高い放射放出部品を実施することが可能である。
以下では、本発明の放射放出部品について、例示的な実施形態および関連する図面に基づいてさらに詳しく説明する。
本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の実施形態を示す概略図であり、これらの実施形態に基づいて、本発明の放射放出部品の特性についてさらに詳しく説明する。 本発明の放射放出部品の例示的な実施形態の特性を説明する役割を果たすグラフである。 本発明の放射放出部品の例示的な実施形態の特性を説明する役割を果たすグラフである。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。 本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態についてさらに詳しく説明するための概略図である。
図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いの大きさの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、もしくは深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。
図1Aは、本発明の放射放出部品の概略斜視図を示している。この放射放出部品は金属キャリアボディ1を備えており、金属キャリアボディ1は、例えば銅によって形成されており、その外面を銀や金などの金属によって被覆することができる。金属キャリアボディは、互いに電気的に絶縁されている複数の領域に分割される(この点においては図3の概略斜視図も参照)。
放射放出部品のアクティブコンポーネントは、キャリアボディ1に貼り付けられている。一例として、レーザダイオードチップ2と、トランジスタ5と、2個のキャパシタ6とが、キャリアボディ上に貼り付けられている。この場合、トランジスタ5は、レーザダイオードチップ2をスイッチングする役割を果たし、キャパシタ6(互いに並列に接続されている)は、エネルギを供給する役割を果たす。したがって、本放射放出部品は、レーザパルスを生成するのに適している。
本放射放出部品は、ハウジング3をさらに備えており、ハウジング3は、キャリアボディ1を部分的に囲んでいる。この場合、キャリアボディ1は、部分的にハウジング3に埋め込まれており、例えば、射出成形によりハウジング3の材料によって封止されている。
この場合、ハウジング3は、例えばプラスチック材料によって形成することができる。
ハウジング3は、放射放出部品のアクティブコンポーネントが中に配置される空洞が形成されるように、金属キャリアボディ1を囲んでいる。
本放射放出部品は、放射出口窓4をさらに備えており、放射出口窓4は、例えば動作時にレーザダイオードチップ2によって生成される電磁放射に対して透明であるように、具体化されている。図1Aに示した例示的な実施形態においては、ハウジング3は、側面3cに下側側壁を有し、この側壁に放射出口窓4が隣接している。放射出口窓4は、放射放出部品の上面(この上面は底面3aとは反対側である)も形成しており、上面にはハウジング3の残りの側面が直接隣接している。
金属キャリアボディ1は、ハウジング3の底面3aおよび側面3bに沿って延在している複数の接続領域1a,1bを備えており、側面は底面を横切る方向に延在している。この場合、接続領域1a,1bには、ハウジングの底面3aおよびハウジングの側面3bにおいて、放射放出部品の外側から自由にアクセスすることができる。したがって、本放射放出部品は、接続領域1aを介してハウジングの底面3aにおいてと、接続領域1bを介してハウジングの側面3bの両方において、実装することができる。
接続領域1a,1bは、金属キャリアボディ1の外面によって形成されている。ハウジング3の側面および底面の両方に接続領域を形成する目的で、金属キャリアボディ1はU字形状の曲がり部材を有し、この曲がり部材は、接続領域とは反対側の自身の面によってハウジング3の一部を囲んでおり、そこでハウジング3に直接隣接している。
金属キャリアボディ1の示した実施形態では、放射放出部品を表面実装技術によって2つの異なる向きに実装することができる。すなわち、本放射放出部品は、2つの異なる向きに表面実装可能である。
図2は、本発明の放射放出部品の例示的な一実施形態の概略平面図を示している。図2は、図1Aおよび図1Bを補足しており、トランジスタが複数のコンタクトワイヤ7によってレーザダイオードチップ2に導電接続されていることを示している。この場合、図2に示したように、コンタクトワイヤは、トランジスタ5に割り当てられている金属キャリアボディ1の部分から、レーザダイオードチップ2に割り当てられている金属キャリアボディ1の部分まで延びていることができる。しかしながら、コンタクトワイヤの一方の端部をトランジスタ5に固定し、他方の端部をレーザダイオードチップ2に固定することも可能である。
さらに、図2によると、レーザダイオードチップ2の放射出口面2a(動作時、レーザダイオードチップからこの放射出口面を通じて電磁放射が放出される)は、放射出口窓4に面しており、したがって、動作時にレーザダイオードチップ2によって放出される電磁放射は、この放射出口窓4に入射する。
図3は、ハウジング3および放射出口窓4を省いた状態で、概略斜視図に基づいて放射放出部品を示している。この図からは、金属キャリアボディ1の各部分の相対的な配置と、本部品のアクティブコンポーネント2,5,6の互いの相対的な配置とを、特に良好に認識することができる。本部品のアクティブコンポーネント2,5,6それぞれは、金属キャリアボディ1のうちのそれぞれに割り当てられる部分に、例えば導電性接着剤によって固定することができる。この場合、キャパシタ6は、金属キャリアボディの対応する部分を介して互いに並列に接続されている。トランジスタ5とレーザダイオードチップ2は、コンタクトワイヤ7を介して互いに電気的に接続されている。
実施形態および例示的な実施形態のすべてにおいて、金属キャリアボディ1は、銅を含んでいる、または銅からなるメインボディを備えていることが可能である。メインボディは、一例として、銅合金(例えば真ちゅう)によって形成することもできる。
キャリアボディ1のメインボディの上に、1層または複数層のさらなる金属の層を、例えば電解法によって、または無電解法によって、堆積させることができる。一例として、金属キャリアボディのメインボディには、以下の層または積層体、すなわち、銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、ニッケル−パラジウム−金を、特に電解法によって堆積させることができる。
実施形態および例示的な実施形態のすべてにおいて、本発明の放射放出部品のハウジング3は、高い耐熱性を有するプラスチック(例えば、PP、PPA、PPS、LCP、PEEK、エポキシ樹脂)によって形成することができる。
実施形態および例示的な実施形態のすべてにおいて、放射出口窓4はガラスによって形成することができ、ガラスは反射防止コーティングを備えていることもできる。さらに、放射出口窓4は、高い耐熱性を有する光学的に透明なプラスチック(例えばエポキシ樹脂)によって形成することができる。2種類の材料を組み合わせることも可能である。この点において、出口窓は、例えば、放射に対して透過性である領域4a(例えばガラスによって形成されている)(この点においては図10も参照)を備えていることができる。さらに、放射通過窓はカバー4bを備えており、カバー4bは、放射に対して不透明でありかつ高い耐熱性を有する例えば黒色または有色のプラスチック(例えばPP、PPA、PPS、LCP、PEEK、エポキシ樹脂)によって、形成することができる。
以下では、図4A、図4B、図5A、および図5Bの概略斜視図を参照しながら、本発明の放射放出部品を実装するときの異なる向きについて、さらに詳しく説明する。図4Aおよび図4Bの例示的な実施形態においては、ハウジングの底面3aが放射放出部品の実装面を形成している。すなわち、ハウジングの底面3aに沿って延在する接続領域1aに、例えばはんだなどの結合手段8が形成されている。これにより、レーザダイオードチップ2は、動作時にレーザダイオードチップによって生成される電磁放射のビームコーンが、放射放出部品が上に固定されているプリント基板に垂直な方向において、プリント基板に平行な方向におけるよりも大きいような向きにある。
図5Aおよび図5Bに示したケースはこの逆であり、ハウジング3の底面3aに垂直に延在している側面3bが部品の実装面を形成している。図5Aに示した、実装面に対する部品の向きにおいては、側面3bに沿って延在する接続領域1bと、例えば本部品が貼り付けられて電気的に接続されるプリント基板との間に、結合手段8(例えばはんだ)が配置されている。
図6における概略斜視図を参照すると、ハウジング3の底面3aおよび側面3bの両方に取付けピン9が形成されている放射放出部品が示されている。この場合、取付けピンはハウジング3の一体部分であり、例えばハウジングと同じ製造工程においてハウジング3と一緒に形成される。放射放出部品を表面実装するとき、取付けピン9は、意図する位置(例えばプリント基板)に部品を位置合わせする役割を果たすことができる。すなわち、取付けピン9は、例えばプリント基板における対応する孔に係合することができ、この結果として、放射放出部品のために設けられたプリント基板上の位置にのみ、放射放出部品を実装することができる。
実施形態のすべてにおいて、放射出口窓4は、少なくとも放射通路4aの領域に(この点においては図4A、図4B、図5A、図5Bを参照)、動作時にレーザダイオードによって生成される電磁放射の波長の大きさのオーダーである粗面化部を有することができる。この粗面化部によって、特に遠視野において強度プロファイルが均一化される。図7Aおよび図7Bのグラフは、2種類の異なる向き(すなわち、pn接合部に平行な向きおよびpn接合部に垂直な向き)において、粗面化部を有する場合(図7A)と粗面化部を有さない場合(図7B)における、レーザダイオードチップ2によって放出される放射の強度Iを遠視野において示している。この場合、図から明らかであるように、例えば、二重極大値の発生を防止することができる(図7Bの左側の図と図7Aの左側の図を比較)。
この場合、例えば放射出口窓4の外面の粗面化部は、凹凸が統計的に分布し、粗面化部の凹凸の大きさが、動作時にレーザダイオードチップ2によって放出される光の波長の大きさのオーダーであるように、形成されている。
全体として、本発明の部品は、特に、以下の利点を特徴とする。
動作時にレーザダイオードチップによって生成される放射の発散角の異なる向きを、部品をプリント基板の上に対応的に実装することによって簡単な方法で選択することができる。この場合、ハウジング3の底面3aを実装面として、またはそれに対して90゜の角度だけ回転した状態で、プリント基板の上に部品を実装することができる。この場合、ハウジング3のさらなる加工や、例えばプリント基板の適合化は必要ない。
さらには、レーザダイオードチップと金属キャリアボディ1との間の唯一の機械的結合部は、金属キャリアボディ1上の接着剤接合部またははんだ付け結合部にある。ハウジング3の中には、空気または他の何らかの気体が存在するのみである。レーザダイオードチップのポッティングが存在しないため、レーザダイオードチップにかかる機械的な歪みや、部品の信頼性に関して歪みに関連するマイナスの影響が小さい。
電気的設計が最適化されている結果として、すなわち、アクティブコンポーネントが空間的に互いに近くに配置されている結果として、および少なくとも2個のキャパシタ6が使用されている結果として、動作時に放射放出部品によって放出されるレーザ放射の短パルス挙動を改善することが可能である。放射は、特に、特に短いパルス幅と、パルスの短い立ち上がり時間および立ち下がり時間とを特徴とする。
さらに、この実施形態の場合、公差が重要である高価な金属ハウジングを使用する代わりに、特にプラスチックによって形成された、よりコスト効果の高いハウジング3が使用されている。これにより公差が改善され、光学システムを実際に位置合わせる必要がない。特に、ハウジング3に形成されている取付けピン9を使用することによって、放射放出部品が上に実装される例えばプリント基板への確実に固定された接続部を形成することが可能である。さらには、実装工程(例えばはんだ付け工程)時における位置決めのずれ(shifted positionings)が、取付けピン9によって防止される。位置決めのずれとは、例えば、液体はんだの上にハウジングが浮く(いわゆるツームストーニング)ことであり、すなわち、はんだの硬化時に部品が傾く。部品が上に実装されるプリント基板における対応する孔の中に取付けピン9が圧入によって導入されるならば、取付けピン9によって位置決めのずれが特に効果的に防止される。
以下では、本発明の放射放出部品のさらなる例示的な実施形態について、図8A〜図8Dを参照しながらさらに詳しく説明する。前の例示的な実施形態とは異なり、この放射放出部品は、2つの部分から構成される放射出口窓を備えている。放射出口窓4は、放射に対して透過性の領域4aを備えており、この領域4aは例えばガラスによって形成されている。さらに、放射出口窓4は、カバー4bを備えており、このカバー4bは、底面3aとは反対側の部品の面に配置されており、高い耐熱性を有するプラスチック(例えばPP、PPA、PPS、LCP、PEEK、エポキシ樹脂)によって形成されている。この場合、カバー4bは、放射に対して透過性として、または放射に対して不透明として具体化することができる。さらに、図8Bおよび図8Cは、長さL、高さH、幅B1、レーザダイオードチップ2とさらなる側面3cとの間の距離B2、接続領域1bの間の距離D1、および接続領域の幅D2を示している。例えば、以下の値が有利である。
L=8.55mm
H=3.85mm
D1=1.75mm
D2=0.80mm
B1=6.45mm
B2=3.225mm
この場合、示した値を中心として、±20%、好ましくは±10%の値の変動が許容される。
さらに、図8Dの概略斜視図から明らかであるように、接続領域1a,1bには、異なる機能を割り当てることができる。この点において、接続部101は、部品を接地する目的に設けることができ、接続部104も同様である。接続部102は、部品に電圧を供給する役割を果たすことができるのに対して、接続部103は、放射放出部品を外部から駆動する目的で設けられている。
以下では、図9A、図9B、および図9Cの概略図を参照しながら、一体の放射出口窓4をハウジング3に固定するためのさまざまな可能な方法について説明する。この場合、放射出口窓4は、例えば高い耐熱性を有するプラスチック(放射に対して透過性である)によって形成されている。図9Bの断面図から明らかであるように、ハウジング3は、放射出口窓4の側の面に突起部40を有することができ、この突起部が放射出口窓4の対応する凹部41に係合する。このようにすることで、一例として、2つの要素部分の間のラッチ結合が可能となる。突起部40は、特に、ラッチ固定突起(latching lug)とすることができる。さらに、このタイプの結合では、放射出口窓4とハウジング3との間の結合手段なしに結合することが可能である。
さらに、図9Cに示したように、プラスチックハウジング3と放射出口窓4との間に、結合手段42(例えば接着剤)を配置することも可能である。結合手段42は、例えばハウジング3の突出部43(側面に沿って延在している)の上に配置することができる。
以下では、本発明の放射放出部品の例示的な実施形態について、図10を参照しながらさらに詳しく説明し、この実施形態では、放射出口窓4が2つの部分から構成されるように具体化されている。放射出口窓4は、放射に対して透過性の領域4aを備えており、この領域4aは、放出方向においてレーザダイオードチップ2の下流に配置されている。さらに、放射出口窓4はカバー4bを備えており、カバー4bは、放射に対して不透明として具体化することができる。放射に対して不透明な領域4は、例えばプレート(例:ガラスプレート)として具体化されており、プラスチックハウジング3の凹部またはガイドレールに挿入されている。
カバー4bは突出部を有し、この突出部は、プラスチックハウジング3の底面3aの方向にプレートを押し付けている。カバー4bは、プラスチックハウジング3の突出部43に、接着接合によって(例えば接着剤によって)固定することができる。すなわち、図10の例示的な実施形態においては、放射出口窓4は2つの部分から構成される。カバー4bは、特に、プラスチックハウジング3と同じ材料からなることができる。結合手段によって固定する代わりとして(例えば接着接合の代替方法として)、この場合にも、確実に固定される結合法(例えば上述したラッチ結合)によって、カバー4bをプラスチックハウジング3に固定することもできる。
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第102011116534.0号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。

Claims (10)

  1. 放射放出部品であって、
    − 前記部品との電気的接触を形成するための少なくとも2つの接続領域(1a,1b)を備えている金属キャリアボディ(1)と、
    − 前記金属キャリアボディ(1)に固定されており、かつ前記少なくとも2つの接続領域(1a,1b)に導電接続されているレーザダイオードチップ(2)と、
    − 前記金属キャリアボディ(1)を部分的に囲んでいるハウジング(3)と、
    を備えており、
    − 前記ハウジング(3)がプラスチックによって形成されており、
    − 前記接続領域(1a,1b)が、それぞれ、少なくとも部分的に前記ハウジング(3)の底面(3a)および側面(3b)に沿って延在しており、前記側面(3b)が前記底面(3a)を横切る方向に延在しており、
    − 前記部品が、前記底面(3a)または前記側面(3b)が前記部品の実装面を形成するように前記接続領域(1a,1b)によって表面実装可能である、
    放射放出部品。
  2. 所望の位置において2つの向きに実装可能であり、第1の向きにおいては、前記底面(3a)が前記部品の前記実装面を形成し、第2の向きにおいては、前記底面(3a)を横切る方向に延在する前記側面(3b)が前記部品の前記実装面を形成する、
    請求項1に記載の放射放出部品。
  3. 前記ハウジング(3)のさらなる側面(3c)における放射出口窓(4)、
    を有し、
    − 前記放射出口窓(4)が、前記レーザダイオードチップ(2)の放射出口面(2a)に面しており、
    − 前記放射出口窓(4)が、動作時に前記レーザダイオードチップ(2)によって生成される放射の少なくとも放射通路(4a)の領域において、前記放射に対して透過性であり、
    − 前記放射出口窓(4)が、少なくとも前記放射通路(4a)の領域において、所望の状態に設定される平均粗さを有する、
    請求項1または請求項2のいずれかに記載の放射放出部品。
  4. 前記平均粗さが、動作時に前記レーザダイオードチップ(2)によって生成される放射のピーク波長の少なくとも0.5倍から最大で1.5倍の範囲内である、
    請求項3に記載の放射放出部品。
  5. 前記金属キャリアボディ(1)に面していない前記レーザダイオードチップ(2)の領域が、空気または他の何らかの気体に隣接している、
    請求項1から請求項4のいずれかに記載の放射放出部品。
  6. 前記金属キャリアボディ(1)が、部分的に前記ハウジング(3)に埋め込まれている、
    請求項1から請求項5のいずれかに記載の放射放出部品。
  7. 前記ハウジングの前記底面(3a)および前記側面(3b)それぞれに、少なくとも1本の取付けピン(9)が形成されている、
    請求項1から請求項6のいずれかに記載の放射放出部品。
  8. 前記少なくとも1本の取付けピン(9)が、前記部品を実装するときの位置合わせのために設けられている、
    請求項7に記載の放射放出部品。
  9. − 前記レーザダイオードチップ(2)をスイッチングするためのトランジスタ(5)と、
    − 前記レーザダイオードチップ(2)にエネルギを供給するための少なくとも2個のキャパシタ(6)の並列接続と、
    を有し、
    − 前記トランジスタ(5)と前記キャパシタ(6)が、前記金属キャリア(1)の上に固定されており、前記少なくとも2つの接続領域(1a,1b)に導電接続されており、
    − 前記部品が、レーザパルスを生成するのに適している、
    請求項1から請求項8のいずれかに記載の放射放出部品。
  10. 前記トランジスタ(5)が、少なくとも2本のコンタクトワイヤ(7)を介して前記レーザダイオードチップに導電接続されている、
    請求項9に記載の放射放出部品。
JP2014536169A 2011-10-20 2012-09-27 放射放出部品 Pending JP2014531132A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011116534.0A DE102011116534B4 (de) 2011-10-20 2011-10-20 Strahlungsemittierendes Bauelement
DE102011116534.0 2011-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014531132A true JP2014531132A (ja) 2014-11-20

Family

ID=47049144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014536169A Pending JP2014531132A (ja) 2011-10-20 2012-09-27 放射放出部品

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9379517B2 (ja)
JP (1) JP2014531132A (ja)
KR (1) KR101999775B1 (ja)
CN (1) CN103891065B (ja)
DE (1) DE102011116534B4 (ja)
WO (1) WO2013056967A2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017112138A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP2018525826A (ja) * 2015-08-27 2018-09-06 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH レーザ部品およびその製造方法
JP2018529232A (ja) * 2015-09-18 2018-10-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品
JP2019511128A (ja) * 2016-05-17 2019-04-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 電気デバイスを備えるアセンブリ

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013201931B4 (de) * 2013-02-06 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013111578B4 (de) * 2013-10-21 2019-04-18 Wago Verwaltungsgesellschaft Mbh Elektronikmodul
DE102017118349B4 (de) 2016-08-12 2023-09-07 Analog Devices, Inc. Optische emitterbaugruppen
US20180278011A1 (en) * 2017-03-23 2018-09-27 Infineon Technologies Ag Laser diode module
DE102017108050B4 (de) 2017-04-13 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterstrahlungsquelle
NL2022241B1 (en) * 2018-12-18 2020-07-03 Sencio B V Laser chip package
CN109586165B (zh) 2019-01-25 2020-04-07 维沃移动通信有限公司 一种激光模组及电子设备
US10644479B1 (en) 2019-02-23 2020-05-05 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264885A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sony Corp 半導体レーザ装置
US5844257A (en) * 1997-06-12 1998-12-01 Quarton, Inc. Multi-directional light emitting semiconductor device
JP2000123391A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Sharp Corp 光導波路ユニット、およびこれを用いた光学ヘッド
JP2003513463A (ja) * 1999-11-02 2003-04-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザダイオード装置およびその製造方法
JP2003133626A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法
US20040032888A1 (en) * 2000-08-22 2004-02-19 Christian Ferstl Laser module comprising a drive circuit
US20060078248A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Nec Corporation Structure and method for mounting LSI package onto photoelectric wiring board, information processing apparatus, optical interface, and photoelectric wiring board
JP2008235826A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2009152330A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Panasonic Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置
JP2011091344A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Nichia Corp 発光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400175B1 (de) 1989-05-31 1994-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
US5689520A (en) * 1995-10-31 1997-11-18 Xintec Corporation Method and apparatus for variable waveform output in surgical lasers
US5838703A (en) * 1996-09-30 1998-11-17 Motorola, Inc. Semiconductor laser package with power monitoring system and optical element
US6008529A (en) * 1998-06-25 1999-12-28 Bily Wang Laser diode package
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US7208725B2 (en) * 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10122002A1 (de) * 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
US7718451B2 (en) 2003-02-28 2010-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
DE10323857A1 (de) 2003-05-26 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
KR101131259B1 (ko) 2004-03-24 2012-03-30 스탄레 덴끼 가부시키가이샤 발광 장치의 제조방법 및 발광 장치
DE102005017527A1 (de) * 2005-04-15 2006-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP4922663B2 (ja) 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
DE102007062044A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaservorrichtung
JP2010244016A (ja) * 2009-03-18 2010-10-28 Toppan Printing Co Ltd 防眩フィルム、偏光板、透過型液晶ディスプレイ
US8431951B2 (en) * 2009-10-01 2013-04-30 Excelitas Canada, Inc. Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264885A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sony Corp 半導体レーザ装置
US5844257A (en) * 1997-06-12 1998-12-01 Quarton, Inc. Multi-directional light emitting semiconductor device
JP2000123391A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Sharp Corp 光導波路ユニット、およびこれを用いた光学ヘッド
JP2003513463A (ja) * 1999-11-02 2003-04-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザダイオード装置およびその製造方法
US20040032888A1 (en) * 2000-08-22 2004-02-19 Christian Ferstl Laser module comprising a drive circuit
JP2003133626A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法
US20060078248A1 (en) * 2004-10-07 2006-04-13 Nec Corporation Structure and method for mounting LSI package onto photoelectric wiring board, information processing apparatus, optical interface, and photoelectric wiring board
JP2008235826A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2009152330A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Panasonic Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置
JP2011091344A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Nichia Corp 発光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018525826A (ja) * 2015-08-27 2018-09-06 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH レーザ部品およびその製造方法
JP2018529232A (ja) * 2015-09-18 2018-10-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品
US10784411B2 (en) 2015-09-18 2020-09-22 Osram Oled Gmbh Housing having a recess exterior for an optoelectronic component
JP2017112138A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP2019511128A (ja) * 2016-05-17 2019-04-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 電気デバイスを備えるアセンブリ
US10637206B2 (en) 2016-05-17 2020-04-28 Osram Oled Gmbh Assembly comprising an electric component
US11177628B2 (en) 2016-05-17 2021-11-16 Osram Oled Gmbh Assembly comprising an electric component

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011116534B4 (de) 2022-06-23
CN103891065A (zh) 2014-06-25
CN103891065B (zh) 2017-02-22
US9379517B2 (en) 2016-06-28
DE102011116534A1 (de) 2013-04-25
KR101999775B1 (ko) 2019-07-12
WO2013056967A3 (de) 2013-06-27
KR20140084147A (ko) 2014-07-04
US20140307755A1 (en) 2014-10-16
WO2013056967A2 (de) 2013-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014531132A (ja) 放射放出部品
KR102129647B1 (ko) 광전자 조명 모듈, 광전자 조명 장치 및 차량 헤드램프
JP6895987B2 (ja) 電気デバイスを備えるアセンブリ
US7502399B2 (en) Package for a laser diode component, laser diode component and method for producing laser diode component
US9300112B2 (en) Packaged laser diode and method of packaging a laser diode
US9472923B2 (en) Laser component and method for the production thereof
US8581288B2 (en) Light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode
US8592830B2 (en) LED unit
US7193299B2 (en) Conductor frame and housing for a radiation-emitting component, radiation-emitting component and display and/or illumination system using radiation-emitting components
US9337612B2 (en) Laser component and method for its production
JP2010516050A (ja) オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置
US8957448B2 (en) LED package and fabrication method of the same
US11404845B2 (en) Light-emitting device
KR20100099734A (ko) 콤팩트 하우징
JP2016532283A (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
KR100902357B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101052967B1 (ko) 레이저다이오드 소자의 제조 방법, 레이저다이오드 소자의하우징 및 레이저다이오드 소자
US9911719B2 (en) Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component
JP2004253638A (ja) 光部品とその製造方法
KR100714628B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
JP2012502453A (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
KR20170045544A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
US20120025217A1 (en) Led lighting module
JP6509837B2 (ja) 少なくとも1つの光源を電力供給システムに電気的に接続するためのシステム
US9923123B2 (en) Printed circuit board and light-emitting device including same

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160330

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160823