JP6691960B2 - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents

Description

本発明は、オプトエレクトロニクス部品、およびオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法に関する。

本特許出願は、独国特許出願第１０２０１５１１５８２４．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。

ハウジング内に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップを有するオプトエレクトロニクス部品は従来から知られている。このようなオプトエレクトロニクス部品において、オプトエレクトロニクス半導体チップはハウジング本体のキャビティに配置されていてもよく、封止材料で封止されていてもよい。オプトエレクトロニクス半導体チップはハウジングの基部に配置されて、ハウジングカバーに封入されていてもよい。

このようなオプトエレクトロニクス部品において、オプトエレクトロニクス半導体チップから放出された電磁放射は、通常、オプトエレクトロニクス部品の出口または放出面を通って、部品から出てくる。

本発明の目的は、改良されたオプトエレクトロニクス部品、およびオプトエレクトロニクス部品を製造するための改良された方法を提供することである。

本目的は、各独立項に記載されたオプトエレクトロニクス部品および方法により達成される。従属項において、部品および方法それぞれの修正形態が規定される。

オプトエレクトロニクス部品は、ハウジングに配置されて電磁放射を放出するためのオプトエレクトロニクス半導体チップを有し、ハウジングは外壁面と、電磁放射に対して透明な出口面を有する。出口面は外壁面に比べて、ハウジングの内部に向かう方向に後退しており、オプトエレクトロニクス半導体チップは、オプトエレクトロニクス半導体チップから放出方向において放出された放射を、出口面を通ってオプトエレクトロニクス部品から出せるように配置されている。

出口面は例えば、ハウジングの、外壁面に配置された凹部に配置されてもよい。外壁面に比べて出口面がハウジングの内部に向かう方向に後退していることにより、出口面の光学特性がまっすぐな方向へと適合し、オプトエレクトロニクス部品から出る放射が、高いビーム質を有するビームとして放出されるため有利である。また、光学特性が例えば、低い散乱損失や反射損失、あるいは放出されるビームの低い偏向などが出口面において得られるように適合できるため有利である。

光学特性を適合させるために、出口面は例えば、損失の少ない滑らかな出口面の形成を可能にするような方法で製造されてもよい。そのような方法には、成形方法が挙げられる。成形方法には例えば、鋳造方法、射出成形方法あるいは圧縮成形方法などがある。成形方法は、造形方法とも呼ばれる。

外壁面は例えば、有利に容易かつ安価な方法、例えば挽割、破断などの分割方法により製造される。外壁面が型抜き勾配を有していたとしても、後退して配置される出口面には型抜き勾配がない、またはほとんどない状態で形成することができ、放出されるビームは出口面を垂直方向に通過することができるため有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、外壁面には分割跡があり、出口面には分割跡がない。これは例えば、出口面ではなく、外壁面を、互いに連結する複数のオプトエレクトロニクス部品のハウジングパーツからなる、ハウジング部品集合体を分割することによって形成した場合にあたる。外壁面は出口面に比べ、分割跡があるために例えば表面粗度が大きくなりうる。分割跡とはすり傷、溝、研削跡、バリ、溶融跡などでありうる。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、出口面は放出方向に対して垂直である。これにより、放出方向に進むビームの偏向が出口面において低くなるため有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、オプトエレクトロニクス半導体チップはハウジングのハウジング基部の上側上方に配置される。こうすることで、オプトエレクトロニクス半導体チップへの接触はハウジング基部の上側に配置される接触要素を通じて行われ、特にオプトエレクトロニクス半導体チップの下側において接触が行われる。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、放出方向はハウジング基部の上側に対して平行である。このような半導体チップを有するオプトエレクトロニクス部品は、いわゆるサイドルッカー（ｓｉｄｅｌｏｏｋｅｒ）部品として構成することができ、実装面に配置して、当該面に対し平行に電磁放射を放出するようできるため有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジング基部の上側は、出口面の領域において、オプトエレクトロニクス半導体チップと外壁面の間に位置する基部凹部を有する。こうすることで、オプトエレクトロニクス半導体チップから出た放射が、ハウジング基部の上側に遮られないようにできるため有利である。特に、電磁放射を大きく広がるビームとして放出するオプトエレクトロニクス半導体チップの場合、有利になりうる。基部凹部があるために、たとえ放射が広がって放出されるオプトエレクトロニクス半導体チップであっても、オプトエレクトロニクス半導体チップの外壁面から大きく離れて配置できるため、有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、オプトエレクトロニクス半導体チップは上側に配置されている台座に配置される。そのため、放射が広がって放出されるオプトエレクトロニクス半導体チップを外壁面から大きく離れて配置できる。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、台座は上側に施されたメタライゼーション層から形成され、メタライゼーション層の高さは上側に垂直な方向において少なくとも２０μｍ、特に１００μｍから３００μｍである。メタライゼーション層として構成される台座を製造するのは、容易にまた安価に行えるため有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジングは、ハウジング基部を有するハウジング本体、封止材料、ハウジング本体内に形成されるハウジング基部の上側に隣接するキャビティを有する。ハウジング本体は少なくとも外壁面の一部を有する。キャビティは少なくとも一部が封止材料で封止されており、出口面は封止材料から形成される。

このようなオプトエレクトロニクス部品において、外壁面を有するハウジング本体と、出口面とは別の材料から作ることができるため有利である。この場合、ハウジング本体の材料特性は、出口面とは別に独立して適合させてもよく、例えば製造中の収縮をできるだけ少なくし、機械的安定性ができるだけ高くなるように適合させうる。更に、ハウジング本体と外壁面は出口面とは異なり、電磁放射に対して不透明な材料から作ることによって、電磁放射が出口面を通ってのみ電磁部品から出るようにしてもよい。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジング本体は開口部を有する。出口面は開口部に配置されており、開口部は少なくとも一部が封止材料で封止されている。

このようなオプトエレクトロニクス部品は、ハウジング部品集合体内で容易にまた安価に製造できるため有利である。例えば、ハウジング集合体において隣り合って配置される２つのハウジング本体のキャビティは、開口部によって互いに連結されていてもよい。出口面はその後、開口部に配置された成形型の、出口面の形を定めるパーツおよび、封止材料で封止される、互いに隣接する２つのハウジング本体のキャビティによって形成されてもよい。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、外壁面の一部が封止材料から形成されてもよい。オプトエレクトロニクス部品を製造する時、上記の構成により、出口面形成の際に、開口部に対して横向き、かつハウジング基部に対して平行な方向における横幅が、開口部の対応する横幅に比べて短い成形型を使用することができる。こうすることで、オプトエレクトロニクス部品に成形型を配置する際、位置決めが相当不正確であっても許容されうるため有利である。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジング基部は、チップ接触パッドおよび基部接触パッドを有する接触要素を有しており、チップ接触パッドおよび基部接触パッドは互いに導通接続している。接触要素は、ハウジング基部の上側から、ハウジング基部において上側の反対側に位置する下側まで延伸している。チップ接触パッドはハウジング基部の上側の一部を形成し、基部接触パッドはハウジング基部の下側の一部を形成している。このようなオプトエレクトロニクス部品は、容易にまた安価に製造できるため有利である。例えば、ハウジング本体製造の際に、接触要素は、その回りにハウジング本体を形成するハウジング本体成形材料が成形されているリードフレームの一部であってもよい。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジングは、放射に対して透明でありかつハウジング基部に配置されているハウジングカバーを有している。外壁面と出口面は少なくとも一部がハウジングカバーに形成されており、ハウジングカバーはハウジング基部に配置されている。

ハウジングカバーは例えば、他のハウジングカバーと一緒に製造されていてもよい。個々のカバーが、外壁面が形成される時に使用する分割方法によって分離された場合、出口面が外壁面に比べて後退しているハウジングカバーでは、外壁面のみに溝やすり傷などの分割跡が残り、出口面には残らない。

ハウジングカバーの外壁面はまた、型抜き勾配を有していてもよく、その場合には外壁面はオプトエレクトロニクス半導体チップの放出方向に対して垂直ではない。これは例えば、ハウジングカバーが成形方法によって製造された場合などにあたる。外壁面に比べてハウジングの内部に向かう方向に後退している出口面は、型抜き勾配を有することなく形成することができるため有利であり、放出方向に対して垂直に配置できる。

オプトエレクトロニクス部品の一修正形態において、ハウジング基部は回路基板またはセラミック基板を有している。

外壁面と、外壁面に比べてハウジングの内部に向かう方向に後退しており、かつハウジング内に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップから放出された電磁放射に対して透明である出口面と、を有するハウジングを有するオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法は、放射に対して透明な成形材料から出口面を、出口面の形を定める成形型を使用して、ハウジング部品集合体内で成形する工程を含む。

出口面を成形型を使用して成形材料から形成すると、出口面が特に滑らかに形成されるため有利である。そのため、放射がオプトエレクトロニクス部品から高いビーム質を有しつつ出てくるため、散乱損失や反射損失、あるいはビーム偏向や拡大などを出口面において少なくすることができ、有利である。

透明な成形材料は例えば、オプトエレクトロニクス部品のハウジング本体のキャビティに導入される封止材料であってもよい。透明な成形材料は、ハウジングカバーなどのオプトエレクトロニクス部品のハウジング部品を形成できる成形材料であってもよい。

一修正形態において、前記方法はハウジング部品集合体を分割することにより、外壁面を形成する工程を含む。分割は切断、挽割、破断、レーザー切断などにより行ってもよい。ハウジング部品集合体は、互いに連結した、複数のオプトエレクトロニクス部品のハウジング部品を有する。ハウジング部品は例えば、ハウジング本体またはオプトエレクトロニクス部品のハウジングカバーであってよい。ハウジング部品は例えば、材料が同じで、互いに直接隣接し、連結していてもよい。ハウジング部品集合体は例えば、成形体と同様に成形方法により製造されていてもよい。同じ材料からなる複数の成形体が一つになったハウジング部品集合体は、個々の成形体のための型が一つになった一般的な成形型を使用して製造してもよい。

本方法の一修正形態において、出口面はハウジング部品集合体の、成形型により形が定められた凹部に形成され、凹部はハウジング部品集合体の分割に際して分割される。ハウジングの内部に向かう方向に後退しているために出口面は、分割方法を行う際に分割工具に接触せず、出口面の表面状態は成形方法のみに左右されるため有利である。

一修正形態において、本方法は、オプトエレクトロニクス半導体チップを受け入れるためのキャビティを有するハウジングのハウジング本体を有するハウジング部品集合体を準備する工程と、成形型をキャビティに配置する工程と、キャビティに透明な成形材料を充填する工程とを更に含む。こうしてキャビティに充填するための透明な成形材料から、滑らかな出口面が容易に形成できるため有利である。この場合、出口面の形成とキャビティへの充填は、一回の作業工程で行ってもよい。

本方法の一修正形態において、成形型の、出口面の形を定めるパーツはハウジング本体の開口部に配置される。こうすることで、出口面がハウジングの外側に露出するという効果が容易に得られ、放射をオプトエレクトロニクス部品から出すことができる。

本方法の一修正形態において、ハウジングのハウジングカバーを有するハウジング部品集合体が、透明な成形材料から出口面と共に成形され、本方法はハウジングカバーを、ハウジングのハウジング基部に配置する工程を更に含む。集合体の中で、出口面を製造されるハウジングカバーと共に形成するのは、オプトエレクトロニクス部品を容易にまた安価に製造できるため有利である。ハウジングの外壁面は例えば、ハウジングカバーの分離の際に、ハウジング部品集合体が分割される分割面に沿って形成されてもよい。出口面がハウジングの内部に向かう方向に後退しているため、出口面は分割工具に接触せず、分割処理の際に出口面に傷がつくことが避けられるため有利である。

本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、図面に関連して以下にさらに詳しく説明する例示的な実施形態と合わせて、さらに明確かつ容易に理解されるであろう。

オプトエレクトロニクス部品の平面図である。 オプトエレクトロニクス部品の斜視図である。 オプトエレクトロニクス部品を有するハウジング部品集合体の詳細を示す図である。 別のオプトエレクトロニクス部品の斜視図である。 別のオプトエレクトロニクス部品のハウジングカバーの斜視図である。 別のオプトエレクトロニクス部品の断面側面図である。

図１はオプトエレクトロニクス部品１の平面図である。オプトエレクトロニクス部品１はハウジング１００およびハウジング１００に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップ１０を有する。オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、電磁放射１４のビームを放出方向１２に放出するように構成されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は例えば、放出される放射として、レーザー放射、特にコヒーレント放射を放出するように構成されているレーザーチップであってよく、あるいはインコヒーレント放射を放出するように構成されていてもよく、例えばＬＥＤチップとして形成されていてもよい。

ハウジング１００はハウジング本体１１０を有しており、ハウジング本体１１０にはキャビティ１１４が形成されている。ハウジング本体１１０のキャビティ１１４が上に向かって開口することにより、ハウジング本体１１０の上側が開いている。ハウジング本体１１０はさらに、上側１２２を挟んでキャビティ１１４と隣接するハウジング基部１２０を有している。図１に示すようにオプトエレクトロニクス部品１を平面図として見た場合、ハウジング基部１２０の上側１２２は紙面に対して平行に位置している。

キャビティ１１４をハウジング本体１１０のハウジング壁１１１が囲んでいる。ハウジング壁１１１はこの時、ハウジング基部１２０の上側１２２に隣接して形成されており、ハウジング基部１２０と、例えば同じ材料で連結されていてもよい。ハウジング壁１１１はその内側がキャビティ１１４と隣接しており、ハウジング壁の外側はハウジング本体１１０の外壁の一部を、あるいはそれぞれがオプトエレクトロニクス部品１の外壁の一部を形成している。オプトエレクトロニクス部品１のハウジング壁１１１の壁厚は均一ではなく、放出方向１２における側の壁厚はその他の側の壁圧よりも薄い。オプトエレクトロニクス部品１に係る他の実施形態において、ハウジング壁１１１の壁厚はすべての側において同一であってもよい。

ハウジング壁１１１、あるいはハウジング本体１１０すべてが、放出される放射１４に対して不透明であるように構成されていてもよい。例えば、ハウジング壁１１１およびハウジング本体１１０は、熱可塑性材料および／または熱硬化性材料などのプラスチックを含んでいてもよい。オプトエレクトロニクス部品１の例では、ハウジング壁１１１は不透明なプラスチックから形成されている。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０はキャビティ１１４の内側、ハウジング基部１２０の上側１２２の上方に配置され、ハウジング壁１１１に囲まれている。オプトエレクトロニクス部品１の例では、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０はハウジング基部１２０上に直接配置されている。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、放出された電磁放射１４がハウジング基部１２０の上側１２２に対し平行に放出されるように構成されているため、放出方向１２はハウジング基部１２０の上側１２２と平行である。オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は電磁放射１４を広げるように放出してもよい。この場合、放出方向１２あるいは放射方向とは、放出された放射の中心あるいは放射１４が最も強い方向を指す。従って、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出された光束の中心は放出方向１２となる。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、例えば端面発光型として構成されていてもよく、その中で放出された放射１４は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の側面にあり上側１２２に対して平行な活性層を形成する、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の端面から、上側１２２に対し垂直に放出される。この端面は例えば、上側１２２に対し平行かつ上側１２２の反対側にある、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の側面に形成されていてもよい。

オプトエレクトロニクス部品１のハウジング１００は、放出方向１２における外壁上に外壁面１０６を有し、外壁面１０６にはオプトエレクトロニクス部品１の内部に向かう方向に陥入する凹部１０２が形成されている。放出される放射１４に対し透明である出口面１０４は、凹部１０２に配置される。出口面１０４はこの場合、外壁面１０６に比べハウジング１００の内部に向かう方向に後退して配置され、即ちオプトエレクトロニクス部品１の場合では半導体チップ１０の方向に後退して配置されている。外壁面１０６および出口面１０４はそれぞれ、ハウジング１００の外壁の一部、あるいはハウジング本体１１０の一部を形成している。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は出口面１０４に比べてハウジング１００の内部にあり、放出された放射１４は出口面１０４を通ってオプトエレクトロニクス部品１から出ることができる。オプトエレクトロニクス部品１において、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の放射１４が放出される側は、出口面１０４に対向するように配置されている。出口面１０４は放出方向１２に対し、実質的に垂直である。

外壁面１０６に比べて出口面１０４を後退するように形成するには、ハウジング本体１１０の開口部１１２をハウジング壁１１１内に形成する。開口部１１２では、ハウジング本体１１０のキャビティ１１４が、ハウジング本体１１０の外壁面１０６において露出している。

キャビティ１１４とキャビティ１１４内に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、放出された放射１４に対し透明なシリコーンなどの材料からなる封止材料１４０によって封止されている。同様にハウジング本体１１０の開口部１１２も部分的に封止材料１４０で封止されている。封止材料１４０は、ハウジング本体１１０のキャビティ１１４を充填する透明な成形材料を形成する。封止材料や成形材料は、キャビティ１１４内へ例えば圧縮成形方法によって導入されてもよい。

凹部１０２は封止材料１４０内に形成され、出口面１０４は封止材料１４０から形成される。出口面１０４と凹部１０２は、開口部１１２内部に配置される。ハウジング基部１２０の上側１２２に平行となる方向における、出口面１０４と凹部１０２の水平幅１０３、は開口部１１２の同じ方向における水平幅１１３よりも短い。オプトエレクトロニクス部品１において、凹部１０２は開口部１１２内部の実質的に中央に配置され、封止材料１４０の外側は開口部１１２の端部において外壁面１０６と同じ高さである。封止材料１４０は、ハウジング壁１１１の端と凹部１０２の間の領域に、外壁面１０６の一部位１０７をそれぞれ形成する。

他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、凹部１０２は開口部１１２内部中央に配置されていなくてもよい。凹部１０２はその１以上の側面においてハウジング壁１１１の端と接していてもよく、その場所において、出口面１０４はハウジング壁１１１に隣接しているため、封止材料１４０から形成される、外壁面１０６の一部位１０７は存在しない。

出口面１０４は、そのすべてが放射１４に対して透明な封止材料１４０から形成されているため、出口面１０４も放射１４に対し透明である。外壁面１０６のある一部はハウジング本体１１０からなり、一方、外壁面１０６の一部位１０７は封止材料１４０から形成されている。オプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング本体１１０は放射１４に対し不透明な材料から形成されるため、外壁面１０６も一部が同様に、放射１４に対して不透明なハウジング本体１１０の材料から形成され、一部が透明な封止材料１４０から形成される。

図２はオプトエレクトロニクス部品１の斜視図である。キャビティ１１４と外壁面１０６を有するハウジング本体１１０と共に、キャビティ１１４に導入された封止材料１４０が示される。封止材料１４０内に形成された、出口面１０４を有する凹部１０２も同様に示される。

オプトエレクトロニクス部品１において、キャビティ１１４は封止材料１４０で完全に封止されている。特に、封止材料１４０は、ハウジング基部１２０の上側１２２に対して垂直な方向において、オプトエレクトロニクス部品１の上側と同じ高さとなっている。しかしながら、他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、キャビティ１１４は部分的に封止材料１４０で封止されていてもよい。その場合、キャビティ１１４は、ハウジング基部１２０の上側１２２に対して垂直な方向において、オプトエレクトロニクス部品１の高さよりも低い高さまで充填されているだけでもよい。

ハウジング基部１２０の上側１２２の上方に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、当該オプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング基部１２０の上側１２２上に直接配置されている。しかしながら、他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング基部１２０とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の間に、更なる要素、例えばスペーサーやサブマウントなどの台座が配置されていてもよい。これについては図６に関連してさらに説明する。

ハウジング本体１１０のハウジング基部１２０はリードフレーム１２６を有しており、リードフレーム１２６の回りには成形材料、より正確にはハウジング本体成形材料が成形されている。この場合、成形材料はハウジング本体１１０のハウジング壁１１１を形成する材料からなる。特に、ハウジング本体成形材料は、電気絶縁性および／または放出される放射１４に対して不透明であってもよい。リードフレーム１２６は導電性であるように構成されており、例えば金属などの導電性材料を含む。リードフレーム１２６は複数の接触要素を有し、接触要素は互いに電気的に絶縁されるようにハウジング基部１２０に埋め込まれている。接触要素は外壁面１０６において部分的に露出しており、即ち接触要素も外壁面１０６の一部を形成している。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、リードフレーム１２６の接触要素１２７上に配置されている。接触要素１２７はハウジング基部１２０の上側１２２から、上側１２２の反対側に位置するハウジング基部１２０の下側１２３まで延伸している。接触要素１２７は、ハウジング基部１２０の上側１２２の一部を形成するチップ接触パッド１２８を有する。オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、そこから放出される電磁放射１４が実質的にチップ接触パッド１２８に対し平行になるようにチップ接触パッド１２８上に配置される。

接触要素１２７において、チップ接触パッド１２８の反対側に位置し、ハウジング基部１２０の下側１２３の一部を形成する基部接触パッド１２９が示される。基部接触パッド１２９はハウジング基部１２０の下側１２３において露出しており、オプトエレクトロニクス部品１の外部からの導電性接触が接触要素１２７の基部接触パッド１２９を通じて可能となる。接触要素１２７のチップ接触パッド１２８と基部接触パッド１２９は、接触要素１２７の実質的に平面状の壁面として形成されており、接触要素１２７の導電性材料によって互いに導電接続している。

ハウジング基部１２０の上側１２２は、チップ接触パッド１２８の他に、ハウジング本体１１０の絶縁材料から形成される領域も有する。上側１２２のこの領域は、接触要素１２７のチップ接触パッド１２８と同じ平面に位置していてもよく、チップ接触パッド１２８に対し垂直な方向において、チップ接触パッド１２８の上方または下方に配置されていてもよい。オプトエレクトロニクス部品１においては、ハウジング基部１２０の上側１２２の、前記絶縁材料から形成される領域は、チップ接触パッド１２８の上方に配置されている。即ち、ハウジング基部１２０の上側１２２はすべてが平面であるように形成されていてもよく、または上側１２２はチップ接触パッド１２８よりも上方および／または下方にある領域を有していてもよい。

上側１２２の反対側に位置する、ハウジング基部１２０の下側１２３も同様に、実質的に平面であるように形成されていてもよく、または基部接触パッド１２９よりも上方および／または下方にある領域を有していてもよい。基部接触パッド１２９が実質的に平面であるように構成されている場合、基部接触パッド１２９は、オプトエレクトロニクス部品１を例えば回路基板のような担体に配置するためのベアリング面として使用することができる。そのために、オプトエレクトロニクス部品１は例えば図２に示されるように、ハウジング基部１２０の下側１２３が実質的に平面であるＱＦＮ部品（クワッドフラットノンリード部品）として形成されてもよい。

オプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング基部１２０の上側１２２は、出口面１０４の領域に基部凹部１２５を有している。基部凹部１２５は、ハウジング本体１１０の開口部１１２内に配置されている。基部凹部１２５は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出方向１２において放出された電磁放射１４のビームよりも下方に位置するように、外壁面１０６とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の間に配置されている。基部凹部１２５は放出された放射１４がハウジング基部１２０に遮られないようにもうけられている。これについては図６に関連してさらに説明する。

基部凹部１２５は接触要素１２７内に形成されている。この場合基部凹部１２５は接触要素１２７の端部に形成されている。この端部において、チップ接触パッド１２８と、外壁面１０６の一部を形成する、接触要素１２７の側面が接している。接触要素１２７のチップ接触パッド１２８に対し垂直な方向における凹部１２５の深さは、同方向における接触要素１２７の総厚みの例えば１０％から９０％であってもよい。凹部１２５の深さは、特に接触要素１２７の総厚みの７０％であってもよい。その厚みであれば、接触要素１２７、ひいてはオプトエレクトロニクス部品１が、基部凹部１２５の領域において機械的に十分に安定するだけではなく、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出された電磁放射が基部凹部１２５の領域において遮られないことが可能となる。

他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング基部１２０は基部凹部１２５を有することなく形成されてもよい。

接触要素１２７、または接触要素１２７を有するリードフレーム１２６の、接触要素１２７のチップ接触パッド１２８に対して垂直な方向における厚みは、１００μｍから５００μｍの間、特に２００μｍから２５０μｍの間であってもよい。このような厚みとすることで、オプトエレクトロニクス部品１が機械的に十分に安定するだけではなく、オプトエレクトロニクス部品１を十分に平らな構成とすることができる。

リードフレーム１２６のその他のすべての接触要素についても、チップ接触パッド１２８に対して垂直な方向において異なる厚みを有することで、段差や凹部が形成されていてもよい。オプトエレクトロニクス部品１の製造時において、異なる厚みを有する接触要素を形成することが要求される、リードフレーム１２６の構造化は、例えばエッチング処理によって行ってもよい。

基部凹部１２５は、オプトエレクトロニクス部品１のハウジング１００の封止材料１４０で部分的に封止されている。出口面１０４を有する、封止材料１４０の中の凹部１０２の一部は、基部凹部１２５内に配置されている封止材料１４０の一部に形成されている。そのため、出口面１０４は基部凹部１２５内へも延伸している。このようにすることで、放出された放射１４の基部凹部１２５を通過する一部を出口面１０４を通ってオプトエレクトロニクス部品１から出すことができる。あるいは、他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、出口面１０４をオプトエレクトロニクス半導体チップ１０により近く、即ち出口面１０４は基部凹部１２５とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の間に、基部凹部１２５内へ延伸しないように配置してもよい。

他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品１において、ハウジング基部１２０は、接触要素１２７が外壁面１０６において露出しておらず、代わってハウジング本体１１０の絶縁材料が外壁面１０６と接触要素１２７の間にあるように形成されていてもよい。この場合、基部凹部１２５もハウジング本体１１０の電気絶縁材料の中に形成されていてもよい。

外壁面１０６からのオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の距離は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出された電磁放射がハウジング基部１２０に遮られないように設定される。

オプトエレクトロニクス部品１の製造時において、ハウジング本体１１０の電気絶縁材料を最初にリードフレーム１２６の回りに成形することにより、電気絶縁材料とリードフレーム１２６を有するハウジング本体１１０を製造する。この場合、オプトエレクトロニクス部品１と同じように形成される複数のオプトエレクトロニクス部品の複数のハウジング本体１１０は集合体として同時に製造される。そのために、リードフレーム１２６は製造するべきオプトエレクトロニクス部品のすべての接触要素を有している。その後、オプトエレクトロニクス部品のハウジング本体の絶縁材料を、接触要素の回りに一回の作業工程で成形する。こうして、製造するべきすべてのオプトエレクトロニクス部品１のハウジング本体１１０を有するハウジング部品集合体が形成される。

図３は記載された方法で製造したハウジング部品集合体２００の詳細を示す。ハウジング部品集合体２００は、オプトエレクトロニクス部品１のハウジング本体１１０の他に、全部で３つの更なるオプトエレクトロニクス部品２のハウジング本体１１０を有している。下記において、違いが記載されていない場合には、前記更なるオプトエレクトロニクス部品２は、オプトエレクトロニクス部品１と同様に構成される。

示される４つのオプトエレクトロニクス部品１、２のハウジング本体１１０は、ハウジング部品集合体２００において、２部品×２部品の格子の中で互いに隣接して形成されている。ハウジング部品集合体２００の中で、互いに隣接して配置されているオプトエレクトロニクス部品１、２のそれぞれのハウジング壁１１１は、互いに隣接して同じ材料から形成されている。

オプトエレクトロニクス部品１のハウジング本体１１０のハウジング壁１１１内にある開口部１１２は、オプトエレクトロニクス部品１に隣接するオプトエレクトロニクス部品３のハウジング本体１１０の開口部１１２に向かって対向して形成されている。オプトエレクトロニクス部品１とそれに隣接するオプトエレクトロニクス部品３のそれぞれのハウジング本体１１０のキャビティ１１４は、こうして開口部１１２によって互いに連結している。同様に、２つの更なるオプトエレクトロニクス部品２のハウジング本体１１０は、関連するハウジング本体１１０のそれぞれの開口部１１２が互いに隣接しており、２つの更なるオプトエレクトロニクス部品２のキャビティ１１４が開口部１１２によって互いに連結するように、ハウジング部品集合体２００の中で配置されている。

示される４つのオプトエレクトロニクス部品１、２のほかに、ハウジング部品集合体２００は、互いに隣接する２つのオプトエレクトロニクス部品の、それぞれ互いに隣接して連結するように構成された同じ材料からなる外壁１１１である追加のオプトエレクトロニクス部品を有していてもよい。それぞれの２つの追加のオプトエレクトロニクス部品は常に、ハウジング本体１１０内の開口部１１２が互いに隣接しており、関連するキャビティ１１４が互いに連結するように配置される。

ハウジング本体１１０の電気絶縁ハウジング材料をリードフレーム１２６の回りに成形した後、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０をそれぞれオプトエレクトロニクス部品１、２のキャビティ１１４に配置する。その後、透明な成形材料を封止材料１４０として、開口部１１２によって互いに連結している、ハウジング本体１１０のキャビティ１１４に導入する。このようにして、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は部分的にまたは完全に透明な成形材料に囲まれる。

オプトエレクトロニクス部品１、２の出口面１０４は、ハウジング部品集合体２００上に配置される出口面１０４の形を定める成形型２１０によって、成形材料から成形される。成形型２１０は凹部１０２の形を定めるパーツ２１４を有する。出口面１０４の形を定める成形型２１０のパーツ２１２は、それぞれ凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４の端面に形成される。凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４は、従って凹部１０２および出口面１０４のめす型を有する。成形型２１０は、出口面１０４の形を定めるパーツ２１２が、実質的に放出方向１２に対し垂直に配置されるように、キャビティ１１４に配置される。

互いに対向する開口部１１２を有するオプトエレクトロニクス部品１、２の凹部１０２は互いに隣接して形成されている。そのために、凹部１０２の形を定める２つのパーツ２１４を、成形型２１０の中で互いに連結するように配置する。具体的には、出口面１０４の形を定めるパーツ２１２を、凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４の互いに対向する側面に配置する。

成形型２１０はハウジング本体１１０のキャビティ１１４に配置される。凹部１０２の形を定めるパーツ２１４は、オプトエレクトロニクス部品１、３の互いに連結する開口部１１２の中で、放出方向１２を実質的に中心にして配置される。凹部１０２の形を定めるパーツ２１４は、放出方向１２に対して垂直な方向を実質的に中心にし、互いに連結する凹部１０２における、ハウジング基部１２０の上側１２２に平行になるように配置される。

凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４の横幅は、放出方向１２に対して垂直かつ上側１２２に平行な方向において、開口部１１２の横幅１１３よりも短い。従って、凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４は同方向において、開口部１１２を完全にふさぐことはなく、開口部１１２によって互いに連結している部品１、２のキャビティ１１４は、成形型２１０が配置された後も互いに連結した状態を保つ。

成形型２１０は例えばキャビティ１１４へ上方から押し込まれるべき押し型から形成されてもよい。押し型は実質的に平面状の下側を有し、下面をハウジング基部１２０の上側１２２に平行にして、上方からキャビティ１１４へ上側１２２に対して実質的に垂直に差し込む。凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツ２１４は、成形型２１０の下側において上昇部を形成し、出口面１０４の形を定める成形型２１０のパーツ２１２は、それら上昇部の側面を構成する。出口面１０４の形を定める成形型２１０のパーツ２１２は、成形型２１０の下側から実質的に垂直に立ち上がっている。

成形型２１０における上昇部は、ハウジング部品集合体２００に対して透明な成形材料を硬化する際に適用する位置に成形型２１０が置かれた時に、オプトエレクトロニクス部品１、３の接触要素１２７、特に接触要素１２７の基部凹部１２５に関連する高さを有するように下側に対して構成されている。成形型２１０の下部は、ハウジング部品集合体２００上に、放出方向１２に対して実質的に平行となるように置かれている。

成形型２１０によって、凹部１０２はオプトエレクトロニクス部品１、２に、より正確には透明な成形材料内に、開口部１１２によってそのキャビティ１１４が互いに連結したオプトエレクトロニクス部品１、２の凹部１０２が互いに隣接するように形成される。このようにすることで、互いに隣接するように配置されたオプトエレクトロニクス部品１、２のそれぞれの凹部１０２が、ハウジング部品集合体２００内で凹部２０２を形成する。特に、オプトエレクトロニクス部品１の凹部１０２と、それに隣接するオプトエレクトロニクス部品３の凹部１０２が、ハウジング部品集合体２００内の凹部２０２を形成する。

オプトエレクトロニクス部品１、２において、ハウジング部品集合体２００の凹部２０２は透明な成形材料内に形成される。他の実施の形態における方法において、凹部１０２の形を定める成形型２１０のパーツの横幅は、開口部１１２の横幅に対応する。その場合、透明な成形材料から出口面１０２のみが形成され、凹部１０２の側面は開口部１１２の側壁により形成される。

透明な成形材料から出口面１０４を成形した後、ハウジング部品集合体２００を分割面２０５に沿って分割することにより、オプトエレクトロニクス部品１、２は切り離される。この場合分割面２０５は特に外壁面１０６に沿って延伸しているため、この分割処理により外壁面１０６が形成される。分割処理は挽割、破断、レーザー切断などで行ってもよい。

分割面２０５に沿ってハウジング部品集合体２００を分割する際、成形型２１０によって形を定められた、ハウジング部品集合体２００内の凹部２０２も同様に分割する。分割は例えば凹部２０２の中心を通る放出方向１２において行ってもよい。分割面２０５に沿ってハウジング部品集合体２００を分割することにより、オプトエレクトロニクス部品１、２が製造される。オプトエレクトロニクス部品１、２の中では、成形型２１０によって形を定められた出口面１０４がそれぞれ、外壁面１０６に比べハウジング１００の内部に向かう方向に後退して形成される。

分割面２０５はオプトエレクトロニクス部品１、２の外壁面１０６に沿って延伸している。ハウジング本体１１０を有するハウジング部品集合体２００を分割することにより、外壁面１０６には分割に使用した分割工具が接触して生じた分割跡が残る。分割跡とはすり傷、溝、研削跡、バリなどでありうる。レーザーをハウジング本体の分割に使用した場合、分割跡は溶融や溶融跡でもありうる。

成形型２１０をキャビティ１１４に配置するのは、キャビティ１１４に透明な成形材料を充填する前でも後でもよい。成形型２１０によって透明な成形材料を形成するための封止材料１４０をキャビティ１１４に充填するのは、例えば圧縮成形方法によって行われてもよい。別の実施の形態における、ハウジング部品集合体２００内にオプトエレクトロニクス部品１、２を製造するための方法において、透明な成形材料を鋳造、または射出成形によってキャビティ１１４に入れてもよい。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の出口面１０４からの距離は、オプトエレクトロニクス部品１が機械的に十分に安定するように、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０と出口面の間において、十分な量の封止材料１４０の材料が残存するように設定される。オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の出口面１０４から測定される距離は、例えば５０μｍから６００μｍ、特に１００μｍから３００μｍでありうる。この距離は例えば１５０μｍであってもよい。

凹部１０２の放出方向１２に平行な深さは、外壁面１０６を形成するための分割処理の際、のこぎりやレーザー光などを使った分割工具に出口面１０４が接触しないような深さに設定される。この場合、例えば分割工具とハウジング１００の位置関係の精度に関連する加工精度が考慮される。放出方向１２に平行な凹部１０２の深さは、例えば１２５μｍから７００μｍ、特に２５０μｍから３５０μｍの範囲にありうる。例えば、この凹部１０２の深さは３００μｍであってもよい。

図４はオプトエレクトロニクス部品３００の斜視図である。オプトエレクトロニクス部品１の構成部分と機能的または構造的に類似する、オプトエレクトロニクス部品３００の構成部分は、以下において同じ用語および同じ記号で表す。

オプトエレクトロニクス部品１と同様に、オプトエレクトロニクス部品３００はハウジング基部３２０を備えるハウジング３１０を有する。オプトエレクトロニクス部品１のハウジング基部１２０と同様に、ハウジング基部３２０はその上側１２２に基部凹部１２５を有する。オプトエレクトロニクス部品３００における基部凹部１２５の形状と位置は、オプトエレクトロニクス部品１の基部凹部１２５の形状と位置に対応する。

ハウジング壁１１１に代えて、オプトエレクトロニクス部品３００はハウジングカバー３１２を有する。ハウジングカバー３１２は図５の斜視図で示される。ハウジングカバー３１２は実質的に、平面状の外面を有する直方体の形状であるように構成される。ハウジングカバー３１２はその下側３１７において、実質的に平面状のベアリング面３１６を有し、ベアリング面３１６によってハウジングカバー３１２はハウジング基部３２０の上側１２２に密着している。ハウジングカバー３１２の下側３１７には、ハウジングカバー３１２をハウジング基部３２０上に配置した時、ハウジング３１０の内部に配置されるオプトエレクトロニクス半導体チップ１０を包み込むキャビティ３１３が存在する。以下において差異についての記載が無い場合、オプトエレクトロニクス部品３００のオプトエレクトロニクス半導体チップ１０（図４および５では図示省略）は、オプトエレクトロニクス部品１のオプトエレクトロニクス半導体チップ１０と同じように構成され、配置される。

ハウジングカバー３１２はオプトエレクトロニクス部品１０から放出される放射１４に対して透明な材料から形成される。例えばハウジングカバー３１２はプラスチックから形成される。

ハウジングカバー３１２はその外側において４つの側面３１９を有し、側面はそれぞれハウジングカバー３１２の下側３１７から、下側３１７の反対側に位置する上側３１８へと延伸している。ハウジングカバー３１２の側面３１９の１つから形成される、ハウジング３１０の外壁面３１１は、ハウジング３１０の内部に陥入する凹部３１４を有する。凹部３１４の内部に位置する、凹部３１４の端面は、外壁面３１１に比べハウジング３１０またはハウジングカバー３１２の内部に向かう方向に後退して形成される出口面１０４を形成する。出口面１０４はオプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出された放射に対して透明であり、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から放出された放射は出口面１０４を通ってオプトエレクトロニクス部品３００から出ることができる。

ハウジングカバー３１２において出口面１０４は、ベアリング面３１６に対して実質的に垂直となっている。ハウジングカバー３１２において凹部３１４は、ハウジングカバー３１２の、ベアリング面３１６を有する下側３１７から、下側３１７の反対側に位置する上側３１８へと延伸している。あるいは凹部３１４は、下側３１７または上側３１８から始まってハウジングカバー３１２の一部の高さ分だけ延伸していてもよい。ハウジングカバー３１２は、出口面１０４を有する凹部３１４が、ハウジング基部３２０内の基部凹部１２５と一緒になるように、オプトエレクトロニクス部品３００のハウジング基部３２０に配置されている。

オプトエレクトロニクス部品３００のハウジング基部３２０は、スルーコンタクトを備えた回路基板として形成される。回路基板は例えば、ガラス繊維強化プラスチック材料、セラミック材料またはプラスチック材料を含んでいてもよい。あるいは、ハウジング基部３２０は射出成形回路担体（成形回路部品；ＭＩＤ）として構成されてもよい。また、オプトエレクトロニクス部品３００のハウジング基部３２０はオプトエレクトロニクス部品１のハウジング基部１２０と同様に構成されていてもよい。特にハウジング基部３２０は、その回りに絶縁材料が成形されているリードフレームを有していてもよい。

オプトエレクトロニクス部品３００の製造の際、ハウジングカバー３１２はハウジング基部３２０への配置の前に、透明な成形材料から成形方法によって製造される。この成形方法は、圧縮成形方法あるいは射出成形方法などでありうる。成形方法において、凹部３１４と出口面１０４の形を定める成形型は、ハウジングカバー３１２における出口面１０４および凹部３１４を形成するために使用される。本成形型は鋳造型または圧縮型などのパーツでありうる。

図３に関連して記載される成形型と同様に、本成形型は凹部３１４と出口面１０４の形を定めるパーツを有する。さらに、本成形型はハウジングカバー３１２内のキャビティ３１３の形を定めるパーツを有する。

オプトエレクトロニクス部品１のハウジング本体１１０と同様に、ハウジングカバー３１２は、ハウジングカバー３１２以外のハウジングカバーもさらに有するハウジング部品集合体の中に製造されてもよい。ハウジング部品集合体は、出口面１０４の形を定める成形型を使用して透明な成形材料から形成され、同じ材料で互いに連結された複数のハウジングカバー３１２を有する。

ハウジング部品集合体は透明な成形材料から成形され、その成形は、集合体が複数のオプトエレクトロニクス部品３００のハウジングカバー３１２を有し、ハウジングカバー３１２が図３のハウジング本体１１０の配置と同様に、ハウジング部品集合体内で格子形に配置されるように行われる。ハウジング部品集合体のハウジングカバー３１２は透明な成形材料から連続して形成されるため、互いに隣接したハウジングカバー３１２は、同じ材料で互いに連結される。好ましい成形型とは、ベアリング面３１６の形を定めるパーツであり、その中でハウジングカバー３１２のキャビティ３１３の形を定める上昇部が形成されているパーツを有する成形型であってもよい。この場合、上昇部は格子形に互いに隣接して配置される。

図３に関連するオプトエレクトロニクス部品１、２の出口面１０４の成形の記載と同様に、ハウジング部品集合体内のハウジングカバー３１２は透明な成形材料から成形され、その成形は、２つのハウジングカバー３１２のそれぞれの凹部３１４が互いに隣接し、共にハウジング部品集合体内の凹部を形成するように行われる。そのために、成形型２１０と同様に、ハウジングカバー３１２を備えたハウジング部品集合体を成形するために使用する成形型は、凹部３１４から形成される凹部２０２の形を定めるパーツであって、そこに出口面１０４の形を定めるための、成形型の互いに対向するパーツが配置されているパーツを有する。

出口面１０４を備えた凹部３１４の形を定めるパーツおよびキャビティ３１３の形を定めるパーツの他に、成形型はベアリング面３１６を形成する面とハウジングカバー３１２の上側３１８を形成する面を有する。その場合、成形型は２つのパーツから構成されてもよく、そこで第１のパーツはベアリング面３１６の形を定める面とキャビティの形を定めるパーツを有し、第２のパーツは上側３１８の形を定める面を有する。出口面１０４を備える凹部３１４の形を定めるパーツは、そのすべてが成形型の第１のパーツまたは第２のパーツに形成されていてもよく、あるいは一部分が第１のパーツに一部分が第２のパーツに形成されていてもよい。

個々のハウジングカバー３１２を製造するために、ハウジング本体１１０を備えるハウジング部品集合体２００と同様に、ハウジングカバー３１２を備えるハウジング部品集合体は、外壁面３１１が分割面２０５に沿って形成されており、それぞれ２つの凹部３１４から形成される、ハウジング部品集合体の凹部２０２が分割するように分割される。凹部２０２は例えば、中心から分割されてもよい。

ハウジング部品集合体におけるハウジングカバー３１２を製造し、続いてハウジング部品集合体を分割することによって、ハウジングカバー３１２を分割すると、外壁面３１１に分割方法による分割跡が残るが、凹部３１４に配置されている出口面１０４には分割跡が残らない。ハウジング部品集合体が挽割や破断によって分割されると、外壁面３１１は出口面１０４に比べ、分割跡があるために例えば表面粗度が大きくなりうる。

オプトエレクトロニクス部品３００において、ハウジングカバー３１２のハウジング基部３２０への配置を例えば、ハウジングカバー３１２がハウジング部品集合体の分割によって分割された後に行ってもよい。その場合、ハウジング基部３２０へのハウジングカバー３１２の取付けは、ハウジング基部３２０へのオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の取付けと同様に行ってもよい。あるいは、ハウジングカバー３１２を有するハウジング部品集合体を、ハウジング基部３２０を有する別のハウジング部品集合体上にまず配置し、ハウジングカバーとハウジング基部とを有する前記２つのハウジング部品集合体をまとめてその後に分割してもよい。ハウジング基部３２０上に配置した後、ハウジングカバー３１２をハウジング基部３２０に、接着剤やはんだ付けなどによって固定してもよい。

オプトエレクトロニクス部品３２０の製造のための別の方法において、ハウジングカバー３１２はまた、透明な成形材料から成形方法によって個別に形成されてもよい。この場合、出口面１０４とキャビティ３１３の形を定めるパーツの他に、側面３１９の形を定めるパーツも有する成形型を使用してもよい。特に、前記成形型は外壁面３１１の形を定めるパーツを有していてもよい。

このように製造されたハウジングカバー３１２において、ハウジングカバー３１２の側面３１９は、ベアリング面３１６に対するその角度が９０°を超える、または９０°未満であるように形成されてもよい。例えば、成形型内で形成されたハウジングカバー３１２は、成形型からより容易に取り出せるように、側面３１９において型抜き勾配を有していてもよい。例えば、ハウジングカバー３１２のベアリング面３１６から、ベアリング面３１６の反対側に位置する上側に向かう方向において、ハウジングカバー３１２は外側において先細であってもよい。

特に、外壁面３１１を型抜き勾配を有した状態で形成してもよく、すなわちベアリング面３１６に対して垂直にはならなくともよい。これはすなわち、ハウジングカバー３１２をハウジング基部３２０に配置すると、外壁面３１１がハウジング基部３２０の上側１２２、または放出された電磁放射１４の放出方向１２に対して、垂直にならないということになる。この場合、凹部３１４内に出口面１０４を形成することによって、このような型抜き勾配を持たない、すなわちベアリング面３１６に対して垂直な出口面１０４を形成することができる。

上記と同様に、ハウジング本体１１０を有するオプトエレクトロニクス部品１の外壁面１０６もまた型抜き勾配を有していてもよく、すなわちハウジング基部１２０の上側１２２、または放出された放射１４の放出方向１２に対して、垂直にならなくともよい。オプトエレクトロニクス部品１において、凹部１０２内に出口面１０４を封止材料１４０から形成することで、たとえ外壁面１０６が型抜き勾配を有していたとしても、出口面１０４は放出方向１２に対して垂直に形成することができる。

オプトエレクトロニクス部品１や３００において、型抜き勾配が全くない状態の出口面１０４を形成できない場合、凹部１０２や３１４に出口面１０４を配置することで、外壁面１０６や３１１よりも小さい型抜き勾配を有する出口面１０４を構成することができる。

図６は放出方向１２に対して横から見たオプトエレクトロニクス部品３００の断面側面図である。ハウジングカバー３１２の出口面１０４は放出された放射１４の放出方向１２に対して実質的に垂直である。出口面１０４からのオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の距離、外壁面３１１に対する出口面１０４のずれ、または凹部３１４の深さはオプトエレクトロニクス部品１の関連する寸法に対応する。

オプトエレクトロニクス部品１と同様に、オプトエレクトロニクス部品３００は、ハウジング基部３２０の下側１２３と上側１２２とを接続する接触要素１２７を有する。オプトエレクトロニクス部品３００において、接触要素１２７はハウジング基部３２０を形成する導体トラック基板のスルーコンタクトとして構成される。

ハウジング基部１２０の下側１２３において、接触要素１２７は、ハウジング基部３２０の下側１２３に施されたはんだ接触部３２２に接触している。例えば、はんだ接触部３２２を下側１２３に施されたメタライゼーション層として構成してもよい。オプトエレクトロニクス部品３００は、はんだ接触部３２２の代わりに、別の接触手段、例えば接着性の接触部を有していてもよい。オプトエレクトロニクス部品３００はオプトエレクトロニクス部品１と同様に、例えばハウジング基部３２０の下側１２３に配置される、接触手段を有するＱＦＮ部品として構成されてもよい。

オプトエレクトロニクス部品３００において、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０は、ハウジング基部１２０の上側１２２上方の台座３３０に配置されている。この場合、台座３３０はハウジング基部１２０の上側１２２に配置されている。

上側１２２に対して垂直な方向における台座３３０の高さ３３４は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０から広がるように出てきた電磁放射１４がハウジング基部３２０に遮られないように設定される。特に、放出された放射１４は外壁面３１１に隣接する、ハウジング基部３２０の前端部３２１に遮られない。遮られないために必要な、ハウジング基部３２０の上側１２２に対して垂直な方向の、前端部３２１とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０との間隔は、放出された放射１４の与えられた発散の大きさに基づき、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０のオプトエレクトロニクス部品３００の内部に向かう方向における外壁面３１１からの距離から決定される。

オプトエレクトロニクス半導体チップ１０が台座３３０上の高い位置に配置されていることと、基部凹部１２５の形成によって前端部３２１が下げられていることにより、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０を、ハウジングカバー３１２の一部を前端部３２１とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の間に配置できるほど、十分に前端部３２１から離れて配置することができる。

台座３３０の高さ３３４は少なくとも２０μｍであり、上限は４００μｍであってもよい。特に、高さ３３４は１００μｍから３００μｍであってもよい。高さ３３４は例えば１５０μｍである。

オプトエレクトロニクス部品３００において、台座３３０はハウジング基部３２０の上側１２２に施されたメタライゼーション層として構成してもよい。他の実施の形態におけるオプトエレクトロニクス部品３００において、台座３３０は例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００のサブマウントとして構成されてもよい。ハウジング基部３２０がオプトエレクトロニクス部品１のハウジング基部１２０と同様にリードフレーム１２６を有する場合、台座３３０はリードフレーム１２６において持ち上がった部位として構成されてもよい。

オプトエレクトロニクス部品３００に関連して記載される、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０の台座３３０への配置はハウジング本体１１０を有するオプトエレクトロニクス部品１の場合と同様に行われてもよい。その場合（オプトエレクトロニクス部品１の場合でも同じであるが）凹部１０２とオプトエレクトロニクス半導体チップ１０の間に位置するハウジング１００の一部が、ハウジング１００の安定性が得られるだけの厚みを有するように、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０をハウジング１００の中で、外壁面１０６から十分に離れて配置することができる。オプトエレクトロニクス部品１において、このハウジング１００の一部は封止材料１４０から形成される。

オプトエレクトロニクス部品１とオプトエレクトロニクス部品３００はどちらも、台座３３０と基部凹部１２５のいずれかを有してもよく、あるいは、図６に示されるオプトエレクトロニクス３００のように、台座３３０および基部凹部１２５の両方を有してもよい。

本発明は好ましい例示的な実施形態により詳しく示され詳述されてきたが、本発明は開示される例に限定されず、本発明の保護されるべき範囲から逸脱することなく、当業者によりその他の変形が得られうる。

１ オプトエレクトロニクス部品
２ 更なるオプトエレクトロニクス部品
３ 隣接するオプトエレクトロニクス部品
１０ オプトエレクトロニクス半導体チップ
１２ 放出方向
１４ 放出された放射
１００ ハウジング
１０２ 凹部
１０３ 出口面の横幅
１０４ 出口面
１０６ 外壁面
１０７ 外壁面の一部位
１１０ ハウジング本体
１１１ ハウジング壁
１１２ 開口部
１１３ 開口部の横幅
１１４ キャビティ
１２０ ハウジング基部
１２２ 上側
１２３ 下側
１２５ 基部凹部
１２６ リードフレーム
１２７ 接触要素
１２８ チップ接触パッド
１２９ 基部接触パッド
１４０ 封止材料
２００ ハウジング本体を有するハウジング部品集合体
２０２ ハウジング部品集合体の凹部
２０５ 分割面
２１０ 成形型
２１２ 出口面の形を定めるパーツ
２１４ 凹部の形を定めるパーツ
３００ オプトエレクトロニクス部品
３１０ ハウジング
３１１ 外壁面
３１２ ハウジングカバー
３１３ キャビティ
３１４ 凹部
３１６ ベアリング面
３１７ 下側
３１８ 上側
３１９ 側面
３２０ ハウジング基部
３２１ 前端部
３２２ はんだ接触部
３３０ 台座
３３４ 高さ

Claims (18)

1. ハウジング（１００、３１０）に配置されて電磁放射（１４）を放出するためのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）を有する、オプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）であって、
   前記ハウジング（１００、３００）は、外側面上に、外壁面（１０６、３１１）と、前記電磁放射（１４）に対して透明な出口面（１０４）を有し、
   前記出口面（１０４）は前記外壁面（１０６、３１１）に比べて前記ハウジング（１００、３１０）の内部に向かう方向に後退しており、
   前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）から放出方向（１２）において放出された放射（１４）を前記出口面（１０４）を通って前記オプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）から出せるように配置されており、
   前記外壁面（１０６、３１１）には分割跡があり、前記出口面（１０４）には前記分割跡がない、
   オプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
2. 前記出口面（１０４）は前記放出方向（１２）に対し垂直である、
   請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
3. 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）は、前記ハウジング（１００、３１０）のハウジング基部（１２０、３２０）の上側（１２２）の上方に配置されている、
   請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
4. 前記放出方向（１２）は前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記上側（１２２）に対し平行である、
   請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
5. 前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記上側（１２２）は、前記出口面（１０４）の領域に基部凹部（１２５）を有し、
   前記基部凹部（１２５）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）と前記外壁面（１０６、３１１）の間に位置する、
   請求項３または４に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
6. 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）は前記上側（１２２）に配置されている台座（３３０）に配置されている、
   請求項３〜５のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
7. 前記台座（３３０）は前記上側（１２２）に施されたメタライゼーション層により形成され、前記メタライゼーション層の高さ（３３４）は前記上側（１２２）に垂直な方向において少なくとも２０μｍ、特に１００μｍから３００μｍである、
   請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
8. 前記ハウジング（１００、３１０）は、前記ハウジング基部（１２０、３２０）を有するハウジング本体（１１０）と、封止材料（１４０）とを有し、
   前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記上側（１２２）に隣接するキャビティ（１１４、３１３）が前記ハウジング本体（１１０）に形成されており、
   前記ハウジング本体（１１０）は少なくとも前記外壁面（１０６）の一部を有し、
   前記キャビティ（１１４、３１３）は少なくとも一部が前記封止材料（１４０）で封止されており、
   前記出口面（１０４）は前記封止材料（１４０）から形成される、
   請求項３〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
9. 前記ハウジング本体（１１０）は、内部に前記出口面（１０４）が配置されている開口部（１１２）を有し、
   前記開口部（１１２）は少なくとも一部が前記封止材料（１４０）で封止されている、
   請求項８に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
10. 前記外壁面（１０６）の一部位（１０７）は前記封止材料（１４０）から形成される、
    請求項８または９に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
11. 前記ハウジング基部（１２７）は、チップ接触パッド（１２８）および基部接触パッド（１２９）を有する接触要素（１２７）を有しており、
    前記チップ接触パッド（１２８）および前記基部接触パッド（１２９）は互いに導通接続しており、
    前記接触要素（１２７）は前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記上側（１２２）から、前記ハウジング基部（１２０、３２０）において前記上側（１２２）の反対側に位置する下側（１２３）まで延伸しており、
    前記チップ接触パッド（１２８）は前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記上側（１２２）の一部を形成し、前記基部接触パッド（１２９）は前記ハウジング基部（１２０、３２０）の前記下側（１２３）の一部を形成している、
    請求項８〜１０のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
12. 前記ハウジング（１００、３１０）は、前記放射（１４）に対して透明でありかつ前記ハウジング基部（１２０、３２０）に配置されているハウジングカバー（３１２）を有し、
    前記外壁面（３１１）と前記出口面（１０４）は少なくとも一部が前記ハウジングカバー（３１２）に形成されており、
    前記ハウジングカバー（３１２）は前記ハウジング基部（１２０、３２０）に配置されている、
    請求項３〜７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
13. 前記ハウジング基部（１２０、３２０）は、回路基板またはセラミック基板を有している、
    請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）。
14. 外壁面（１０６、３１１）と、内部に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）から放出された電磁放射（１４）に対して透明な出口面（１０４）とを有するハウジング（１００、３１０）、を有するオプトエレクトロニクス部品（１、２、３、４、３００）を製造するための方法であって、
    前記出口面（１０４）は前記外壁面（１０６、３１１）に比べて前記ハウジング（１００、３１０）の内部に向かう方向に後退しており、
    前記方法は、
    前記放射に対して透明な成形材料から前記出口面（１０４）を、前記出口面（１０４）の形を定める成形型（２１０）を使用して、ハウジング部品集合体（２００）内で成形する工程と、
    前記ハウジング部品集合体（２００）を分割することにより、前記外壁面（１０６、３１１）を形成する工程と、
    を含む、方法。
15. 前記出口面（１０４）は、前記成形型（２１０）によって形が定められる、前記ハウジング部品集合体（２００）の凹部（２０２）の中に形成され、
    前記凹部（２０２）は、前記ハウジング部品集合体（２００）の分割の際に分割される、
    請求項１４に記載の方法。
16. 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）を受け入れるためのキャビティ（１１４、３１３）を有する前記ハウジング（１００、３１０）の、ハウジング本体（１１０）を有する前記ハウジング部品集合体（２００）を準備する工程と、
    前記成形型（２１０）を前記キャビティ（１１４、３１３）に配置する工程と、
    前記キャビティ（１１４、３１３）に前記透明な成形材料を充填する工程と、を更に含む、請求項１４または１５に記載の方法。
17. 前記成形型（２１０）の、前記出口面（１０４）の形を定めるパーツが、前記ハウジング本体（１１０）の開口部（１１２）に配置される、
    請求項１６に記載の方法。
18. 前記出口面（１０４）と共に、前記ハウジング（１００、３１０）のハウジングカバー（３１２）を有する前記ハウジング部品集合体（２００）が、前記透明な成形材料から成形され、
    前記方法は、更に前記ハウジングカバー（３１２）を、前記ハウジング（１００、３１０）のハウジング基部（１２０、３２０）に配置する工程を更に含む、
    請求項１４または１５に記載の方法。