JPS5868991A - 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 - Google Patents
半導体発光素子装置用ステムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5868991A JPS5868991A JP56166377A JP16637781A JPS5868991A JP S5868991 A JPS5868991 A JP S5868991A JP 56166377 A JP56166377 A JP 56166377A JP 16637781 A JP16637781 A JP 16637781A JP S5868991 A JPS5868991 A JP S5868991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting element
- light emitting
- resin
- support
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リードフレーム形ステムにLED(光発光ダ
イオード)が取付けられた半導体発光素子装置に用いる
リードフレーム、及びそのリードフレームを使用−した
同装置の製造方法に関する。
イオード)が取付けられた半導体発光素子装置に用いる
リードフレーム、及びそのリードフレームを使用−した
同装置の製造方法に関する。
従来、半導体発光素子装置において発光素子が装着され
るステムの一製法としては、第1図に示す如く、反射性
のあるセラミックからなる略円柱状のステム本体1の貫
通孔に、リング状の接着用ガラス1iを介してリード2
を貫入し、これを炉内で加熱して溶融接着させてステム
3を組立てていた。しかしこのステム3は部品点数が多
く、個別ステムごとに装置の組立を行わ゛ねばならない
ために、製造工程が複雑となり自動化するのに適さなか
った。またリードフレーム形ステムとしては、第2図に
示す如く、棒状基体4に多数個の支持リード5を所定間
隔で分岐させたリードフレーム形ステム8が使用されて
いた。このステム8は自動化には適するが、反射性のあ
るセラミックからなるステム本体1を取付けることが製
造上器しいため、支持リード5の先端面に装着された発
光素+6の照明度を向上させることができなかった。
るステムの一製法としては、第1図に示す如く、反射性
のあるセラミックからなる略円柱状のステム本体1の貫
通孔に、リング状の接着用ガラス1iを介してリード2
を貫入し、これを炉内で加熱して溶融接着させてステム
3を組立てていた。しかしこのステム3は部品点数が多
く、個別ステムごとに装置の組立を行わ゛ねばならない
ために、製造工程が複雑となり自動化するのに適さなか
った。またリードフレーム形ステムとしては、第2図に
示す如く、棒状基体4に多数個の支持リード5を所定間
隔で分岐させたリードフレーム形ステム8が使用されて
いた。このステム8は自動化には適するが、反射性のあ
るセラミックからなるステム本体1を取付けることが製
造上器しいため、支持リード5の先端面に装着された発
光素+6の照明度を向上させることができなかった。
かかる欠点を解決するために、本発明者は、特願昭55
−96753号において、新規な半導体発光素子装置の
製法を提案した。この製法は、第3,4図に示す如く、
先ず、棒状基体10と、棒状基体10に所定間隔で所定
方向に分岐させた多数個の支持リード12a、12b・
・・とからなるリードフレームを用い、該支持リード1
2a 、 12bの先端部に該支持リード12a、12
bの先端面12c、12dが露出するように、白色樹脂
など反射性のある樹脂基台14を成形して、発光素子装
置用ステム11を形成する。次にこの支持リードの先端
面12c 、 12dに発光素子15及びボンディング
ワイヤ16を装着し、該発光素子15を透明又は不透明
な樹脂封止体17で樹脂基台14上に封止して半導体発
光素子装置を組立てるというものである。
−96753号において、新規な半導体発光素子装置の
製法を提案した。この製法は、第3,4図に示す如く、
先ず、棒状基体10と、棒状基体10に所定間隔で所定
方向に分岐させた多数個の支持リード12a、12b・
・・とからなるリードフレームを用い、該支持リード1
2a 、 12bの先端部に該支持リード12a、12
bの先端面12c、12dが露出するように、白色樹脂
など反射性のある樹脂基台14を成形して、発光素子装
置用ステム11を形成する。次にこの支持リードの先端
面12c 、 12dに発光素子15及びボンディング
ワイヤ16を装着し、該発光素子15を透明又は不透明
な樹脂封止体17で樹脂基台14上に封止して半導体発
光素子装置を組立てるというものである。
上記した特願昭55−96753号の製法は、ステムの
部品点数が少なくまたリードフレーム形ステムで支持リ
ード及び樹脂基台が一連のステムとして固定され取扱え
るので、ステム製造、素子組立などの作業性がよく自動
化に適した製法である。そしてまた、樹脂基台の反射効
果によって照明度の高い装置を得ることができる製法で
もある。しかしながら次の如き欠点も有している。
部品点数が少なくまたリードフレーム形ステムで支持リ
ード及び樹脂基台が一連のステムとして固定され取扱え
るので、ステム製造、素子組立などの作業性がよく自動
化に適した製法である。そしてまた、樹脂基台の反射効
果によって照明度の高い装置を得ることができる製法で
もある。しかしながら次の如き欠点も有している。
(1)ステムの樹脂基台14ヲ成形したときに、マウン
ト或はワイヤボンディング面となる支持リードの先端面
12c、12dが成形パリによって被覆される。現在の
成形技術では、金型の構造、金型の精度、成形条件なξ
を厳密に管理することによって成形パリヲ可及的に少な
くはできても完全防止は困難である。この問題を回避す
るには、支持リード12a 、 12bを樹脂基台14
上に高く突出させて発生するパリが到達しない高さに支
持リードの先端面12c、12dを設ければよいが、そ
の結果、先端面12cに装着する発光素子15の位置が
高くなってし壕う。そして球冠状の樹脂封止体17の球
面の中心から離れてしまうため直接光の見える範囲は1
80°以上となるが、樹脂封止体17のレンズ効果が損
われ、その結実装置の照明度が低下し指向特性上好まし
くないという問題がある。
ト或はワイヤボンディング面となる支持リードの先端面
12c、12dが成形パリによって被覆される。現在の
成形技術では、金型の構造、金型の精度、成形条件なξ
を厳密に管理することによって成形パリヲ可及的に少な
くはできても完全防止は困難である。この問題を回避す
るには、支持リード12a 、 12bを樹脂基台14
上に高く突出させて発生するパリが到達しない高さに支
持リードの先端面12c、12dを設ければよいが、そ
の結果、先端面12cに装着する発光素子15の位置が
高くなってし壕う。そして球冠状の樹脂封止体17の球
面の中心から離れてしまうため直接光の見える範囲は1
80°以上となるが、樹脂封止体17のレンズ効果が損
われ、その結実装置の照明度が低下し指向特性上好まし
くないという問題がある。
(2)また、支持リードの先端面12c、12dには、
マウントやワイヤボンディングのためにAgめつきなど
を施こし、外部リードとなる部分にははんだ付けに適す
るように先端面とは異なるSnめっきなどを施こすこと
が多い。このような場合、外部リードに処理を施こすに
は、支持リードの先端面に部分的保護処理等を加えるこ
とが必要となり、工程が繁雑になるという問題がある。
マウントやワイヤボンディングのためにAgめつきなど
を施こし、外部リードとなる部分にははんだ付けに適す
るように先端面とは異なるSnめっきなどを施こすこと
が多い。このような場合、外部リードに処理を施こすに
は、支持リードの先端面に部分的保護処理等を加えるこ
とが必要となり、工程が繁雑になるという問題がある。
従って本発明は、上記特願昭55−96753号の半導
体発光素子装置に用いるリードフレーム及び同装置の製
造方法の改良であって、本発明の目的はマウント及びワ
イヤボンディング面となる支持リードの先端面が樹脂膜
で被覆されないようにすること、発光素子が樹脂封止体
の球面の中心に近く、指向特性上望ましい位置に装着で
きるようにすること、また支持リードの部分によって異
なった処理等をする工程を簡略化することにある。
体発光素子装置に用いるリードフレーム及び同装置の製
造方法の改良であって、本発明の目的はマウント及びワ
イヤボンディング面となる支持リードの先端面が樹脂膜
で被覆されないようにすること、発光素子が樹脂封止体
の球面の中心に近く、指向特性上望ましい位置に装着で
きるようにすること、また支持リードの部分によって異
なった処理等をする工程を簡略化することにある。
本発明の半導体発光素子装置の製造方法は、一対のステ
ムを、一対の支持リードを一体に連結した形状のリード
フレームを用い、一対の樹脂基台を一体に成形すること
により、一体として形成した後、樹脂封止体によって封
止される樹脂基台の封止面と、発光素子が装着される支
持リードの先端面とが露出するように切断して、一対の
ステムを分離形成することを特徴とするものである。そ
して本発明のリードフレームは、本発明の製造方法に使
用されるものであって、一対のステムを構成すべき一対
の支持リードが一体に連結されていることに特徴がある
。
ムを、一対の支持リードを一体に連結した形状のリード
フレームを用い、一対の樹脂基台を一体に成形すること
により、一体として形成した後、樹脂封止体によって封
止される樹脂基台の封止面と、発光素子が装着される支
持リードの先端面とが露出するように切断して、一対の
ステムを分離形成することを特徴とするものである。そ
して本発明のリードフレームは、本発明の製造方法に使
用されるものであって、一対のステムを構成すべき一対
の支持リードが一体に連結されていることに特徴がある
。
図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
先ず、第5図はリードフレームの一実施例を示す斜視図
である。このリードフレーム50は一点鎖線で示した中
心線において対称な形状を有するもので、ステムの製造
工程中においてこの中心線に沿って切断され、全く同形
状の一対のステムを得ることができる。中心線について
対称なこのリードフレームは、夫々棒状基体10.10
’i有し、棒状基体10.10’に夫々所定間隔で支持
リード12a。
である。このリードフレーム50は一点鎖線で示した中
心線において対称な形状を有するもので、ステムの製造
工程中においてこの中心線に沿って切断され、全く同形
状の一対のステムを得ることができる。中心線について
対称なこのリードフレームは、夫々棒状基体10.10
’i有し、棒状基体10.10’に夫々所定間隔で支持
リード12a。
12b+ 12’ a 、 12’ bが多数個分岐し
ている。支持リード12a、 12b; 12’a、
12’bは支持7−ム13,13’テ夫々一体に連結さ
れている。支持リード12a、12b;12’a、12
’bの先端部には、第8図に示す如く、樹脂基台による
被封入部12eに抜は防止効果を与えるような屈曲或は
厚肉肉盛がされている。そして製造工程中において中心
線に沿って切断されたときに、支持リードの切断面12
c、12d(第8図参照)が発光素子マウント面及びワ
イヤボンディング面、即ち発光素子装着面となる。換言
すれば、本発明のリードフレームは、支持リード12a
と12′aとが、また支持リード12bと12′bとが
、夫々の先端面を突き合わせた形で一体に連結されたも
のである。
ている。支持リード12a、 12b; 12’a、
12’bは支持7−ム13,13’テ夫々一体に連結さ
れている。支持リード12a、12b;12’a、12
’bの先端部には、第8図に示す如く、樹脂基台による
被封入部12eに抜は防止効果を与えるような屈曲或は
厚肉肉盛がされている。そして製造工程中において中心
線に沿って切断されたときに、支持リードの切断面12
c、12d(第8図参照)が発光素子マウント面及びワ
イヤボンディング面、即ち発光素子装着面となる。換言
すれば、本発明のリードフレームは、支持リード12a
と12′aとが、また支持リード12bと12′bとが
、夫々の先端面を突き合わせた形で一体に連結されたも
のである。
本発明のリードフレームの加工法は、所定の肉厚を有す
る銅、鉄又はそれらの合金など適宜材質の金属条から、
プレス加工、エツチング加工等の常法による。
る銅、鉄又はそれらの合金など適宜材質の金属条から、
プレス加工、エツチング加工等の常法による。
次に本発明の製造方法は、第5図の本発明のリードフレ
ームを用い、第6図に示す如く、突き合わされた支持リ
ード先端部を封入して、一対の樹脂基台を一体にした樹
脂基台14′ヲ成形する。樹脂は、ガラス繊維強化ポリ
エチレンテレフタレートのような熱可塑性樹脂でもよい
が、不飽和ポリエステル樹脂プリミックスのような熱硬
化性樹脂がより好ましい。なぜならば、熱硬化性樹脂は
耐熱度が高く、半田付は時の加熱温度260℃に耐える
とともに、後述の樹脂基台14′の高速研削切断に耐え
るからである。また、樹脂は白色など反射率が高く、め
っき液に対する耐浸食性に優れ、かつ熱による変色度が
小さく、シかもエポキシ樹脂など樹脂封止体の樹脂との
なじみの良いものであることが望ましい。樹脂基台14
′の成形は射出、トランスファ、圧縮、注型など適宜の
成形法を選択できる。
ームを用い、第6図に示す如く、突き合わされた支持リ
ード先端部を封入して、一対の樹脂基台を一体にした樹
脂基台14′ヲ成形する。樹脂は、ガラス繊維強化ポリ
エチレンテレフタレートのような熱可塑性樹脂でもよい
が、不飽和ポリエステル樹脂プリミックスのような熱硬
化性樹脂がより好ましい。なぜならば、熱硬化性樹脂は
耐熱度が高く、半田付は時の加熱温度260℃に耐える
とともに、後述の樹脂基台14′の高速研削切断に耐え
るからである。また、樹脂は白色など反射率が高く、め
っき液に対する耐浸食性に優れ、かつ熱による変色度が
小さく、シかもエポキシ樹脂など樹脂封止体の樹脂との
なじみの良いものであることが望ましい。樹脂基台14
′の成形は射出、トランスファ、圧縮、注型など適宜の
成形法を選択できる。
次に、第7図に示す如く、樹脂基台14′を一点鎖線で
示した中心線に沿って切断砥石等により切断して、一対
のステム11,11’=に分離させる。そして樹脂基台
を切断することにより、樹脂封止体17で封止する樹脂
基台の封止面14cと発光素子を装着する支持リードの
先端面12c、12d とが露出する(第8図参照)。
示した中心線に沿って切断砥石等により切断して、一対
のステム11,11’=に分離させる。そして樹脂基台
を切断することにより、樹脂封止体17で封止する樹脂
基台の封止面14cと発光素子を装着する支持リードの
先端面12c、12d とが露出する(第8図参照)。
従ってこのマウント・ボンディング部の成形パリの問題
点は、金型構造、金型精度、成形条件の如伺にかかわら
ず完全に回避することができる。
点は、金型構造、金型精度、成形条件の如伺にかかわら
ず完全に回避することができる。
1だ、外部リード12a、12bと内部リード即ち支持
リードの先端面12c、12dとに夫々異なっためっき
処理等を施こす場合には、樹脂基台14′の切断前(第
6図の状態)に外部リードの処理(例えばSnめっき)
を施こし、しかる後に樹脂基台14′の切断を行えば、
従来のように支持リードの先端面12c、12dの部分
保護処理等を必要とするのに比較してはるかに工程が簡
略化し能率が向上する。
リードの先端面12c、12dとに夫々異なっためっき
処理等を施こす場合には、樹脂基台14′の切断前(第
6図の状態)に外部リードの処理(例えばSnめっき)
を施こし、しかる後に樹脂基台14′の切断を行えば、
従来のように支持リードの先端面12c、12dの部分
保護処理等を必要とするのに比較してはるかに工程が簡
略化し能率が向上する。
そして、切断した支持リードの先端面12c 、 12
dにはAgめっき処理等を施こし又は施こさずして、半
導体発光素子15ヲ先端面12cにマウントし、この発
光素子15と他方の先端面12dとをボンディングワイ
ヤ16で接続し、発光素子を装着する(第6図参照)。
dにはAgめっき処理等を施こし又は施こさずして、半
導体発光素子15ヲ先端面12cにマウントし、この発
光素子15と他方の先端面12dとをボンディングワイ
ヤ16で接続し、発光素子を装着する(第6図参照)。
しかる後、透明又は不透明なエポキシ樹脂等からなる樹
脂封止体17により発光素子を樹脂基台の切断した封止
面上に封止し、棒状基体10から分離して半導体発光素
子装置を得る。
脂封止体17により発光素子を樹脂基台の切断した封止
面上に封止し、棒状基体10から分離して半導体発光素
子装置を得る。
このように切断すれば、樹脂基台の封止面14cと支持
リードの先端面12c、12dとの間には段差がなくな
る。従って、先端面12cに装着された発光素子15の
位置は、樹脂封止体17の球面の中心近く現想的な位置
に設けることができる。その結果、樹脂封止体のレンズ
効果が得られ指向特性が好ましくなり、装置の照明度の
向上を図ることができた。
リードの先端面12c、12dとの間には段差がなくな
る。従って、先端面12cに装着された発光素子15の
位置は、樹脂封止体17の球面の中心近く現想的な位置
に設けることができる。その結果、樹脂封止体のレンズ
効果が得られ指向特性が好ましくなり、装置の照明度の
向上を図ることができた。
本発明は上記の実施例のように中心線に沿って対称カ一
対のステムを形成するばかりでなく非対称な一対のステ
ムを形成することもでき、半球のレンズとなる樹脂封止
体に便なる略円柱状の樹脂基台以外の形状の樹脂基台と
することもできるなど、本発明の効果をそのままにして
種々の変形を加えることができる。
対のステムを形成するばかりでなく非対称な一対のステ
ムを形成することもでき、半球のレンズとなる樹脂封止
体に便なる略円柱状の樹脂基台以外の形状の樹脂基台と
することもできるなど、本発明の効果をそのままにして
種々の変形を加えることができる。
以上説明したように、発光素子が装着される支持リード
の先端面に、樹脂パリのようなマウント及びワイヤボン
ディングを害する樹脂膜のないステムが得られ、外部リ
ードと内部リードに施こす異なっためっき等の処理を能
率よく行うことができ、指向特性のよい半導体発光素子
装置が得られるなどの著しい効果を奏することができる
。
の先端面に、樹脂パリのようなマウント及びワイヤボン
ディングを害する樹脂膜のないステムが得られ、外部リ
ードと内部リードに施こす異なっためっき等の処理を能
率よく行うことができ、指向特性のよい半導体発光素子
装置が得られるなどの著しい効果を奏することができる
。
紀1図は従来のセミラック本体を有するステムの斜視図
、第2図は従来のリードフレーム形ステムの斜視図、第
6図は本発明が改良の対象とする樹脂基台付リードフレ
ーム形半導体発光素子装置の斜視図、第4図は第3図の
ステムの一部破断正面図、第5図は本発明のリードフレ
ーム実施例の斜視図、第6,7図は本発明の半導体発光
素子装置の製造工程説明図、第8図は本発明におけるス
テムの一部断面正面図である。 11.11’・・・ステム、50・・・リードフレーム
、10.10’ ・・・棒状基体、12a、12b、1
2’a、12’b−・・支持リード(外部リード)、1
2e ・・・被封入部、12c、12d・・・支持リー
ド切断面(先端面L 14,14’・・・樹脂基台、
15・・・発光素子、16・・・ボンディングワイヤ、
17・・・樹脂封止体。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第1図 第2図 第4図 第7図 第8図
、第2図は従来のリードフレーム形ステムの斜視図、第
6図は本発明が改良の対象とする樹脂基台付リードフレ
ーム形半導体発光素子装置の斜視図、第4図は第3図の
ステムの一部破断正面図、第5図は本発明のリードフレ
ーム実施例の斜視図、第6,7図は本発明の半導体発光
素子装置の製造工程説明図、第8図は本発明におけるス
テムの一部断面正面図である。 11.11’・・・ステム、50・・・リードフレーム
、10.10’ ・・・棒状基体、12a、12b、1
2’a、12’b−・・支持リード(外部リード)、1
2e ・・・被封入部、12c、12d・・・支持リー
ド切断面(先端面L 14,14’・・・樹脂基台、
15・・・発光素子、16・・・ボンディングワイヤ、
17・・・樹脂封止体。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社 第1図 第2図 第4図 第7図 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 切断すれば一対のステムが形成されるリードフレー
ムであって、被切断体が、棒状基体と、該棒状基体に所
定間隔で所定方向に分岐させた多数個の支持リードとか
、らなり、該支持リードの先端部に樹脂基台による被封
入部と、前記支持リード切断面に発光素子装着部とを具
備する半導体発光素子装置用リードフレーム。 2 棒状基体に所定間隔で所定方向に分岐させた多数個
の支持リードと、該支持リードの先端部に該支持IJ
−)゛の先端面が露出するように成形した樹脂基台とか
らなるステムを形成した後、前記支持リードの先端面に
発光素子を装着し、該発光素子を樹脂封止体で前記樹脂
基台の封止面上に封止して発光素子装置を製造するにあ
たり、一対の前記ステムを一体に形成した後、前記樹脂
基台の封止面と前記支持リードの先端面とが露出するよ
うに切断して、前記ステムを゛形成することを特徴とす
る半導体発光素子装置の製造方法。 6 樹脂基台が熱硬化性樹脂基台である特許請求の範囲
第2項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56166377A JPS5868991A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56166377A JPS5868991A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5868991A true JPS5868991A (ja) | 1983-04-25 |
JPS6244875B2 JPS6244875B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=15830278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56166377A Granted JPS5868991A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5868991A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044718A (ja) * | 2002-12-06 | 2011-03-03 | Cree Inc | 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ |
JP2018529232A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品 |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP56166377A patent/JPS5868991A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044718A (ja) * | 2002-12-06 | 2011-03-03 | Cree Inc | 1つの小さい設置面積を有するledパッケージダイ |
JP2018529232A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品 |
US10784411B2 (en) | 2015-09-18 | 2020-09-22 | Osram Oled Gmbh | Housing having a recess exterior for an optoelectronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6244875B2 (ja) | 1987-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6727643B2 (en) | Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method | |
US3764862A (en) | Lead frame for light-emitting diodes | |
JP3310551B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JPS62229883A (ja) | フオトインタラプタ | |
JPS5868991A (ja) | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 | |
JPS58103183A (ja) | ステムの製造方法 | |
JPH0645656A (ja) | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ | |
JPS6244876B2 (ja) | ||
JPH0142511B2 (ja) | ||
JPH036938Y2 (ja) | ||
JPS6273785A (ja) | 発光素子 | |
JPH0337192B2 (ja) | ||
JPS63293584A (ja) | 発光表示体 | |
JPH0525257Y2 (ja) | ||
JPS604275A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPS62209Y2 (ja) | ||
JPH07174941A (ja) | 光通信用光学素子結合モジュールおよびその製造方法 | |
JPS5925284A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS6028140Y2 (ja) | 光結合器 | |
JPS63137488A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2003008079A (ja) | 反射型光学デバイス及びその製造方法 | |
JPH03286574A (ja) | 発光素子 | |
JPH025495A (ja) | 光電子装置およびリードフレーム | |
JPS63200551A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH0410741B2 (ja) |