KR20120052107A - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20120052107A
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Abstract

여기에서는 수지를 재료로 하여 몰딩, 특히, 사출성형에 의해 만들어지는 수지 성형체를 포함하는 발광다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치한다.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것이며, 특히, 패키지 몸체로 사출 성형과 같은 수지 몰딩 기술에 의해 제작된 수지 성형체를 포함하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 발광 효율이 높고, 수명이 길며, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 갖는다. 통상 발광 다이오드는, 발광다이오드 칩이 탑재된 패키지의 구조로 제작되며, 이러한 패키지 구조의 발광다이오드를 흔히 발광다이오드 패키지라 부르고 있다.
일반적으로, 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩에 전류를 인가하기 위한 리드프레임들과, 그러한 리드프레임들을 지지하는 대략 하우징 형태의 패키지 몸체와, 발광다이오드 칩을 보호하기 위해 투광성 재료로 형성된 봉지재 또는 렌즈를 포함한다.
PPA(Polypthalamide) 등과 같은 플라스틱 수지를 금형 내에서 몰딩하여 제작된 수지 성형체가 패키지 몸체로 많이 이용되고 있다. 몰딩 방식으로는 사출 성형이 많이 이용된다. 이렇게 제작된 수지 성형체는, 리드프레임들을 지지하도록 성형되되, 내부의 리드프레임들을 발광 다이오드 칩과 함께 상부로 노출시키는 캐비티를 상면에 포함한다. 리드프레임이 지지되어 있는 금형 내로 수지를 주입하기 위해 하나 이상의 게이트가 이용된다.
종래에는 리드프레임을 거꾸로 뒤집어 상형과 하형 사이의 금형 공간 내에 배치하고 리드프레임의 뒷면을 향하도록 그 리드프레임과 마주하는 금형의 상부, 즉, 상형에 게이트를 설치하고, 금형의 하부, 즉, 하형으로 리드프레임의 상부 형상을 막은 후, 게이트를 통해 상형과 하형에 의해 한정된 금형 공간 내로 수지를 주입하여 수지 성형체를 제작하는 사출 성형 기술이 많이 채택되어 왔다. 이 기술은 리드프레임들에 대해 얇은 두께로 수지 성형체를 형성하는 많이 이용되고 있다.
그러나, 이 종래의 기술은, 게이트 부분에서 리드프레임으로 인해 수지 유동 공간이 충분치 않아 수지의 흐름성이 나쁘고, 이에 따라, 성형을 마감한 수지 성형체에 버블 등과 같은 미성형 결함을 발생할 우려가 많다. 또한, 게이트와 리드프레임 사이의 짧은 거리로 인해, 게이트 제거시, 수지 일부가 함께 제거되어 리드프레임이 원치 않게 노출되는 불량을 초래한다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 수지 성형체를 몰딩 성형할 때 수직 방향으로의 수직 유동성을 높일 수 있는 개선된 리드프레임 구조를 이용함으로써, 수지 성형체의 성형성과 신뢰성을 높인 발광다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치한다.
상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치하는 것이 바람직하다.
상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되, 상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함한다. 더 바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고, 상기 제2 리드프레임은 광폭 갭의 타측을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함한다. 이때, 상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부의 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것이 좋다. 또한, 상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며, 상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된다.
바람직하게는, 상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치한다.
일 실시예에 따라, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임의 상면보다 높게 돌출될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형된 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 리드프레임의 측면 모서리 일부를 덮도록 위치하고, 상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치한다.
본 발명에 따르면, 발광다이오드 칩을 수용하고 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 지지하는 수지 성형체를 몰딩, 특히, 사출성형으로 제작함에 있어서, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에 협폭 갭에 더하여 광폭 갭을 추가로 마련하고, 그 광폭 갭의 직하에 게이트를 위치시킴으로써, 몰딩 성형시, 수직 방향으로 게이트 공간을 충분하게 증가시켜 수지의 유동성을 높일 수 있고, 몰딩 성형 후 게이트를 제거할 때, 제1 또는 제2 리드프레임이 노출되는 기존의 불량을 막는데 크게 기여할 수 있다. 수지의 수직 방향 게이트 공간을 늘리는 광폭 갭이 수지 성형체의 캐비티를 둘러싸는 복수(바람직하게는, 4개)의 내측벽들 중 적어도 2개의 내측벽과 만나도록 한 배치에 의해, 상기 내측벽들을 형성하는 수지의 유동성이 더 증가되어, 더 치밀하고 신뢰성 있게 발광다이오드 패키지를 제작할 수 있도록 해준다. 광폭 갭을 통해 수지 성형체의 일부가 돌출되는 것을 줄이되, 광폭 갭의 면적을 늘리는 방식으로, 수지 유동성 향상과 더불어 광 진행 또는 광 반사의 저해 요인을 줄일 수 있다. 특히, 광폭 갭을 돌출하는 턱의 상면을 리드프레임의 상면과 동일 평면이 되도록 하면, 캐비티 수지 턱의 존재로 인하 광 효율 저하를 완전하게 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 평면도.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광다이오드 패키지의 저면도.
도 4a는 도 2의 A-A를 따라 취해진 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 4b는 도 2의 B-B를 따라 취해진 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 발광다이오드 패키지의 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 도시한 평면도.
도 6은 도 5에 도시된 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 대하여 수지 성형체를 사출 몰딩하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도.
도 8은 도 7에 도시된 발광다이오드 패키지를 도시한 단면도.
도 9는 본 발명에 따라 발광다이오드 패키지의 수지 성형체를 사출성형하는 공정을 설명하기 위한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 발명의 실시예는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(1)는, 패키지의 몸체로서의 역할을 하는 수지 성형체(10)와, 상기 수지 성형체(10)에 지지되는 제1 리드프레임(22) 및 제2 리드프레임(24)과, 상기 제1 리드프레임(22) 및 상기 제2 리드프레임(24)에 전기적으로 연결되어 발광 동작하는 발광다이오드 칩(30)을 포함한다. 상기 수지 성형체(10)의 상면에는 캐비티(11)가 형성되며, 상기 발광다이오드 칩(30)은 상기 캐비티(11)에 수용되어 그 캐비티(11)에 의해 노출된 제1 리드프레임(22)에 실장된다. 도시된 바에 따르면, 상기 제1 리드프레임(22)은 두 부분(22a, 22b)으로 분기되어 수지 성형체(10)의 측면을 통해 외부로 연장되고, 상기 제2 리드프레임(24)도 두 부분(24a, 24b)로 분기되어 수지 성형체(10)의 측면을 통해 외부로 연장된다.
상기 수지 성형체(10)는, 몰딩 공정, 더 구체적으로는, 사출성형 공정에 의해 제작된다. 이를 위해서, 제1 및 제2 리드프레임(22, 24)의 일부가 배치된 금형 공간(M; 도 6 참조) 내로 게이트(G; 도 6 참조)를 통해 용융 수지가 주입된 후 경화되는 과정을 거친다. 이때, 제1 및 제2 리드프레임(22, 22)은 저면이 상측을 향하도록 금형 공간(M)에 배치되고, 그에 뒤 이어, 사출성형이 이루어진다. 따라서, 게이트(G)는 금형 공간(M)의 상부, 즉, 상형에 설치되게 된다. 사출성형 후 상기 수지 성형체(10)가 완성되고 수지 성형체(10)를 다시 뒤집으면, 게이트 잔존부(12) 또는 게이트 흔적은 수지 성형체(10)의 저면에 도 3에 도시된 것과 같이 남게 된다. 도 6에서 금형 공간(M)과 게이트(G)는 사출성형 공정의 설명을 위해 일점쇄선으로 개략화하여 나타내었는 바 실제의 금형 공간(M) 및 게이트(G)의 형상과 다를 수 있음에 유의한다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 4a, 도 4b, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)은 서로 이격된 채 단부들끼리 서로 대향되게 배치된다. 상기 제1 리드프레임(22)은 상기 제2 리드프레임(24)보다 횡 방향으로 긴 길이를 갖되, 상기 발광다이오드 칩(30)이 실장되는 오목한 컵부(222)를 포함한다. 상기 컵부(222)는 상기 수지 성형체(10)의 저면을 통해 상기 수지 성형체(10) 외부로 노출되며, 이러한 노출 구조는 발광다이오드 칩(30)의 발광 동작시 발생한 열을 신속하게 외부로 방출하는데 기여한다.
도 5 및 도 6에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24) 사이에는 갭(N, B)이 형성되며, 본 실시예에 따르면, 상기 갭은 서로 연결된 협폭 갭(N)과 광폭 갭(B)을 포함한다. 기존 발광다이오드 패키지의 경우, 이웃하는 두 리드프레임들 사이에 작은 폭의 갭만이 존재하는데 반해, 본 실시예의 경우, 상기 협폭 갭(N)보다 상당히 넓은 폭으로 형성된 광폭 갭(B)이 사출 성형시 용융 수지의 유동성을 높이는데 기여한다. 이때, 상기 광폭 갭(B)은, 사출 성형시 캐비티 주변 측벽들로 용융 수지가 신속히 유동될 수 있도록, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치한다.
사출 성형시 수지를 금형 내 공간으로 주입하는 게이트(G; 도 6 참조)는 상기 광폭 갭(B)과 수직으로 일치하는 위치에 배치되며, 용융 수지는 게이트(G)를 통하여 금형 내로 들어가 리드프레임들(22, 24)의 상부를 채움과 동시에 상기 광폭 갭(B)을 통하여 좋은 유동성으로 리드프레임들(22, 24)의 하부로 흘러 그곳에 존재하는 공간들을 채운다. 도 6에는 하나의 게이트(G)만이 도시되어 있지만, 금형의 적정 위치에 대하여 복수의 게이트를 이용할 수 있다. 이때, 부가적으로 더 이용되는 게이트의 경우 광폭 갭의 위치와 관계없이 배치될 수 있다.
금형 공간(M) 내에서 수지가 경화되어 수지 성형체(10)가 도 1 내지 도 4b에 도시된 구조로 형성되면, 게이트(G)가 제거되며, 게이트(G)가 제거된 수지 성형체(10)의 저면에는 도 3에 잘 도시된 것과 같은 게이트 잔존부(12)가 남는다. 따라서, 상기 게이트 잔존부(12)는 광폭 갭(B)의 직하에 위치한다.
도 1, 도 2, 도 4a 및 도 4b에 잘 도시된 바와 같이, 상기 수지 성형체(10)는 상기 광폭 갭(B)을 메우는 턱(13)을 포함한다. 본 실시예에서, 상기 턱(13)은 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)보다 높게 돌출되어 있다. 상기 턱(13)이 높을수록, 즉, 사출 성형시 광폭 갭(B)의 수직 방향 공간 높이가 클수록, 게이트를 통한 수지의 주입 특성 및 수지의 유동성이 좋지만, 상기 턱(13)이 너무 높을 경우, 발광다이오드 칩(30)으로부터 방사된 광의 진행 경로를 막아, 발광 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 이에 따라, 상기 턱(13)의 높이는 캐비티(11) 높이의 1/2, 더 바람직하게는 1/3 이하로 제한되는 것이 좋다. 이러한 높이 비는 상용 발광다이오드 칩과 상용 발광다이오드 패키지를 기준으로 한 것이며, 상기 캐비티(11)의 높이는 제1 및 제2 리드프레임(22, 24) 상면으로부터 캐비티(11) 최상부까지의 수직 거리를 나타낸다.
도 5에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드프레임(22)은 상기 광폭 갭(B)의 일측을 형성하는 제1 함몰부(224)를 단부에 포함하고, 상기 제2 리드프레임(24)은 상기 광폭 갭(B)의 타측을 형성하는 제2 함몰부(244)를 단부에 포함한다. 상기 제1 함몰부(224)와 상기 제2 함몰부(244)에 의해 상기 광폭 갭(B)이 상기 협폭 갭(N)보다 넓은 폭의 영역으로 형성된다. 상기 광폭 갭(B) 및 이를 점유하는 수지 성형체(10)의 턱(13; 도 1, 도 2, 도 4a, 도4b 참조)은 발광다이오드 칩으로부터 멀수록 좋은데, 이를 위해서, 상기 제2 함몰부(244)의 횡방향 함몰 깊이(D2)가 상기 제1 함몰부(224)의 횡방향 함몰 깊이(D1)보다 큰 것이 선호된다. 더 나아가, 상기 제1 함몰부(224)를 생략하는 대신 상기 제2 함몰부(244)를 더 크게 형성할 수 있다. 상기 제1 함몰부(224) 및/또는 상기 제2 함몰부(244)는 완만한 곡선 형태를 갖는 것이 좋으며, 이러한 곡선 형태 또한 수지 유동성을 좋게 하는데 기여한다.
상기 광폭 갭(B) 및 그 광폭 갭(B)을 점유하는 턱(13)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 수지 성형체(10)의 캐비티(11)의 한 코너에 위치하여, 상기 캐비티(11)의 두 교차하는 내측벽들과 만나도록 형성된다. 이에 따르면, 사출 성형시 게이트(G; 도 6 참조)를 통해 유입된 용융 수지가 상기 광폭 갭(B; 도 6 참조)에서 서로 교차하는 캐비티의 두 변을 따라 나뉘어 흘러 상기 캐비티(11)의 측벽들을 형성하도록 수지가 흐르는 경로의 거리를 크게 줄여줄 수 있다.
도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다. 이하 실시예의 설명에서 앞에서 설명된 내용은 중복을 피하기 위해 생략된다. 도 8은 광폭 갭과 턱이 함께 보여지도록 절단된 단면을 포함한다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(1)는 수지 성형체(10)의 턱(13)이 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24) 사이의 광폭 갭(B)을 점유하도록 형성되되, 상기 턱(13)의 상면은 상기 제1 리드프레임(22)의 상면 및 상기 제2 리드프레임(24)의 상면과 동일 평면을 이룬다. 상기 광폭 갭(B) 직하에는 게이트 잔존부(12)가 존재한다. 이와 같은 구조는, 도 8에 도시된 바와 같이, 캐비티(11) 내에서 턱(13)에 의해 화살표로 표시된 광의 진행이 방해받지 않으므로 발광다이오드 패키지(1) 발광효율을 높일 수 있다. 이때, 턱(13)이 낮아짐으로써 생기는 사출 성형시의 수지 유동성 저하를 막기 위해, 광폭 갭(B)의 면적을 앞선 실시예에 비해 넓게 하는 것이 바람직할 것이다.
도 9를 참조하면, 본 발명에 따라 발광 다이오드 패키지의 수지 성형체를 성형 공정을 설명하기 위한 모식도가 보여진다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 금형(M1)과 하부 금형(M2)을 합치하여 중간에 금형 공간(M)을 형성한다. 이때, 제1 리드프레임(22)과 제2 리드프레임(24)은 상하를 뒤집어진 채 상기 금형 공간(M) 내에 배치됨을 알 수 있다. 상부 금형(M1)에는 제1 리드프레임(22)과 제2 리드프레임(24) 사이의 광폭 갭(B) 직상에 있도록 게이트(G)가 배치된다. 이때, 성형 후 캐비티가 형성되는 상기 광폭 갭(B)의 아래쪽(수지 성형체의 상부 측)이 하부 금형(M2)에 의해 막히며, 따라서, 용용 수지는 상기 광폭 갭(B)을 지나 캐비티 측으로 더 흐르지 못한다.
10: 수지 성형체 11: 캐비티
12: 게이트 잔존부 13: 턱
22: 제1 리드프레임 24: 제2 리드프레임
B: 광폭 갭 30: 발광다이오드 칩
G: 게이트 M: 금형 공간
224: 제1 함몰부 244: 제2 함몰부

Claims (16)

  1. 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와;
    상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과;
    상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며,
    상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고,
    상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
    상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
    상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고,
    상기 제2 리드프레임은 광폭 갭의 타측을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함하며,
    상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부의 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며,
    상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임의 상면보다 높게 돌출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형된 수지 성형체와;
    상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과;
    상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며,
    상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고,
    상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 리드프레임의 측면 모서리 일부를 덮도록 위치하고,
    상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
    상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
    상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고,
    상기 제2 리드프레임은 광폭 갭을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함하며,
    상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  14. 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며,
    상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임의 상면보다 높게 돌출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  16. 청구항 10에 있어서, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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