JPH06163995A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【目的】タイバーレスリードフレームを用いても、製造
中、リード位置を安定に保持することができるようにす
る。 【構成】治具10の凹部10a,10bにリード2a,
2bをそれぞれ嵌合させ、治具10をリードフレーム1
1とともに移動させて、リード2a,2bにLEDチッ
プの搭載及び樹脂モールドから成る工程処理を施すこと
によってLEDランプを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関するものであり、更に詳しくは、タイバーのないリー
ドフレーム(タイバーレスリードフレーム)から製造され
る発光ダイオード(LED)ランプ等の半導体装置の製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より知られているLEDランプの製
造方法について、図5及び図6に基づいて説明する。通
常、LEDランプの製造に用いられているリードフレー
ムは、鉄系材料から成る金属薄板の打ち抜きによって製
造される。この打ち抜きによって、図5に示すように、
サイドフレーム4,ファースト側リード2a,セカンド
側リード2b,タイバー3,孔5等が形成される。
【0003】サイドフレーム4に形成されている孔5
は、リードフレーム1を搬送させるとき搬送装置に設ら
れた送りピンが嵌入される送り用の孔として用いられる
とともに、樹脂部19(図6)の位置の特定用にも用いら
れる。
【0004】また、サイドフレーム4からはファースト
側リード2aとセカンド側リード2bとが対になっての
びており、すべてのリード2a,2bはタイバー3と一
体に形成されている。このようにタイバー3を設けてい
るのは、製造中、リード2a,2bが曲がらないよう
に、リード2a,2bの位置を安定に保持するためであ
る。従って、リードフレームには、一般に1〜3本のタ
イバーが設けられている。
【0005】上記リードフレーム1を用い、まずLED
チップの搭載工程において、前記ファースト側リード2
aにLEDチップ6を取り付け、そのLEDチップ6と
セカンド側リード2bとをワイヤ7で接続する。次に、
樹脂モールド工程において、レンズ形状の金型8にエポ
キシ樹脂液9を入れ、エポキシ樹脂液9にリード2a,
2bの先端部(LEDチップ6及びワイヤ7が取り付け
られた部分)を入れ、加熱硬化させる。樹脂硬化が完了
すると、リード2a,2bの位置は安定化しタイバー3
は不要になるので、タイバー3を一点鎖線30A〜30
Dで示す位置で金型によって切断することにより、リー
ド2a,2bから除去する。最後に、リード2a,2b
を点線50(図6)で示す位置で、カッタによって切断す
ると、LEDランプが得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
金型でタイバー3を切断すると、ハンダ付けやハンダメ
ッキ等を行う後工程において、切断部40A〜40Dに
ハンダが付かないといった問題が生じる。また、上記切
断により、切断部40A〜40Dが硬化するといった問
題も生じる。これらの問題は、通常用いられているリー
ドフレームが、鉄系材料から成っていることに起因す
る。
【0007】上記のように切断部40A〜40Dに対す
るハンダの付きが悪いと、基板に対するLEDランプの
ハンダ付けを良好に行うことができず、接触不良が生じ
やすくなる。また、ハンダメッキも良好に行うことがで
きないので、切断部40A〜40Dに錆が生じやすくな
り、故障が発生しやくなる。また、切断部40A〜40
Dが硬いと、後工程でのリード2a,2bの曲げ加工が
困難になる。
【0008】一方、タイバーレスリードフレームを用い
れば、これらの問題は生じないが、先に述べたように、
製造中、リード2a,2bの位置を安定に保持すること
は難しい。
【0009】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであって、タイバーレスリードフレームを用いても、
製造中、リード位置を安定に保持することができる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの一
部を成すリードに、半導体チップの搭載及び樹脂モール
ドから成る工程処理を施すことによって半導体装置を製
造する半導体装置の製造方法において、所定の位置に凹
部が形成された治具の該凹部に前記リードを嵌合させ、
前記治具をリードフレームとともに移動させて前記工程
処理を施す構成となっている。
【0011】
【作用】このような構成によると、治具に設けられた凹
部にリードが嵌合することで、リード相互の相対的な位
置が固定され、治具がリードフレームとともに移動して
工程処理が施されることで、リードフレーム全体に対す
るリードの相対的な位置も固定される。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、図5及び図6に示す従来例と同一部分には、
同一の符号を付して詳しい説明を省略する。
【0013】本実施例では、図1及び図2に示すよう
に、タイバーレスリードフレーム11(以下「リードフ
レーム11」という)を用いるとともに、従来例のタイ
バー3の機能を果たすものとして、治具10を用いる。
【0014】治具10には、リード2a,2bの位置に
合うように、凹部10a,10bが形成されており、通
常よりも小さく設定されたクリアランスでリード2a,
2bと嵌合しうるようになっている。また、治具10
は、図2に示すように、両端部がくの字状に曲がって、
全体としてコの字状を成している。そして、サイドフレ
ーム4との固定を行うために、後述する孔15と嵌合し
うる突起10cが設けられている。
【0015】リードフレーム11には、タイバーが設け
られておらず、図2に示すように治具10に形成されて
いる突起10cと嵌合する孔15がサイドフレーム4に
形成されているほかは、前記従来例に用いられているリ
ードフレーム1と同様に構成されている。
【0016】孔15及び前記突起10cは、治具10を
リードフレーム11とともに移動させやすくするために
設けた嵌合手段である。リードフレーム11と治具10
とを直接結合することなく、それぞれを移動させる手段
によって治具10をリードフレーム11とともに移動さ
せてもよいが、リードフレーム11全体に対するリード
2a,2bの相対的な位置をより安定に保持するために
は、上記孔15及び突起10cのような嵌合手段を用い
るのが好ましい。
【0017】LEDランプを製造するには、まず、図1
に示すように治具10の凹部10a,10bにリード2
a,2bをそれぞれ嵌合させるとともに、図2に示すよ
うに孔15に突起10cを嵌合させる。
【0018】そして、治具10をリードフレーム11と
ともに移動させて、リード2a,2bに、LEDチップ
6の搭載及び樹脂モールドから成る従来と同様の工程処
理を施すことによって、LEDランプを製造する。即
ち、図3に示すように前記ファースト側リード2aにL
EDチップ6を取り付け、そのLEDチップ6とセカン
ド側リード2bとをワイヤ7で接続し、そして、レンズ
形状の金型8にエポキシ樹脂液9を入れ、エポキシ樹脂
液9にリード2a,2bの先端部を入れ、加熱硬化させ
る。
【0019】樹脂硬化が完了すると、リード2a,2b
の位置は安定化し治具10が不要となるので、リード2
a,2bと凹部10a,10bとの嵌合状態及び孔15
と突起10cとの嵌合状態を解く。最後に、リード2
a,2bを点線50(図6)で示す位置で、カッタによっ
て切断すると、LEDランプが得られる。
【0020】本実施例では、各処理の工程間において
も、リードフレーム1と治具10とが図2に示す結合状
態を維持したまま移動するので、リードフレーム11の
サイズ(例えば、長さ27cm)に合うコンパクトな治具1
0を用いているが、各工程での処理を行う装置にそれぞ
れ治具10と同様の凹部10a,10bを設け、工程間
での受け渡しを行うようにして製造を行うようにしても
よい。
【0021】前記リードフレーム11は、タイバーのな
い不安定な構造を有しているが、本実施例では上記のよ
うに嵌合部(凹部10a,10b)を有する構造の治具1
0を用いているので、リードフレーム11の打ち抜き形
成から樹脂モールドまでの製造中、タイバーがないため
に起こるリードフレーム11の曲がり等の発生を防止
し、リード2a,2b相互の相対的位置を安定に保持す
ることができる。
【0022】本実施例ではタイバーがリードと一体に形
成されたリードフレームを用いていないので、本実施例
によって得られたLEDランプは、切断部でハンダ付け
性の低下が生じたり、ハンダが付かないことによって錆
が発生したりするといった問題は、当然生じない。ま
た、曲げ加工が困難になるような切断部の硬化といった
問題も生じない。
【0023】本実施例の製造方法は、LEDランプに関
するものであるが、これに限らず、本発明は他のリード
フレームを用いて製造される半導体装置、例えばトラン
ジスタ,ダイオード,IC等にも適用することができ
る。
【0024】
【発明の効果】以上説明した通り本発明の半導体装置の
製造方法によれば、リードフレームの一部を成すリード
に、半導体チップの搭載及び樹脂モールドから成る工程
処理を施すことによって半導体装置を製造するに際し
て、所定の位置に凹部が形成された治具のその凹部に前
記リードを嵌合させているので、治具がタイバーとして
機能し、リード相互の相対的な位置が保持される。更
に、前記治具をリードフレームとともに移動させて前記
工程処理を施す構成となっているので、リードフレーム
全体に対するリード位置も保持される。従って、タイバ
ーレスリードフレームを用いても、製造中、リード位置
を安定に保持することができる。
【0025】また、リードフレームと一体に形成された
タイバーが不要となるので、タイバーを切断することに
よって、切断部にハンダが付かなかったり、切断部が硬
化するといったことがなくなり、接触不良が生じたり、
切断部に生じる錆によって故障が発生したりすることが
なくなる。また、後工程でのリードの曲げ加工も容易に
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例においてリードフレームが治
具にセットされる状態を示す斜視図。
【図2】本発明の一実施例においてリードフレームが治
具にセットされた状態を示す正面図。
【図3】本発明の一実施例においてリードフレームに樹
脂モールドを行っている状態を示す正面図。
【図4】本発明の一実施例において樹脂モールド後のリ
ードフレームを示す正面図。
【図5】従来例においてリードフレームに樹脂モールド
を行っている状態を示す正面図。
【図6】従来例において樹脂モールド及びタイバー除去
後のリードフレームを示す正面図。
【符号の説明】
1 …リードフレーム 2a …ファースト側リード 2b …セカンド側リード 3 …タイバー 4 …サイドフレーム 5 …孔 6 …LEDチップ 8 …金型 7 …ワイヤ 9 …エポキシ樹脂液 10 …治具 10a,10b …凹部 11 …リードフレーム 19 …樹脂部 40A〜40D …切断部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードフレームの一部を成すリードに、半
    導体チップの搭載及び樹脂モールドから成る工程処理を
    施すことによって半導体装置を製造する半導体装置の製
    造方法において、 所定の位置に凹部が形成された治具の該凹部に前記リー
    ドを嵌合させ、前記治具をリードフレームとともに移動
    させて前記工程処理を施すことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008513994A (ja) * 2004-09-15 2008-05-01 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ヒートパイプを備える発光素子及び発光素子用のヒートパイプリードの製造方法
JP2009016774A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードの製造治具
JP2009147285A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Silitek Electronic Co Ltd 電気光学半導体封止装置およびその封止方法
WO2009136492A1 (ja) * 2008-05-08 2009-11-12 武蔵エンジニアリング株式会社 リードフレームの位置決め治具
US7619260B2 (en) * 2004-08-10 2009-11-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting diode and method for its production

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619260B2 (en) * 2004-08-10 2009-11-17 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting diode and method for its production
JP2008513994A (ja) * 2004-09-15 2008-05-01 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ヒートパイプを備える発光素子及び発光素子用のヒートパイプリードの製造方法
US8569939B2 (en) 2004-09-15 2013-10-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminous device with heat pipe and method of manufacturing heat pipe lead for luminous device
JP2009016774A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードの製造治具
JP2009147285A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Silitek Electronic Co Ltd 電気光学半導体封止装置およびその封止方法
JP4691569B2 (ja) * 2007-12-14 2011-06-01 旭麗電子有限公司 電気光学半導体封止装置およびその封止方法
WO2009136492A1 (ja) * 2008-05-08 2009-11-12 武蔵エンジニアリング株式会社 リードフレームの位置決め治具
JP2009272491A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Musashi Eng Co Ltd リードフレームの位置決め治具

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