JPH08125097A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH08125097A JPH08125097A JP6287478A JP28747894A JPH08125097A JP H08125097 A JPH08125097 A JP H08125097A JP 6287478 A JP6287478 A JP 6287478A JP 28747894 A JP28747894 A JP 28747894A JP H08125097 A JPH08125097 A JP H08125097A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 遠方タイバー仕様のリードフレームにおい
て、製品コスト及び原価コストの低減を図り、安価で信
頼性の高い樹脂封止型半導体装置を供給する。 【構成】リードフレームは、半導体チップを搭載するア
イランド（４）、アイランドを支持する吊りピン
（１）、半導体装置外部に導出されているアウターリー
ド（２ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２
ｂ）、及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバ
ー（６）を有し、アイランド（４）の側面から延在さ
れ、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するウイングリード（３）を有する。これによ
り、遠方タイバー仕様リードフレームでの組立工程にお
いて、タイバー切断工程での金型費用及び工数の削減が
でき、バリ取り工程での不良率が低減できる。
て、製品コスト及び原価コストの低減を図り、安価で信
頼性の高い樹脂封止型半導体装置を供給する。 【構成】リードフレームは、半導体チップを搭載するア
イランド（４）、アイランドを支持する吊りピン
（１）、半導体装置外部に導出されているアウターリー
ド（２ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２
ｂ）、及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバ
ー（６）を有し、アイランド（４）の側面から延在さ
れ、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するウイングリード（３）を有する。これによ
り、遠方タイバー仕様リードフレームでの組立工程にお
いて、タイバー切断工程での金型費用及び工数の削減が
でき、バリ取り工程での不良率が低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに関
し、特にウイングリードを有するリードフレームに関す
る。
し、特にウイングリードを有するリードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームは、図９に示すよ
うに、半導体チップを搭載するアイランド（４）、アイ
ランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部に導
出されているリードであるアウターリード（２ａ）、半
導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、及び樹脂
封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー（６）を有し
ている。
うに、半導体チップを搭載するアイランド（４）、アイ
ランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部に導
出されているリードであるアウターリード（２ａ）、半
導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、及び樹脂
封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー（６）を有し
ている。
【０００３】上記従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法は、上述したようなリードフレームを準備し、リード
フレームのアイランドに半導体チップを搭載し、半導体
チップの電極とインナーリードとをワイヤーでボンディ
ングした後、図９に示すモールドライン（５）に沿う形
で樹脂封止する。この時、リード間に樹脂が流出する
が、タイバー（６）で止められ、樹脂はリード間にバリ
として残る。次に、リード間のバリとタイバーを金型で
切断除去し、ついで、アウターリードに所望のめっきを
施した後、アウターリード先端及び吊りピンを切断して
リードフレームから半導体装置を分離するとともに、ア
ウターリードを所望の形状に成形して樹脂封止型半導体
装置が完成する。
法は、上述したようなリードフレームを準備し、リード
フレームのアイランドに半導体チップを搭載し、半導体
チップの電極とインナーリードとをワイヤーでボンディ
ングした後、図９に示すモールドライン（５）に沿う形
で樹脂封止する。この時、リード間に樹脂が流出する
が、タイバー（６）で止められ、樹脂はリード間にバリ
として残る。次に、リード間のバリとタイバーを金型で
切断除去し、ついで、アウターリードに所望のめっきを
施した後、アウターリード先端及び吊りピンを切断して
リードフレームから半導体装置を分離するとともに、ア
ウターリードを所望の形状に成形して樹脂封止型半導体
装置が完成する。
【０００４】このような樹脂封止型半導体装置を、プリ
ント基板等に半田を介して実装する場合、半田ディップ
等の実装時の熱的ショックにより、樹脂内に浸入した水
分が外部に抜け出す前に気化し、パッケージである樹脂
内で膨脹して、パッケージにクラックを生じさせるとい
う問題があった。この問題を解決する方法として、図３
に従来のウィングリードを採用したリードフレームの図
を示す。この図に示すように、従来の吊りピン（１）と
は別に、アイランド（４）の側面から延在し、インナー
リード（２ｂ）及びアウターリード（２ａ）の間にあっ
て、かつダイバー（６）に連結されている延長部材（１
１）を設ける方法がある（例えば、特開昭６３−１３３
６５６号）。この延長部材（１１）は、アイランド
（４）を支持しているが、リード間に存在するため、従
来の吊りピン（１）とは区別して、ここではウィングリ
ード（Ｗｉｎｇ Ｌｅａｄ）と称する。
ント基板等に半田を介して実装する場合、半田ディップ
等の実装時の熱的ショックにより、樹脂内に浸入した水
分が外部に抜け出す前に気化し、パッケージである樹脂
内で膨脹して、パッケージにクラックを生じさせるとい
う問題があった。この問題を解決する方法として、図３
に従来のウィングリードを採用したリードフレームの図
を示す。この図に示すように、従来の吊りピン（１）と
は別に、アイランド（４）の側面から延在し、インナー
リード（２ｂ）及びアウターリード（２ａ）の間にあっ
て、かつダイバー（６）に連結されている延長部材（１
１）を設ける方法がある（例えば、特開昭６３−１３３
６５６号）。この延長部材（１１）は、アイランド
（４）を支持しているが、リード間に存在するため、従
来の吊りピン（１）とは区別して、ここではウィングリ
ード（Ｗｉｎｇ Ｌｅａｄ）と称する。
【０００５】このウィングリードは、樹脂内の水分を外
に逃がす作用をするので、実装時の加熱でのクラックを
防止することができるものである。従ってアイランドと
樹脂封止部との距離の短いところに設けれており、例え
ば、図３ではパッケージ長手方向のほぼ中央に設けてい
る。また、アイランド支持リードとしても機能するた
め、安定した樹脂封入が実施できるものである。しかし
ながら、延長部材（１１）の樹脂封止部外にあるウィン
グリードとして不要の部分は切断除去する必要がある。
そのため、従来のリード間バリとタイバーを金型で切断
除去するタイバー切断工程で、同時に切断除去されるも
のであるが、このウィングリードとなる延長部材（１
１）が存在するため、その部分の金型のポンチとダイの
形状を、ウィングリードの不要部分及びリード間バリと
タイバーを切断除去できるように変更することが必要で
あった。
に逃がす作用をするので、実装時の加熱でのクラックを
防止することができるものである。従ってアイランドと
樹脂封止部との距離の短いところに設けれており、例え
ば、図３ではパッケージ長手方向のほぼ中央に設けてい
る。また、アイランド支持リードとしても機能するた
め、安定した樹脂封入が実施できるものである。しかし
ながら、延長部材（１１）の樹脂封止部外にあるウィン
グリードとして不要の部分は切断除去する必要がある。
そのため、従来のリード間バリとタイバーを金型で切断
除去するタイバー切断工程で、同時に切断除去されるも
のであるが、このウィングリードとなる延長部材（１
１）が存在するため、その部分の金型のポンチとダイの
形状を、ウィングリードの不要部分及びリード間バリと
タイバーを切断除去できるように変更することが必要で
あった。
【０００６】一方、従来のタイバーに代わる方法とし
て、遠方タイバー法が知られている。この遠方タイバー
法は、従来、アウターリード先端の内側にタイバーを設
けていたものを、アウターリード先端の外側にタイバー
を延長したものである。図５（ａ）（ｂ）に従来タイバ
ー法と遠方タイバー法を示すと、従来タイバー法は、図
５（ａ）のようにアウターリード（２ａ）の先端の内側
にタイバー（６）を設けたものであり、遠方タイバー法
は、図５（ｂ）のようにアウターリード（２ａ）先端の
外側にタイバー（６）を設けたのである。
て、遠方タイバー法が知られている。この遠方タイバー
法は、従来、アウターリード先端の内側にタイバーを設
けていたものを、アウターリード先端の外側にタイバー
を延長したものである。図５（ａ）（ｂ）に従来タイバ
ー法と遠方タイバー法を示すと、従来タイバー法は、図
５（ａ）のようにアウターリード（２ａ）の先端の内側
にタイバー（６）を設けたものであり、遠方タイバー法
は、図５（ｂ）のようにアウターリード（２ａ）先端の
外側にタイバー（６）を設けたのである。
【０００７】そして、この製造工程において、図５
（ａ）の従来タイバー法では、樹脂封止後、金型でリー
ド間のバリとタイバーとを切断除去していた。また図５
（ｂ）の遠方タイバー法では、アウターリード（２ａ）
先端の外側にタイバー（６）が設けられているので、樹
脂封止時にリード間の樹脂は、アウターリード（２ａ）
先端より外側に迄流出することになる。ついで樹脂封止
後にアウターリード（２ａ）を図のリード切断位置で切
断する。この切断によりタイバー（６）も切断除去さ
れ、バリはアウターリード（２ａ）間に残る。このよう
にアウターリード（２ａ）の切断によりタイバー（６）
も切断除去されるので、従来のタイバー法でのように金
型でのタイバー切断除去工程が不要になる。そこでリー
ド間のバリを、高圧ジェットホーニング（高圧水の吹き
付け）法等で除去する。
（ａ）の従来タイバー法では、樹脂封止後、金型でリー
ド間のバリとタイバーとを切断除去していた。また図５
（ｂ）の遠方タイバー法では、アウターリード（２ａ）
先端の外側にタイバー（６）が設けられているので、樹
脂封止時にリード間の樹脂は、アウターリード（２ａ）
先端より外側に迄流出することになる。ついで樹脂封止
後にアウターリード（２ａ）を図のリード切断位置で切
断する。この切断によりタイバー（６）も切断除去さ
れ、バリはアウターリード（２ａ）間に残る。このよう
にアウターリード（２ａ）の切断によりタイバー（６）
も切断除去されるので、従来のタイバー法でのように金
型でのタイバー切断除去工程が不要になる。そこでリー
ド間のバリを、高圧ジェットホーニング（高圧水の吹き
付け）法等で除去する。
【０００８】即ち、樹脂封止後リード間の樹脂は、遠方
タイバー法ではアウターリード（２ａ）先端より外側に
迄流出することになるが、リード切断位置の外側にタイ
バー（６）が設けられているので、アウターリード（２
ａ）の切断によりタイバー（６）も切断除去される。そ
のため従来のタイバー法では金型でリード間のバリとタ
イバーとを切断除去していたが、遠方タイバー法では、
高圧ジェットホーニング（高圧水の吹き付け）法等でリ
ード間のバリのみを除去する方法が採用できることにな
る。
タイバー法ではアウターリード（２ａ）先端より外側に
迄流出することになるが、リード切断位置の外側にタイ
バー（６）が設けられているので、アウターリード（２
ａ）の切断によりタイバー（６）も切断除去される。そ
のため従来のタイバー法では金型でリード間のバリとタ
イバーとを切断除去していたが、遠方タイバー法では、
高圧ジェットホーニング（高圧水の吹き付け）法等でリ
ード間のバリのみを除去する方法が採用できることにな
る。
【０００９】そして、遠方タイバー法は、製造工程にお
いて従来の半導体装置の種類毎に金型を準備することが
不要となること、また、リード間のバリの除去は、従来
実施していたリード上の薄いバリの除去工程と同時に実
施でき、タイバー切断工程が不要となることの利点を有
する。即ち、上記した図５は、リード成形後の（ａ）従
来タイバー法、（ｂ）遠方タイバー法のアウターリード
に対するタイバーの位置関係を示しており、遠方タイバ
ー法はアウターリードに従来のタイバー部の切断残りが
存在せず、リード成形が安定してできるというものであ
る。
いて従来の半導体装置の種類毎に金型を準備することが
不要となること、また、リード間のバリの除去は、従来
実施していたリード上の薄いバリの除去工程と同時に実
施でき、タイバー切断工程が不要となることの利点を有
する。即ち、上記した図５は、リード成形後の（ａ）従
来タイバー法、（ｂ）遠方タイバー法のアウターリード
に対するタイバーの位置関係を示しており、遠方タイバ
ー法はアウターリードに従来のタイバー部の切断残りが
存在せず、リード成形が安定してできるというものであ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の遠方タイバー法により、タイバー切断金型やタイバー
切断工程が不要になること及びリード成形が安定して目
的とするリード形状が得られることはできるものである
が、遠方タイバーに、上記従来の技術で示した、延長部
材の樹脂封止部外にあるウィングリードとしては不要の
部分を切断除去して形成するウィングリードを設けた場
合には、アウターリード（２ａ）の切断によりタイバー
（６）をも切断除去されるが、ウィングリードもアウタ
ーリード（２ａ）と同じ長さだけ残ることになる。リー
ド間のバリは高圧ジェットホーニング法で除去すること
ができるが、高圧ジェットホーニング法では、ウィング
リードとしての不要部分の除去は不可能であり、結果と
してウィングリード切断金型を準備して、ウィングリー
ド切断工程を追加することが必要になり、そのために遠
方タイバーの前述のような効果が大幅に失われることに
なる。
の遠方タイバー法により、タイバー切断金型やタイバー
切断工程が不要になること及びリード成形が安定して目
的とするリード形状が得られることはできるものである
が、遠方タイバーに、上記従来の技術で示した、延長部
材の樹脂封止部外にあるウィングリードとしては不要の
部分を切断除去して形成するウィングリードを設けた場
合には、アウターリード（２ａ）の切断によりタイバー
（６）をも切断除去されるが、ウィングリードもアウタ
ーリード（２ａ）と同じ長さだけ残ることになる。リー
ド間のバリは高圧ジェットホーニング法で除去すること
ができるが、高圧ジェットホーニング法では、ウィング
リードとしての不要部分の除去は不可能であり、結果と
してウィングリード切断金型を準備して、ウィングリー
ド切断工程を追加することが必要になり、そのために遠
方タイバーの前述のような効果が大幅に失われることに
なる。
【００１１】また、図４に、従来のウィングリードを採
用した遠方タイバー仕様のリードフレームの図を示す。
この図４のウィングリードを採用した従来リードフレー
ムで示されるようなものでは、ウィングリード（３）と
アウターリード（２ａ）との間隔が狭くなる。そのため
遠方タイバー仕様で高圧ジェットホーニングをアウター
リード（２ａ）間のバリを取る条件で使用した場合、ウ
ィングリード（３）とアウターリード（２ａ）の間のバ
リは除去されない。そこでその部分のバリを除去するた
めに高圧ジェットホーニングの条件を変更するとアウタ
ーリード（２ａ）が変形することになるという問題があ
った。さらに、遠方タイバー法に関係なく、インナーリ
ード（２ｂ）を設計する際にも、ウィングリード（３）
がタイバー（６）に接続されている場合、ウィングリー
ド切断金型により、ウィングリード位置が固定されるた
め、インナーリード（２ｂ）の設計の自由度が制限され
るという問題もあった。
用した遠方タイバー仕様のリードフレームの図を示す。
この図４のウィングリードを採用した従来リードフレー
ムで示されるようなものでは、ウィングリード（３）と
アウターリード（２ａ）との間隔が狭くなる。そのため
遠方タイバー仕様で高圧ジェットホーニングをアウター
リード（２ａ）間のバリを取る条件で使用した場合、ウ
ィングリード（３）とアウターリード（２ａ）の間のバ
リは除去されない。そこでその部分のバリを除去するた
めに高圧ジェットホーニングの条件を変更するとアウタ
ーリード（２ａ）が変形することになるという問題があ
った。さらに、遠方タイバー法に関係なく、インナーリ
ード（２ｂ）を設計する際にも、ウィングリード（３）
がタイバー（６）に接続されている場合、ウィングリー
ド切断金型により、ウィングリード位置が固定されるた
め、インナーリード（２ｂ）の設計の自由度が制限され
るという問題もあった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、アイランドの
側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または該表面
より若干突出して終端する少なくとも一つのウイングリ
ードを有することを特徴とするリードフレームである。
また、本発明は、アイランドの側面から延在され、封止
樹脂の表面で終端または該表面より若干突出して終端す
るウイングリードを有し、かつアウターリード先端の外
側にタイバーを設けたことを特徴とするリードフレーム
である。
側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または該表面
より若干突出して終端する少なくとも一つのウイングリ
ードを有することを特徴とするリードフレームである。
また、本発明は、アイランドの側面から延在され、封止
樹脂の表面で終端または該表面より若干突出して終端す
るウイングリードを有し、かつアウターリード先端の外
側にタイバーを設けたことを特徴とするリードフレーム
である。
【００１３】
【作用】本発明において、ウイングリードがアイランド
の側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または該表
面より若干突出して終端するものであるから、ウィング
リード切断金型やウィングリード切断工程が不要となる
もので、また、アウターリード間にウィングリードが存
在しないため、高圧ジェットホーニング法でのバリ除去
工程での不良率が大幅に低減できるものである。そし
て、そのウィングリードが樹脂内の水分を外に逃がす作
用をし、また、アイランド支持リードとしても機能する
ものである。
の側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または該表
面より若干突出して終端するものであるから、ウィング
リード切断金型やウィングリード切断工程が不要となる
もので、また、アウターリード間にウィングリードが存
在しないため、高圧ジェットホーニング法でのバリ除去
工程での不良率が大幅に低減できるものである。そし
て、そのウィングリードが樹脂内の水分を外に逃がす作
用をし、また、アイランド支持リードとしても機能する
ものである。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［実施例１］図１は、本発明のリードフレームの平面図
を示している。リードフレームは、半導体チップを搭載
するアイランド（４）、アイランドを支持する吊りピン
（１）、半導体装置外部に導出されているリードである
アウターリード（２ａ）、半導体装置内部にあるインナ
ーリード（２ｂ）、及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防
止するタイバー（６）及びウイングリード（３）を有し
ている。
て説明する。 ［実施例１］図１は、本発明のリードフレームの平面図
を示している。リードフレームは、半導体チップを搭載
するアイランド（４）、アイランドを支持する吊りピン
（１）、半導体装置外部に導出されているリードである
アウターリード（２ａ）、半導体装置内部にあるインナ
ーリード（２ｂ）、及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防
止するタイバー（６）及びウイングリード（３）を有し
ている。
【００１５】本発明のリードフレームは、遠方タイバー
仕様であり、アイランド（４）の側面から延在されたウ
イングリード（３）がモールドライン（５）より若干突
出して終端している。図２は、本発明のリードフレーム
のウイングリード（３）周辺部の拡大図である。ウイン
グリード（３）の先端はがモールドライン（５）に対し
て、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するもので、例えば０．０５〜０．２ｍｍ程度タ
イバー（６）に突出して終端となっている。
仕様であり、アイランド（４）の側面から延在されたウ
イングリード（３）がモールドライン（５）より若干突
出して終端している。図２は、本発明のリードフレーム
のウイングリード（３）周辺部の拡大図である。ウイン
グリード（３）の先端はがモールドライン（５）に対し
て、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するもので、例えば０．０５〜０．２ｍｍ程度タ
イバー（６）に突出して終端となっている。
【００１６】図７は、樹脂封止型半導体装置の製造にお
ける樹脂封入工程での封入金型（９）及び半導体装置の
断面図である。リードフレームのアイランド（４）に半
導体チップ（１０）を搭載し、半導体チップの電極とイ
ンナーリードとをワイヤーでボンディング後、封入金型
（９）でウイングリード（３）の終端を挟みモールドラ
インに沿う形で樹脂封止する。このように、封入金型
（９）でウイングリード（３）の終端を挟み込むことに
より、ウイングリード（３）の位置が固定されること
で、アイランド（４）の保持力が強まり、ウイングリー
ドの効果である安定した封入作業が可能である。
ける樹脂封入工程での封入金型（９）及び半導体装置の
断面図である。リードフレームのアイランド（４）に半
導体チップ（１０）を搭載し、半導体チップの電極とイ
ンナーリードとをワイヤーでボンディング後、封入金型
（９）でウイングリード（３）の終端を挟みモールドラ
インに沿う形で樹脂封止する。このように、封入金型
（９）でウイングリード（３）の終端を挟み込むことに
より、ウイングリード（３）の位置が固定されること
で、アイランド（４）の保持力が強まり、ウイングリー
ドの効果である安定した封入作業が可能である。
【００１７】図６は、本発明のリードフレームを用いた
半導体装置のウイングリード（３）部周辺の拡大図であ
る。この図６では、樹脂（８）、ウィングリード
（３）、アウターリード（２ａ）が示され、これは樹脂
封止後のウイングリード（３）の突出状態を示してお
り、ウイングリード（３）の樹脂（８）からの突出量
は、例えば、封入工程での封入ズレが±０．０５ｍｍ程
度あることから、０〜０．２５ｍｍ程度となるものであ
る。ここで、突出量が０より小さい場合は、水分の逃げ
道であるウイングリードが樹脂表面に達しないので、樹
脂内の水分を逃すことができない。０．２５ｍｍ程度を
越えると封入装置等の自動認識部がウイングリードとア
ウターリードとを誤認識してしまう。ウイングリードと
アウターリードとを誤認識してしまうと、封入装置等で
作業前に行っている、リード数等を認識して製品の品種
を識別している自動識別ができにくくなってしまう。
半導体装置のウイングリード（３）部周辺の拡大図であ
る。この図６では、樹脂（８）、ウィングリード
（３）、アウターリード（２ａ）が示され、これは樹脂
封止後のウイングリード（３）の突出状態を示してお
り、ウイングリード（３）の樹脂（８）からの突出量
は、例えば、封入工程での封入ズレが±０．０５ｍｍ程
度あることから、０〜０．２５ｍｍ程度となるものであ
る。ここで、突出量が０より小さい場合は、水分の逃げ
道であるウイングリードが樹脂表面に達しないので、樹
脂内の水分を逃すことができない。０．２５ｍｍ程度を
越えると封入装置等の自動認識部がウイングリードとア
ウターリードとを誤認識してしまう。ウイングリードと
アウターリードとを誤認識してしまうと、封入装置等で
作業前に行っている、リード数等を認識して製品の品種
を識別している自動識別ができにくくなってしまう。
【００１８】［実施例２］図８に、本発明の第２実施例
を示す。図８では、上記の実施例１と同様に、リードフ
レームは、半導体チップを搭載するアイランド（４）、
アイランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部
に導出されているリードであるアウターリード（２
ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、
及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー
（６）及びウイングリード（３）を有しているもので、
この実施例では、アイランド（４）の側面より複数のウ
イングリード（３）が延在しており、封入工程でのアイ
ランド（４）の保持力が強くなり、半導体装置内部の水
分がより外部に逃げや易くなっているものである。以
上、実施例で説明したように、上記実施例１によるリー
ドフレームを使用して、樹脂封止型半導体装置を製造す
る場合は、ウィングリード切断工程を必要とせずに、従
来の遠方タイバー法と同様の方法で実施できる。さら
に、ウィングリードの位置についても、金型に制約され
ることなく、自由に設けることができるものである。
を示す。図８では、上記の実施例１と同様に、リードフ
レームは、半導体チップを搭載するアイランド（４）、
アイランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部
に導出されているリードであるアウターリード（２
ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、
及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー
（６）及びウイングリード（３）を有しているもので、
この実施例では、アイランド（４）の側面より複数のウ
イングリード（３）が延在しており、封入工程でのアイ
ランド（４）の保持力が強くなり、半導体装置内部の水
分がより外部に逃げや易くなっているものである。以
上、実施例で説明したように、上記実施例１によるリー
ドフレームを使用して、樹脂封止型半導体装置を製造す
る場合は、ウィングリード切断工程を必要とせずに、従
来の遠方タイバー法と同様の方法で実施できる。さら
に、ウィングリードの位置についても、金型に制約され
ることなく、自由に設けることができるものである。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、アイラ
ンドの側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または
該表面より若干突出して終端するウイングリードを有す
ることにより、遠方タイバー法でウィングリードを採用
しても、ウィングリード切断金型やウィングリード切断
工程が不要となり、遠方タイバーの本来の効果が得られ
る。また、アウターリード間にウィングリードが存在し
ないため、高圧ジェットホーニング法でのバリ除去工程
での不良率が大幅に低減できるという効果を有するもの
である。さらに、インナーリード設計においても、タイ
バー切断金型やウィングリード切断金型が不要なので、
ウィングリード位置が設計前から固定されないため、イ
ンナーリード設計の自由度が高くなるという効果が得ら
れ、ウィングリードの数も増やせるため、ウィングリー
ドの効果がさらに高められるという効果も得られるもの
である。
ンドの側面から延在され、封止樹脂の表面で終端または
該表面より若干突出して終端するウイングリードを有す
ることにより、遠方タイバー法でウィングリードを採用
しても、ウィングリード切断金型やウィングリード切断
工程が不要となり、遠方タイバーの本来の効果が得られ
る。また、アウターリード間にウィングリードが存在し
ないため、高圧ジェットホーニング法でのバリ除去工程
での不良率が大幅に低減できるという効果を有するもの
である。さらに、インナーリード設計においても、タイ
バー切断金型やウィングリード切断金型が不要なので、
ウィングリード位置が設計前から固定されないため、イ
ンナーリード設計の自由度が高くなるという効果が得ら
れ、ウィングリードの数も増やせるため、ウィングリー
ドの効果がさらに高められるという効果も得られるもの
である。
【図１】 本発明の第１実施例のリードフレームの平面
図。
図。
【図２】 本発明のリードフレームのウイングリード周
辺部の拡大図。
辺部の拡大図。
【図３】 従来のウィングリードを採用したリードフレ
ーム図。
ーム図。
【図４】 従来のウィングリードを採用した遠方タイバ
ー仕様のリードフレーム図。
ー仕様のリードフレーム図。
【図５】 リード成形後のタイバーの位置を示した側面
拡大図。
拡大図。
【図６】 本発明のリードフレームを用いた半導体装置
のウィングリード拡大図。
のウィングリード拡大図。
【図７】 本発明のリードフレームの封入工程の断面図
【図８】 本発明の第２の実施例のリードフレームの平
面図。
面図。
【図９】 従来のリードフレームを示す図
１ 吊りピン ２ リード ２ａ アウターリード ２ｂ インナーリード ３ ウィングリード ４ アイランド ５ モールドライン ６ タイバー ７ リードフレーム ８ 樹脂 ９ 封入金型 １０ 半導体チップ １１ 延長部材 １２ 切断されたアウターリード
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明のリードフレームは、遠方タイバー
仕様であり、アイランド（４）の側面から延在されたウ
イングリード（３）がモールドライン（５）より若干突
出して終端している。図２は、本発明のリードフレーム
のウイングリード（３）周辺部の拡大図である。ウイン
グリード（３）の先端がモールドライン（５）に対し
て、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するもので、例えば０．０５〜０．２ｍｍ程度タ
イバー（６）に突出して終端となっている。
仕様であり、アイランド（４）の側面から延在されたウ
イングリード（３）がモールドライン（５）より若干突
出して終端している。図２は、本発明のリードフレーム
のウイングリード（３）周辺部の拡大図である。ウイン
グリード（３）の先端がモールドライン（５）に対し
て、封止樹脂の表面で終端または該表面より若干突出し
て終端するもので、例えば０．０５〜０．２ｍｍ程度タ
イバー（６）に突出して終端となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】図６は、本発明のリードフレームを用いた
半導体装置のウイングリード（３）部周辺の拡大図であ
る。この図６では、樹脂（８）、ウィングリード
（３）、アウターリード（２ａ）が示され、これは樹脂
封止後のウイングリード（３）の突出状態を示してお
り、ウイングリード（３）の樹脂（８）からの突出量
は、例えば、封入工程での封入ズレが±０．０５ｍｍ程
度あることから、０〜０．２５ｍｍ程度となるものであ
る。ここで、突出量が０より小さい場合は、水分の逃げ
道であるウイングリードが樹脂表面に達しないので、樹
脂内の水分を逃すことができない。０．２５ｍｍ程度を
越えると実装機の自動認識部がウイングリードをアウタ
ーリードと誤認識する場合がある。ウイングリードをア
ウターリードと誤認識してしまうと、実装機が作業前に
行っている、リード数等を認識して製品の品種を識別し
ている自動識別でエラーが発生し、実装作業ができなく
なってしまう。
半導体装置のウイングリード（３）部周辺の拡大図であ
る。この図６では、樹脂（８）、ウィングリード
（３）、アウターリード（２ａ）が示され、これは樹脂
封止後のウイングリード（３）の突出状態を示してお
り、ウイングリード（３）の樹脂（８）からの突出量
は、例えば、封入工程での封入ズレが±０．０５ｍｍ程
度あることから、０〜０．２５ｍｍ程度となるものであ
る。ここで、突出量が０より小さい場合は、水分の逃げ
道であるウイングリードが樹脂表面に達しないので、樹
脂内の水分を逃すことができない。０．２５ｍｍ程度を
越えると実装機の自動認識部がウイングリードをアウタ
ーリードと誤認識する場合がある。ウイングリードをア
ウターリードと誤認識してしまうと、実装機が作業前に
行っている、リード数等を認識して製品の品種を識別し
ている自動識別でエラーが発生し、実装作業ができなく
なってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】［実施例２］図８に、本発明の第２実施例
を示す。図８では、上記の実施例１と同様に、リードフ
レームは、半導体チップを搭載するアイランド（４）、
アイランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部
に導出されているリードであるアウターリード（２
ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、
及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー
（６）及びウイングリード（３）を有しているもので、
この実施例では、アイランド（４）の側面より複数のウ
イングリード（３）が延在しており、封入工程でのアイ
ランド（４）の保持力が強くなり、半導体装置内部の水
分がより外部に逃げ易くなっているものである。以上、
実施例で説明したように、上記実施例１によるリードフ
レームを使用して、樹脂封止型半導体装置を製造する場
合は、ウィングリード切断工程を必要とせずに、従来の
遠方タイバー法と同様の方法で実施できる。さらに、ウ
ィングリードの位置についても、金型に制約されること
なく、自由に設けることができるものである。
を示す。図８では、上記の実施例１と同様に、リードフ
レームは、半導体チップを搭載するアイランド（４）、
アイランドを支持する吊りピン（１）、半導体装置外部
に導出されているリードであるアウターリード（２
ａ）、半導体装置内部にあるインナーリード（２ｂ）、
及び樹脂封止の時、樹脂の流出を防止するタイバー
（６）及びウイングリード（３）を有しているもので、
この実施例では、アイランド（４）の側面より複数のウ
イングリード（３）が延在しており、封入工程でのアイ
ランド（４）の保持力が強くなり、半導体装置内部の水
分がより外部に逃げ易くなっているものである。以上、
実施例で説明したように、上記実施例１によるリードフ
レームを使用して、樹脂封止型半導体装置を製造する場
合は、ウィングリード切断工程を必要とせずに、従来の
遠方タイバー法と同様の方法で実施できる。さらに、ウ
ィングリードの位置についても、金型に制約されること
なく、自由に設けることができるものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 アイランドの側面から延在され、封止樹
脂の表面で終端または該表面より若干突出して終端する
少なくとも一つのウイングリードを有することを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項２】 アイランドの側面から延在され、封止樹
脂の表面で終端または該表面より若干突出して終端する
ウイングリードを有し、かつアウターリード先端の外側
にタイバーを設けたことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287478A JPH08125097A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | リードフレーム |
| US08/549,529 US5623162A (en) | 1994-10-27 | 1995-10-27 | Lead frame having cut-out wing leads |
| KR1019950037680A KR100223076B1 (ko) | 1994-10-27 | 1995-10-27 | 리드 프레임 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287478A JPH08125097A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125097A true JPH08125097A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17717866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287478A Pending JPH08125097A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | リードフレーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5623162A (ja) |
| JP (1) | JPH08125097A (ja) |
| KR (1) | KR100223076B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851489A3 (en) * | 1996-12-06 | 1999-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuit devices |
| JP2014174170A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Melexis Technologies Nv | 電流センサ |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2806328B2 (ja) * | 1995-10-31 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| US5781682A (en) * | 1996-02-01 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Low-cost packaging for parallel optical computer link |
| DE19629767C2 (de) * | 1996-07-23 | 2003-11-27 | Infineon Technologies Ag | Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul |
| US6072228A (en) * | 1996-10-25 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Multi-part lead frame with dissimilar materials and method of manufacturing |
| US6075283A (en) | 1998-07-06 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Downset lead frame for semiconductor packages |
| TW398057B (en) | 1998-07-30 | 2000-07-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | A semiconductor device that has a chip seat with a bend part |
| TW488042B (en) * | 2000-11-30 | 2002-05-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Quad flat non-leaded package and its leadframe |
| US20040113240A1 (en) | 2002-10-11 | 2004-06-17 | Wolfgang Hauser | An electronic component with a leadframe |
| US7351611B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-01 | Carsem (M) Sdn Bhd | Method of making the mould for encapsulating a leadframe package |
| JP5291381B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-09-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ |
| KR102071078B1 (ko) | 2012-12-06 | 2020-01-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 멀티 칩 패키지 |
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| JPS6224967A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-02-02 | Honda Motor Co Ltd | 研削盤における砥石径測定方法 |
| JPH0195544A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
| JPH0283961A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法、それにより得られる半導体装置およびそれに用いる半導体ウエハ |
| JPH0555408A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133656A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS6471161A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame |
| JPH03276747A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Nec Corp | リードフレーム |
| JPH0445566A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Hitachi Ltd | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6287478A patent/JPH08125097A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-27 US US08/549,529 patent/US5623162A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-10-27 KR KR1019950037680A patent/KR100223076B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JP2014174170A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Melexis Technologies Nv | 電流センサ |
| US9529013B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-12-27 | Melexis Technologies Nv | Current sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100223076B1 (ko) | 1999-10-15 |
| KR960015873A (ko) | 1996-05-22 |
| US5623162A (en) | 1997-04-22 |
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