JPH05226551A - 半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05226551A JPH05226551A JP4025026A JP2502692A JPH05226551A JP H05226551 A JPH05226551 A JP H05226551A JP 4025026 A JP4025026 A JP 4025026A JP 2502692 A JP2502692 A JP 2502692A JP H05226551 A JPH05226551 A JP H05226551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dam
- tab
- lead
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型半導体装置の製造おけるバリの発生
を防止し、ダム切断工程を不要とする。 【構成】ダムを半田で形成し、通常のリードフレームの
ダムより封止体界面に近接するようにする。 【効果】バリの発生がなくなり、ダム切断工程が不要と
なる。
を防止し、ダム切断工程を不要とする。 【構成】ダムを半田で形成し、通常のリードフレームの
ダムより封止体界面に近接するようにする。 【効果】バリの発生がなくなり、ダム切断工程が不要と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に係
り、特に樹脂封止型の半導体装置に適用して有効な技術
に関するものである。
り、特に樹脂封止型の半導体装置に適用して有効な技術
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に樹脂封止型の半導体装置の製造に
おいて使用されるリードフレームは銅あるいは４２アロ
イ等からなり、半導体ペレットが取り付けられるタブ
と、タブの近辺にその先端を位置させ周囲に放射状に伸
びるリードとそのリード間を接続するダムからなる形状
を有し、エッチングあるいは打ち抜きで一体に形成され
ている。
おいて使用されるリードフレームは銅あるいは４２アロ
イ等からなり、半導体ペレットが取り付けられるタブ
と、タブの近辺にその先端を位置させ周囲に放射状に伸
びるリードとそのリード間を接続するダムからなる形状
を有し、エッチングあるいは打ち抜きで一体に形成され
ている。
【０００３】一般的な樹脂封止型の半導体装置用リード
フレームを示したものとして特公昭５１−４９０５号が
ある。
フレームを示したものとして特公昭５１−４９０５号が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した手段
によればダムがリードフレームと一体で形成されている
ため、ダムをリードフレームから切断除去する必要があ
り、ダムの切断工程が必要となる。また切断の工程上ダ
ムを樹脂封止体の界面に接近して形成すると、切断のた
めの切断型が樹脂封止体を傷つける可能性があるため接
近させることが不可能となる。そのためダムと樹脂封止
体の間を一定距離離間させることが必要となりそのため
に離間部に封止樹脂によるバリを生じ、バリ取り工程を
行う必要が発生するという問題があった。
によればダムがリードフレームと一体で形成されている
ため、ダムをリードフレームから切断除去する必要があ
り、ダムの切断工程が必要となる。また切断の工程上ダ
ムを樹脂封止体の界面に接近して形成すると、切断のた
めの切断型が樹脂封止体を傷つける可能性があるため接
近させることが不可能となる。そのためダムと樹脂封止
体の間を一定距離離間させることが必要となりそのため
に離間部に封止樹脂によるバリを生じ、バリ取り工程を
行う必要が発生するという問題があった。
【０００５】本願発明の目的は上記したような問題を解
決し、ダム切断工程を不要とし、またバリ除去の必要な
い半導体装置用のリードフレームを提供することにあ
る。
決し、ダム切断工程を不要とし、またバリ除去の必要な
い半導体装置用のリードフレームを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものによって得られるものを記載す
れば下記のとおりである。
発明のうち代表的なものによって得られるものを記載す
れば下記のとおりである。
【０００７】すなわち第１の発明はタブと、前記タブの
近辺にその端部を位置させ前記タブの周囲から放射状に
形成された複数のリードと前記リード間を接続するダム
とからなり、前記ダムは半田にて形成されて成る半導体
装置用のリードフレームである。また第２の発明はタブ
と、前記タブの近辺にその端部を位置させ周囲に伸びる
ように形成された複数のリードと前記リード間を接続す
るダムとからなり、前記ダムは半田にて形成されて成る
半導体装置用リードフレームを用意する工程と、前記タ
ブ上に半導体ペレットを取付けリードと接続する工程
と、前記タブ、ペレットおよびリ−ドの一部を樹脂によ
り封止し封止体を形成する工程と、前記封止工程後に封
止体から導出したリードを半田槽にてめっきする工程と
からなる半導体装置の製造方法である。
近辺にその端部を位置させ前記タブの周囲から放射状に
形成された複数のリードと前記リード間を接続するダム
とからなり、前記ダムは半田にて形成されて成る半導体
装置用のリードフレームである。また第２の発明はタブ
と、前記タブの近辺にその端部を位置させ周囲に伸びる
ように形成された複数のリードと前記リード間を接続す
るダムとからなり、前記ダムは半田にて形成されて成る
半導体装置用リードフレームを用意する工程と、前記タ
ブ上に半導体ペレットを取付けリードと接続する工程
と、前記タブ、ペレットおよびリ−ドの一部を樹脂によ
り封止し封止体を形成する工程と、前記封止工程後に封
止体から導出したリードを半田槽にてめっきする工程と
からなる半導体装置の製造方法である。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、ダムを半田にて形成す
ることが可能と成るため、樹脂封止後の外部リードの半
田めっき処理時に半田槽に半導体装置を浸すことによ
り、半田で形成されたダムが融解するのでダム切断工程
が不要となる。またダム切断が不要となるためダムを樹
脂封止体の界面まで近接して形成することが可能となる
ため、バリが発生せずバリ取り工程が不要となる。
ることが可能と成るため、樹脂封止後の外部リードの半
田めっき処理時に半田槽に半導体装置を浸すことによ
り、半田で形成されたダムが融解するのでダム切断工程
が不要となる。またダム切断が不要となるためダムを樹
脂封止体の界面まで近接して形成することが可能となる
ため、バリが発生せずバリ取り工程が不要となる。
【０００９】
【実施例１】図１は本願発明の実施例である半導体装置
用リードフレームを示した平面図である。図２乃至図４
は本願発明の実施例である半導体装置用リードフレーム
の製造工程を示した平面図である。
用リードフレームを示した平面図である。図２乃至図４
は本願発明の実施例である半導体装置用リードフレーム
の製造工程を示した平面図である。
【００１０】以下、図１乃至図４に従い説明する。
【００１１】図１に示したように本実施例のリードフレ
ームは外側部のフレーム１と前記フレーム１からタブリ
ード４を介して中央部に設けられたタブ３と前記フレー
ム１と並行に並んだ複数のリード２と前記複数のリード
２およびフレーム１を接続する半田からなるダム５から
なる。前記リード２はダム５により接続された部分から
タブ５の周囲にその先端が位置し放射状に周囲に伸びる
インナーリード２ａが形成されている。以下本実施例の
製造方法について説明する。
ームは外側部のフレーム１と前記フレーム１からタブリ
ード４を介して中央部に設けられたタブ３と前記フレー
ム１と並行に並んだ複数のリード２と前記複数のリード
２およびフレーム１を接続する半田からなるダム５から
なる。前記リード２はダム５により接続された部分から
タブ５の周囲にその先端が位置し放射状に周囲に伸びる
インナーリード２ａが形成されている。以下本実施例の
製造方法について説明する。
【００１２】図２に示したように本実施例のリードフレ
ームの製造においては、複数のリード１が連結部１ｂで
接続され、連結部１ｂと反対側がインナーリード部１ａ
となるべく辺中央に集中しさらに各リードの一部に切欠
き部１ｃを有するリード部品を用意する。次に図２に示
したように図１に示したリード部品の切欠き部１ｃに半
田によるダム２を形成する。この形成方法については予
めリード部品をダムの形状に形成した型等にリードをは
めこみ半田を流し込み行なう。そして中央にタブ５を有
し前記タブの両側からフレーム３にタブリード４により
接続するフレーム部品を用意する。フレーム３には前記
半田からなるダム２を接続するための切欠き３ａが形成
されている。次に図３示したようにリード部品にダムを
形成したものを前記フレーム部品に接続する。この接続
については高温で熱し半田を溶融させ行なう。あるいは
このダムの形成とフレーム部品への接続は同時に行なっ
ても良い。この後リード連結部１ｂを切断し図４に示し
たような半導体装置用リ−ドフレ−ムを得る。
ームの製造においては、複数のリード１が連結部１ｂで
接続され、連結部１ｂと反対側がインナーリード部１ａ
となるべく辺中央に集中しさらに各リードの一部に切欠
き部１ｃを有するリード部品を用意する。次に図２に示
したように図１に示したリード部品の切欠き部１ｃに半
田によるダム２を形成する。この形成方法については予
めリード部品をダムの形状に形成した型等にリードをは
めこみ半田を流し込み行なう。そして中央にタブ５を有
し前記タブの両側からフレーム３にタブリード４により
接続するフレーム部品を用意する。フレーム３には前記
半田からなるダム２を接続するための切欠き３ａが形成
されている。次に図３示したようにリード部品にダムを
形成したものを前記フレーム部品に接続する。この接続
については高温で熱し半田を溶融させ行なう。あるいは
このダムの形成とフレーム部品への接続は同時に行なっ
ても良い。この後リード連結部１ｂを切断し図４に示し
たような半導体装置用リ−ドフレ−ムを得る。
【００１３】
【実施例２】図５乃至図６は図１に示した半導体装置用
リードフレームを用い封止工程を行なった場合を示した
平面図、図７はリード成形後を示した半導体装置の斜視
図である。
リードフレームを用い封止工程を行なった場合を示した
平面図、図７はリード成形後を示した半導体装置の斜視
図である。
【００１４】以下上記第１の実施例のリードフレームを
用いた半導体装置の製造方法について説明する。まず第
１図に示したような半導体装置用のリードフレームを用
意する。この際通常のリードフレームに比較してダム５
は封止体の界面となる部分に近接させてある。次に前記
タブ５にＡｇペーストあるいはＡｕ−Ｓｉ共晶を用いて
半導体素子を固着させる。そして前記半導体素子の上面
に形成された電極と前記インナーリード１ａの先端部を
通常のワイヤボンディングにより接続する（図示せ
ず）。次に図５に示したように前記用意したリードフレ
ームを用い通常のリードフレームを使用したものと同じ
ように樹脂により封止を行ない封止部６を形成する。こ
の封止部６はダム２が通常のリードフレームのダム２よ
り封止体に近接して形成されているためバリはほとんど
形成されない。次に半導体装置の外部リード１に実装の
ための半田をめっきするために半田槽に漬ける。図６に
示したようにこのめっき工程によりダム２は半田槽内で
溶融しなくなる。この後タブリードの切断を行ない、外
部リード２を成形し第４図に示したような半導体装置と
する。
用いた半導体装置の製造方法について説明する。まず第
１図に示したような半導体装置用のリードフレームを用
意する。この際通常のリードフレームに比較してダム５
は封止体の界面となる部分に近接させてある。次に前記
タブ５にＡｇペーストあるいはＡｕ−Ｓｉ共晶を用いて
半導体素子を固着させる。そして前記半導体素子の上面
に形成された電極と前記インナーリード１ａの先端部を
通常のワイヤボンディングにより接続する（図示せ
ず）。次に図５に示したように前記用意したリードフレ
ームを用い通常のリードフレームを使用したものと同じ
ように樹脂により封止を行ない封止部６を形成する。こ
の封止部６はダム２が通常のリードフレームのダム２よ
り封止体に近接して形成されているためバリはほとんど
形成されない。次に半導体装置の外部リード１に実装の
ための半田をめっきするために半田槽に漬ける。図６に
示したようにこのめっき工程によりダム２は半田槽内で
溶融しなくなる。この後タブリードの切断を行ない、外
部リード２を成形し第４図に示したような半導体装置と
する。
【００１５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を記載すれば下記のとお
りである。
的なものによって得られる効果を記載すれば下記のとお
りである。
【００１６】すなわち半田でダムを形成することにより
ダムの切断工程が不要となる。さらにダムの切断工程が
なくなるのでダムを封止体に近接して形成することが可
能となりバリの発生がなくなる。
ダムの切断工程が不要となる。さらにダムの切断工程が
なくなるのでダムを封止体に近接して形成することが可
能となりバリの発生がなくなる。
【図１】本願発明の実施例である半導体装置用リードフ
レームを示した平面図である。
レームを示した平面図である。
【図２】図１に示したリードフレームの製造方法を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図３】図１に示したリードフレームの製造方法を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図４】図１に示したリードフレームの製造方法を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図５】図１に示したリードフレームを使用しは半導体
装置の製造工程を示した平面図である。
装置の製造工程を示した平面図である。
【図６】図１に示したリードフレームを使用しは半導体
装置の製造工程を示した平面図である。
装置の製造工程を示した平面図である。
【図７】図７はリード成形後を示した半導体装置の斜視
図である。
図である。
１．．リード、１ａ．．インナーリード部、１ｃ．．連
結部、２．．ダム、３．．フレーム、３ａ．．切欠き
部、４．．タブリード、５．．タブ、６．．封止体
結部、２．．ダム、３．．フレーム、３ａ．．切欠き
部、４．．タブリード、５．．タブ、６．．封止体
Claims (2)
- 【請求項１】タブと、前記タブの近辺にその端部を位置
させ周囲に伸びるように形成された複数のリードと前記
リード間を接続するダムとからなり、前記ダムは半田に
て形成されて成ることを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項２】タブと、前記タブの近辺にその端部を位置
させ周囲に伸びるようにに形成された複数のリードと前
記リード間を接続するダムとからなり、前記ダムは半田
にて形成されて成る半導体装置用リードフレームを用意
する工程と、前記タブ上に半導体ペレットを取付けリー
ドと接続する工程と、前記タブ、ペレットおよびリ−ド
の一部を樹脂により封止し封止体を形成する工程と、前
記封止工程後に封止体から導出したリードを半田槽にて
めっきする工程とからなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025026A JPH05226551A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025026A JPH05226551A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226551A true JPH05226551A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12154406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025026A Pending JPH05226551A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226551A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017191954A (ja) * | 2017-07-27 | 2017-10-19 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP4025026A patent/JPH05226551A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017191954A (ja) * | 2017-07-27 | 2017-10-19 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5564392B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005191240A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6777262B2 (en) | Method of packaging a semiconductor device having gull-wing leads with thinner end portions | |
| KR101054540B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20060042872A (ko) | 반도체장치의 실장 방법 | |
| KR0141952B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| US6238953B1 (en) | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process for the device | |
| JPH09129808A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08125097A (ja) | リードフレーム | |
| JP4243270B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05226551A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよび前記リードフレームを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JP2934372B2 (ja) | 面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JP4747188B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63131557A (ja) | レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置 | |
| JP4764608B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005135938A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001094027A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000150761A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07147292A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3063587B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
| JPH11340400A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム | |
| JPH07321276A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH06350009A (ja) | 半導体装置の製造方法及びリードフレーム | |
| JPS63178554A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003086749A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにリードフレーム |