KR200258227Y1 - 반도체패키지소자 - Google Patents

반도체패키지소자 Download PDF

Info

Publication number
KR200258227Y1
KR200258227Y1 KR2019950048429U KR19950048429U KR200258227Y1 KR 200258227 Y1 KR200258227 Y1 KR 200258227Y1 KR 2019950048429 U KR2019950048429 U KR 2019950048429U KR 19950048429 U KR19950048429 U KR 19950048429U KR 200258227 Y1 KR200258227 Y1 KR 200258227Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor package
lead
package device
present
view
Prior art date
Application number
KR2019950048429U
Other languages
English (en)
Other versions
KR970046920U (ko
Inventor
차기본
Original Assignee
박종섭
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 박종섭
Priority to KR2019950048429U priority Critical patent/KR200258227Y1/ko
Publication of KR970046920U publication Critical patent/KR970046920U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200258227Y1 publication Critical patent/KR200258227Y1/ko

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 고안은 절곡하지 않고 레이저나 열 및 기계적인 충격으로 둥근볼의 싸이드리드를 형성하여 표면실장하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지소자에 관한 것이다.

Description

반도체 패키지 소자
본 고안은 반도체 패키지(package) 소자에 관한 것으로, 특히 한쪽 방향으로만 리이드가 형성된 반도체 패키지에서 패키지몸체에 돌출된 싸이드리이드(side lead)성형으로 인한 리이드 손상을 방지하여, 표면실장에 용이하도록 한 반도체 패키지 소자에 관한 것이다.
여기에서는 한쪽 방향으로만 리이드가 형성되고, 싸이드리이드(11)는 "ㄴ" 자 모양으로 이루어진 반도체 패키지 소자를 예로들어 설명하겠다.
제 1 도는 종래의 반도체 패키지 소자를 설명하기 위한 도면으로, 제 1 도의 (가)는 종래의 반도체 패키지 소자의 정면도이고, 제 1 도의 (나)는 종래의 반도체 패키지 소자의 측면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 종래의 반도체 패키지 소자를 설명하면 다음과 같다.
종래의 반도체 패키지 소자는 제 1 도의 (가)와 (나)와 같이, 한쪽 방향으로만 리이드가 형성된 싸이드 리이드(11)를 갖고,그 리이드는 "ㄴ"자 모양으로 이루어져, 리이드의 저면을 보오드 (board)와 납땜하게 된다.
이때, 싸이드리이드(11)를 일정 길이만큼 댐바컷팅(dambar cutting)하고 도금을 실시한다. 그리고 수차례의 리이드 성형을 하고, 보오드에 표면실장하여 사용한다.
그러나 종래의 반도체 패키지 소자의 싸이드리이드에 보오드에 표면실장하기 위하여 수차례의 성형을 실시하기 때문에 일정한 길이의 리이드가 필요함으로써 생산성이 떨어지며, 성형된 싸이드리이드의 저면의 길이를 일정하게 유지하여 보오드에 표면실장하므로 (즉, 성형된 싸이드리이드길이가 패키지몸체의 바깥으로 돌출되므로) 핸들링(handling)이나 기계적 충격에 약한 문제점이 발생한다.
또한, 성형시 싸이드리이드의 계면에 충격을 주므로 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생한다.
본 고안의 반도체 패키지 소자는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 종래의 반도체 패키지 소자의 싸이드리이드를 개선하여 성형으로 인한 리이드 손상을 방지하여, 표면실장에 용이하도록 한 반도체 패키지 소자를 그 목적으로 한다.
본 고안은 성형하지 않고 레이저나 열 및 기계적인 충격으로 둥근 볼의 싸이드리이드를 형성하여 표면실장하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 소자에 관한 것이다.
제 2 도는 본 고안의 반도체 패키지 소자를 설명하기 위한 도면으로, 제 2 도의 (가)는 본 고안의 반도체 패키지 소자의 정면도이고, 제 2 도의 (나)는 본 고안의 반도체 패키지 소자의 측면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 고안의 반도체 패키지 소자를 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 반도체 패키지 소자는 제 2 도의 (가),(나)와 같이, 한쪽 방향으로만 리이드가 형성되어 있는 싸이드 리이드(21)를 성형하지 않고 패키지 몸체(20) 가까이 필요한 최소한의 길이로 리이드를 구성하도록 댐바컷팅한다.
즉, 리이드 끝을 패키지몸체(20)보다 짧게 형성한다.
리이드컷팅 후, 싸이드리이드를 금이나 은 또는 주석/납 성분으로 도금을 하여 보오드에 표면실장을 한다.
이때, 싸이드리이드의 단부는 종래의 성형된 리이드보다 2 내지 8배 정도의 두께로 형성하며, 리이드 끝을 짧게 레이저나 열 및 기계적 충격에 의해 둥근 볼을 형성한다.
본 고안의 반도체 패키지 소자는 싸이드리이드를 패키지 몸체보다 짧게 형성가능하므로 보오드에 표면실장을 위하여 수차례의 성형을 하기 위한 여분의 일정한 길이의 리이드가 필요하지 않음으로써 생산성이 향상되고, 또한 리이드를 성형하지 않음으로써 리이드에 손상을 막고 공정상의 절차가 단축된다.
제 1 도는 종래의 반도체 패키지 소자를 설명하기 위한 도면이고
제 2 도는 본 고안의 반도체 패키지 소자를 설명하기 위한 도면이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
10, 20. 패키지몸체 11, 21. 싸이드리이드

Claims (2)

  1. 외부 리이드를 가진 반도체 패키지에 있어서,
    상기 외부 리이드의 단부에 레이저, 열 및 기계적인 충격을 가하여 둥근볼을 형성시키며, 상기 외부 리이드 끝이 상기 패키지몸체보다 짧게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 리이드가 금이나 은 또는 주석/납성분으로 도금된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 소자.
KR2019950048429U 1995-12-27 1995-12-27 반도체패키지소자 KR200258227Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019950048429U KR200258227Y1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체패키지소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019950048429U KR200258227Y1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체패키지소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970046920U KR970046920U (ko) 1997-07-31
KR200258227Y1 true KR200258227Y1 (ko) 2002-06-21

Family

ID=60874715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019950048429U KR200258227Y1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 반도체패키지소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200258227Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR970046920U (ko) 1997-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7288831B2 (en) Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof
KR100252737B1 (ko) 수지봉합형 반도체 장치 및 그 제조방법
US5623162A (en) Lead frame having cut-out wing leads
KR200258227Y1 (ko) 반도체패키지소자
US5107324A (en) Two-terminal semiconductor device of surface installation type
JPH01220463A (ja) 半導体装置
US6599773B2 (en) Electronic part and method of fabricating thereof
JPH04134852A (ja) リードフレーム
JPS60161646A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
KR910000018B1 (ko) 리이드프레임을 갖춘 반도체장치 및 그 제조방법
JPH06163995A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100308396B1 (ko) 반도체패키지의제조방법
KR900003885Y1 (ko) 집적회로용 패키지
KR970001139Y1 (ko) 비엘피(blp)용 리드 프레임
KR0156335B1 (ko) 타이 바를 이용한 반도체 칩 패키지
JP2946775B2 (ja) 樹脂封止金型
JPH0328826B2 (ko)
KR0129196B1 (ko) 별도의 실장용 리드를 갖는 반도체 패키지
KR960000462Y1 (ko) 기판 반도체 장치
JPH03190270A (ja) 半導体装置
JPH03250657A (ja) 表裏両面実装可能な樹脂封止型半導体装置
KR950015731A (ko) 반도체 장치용 패키지 및 그 제조방법
KR0157870B1 (ko) 반도체 패키지
KR19980019665A (ko) 레이져를 이용한 다이 패드에 홈들이 형성된 리드 프레임의 제조 방법
JP2710600B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision

Free format text: TRIAL AGAINST DECISION OF REJECTION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

Free format text: TRIAL NUMBER: 2001101002303; TRIAL AGAINST DECISION OF REJECTION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

B701 Decision to grant
N231 Notification of change of applicant
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061122

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee