JP2710600B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2710600B2 JP2710600B2 JP7311248A JP31124895A JP2710600B2 JP 2710600 B2 JP2710600 B2 JP 2710600B2 JP 7311248 A JP7311248 A JP 7311248A JP 31124895 A JP31124895 A JP 31124895A JP 2710600 B2 JP2710600 B2 JP 2710600B2
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- slit
- lead
- external lead
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特にＺ形に折り曲げた表面実装型半導体装置
の製造方法に関する。
法に関し、特にＺ形に折り曲げた表面実装型半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＺ形に折り曲げた表面実装型半導
体装置は、図３に示す様に、半導体チップを樹脂６にて
封止した後、外部リード５に半田３にてめっきを施し、
一方、実装基板上にも半田を塗布し、両者の半田を溶融
して実装を行っていた。
体装置は、図３に示す様に、半導体チップを樹脂６にて
封止した後、外部リード５に半田３にてめっきを施し、
一方、実装基板上にも半田を塗布し、両者の半田を溶融
して実装を行っていた。
【０００３】また、特開平２−１８４０５９号公報で
は、その第１図〜第３図に示されている様に、接続リー
ド（１４）の先端部分に溝（１７）を設けると共に、半
田の表面張力により溝（１７）の凹んだ部分に半田２０
を厚く付着させ、厚く付着した部分を接続リード（１
４）の先端となるように接続リード（１４）を切断する
ことにより、信頼性の高い表面実装を可能にする方法が
提案されている。
は、その第１図〜第３図に示されている様に、接続リー
ド（１４）の先端部分に溝（１７）を設けると共に、半
田の表面張力により溝（１７）の凹んだ部分に半田２０
を厚く付着させ、厚く付着した部分を接続リード（１
４）の先端となるように接続リード（１４）を切断する
ことにより、信頼性の高い表面実装を可能にする方法が
提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、従来
の技術において、外部リードに半田めっきを施して、且
つ実装基板上にも半田を塗布するといった様に、半田を
二度使用していることである。その理由は、半田塗れ性
を向上させる為に外部リードに半田めっきを行っていた
からである。
の技術において、外部リードに半田めっきを施して、且
つ実装基板上にも半田を塗布するといった様に、半田を
二度使用していることである。その理由は、半田塗れ性
を向上させる為に外部リードに半田めっきを行っていた
からである。
【０００５】第２の問題点は、実装基板上に塗布する半
田量の加減により、半田が基板よりもれる場合があるこ
とである。その理由は、実装基板上に半田を塗布するか
らである。
田量の加減により、半田が基板よりもれる場合があるこ
とである。その理由は、実装基板上に半田を塗布するか
らである。
【０００６】本発明の目的は、半田量が、一定で、実装
基板から半田がもれることがなく、半田を二度使用する
必要のない半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
基板から半田がもれることがなく、半田を二度使用する
必要のない半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、所定の形状にリードフレームを成形する工程
と、このリードフレームの外部リードの板厚の中央部
に、この外部リードに沿ってレーザ光によりスリットを
形成する工程と、このスリットの内部に半田を充填する
工程と、前記リードフレームを樹脂にて封止し前記外部
リードを成形する工程と、前記外部リードの実装基板と
の接触部を前記スリットと前記半田との境界面から剥り
とり前記半田を露出させる工程とを有することを特徴と
する。
造方法は、所定の形状にリードフレームを成形する工程
と、このリードフレームの外部リードの板厚の中央部
に、この外部リードに沿ってレーザ光によりスリットを
形成する工程と、このスリットの内部に半田を充填する
工程と、前記リードフレームを樹脂にて封止し前記外部
リードを成形する工程と、前記外部リードの実装基板と
の接触部を前記スリットと前記半田との境界面から剥り
とり前記半田を露出させる工程とを有することを特徴と
する。
【０００８】
【作用】本発明によれば、リードフレームの外部リード
の板厚の中央部に、この外部リードに沿ってレーザ光に
よりスリットを形成し、その直後にこのスリット内に半
田を注入する為、リードフレームがまだ酸化されていな
い状態であるのでスリットの内壁の金属と半田は十分に
密着する。この為、外部リードに半田めっきを施す必要
がない。又、実装直前に実装基板と接触する箇所の下半
分の外部リードを剥がし半田を露出させる為、実装基板
上に半田を塗布する必要がない。
の板厚の中央部に、この外部リードに沿ってレーザ光に
よりスリットを形成し、その直後にこのスリット内に半
田を注入する為、リードフレームがまだ酸化されていな
い状態であるのでスリットの内壁の金属と半田は十分に
密着する。この為、外部リードに半田めっきを施す必要
がない。又、実装直前に実装基板と接触する箇所の下半
分の外部リードを剥がし半田を露出させる為、実装基板
上に半田を塗布する必要がない。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態の半導体
装置の製造方法について図面を参照して説明する。
装置の製造方法について図面を参照して説明する。
【００１０】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施の形
態の半導体装置の製造方法を説明する工程順に示したリ
ードフレームの斜視図及び樹脂封止後の外部リードの断
面図である。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造
方法は、まず、図１（ａ）に示す様に、リードフレーム
１を所定の形状に加工した後、外部リード５のＺ形成形
後に実装基板と接触する箇所の長さまでレーザーでスリ
ット２を形成し、このスリット２に半田３を充填する。
次に、図１（ｂ）に示す様に、樹脂６にて封止した後外
部リード５をＺ形に成形する。次に、図１（ｃ）に示す
様に、先端が鋭利な金型４で実装基板に接触する下半分
の外部リード５と半田３の界面を剥し、下半分の外部リ
ード５を剥離して半田３を露出させた後、実装基板へ実
装する。
態の半導体装置の製造方法を説明する工程順に示したリ
ードフレームの斜視図及び樹脂封止後の外部リードの断
面図である。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造
方法は、まず、図１（ａ）に示す様に、リードフレーム
１を所定の形状に加工した後、外部リード５のＺ形成形
後に実装基板と接触する箇所の長さまでレーザーでスリ
ット２を形成し、このスリット２に半田３を充填する。
次に、図１（ｂ）に示す様に、樹脂６にて封止した後外
部リード５をＺ形に成形する。次に、図１（ｃ）に示す
様に、先端が鋭利な金型４で実装基板に接触する下半分
の外部リード５と半田３の界面を剥し、下半分の外部リ
ード５を剥離して半田３を露出させた後、実装基板へ実
装する。
【００１１】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１２】図２（ａ），（ｂ）は本発明の実施の形態
の動作を説明するリードフレームの要部斜視図及び樹脂
封止後の外部リードの断面図である。本発明の実施の形
態の動作は、まず、図２（ａ）に示す様にリードフレー
ム１を所定の形状に加工する。次に、リードフレーム１
の外部リード５の先端部にレーザーにてスリット２を形
成しその直後にスリート２に半田３を充填する。この
為、半田３はスリット２の内壁の金属に密着する。その
後、外部リード５の下半分を先端が鋭利な金型４にて剥
離し半田３を露出させる。半田３の許容量はスリット２
の大きさによって調整できる為実装基板から半田３がも
れることはない。
の動作を説明するリードフレームの要部斜視図及び樹脂
封止後の外部リードの断面図である。本発明の実施の形
態の動作は、まず、図２（ａ）に示す様にリードフレー
ム１を所定の形状に加工する。次に、リードフレーム１
の外部リード５の先端部にレーザーにてスリット２を形
成しその直後にスリート２に半田３を充填する。この
為、半田３はスリット２の内壁の金属に密着する。その
後、外部リード５の下半分を先端が鋭利な金型４にて剥
離し半田３を露出させる。半田３の許容量はスリット２
の大きさによって調整できる為実装基板から半田３がも
れることはない。
【００１３】
【発明の効果】第１の効果は、外部リードに半田めっき
を必要としない、且つ実装基板上にも半田を塗布する必
要がない。その理由は、リードフレームの外部リードに
スリットを形成直後にスリットに半田を注入する為、ス
リット内壁の金属と半田が密着しており、外部リードの
下半分を剥離すると半田が露出するので実装基板上に半
田を塗布する必要がない為。
を必要としない、且つ実装基板上にも半田を塗布する必
要がない。その理由は、リードフレームの外部リードに
スリットを形成直後にスリットに半田を注入する為、ス
リット内壁の金属と半田が密着しており、外部リードの
下半分を剥離すると半田が露出するので実装基板上に半
田を塗布する必要がない為。
【００１４】第２の効果は、実装基板から半田がもれな
い。その理由は、外部リードのスリット内に半田を注入
することにより、許容半田量が決まっている為。
い。その理由は、外部リードのスリット内に半田を注入
することにより、許容半田量が決まっている為。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施の形態の半導
体装置の製造方法を説明する工程順に示したリードフレ
ームの斜視図及び樹脂封止後の外部リードの断面図であ
る。
体装置の製造方法を説明する工程順に示したリードフレ
ームの斜視図及び樹脂封止後の外部リードの断面図であ
る。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の実施の形態の動作を
説明するリードフレームの要部斜視図及び樹脂封止後の
外部リードの断面である。
説明するリードフレームの要部斜視図及び樹脂封止後の
外部リードの断面である。
【図３】従来の半導体装置の一例の外部リードの断面図
である。
である。
１ リードフレーム ２ スリット ３ 半田 ４ 金型 ５ 外部リード ６ 樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の形状にリードフレームを成形する
工程と、このリードフレームの外部リードの板厚の中央
部に、この外部リードに沿ってレーザ光によりスリット
を形成する工程と、このスリットの内部に半田を充填す
る工程と、前記リードフレームを樹脂にて封止し前記外
部リードを成形する工程と、前記外部リードの実装基板
との接触部を前記スリットと前記半田との境界面から剥
りとり前記半田を露出させる工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311248A JP2710600B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311248A JP2710600B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153584A JPH09153584A (ja) | 1997-06-10 |
| JP2710600B2 true JP2710600B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18014877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311248A Expired - Fee Related JP2710600B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710600B2 (ja) |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7311248A patent/JP2710600B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09153584A (ja) | 1997-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970924 |
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