JPH04368157A - 表面実装型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
表面実装型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04368157A JPH04368157A JP3144333A JP14433391A JPH04368157A JP H04368157 A JPH04368157 A JP H04368157A JP 3144333 A JP3144333 A JP 3144333A JP 14433391 A JP14433391 A JP 14433391A JP H04368157 A JPH04368157 A JP H04368157A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 14
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装型半導体装置
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の表面実装型半導体装置の外部リー
ド線の先端断面には、製造プロセスの関係から、外装は
んだめっきが付いていず、外部リード線線材が露出する
構造であった。その理由は、複数個の半導体装置をとう
載したいわゆるリードフレーム状態で半導体組立工程を
経て、図6に示すように、封止樹脂1にて封止したリー
ドフレーム2状態のまま外装はんだめっきを施した後に
、必要な形状に切断,曲げを行なって最終製品の形状を
得る工程順であったためで、外部リード線4の断面部分
には外装はんだめっきを施すことができなかった。
ド線の先端断面には、製造プロセスの関係から、外装は
んだめっきが付いていず、外部リード線線材が露出する
構造であった。その理由は、複数個の半導体装置をとう
載したいわゆるリードフレーム状態で半導体組立工程を
経て、図6に示すように、封止樹脂1にて封止したリー
ドフレーム2状態のまま外装はんだめっきを施した後に
、必要な形状に切断,曲げを行なって最終製品の形状を
得る工程順であったためで、外部リード線4の断面部分
には外装はんだめっきを施すことができなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の表面実装型
半導体装置の外部リード線には素材に鉄−ニッケル合金
、または、銅系合金を用いるのが一般的で、製品が熱履
歴を受けた場合には容易に酸化し、外部リード線先端断
面部には実装時にはんだがなじみにくい欠点があった。
半導体装置の外部リード線には素材に鉄−ニッケル合金
、または、銅系合金を用いるのが一般的で、製品が熱履
歴を受けた場合には容易に酸化し、外部リード線先端断
面部には実装時にはんだがなじみにくい欠点があった。
【0004】本発明の目的は、実装時にはんだがなじみ
易く、接続信頼性の高い表面実装型半導体装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
易く、接続信頼性の高い表面実装型半導体装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の外部リ
ード線を有する樹止封止タイプの表面実装型半導体装置
において、前記外部リード線先端面に断面積の少くとも
50%外装はんだめっきを施す。
ード線を有する樹止封止タイプの表面実装型半導体装置
において、前記外部リード線先端面に断面積の少くとも
50%外装はんだめっきを施す。
【0006】本発明の表面実装型半導体装置の製造方法
は、リードフレームの外部リード線の先端部に切り欠き
を設ける工程と、封止樹脂封止後に前記切り欠きを含む
前記リードフレームの露出部に外装はんだめっきを施す
工程とを有する。
は、リードフレームの外部リード線の先端部に切り欠き
を設ける工程と、封止樹脂封止後に前記切り欠きを含む
前記リードフレームの露出部に外装はんだめっきを施す
工程とを有する。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0008】図1は本発明の第1の実施例の封止樹脂封
止後の側面図、図2は図1の切断,曲げ加工後の側面図
、図3は図2A部の部分拡大斜視図である。
止後の側面図、図2は図1の切断,曲げ加工後の側面図
、図3は図2A部の部分拡大斜視図である。
【0009】第1の実施例は、図1に示すように、リー
ドフレーム2には、切り欠き3が設けられ、外装はんだ
めっきは、切り欠き3の凹面にも施されている。従って
、図2及び図3に示すように、切断,曲げ加を行った外
部リード線4の先端部断面は、a部にはんだめっきが施
され、b部がリードフレーム素材が露出した構造となる
。
ドフレーム2には、切り欠き3が設けられ、外装はんだ
めっきは、切り欠き3の凹面にも施されている。従って
、図2及び図3に示すように、切断,曲げ加を行った外
部リード線4の先端部断面は、a部にはんだめっきが施
され、b部がリードフレーム素材が露出した構造となる
。
【0010】一般に、リードフレームには、0.1〜0
.2mmの板厚の素材が使用されており、切り欠き3の
深さを0.05〜0.1mmとすることで、外部リード
線4の先端部断面積の50%に外装はんだめっきを施す
ことができる。
.2mmの板厚の素材が使用されており、切り欠き3の
深さを0.05〜0.1mmとすることで、外部リード
線4の先端部断面積の50%に外装はんだめっきを施す
ことができる。
【0011】図4は本発明の第2の実施例の封止樹脂封
止後の平面図、図5は図4の切断,曲げ加工後の外部リ
ード線の部分拡大斜視図である。
止後の平面図、図5は図4の切断,曲げ加工後の外部リ
ード線の部分拡大斜視図である。
【0012】第2の実施例は、図4に示すように、外部
リード線4の両側面に切り欠き3が設けられ、外装はん
だめっきは、切り欠き3の凹面にも施されている。従っ
て、図5に示すように、切断,曲げ加工を行った外部リ
ード線4の先端部断面は、a部にはんだめっきが施され
、b部がリードフレーム素材が露出した構造となる。
リード線4の両側面に切り欠き3が設けられ、外装はん
だめっきは、切り欠き3の凹面にも施されている。従っ
て、図5に示すように、切断,曲げ加工を行った外部リ
ード線4の先端部断面は、a部にはんだめっきが施され
、b部がリードフレーム素材が露出した構造となる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レーム加工の際に外部リード線の先端となる部分に予め
切り欠き部を設けることにより、以降の組立工程および
外装はんだめっき、さらには、切断,曲げ工程も、従来
の方法と何ら変わることなく実装時のはんだぬれ性を向
上し、接続信頼性を高める効果がある。
レーム加工の際に外部リード線の先端となる部分に予め
切り欠き部を設けることにより、以降の組立工程および
外装はんだめっき、さらには、切断,曲げ工程も、従来
の方法と何ら変わることなく実装時のはんだぬれ性を向
上し、接続信頼性を高める効果がある。
【図1】本発明の第1の実施例の封止樹脂封止後の側面
図でおる。
図でおる。
【図2】図1の切断,曲げ加工後の側面図である。
【図3】図2A部の部分拡大斜視図である。
【図4】本発明の第2の実施例の封止樹脂封止後の平面
図である。
図である。
【図5】図4の切断,曲げ加工後の外部リード線の部分
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図6】従来の表面実装型半導体装置の封止樹脂封止後
の一例の平面図である。
の一例の平面図である。
1 封止樹脂
2 リードフレーム
3 切り欠き
4 外部リード線
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の外部リード線を有する樹止封止
タイプの表面実装型半導体装置において、前記外部リー
ド線先端面に断面積の少くとも50%外装はんだめっき
を施したことを特徴とする表面実装型半導体装置。 - 【請求項2】 リードフレームの外部リード線の先端
部に切り欠きを設ける工程と、封止樹脂封止後に前記切
り欠きを含む前記リードフレームの露出部に外装はんだ
めっきを施す工程とを有することを特徴とする表面実装
型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3144333A JPH04368157A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3144333A JPH04368157A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04368157A true JPH04368157A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15359674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3144333A Pending JPH04368157A (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 表面実装型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04368157A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
WO2017141844A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コンデンサおよびコンデンサの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3144333A patent/JPH04368157A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
WO2017141844A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コンデンサおよびコンデンサの製造方法 |
CN108604498A (zh) * | 2016-02-19 | 2018-09-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 电容器以及电容器的制造方法 |
US20180330883A1 (en) * | 2016-02-19 | 2018-11-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Capacitor and method for manufacturing the same |
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