JP3230318B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8は従来の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームの平面図である。この図に示すように、こ
のリードフレーム30は、ガイドレール部19と、セク
ションバー部(図示なし)と、これから延在して一体に
設けられる複数のアウターリード20と、このアウター
リード20に連続するインナーリード21とを備え、半
導体素子が搭載されてダイスボンドされるダイパッド2
2と、該ダイパッド22から延在して一体に設けられる
支持部23と、複数のリード間を一体化するダムバー
(タイバー)24により構成されている。
【0003】このようなリードフレーム形状は、金属板
をエッチング或いはプレス加工することにより形成し、
その後、必要に応じてインナーリード21に各種の表面
処理(例えば、銀めっき等)を行い、さらに、多ピンリ
ードフレーム等においては、リードのバタツキ(不揃
い)を抑えるため、インナーリード21や支持部23
に、図9に示すようなポリイミド等のテープ25を接着
させるようにしている。
【0004】このリードフレーム30を用いて、半導体
装置を構成するには、図10に示すように、リードフレ
ームのダイパッド22上に半導体素子26をダイスボン
ドし、この半導体素子26上のリード導出を行うべき電
極(または端子)32と、これらに対応するインナーリ
ード21とを金属細線27を介して接続し、半導体素子
26と金属細線27との接続部等を覆うように樹脂モー
ルド31(図11)を施す。その後、アウターリード2
0に各種の表面処理(例えば、半田めっき等)を行い、
ダムバー24を各アウターリード20から切り離し、さ
らに各アウターリード20をガイドレール部19あるい
はセクションバー部から切り離して、互に電気的に分離
し、必要な形にアウターリード20を屈曲させ、支持部
23を樹脂モールドの外面に沿って切断し、ガイドレー
ル部19とセクションバー部を排除する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の樹脂封止型半導体装置用リードフレームにおいて
は、図11に示すように、各アウターリード20をガイ
ドレール部19あるいはセクションバー部から切り離し
たアウターリード20の先端20aに表面処理(例え
ば、半田めっき等)の被膜がなく、表面実装した場合、
アウターリード20の先端20aの半田の扱い上がりが
不充分になり、良好なフィレット形状を形成することが
できず、半導体装置のアウターリード20と基板の接合
強度が充分に得られないという問題があった。
【0006】図12(A)(B)および図13(A)
(B)は、上記構成の従来の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する
工程を順番に示す説明図である。まず、図12(A)に
示すようにリードフレーム30上に樹脂モールド31が
形成される。その後、アウターリード20に表面処理
(例えば、半田めっき等)が施される。次に図12
(B)に示すように、ダムバー24を各アウターリード
20から切り離す。次に図13(A)に示すように、各
アウターリード20をその外側のガイドレール19ある
いはセクションバー部から切り離して、互に電気的に分
離する。その後、図13(B)に示すように、アウター
リード20を所定の必要な形に屈曲させる。
【0007】しかしながら、このような従来の半導体装
置製造方法においては、アウターリード屈曲時に用いた
金属金型(図示なし)により、表面処理(例えば半田め
っき等)の皮膜が削り取られる。これにより、外観不良
が発生するという問題があった。また、削り取られた表
面処理(例えば、半田めっき等)の被膜が、金属金型
(図示なし)に付着するという問題があった。
【0008】以上述べたように、従来の樹脂封止型半導
体装置用リードフレームにおいては、アウターリード2
0の先端20aの半田の吸い上がりが不充分なため、良
好なフィレット形状を形成することができず、半導体装
置のアウターリード20と基板の接合強度が充分に得ら
れないという問題と、金属金型(図示なし)により、表
面処理(例えば、半田めっき等)の被膜が削り取られる
ことによる外観不良という問題と、削り取られた表面処
理(例えば、半田めっき等)の被膜が、金属金型(図示
なし)に付着するという問題があった。
【0009】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、アウターリードと基板との接合強度を
高め、また表面処理の皮膜の削り取りを防止して外観不
良や金型への皮膜の付着をなくした半導体装置用リード
フレームを提供することを目的とする。
【0010】前記目的を達成するため、本発明では、表
面実装用半導体装置用リードフレームにおいて、各アウ
ターリードをその長さがその屈曲後の最終形状時に必要
な長さになるようにしつつ先端面を両隅部を除き露出さ
せると共に、上記各隣接アウターリード間を該各アウタ
ーリードの両隅部から外側に突出する連結片にて連結す
るようにし、このような接続構造部と、リードフレーム
のガイドレール部及びセクションバー部とを、長さ引き
伸ばし可能な緩衝構造を介して接続したものである。
【0011】
【作用】前述の本発明に係るリードフレームによれば、
アウターリードを屈曲させた後に、アウターリードに表
面処理(例えば、半田めっき等)を行うことができるの
で、表面処理皮膜が金属金型に削り取られることがな
く、削り取られた被膜が、金属金型に付着するという問
題も発生しない。
【0012】さらに、各アウターリードはその先端面が
両隅部を除き露出しているので、表面処理によりその露
出する先端面に皮膜(例えば半田めっき膜)を形成する
ことができる。従って、アウターリードを基板に例えば
半田により接続したとき該アウターリード先端面へ半田
が充分に吸い上がるようにすることができるので、良好
なフィレット形状が得られるようにすることができる。
依って、アウターリードと基板との接合強度を高めこと
ができる。
【0013】従って、本発明では、製造工程におけるア
ウターリード屈曲用金属金型のクリーニングサイクルの
延長ができる。これと同時に、半田付け性および外観の
面で優れた安定した品質の表面実装用半導体装置の生産
が可能になる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて詳
細に説明する。まず、本発明の第1の実施例を図1〜図
4を参照して説明する。図1(A)は本発明の実施例を
示す表面実装用半導体装置用リードフレーム40の平面
図であり、同図(B)はそのB部拡大図である。(A)
図に示すように、このリードフレーム40(素材:鉄−
ニッケル合金、銅系合金)は、ガイドレール部1と、セ
クションバー部(図示なし)と、半導体素子(図示な
し)を搭載しダイスボンドされるダイパッド2と、該ダ
イパッド2から延在して一体に設けられる支持部3と、
ダイパッド2の近傍に配置されたインナーリード4と、
このインナーリード4に連続する最終形状時に必要な長
さのアウターリード5と、アウターリード5の先端コー
ナー部を隣接する別のアウターリード5の先端コーナー
部と接続する先端接続構造部6と、ガイドレール部1お
よびセクションバー部(図示なし)とを先端接続構造部
6に接続する緩衝構造7と、複数のアウターリード5を
一体化するダムバー(タイバー)8により構成されてい
る。
【0015】先端接続構造は、(B)図に示すように、
各アウターリード5の先端から斜め外側に直線状に突出
する連結片6aからなり、隣接するアウターリード5の
連結片6a同士が連続して形成される。
【0016】このようなリードフレーム形状は、金属板
をエッチングあるいはプレス加工することにより形成
し、その後、必要に応じてインナーリード4に各種の表
面処理(例えば、銀めっき等)を行い、さらに、多ピン
リードフレーム等においては、リードのバタツキ(不揃
い)を抑えるため、インナーリード4や支持部3に、ポ
リイミドなどのテープを接着させるようにしている。
【0017】図2(A)〜(D)は本発明の先端接続構
造部6の各々別の例の拡大図である。(A)図は波状の
連結片6aで接続した例を示す。(B)図は矩形突出片
6bを介して接続した例を示す。(C)図は図1の例と
同じ傾斜した連結片6aを用いて接続した例を示す。
(D)図は(B)図の突出片6bの外側をさらに連続し
て接続した例を示す。
【0018】図3(A)(B)および図4(A)(B)
は、図1に示した構造の表面実装用半導体装置用リード
フレーム40を用いた、樹脂モールド9を成形後の製造
工程を順番に示す概略図である。まず、図3(A)に示
すように、リードフレーム40上に樹脂モールド9が成
形される。次に、複数のアウターリード5を一体化する
ダムバー8を、各アウターリード5から切り離す。
【0019】次に図3(B)に示すように、各アウター
リード5を必要な形に屈曲させる。このとき緩衝構造7
が伸びてアウターリード5の先端接続部構造6とその外
側のガイドルール部1およびセクションバー部とを連結
した状態に保持する。このとき緩衝構造7の長さは、伸
された状態でアウターリード5の先端とガイドレール部
等を充分連結できる長さに予め設定して曲げておく。そ
の後、図4(A)に示すように、アウターリード5に各
種の表面処理(例えば、半田めっき等)を行う。図では
表面処理部の一部のみを斜線で示す。このとき、各アウ
ターリード5は屈曲した状態で必要な長さに予め形成さ
れているため、アウターリード5の先端面に対しても表
面処理が施される。
【0020】次に図4(B)に示すように先端接続構造
部6および緩衝構造7を各アウターリード5から切り離
して、互に電気的に分離し、支持部3を樹脂モールド9
の外面に沿って切断し、ガイドレール部1とセクション
バー部を排除する。この場合、先端接続構造部6は、例
えば図1(B)の連結片6aのアウターリード5に近い
部分で切断される。従って、切断面(表面未処理部分)
の面積は非常に小さい。
【0021】図5(A)は本発明の応用例を示す表面実
装用半導体装置用リードフレーム50の平面図であり、
同図(B)はそのB部拡大図である。このリードフレー
ム50の形状は実質上前記図1の実施例と同じである。
即ち、全面に各種の表面処理(例えば、パラジュウム
等)を行ったりリードフレーム50(素材:鉄−ニッケ
ル合金、銅系合金)は、ガイドレール部10と、セクシ
ョンバー部(図示なし)と、半導体素子(図示なし)を
搭載しダイスボンドされるダイパット11と、該ダイパ
ッド11から延在して一体に設けられる支持部12と、
ダイパット11の近傍に配置されたインナーリード13
と、このインナーリード13に連続する最終形状時に必
要な長さのアウターリード14と、アウターリード14
の先端コーナー部を隣接する別のアウターリード14の
先端コーナー部と接続する先端接続構造部15と、ガイ
ドレール部10およびセクションバー部(図示しない)
とを先端接続構造部15に接続する緩衝構造16と、複
数のアウターリード14を一体化するダムバー(タイバ
ー)17により構成されている。
【0022】図1の実施例と同様に、先端接続構造は、
(B)図に示すように、各アウターリード14の先端か
ら斜め外側に直線状に突出する連結片15bからなり、
隣接するアウターリード14の連結片15a同士が連続
して形成される。
【0023】図6(A)(B)および図7は上記図5に
示した構造の表面実装用半導体装置用リードフレームを
用いた、樹脂モールド18を形成後の製造工程を順番に
示す概略図である。まず図6(A)に示すように、リー
ドフレーム50上に樹脂モールド18が成形される。次
に図6(B)に示すように、複数のアウターリード14
を一体化するダムバー(タイバー)17を、各アウター
リード14から切り離す。さらに先端接続構造部15お
よび緩衝構造16を各アウターリード14から切り離し
て、互に電気的に分離する。次に図7に示すように、各
アウターリード14を必要な形に屈曲させる。その後、
支持部12を樹脂モールドの外面に沿って切断し、ガイ
ドレール部10とセクションバー部を排除する。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような効果を奏することができる。個別デバイスに
分割した状態において、アウターリード切断面が微小に
なると共に、アウターリード先端面および、該アウター
リード側面に、各種の表面処理(例えば、半田めっき
等)が行われており、先端の半田の吸い上がりが充分な
ため、半田付け性が向上し、安定した品質の表面実質用
半導体装置が得られる。
【0025】さらに、該表面実装用半導体装置をプリン
ト回路基板に実装した場合、アウターリード先端に表面
処理(例えば、半田めっき等)の被膜があることによ
り、先端の半田の吸い上がりが充分なため、良好なフィ
レット形状を形成することができる。
【0026】また、アウターリードを屈曲させた後に、
アウターリードに表面処理(例えば、半田めっき等)を
行うことができるので、表面処理被膜が金属金型に削り
取られることがなく、削り取られたアウターリードの表
面処理被膜がアウターリードの表面に再付着するという
問題も発生しない。従って、外観の面で優れた表面実装
用半導体装置が得られる。
【0027】さらに、このようにアウターリードを屈曲
させた後に、アウターリードに表面処理(例えば、半田
めっき等)を行うことがだきるので、表面処理被膜が金
属金型に削り取られることがなく、削り取られたアウタ
ーリードの表面処理被膜が、アウターリードの表面に再
付着するという問題が発生しないため、付着物によるリ
ードショートという問題も発生しない。従って機能の信
頼性が高まり、安定した品質の表面実装用半導体装置が
得られ、歩留りの向上が図られる。
【0028】また、前述のように、アウターリードを屈
曲させた後に、アウターリードに表面処理(例えば、半
田めっき等)を行うことができるので、製造工程におけ
る金属金型に、削り取られたアウターリードの表面処理
被膜が付着するという問題が発生しない。従って、製造
工程における、アウターリード屈曲用金属金型のクリー
ニングサイクルの延長ができ保守管理が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (A)(B)はそれぞれ本発明の第1の実施
例を説明するための平面図およびその一部拡大図であ
る。
【図2】 (A)〜(B)はそれぞれ本発明に係るリー
ドフレームのアウターリード部分の各々別の例を示す拡
大図である。
【図3】 (A)(B)は図1のリードフレームを用い
て半導体装置を製造する場合の工程を順番に示す説明図
である。
【図4】 (A)(B)は図3に示した製造工程の後に
続く製造工程を順番に示す説明図である。
【図5】 (A)(B)はそれぞれ本発明の第2の実施
例を説明するための平面図およびその一部拡大図であ
る。
【図6】 (A)(B)は図5のリードフレームを用い
て半導体装置を製造する場合の工程を順番に示す説明図
である。
【図7】 前記図6に示した製造工程の後に続く製造工
程を示す説明図である。
【図8】 従来のリードフレームの平面図である。
【図9】 従来のリードフレームの別の例の平面図であ
る。
【図10】 従来のリードフレームを用いた半導体装置
の製造方法を説明するための平面図である。
【図11】 従来の半導体装置の斜視図である。
【図12】 (A)(B)は従来のリードフレームを用
いて半導体装置を製造する場合の工程を順番に示す説明
図である。
【図13】 (A)(B)は図12に示した製造工程の
後に続く製造工程を順番に示す説明図である。
【符号の説明】
1;ガイドレール部、2;ダイパッド、3;支持部、
4;インナーリード、5;アウターリード、6;先端接
続構造部、6a;連結片、7;緩衝構造、8;ダムバ
ー、40;リードフレーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−263459(JP,A) 特開 平2−302068(JP,A) 特開 平1−211956(JP,A) 実開 平2−67654(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アウターリードを、屈曲後の最終形状
    時に必要な長さを有し且つ先端面が両隅部を除き露出
    るように形成し、 上記各隣接アウターリード間を該アウターリード先端
    の上記両隅部から外側に突出する連結片にて連結する接
    続構造部を設け、 上記接続構造部と、リードフレームのガイドレール部及
    びセクションバー部とを、長さ引き伸ばし可能な緩衝構
    造を介して接続したことを特徴とする半導体装置用リー
    ドフレーム。
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