JPH09129805A - リードフレーム及びこれを用いた半導体装置とその製造 方法 - Google Patents

リードフレーム及びこれを用いた半導体装置とその製造 方法

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JPH09129805A
JPH09129805A JP28293295A JP28293295A JPH09129805A JP H09129805 A JPH09129805 A JP H09129805A JP 28293295 A JP28293295 A JP 28293295A JP 28293295 A JP28293295 A JP 28293295A JP H09129805 A JPH09129805 A JP H09129805A
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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    • H05K3/3421Leaded components

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ガルウィングリードの先端部に半田めっきを形
成し、プリント基板に実装した際に半田フィレットを確
実に形成させ、外観検査を容易にし接続信頼性を高め
る。 【解決手段】リードフレームにおいて、半導体装置の第
1の外部リード1の先端となる部分より外側に向けて第
2の外部リード11を斜め方向に伸びるように形成し、
外装めっき後は第2の外部リード11を斜め方向の切断
線lにて第2の外部リードを切断分離し、第1の外部リ
ード1の先端のeの部分に半田めっきを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
びそれを用いた半導体装置とその製造方法に関し、特に
ガルウィング型半導体装置に用いるリードフレーム及び
それを用いた半導体装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のガルウィングリード型半導体装置
のリードフレームの外部リード先端断面には外装めっき
が形成されず、外部リード素材が露出する構造であっ
た。その理由は、樹脂封止したリードフレームの状態の
まま外装はんだめっきを施し、その後外部リードを必要
な形状に切断,成形し、最終製品の形状を得る工程順で
あったためであり、外部リードの断面部分には外装はん
だめっきを施すことができなかった。この従来のガルウ
ィングリード型半導体装置の外部リード素材としては、
鉄−ニッケル合金または銅系合金を用いるのが一般的で
製品が熱履歴を受けた場合には容易に酸化し、外部リー
ド先端断面部には実装時にはんだがなじみにくく充分な
フィレットが形成されないという問題があった。
【0003】このような問題を解決する技術として「特
開平4−368157号公報」がある。このガルウィン
グリード型半導体装置の製造方法は、リードフレームの
外部リード先端部に切り欠きを設ける工程と、樹脂封止
後にこの切り欠きを含むリードフレームの露出部に外装
はんだめっきを施す工程とを有する。具体的には、図3
に示すように、外部リード1aの両側面に切り欠き2が
設けられ、外装半田めっきは切り欠き2の凹面にも施さ
れている。従って、図4に示すように、切断,曲げ加工
を行った外部リード1aの先端部断面はa部に半田めっ
きが施され、b部のみリードフレーム素材が露出した構
造となる。
【0004】なお、ガルウィングリード型半導体装置を
プリント基板に実装した際に外部リード先端の半田フィ
レットが重要なのは、接続強度というよりも外観検査の
ためである。接続強度を決定しているのは、図5に示す
外部リード1aの後方部に形成される半田フィレットで
あるが、実装後の確認は不可能である。そこで、肉眼検
査,自動外観検査のいずれにおいても外部リード1aの
先端部4の半田フィレットでプリント基板との接続状態
を確認しているのが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この「特開平4−36
8157号公報」の従来技術には以下に列挙するような
問題点がある。
【0006】(1)外部リード先端面の断面積の50%
に外装めっきを施すためには、図3に示す切り欠き2の
存在する部分のリード断面積は50%となり強度が弱く
なる。
【0007】(2)図4に示すように、外部リード1a
の先端部断面の中央部のb部の切断面にリードフレーム
素材が露出しているため、プリント基板に実装した際の
半田フィレット形状がゆがんだものとなり、肉眼,自動
外観検査のいずれにおいても良否判定に時間がかかる。
【0008】(3)外部リードを切断する際の切断精度
が高くないと、切断により図4に示すa部の半田めっき
が削り落とされてしまうことがある。
【0009】本発明の目的は、肉眼,自動外観検査が容
易で外部リードの切断により半田めっきが削り落される
ことのない接続信頼性の高いリードフレーム及びそれを
用いた半導体装置とその製造方法を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにお
いて、前記半導体装置の外部リードが前記封止樹脂の周
縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第1の外部リ
ードと、この第1の外部リードの長手方向の中心線に対
して45°斜め方向に伸びた中心線を備えた幅が前記第
1のリードよりも狭い第2の外部リードとを有すること
を特徴とする。
【0011】本発明の半導体装置は、外装めっきが施さ
れた外部リードを有する樹脂封止型の半導体装置におい
て、前記外部リードの先端部が、前記外部リードの長手
方向の中心線に対して垂直で外装めっきが施された断面
と、この断面に対して斜方向に傾斜して形成され前記外
部リードの素材が露出した断面とを有することを特徴と
する。
【0012】本発明の半導体装置の製造方法は、封止樹
脂の周縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第1の
外部リードとこの第1の外部リードの長手方向の中心線
に対して斜め方向に伸びた中心線を有する第2の外部リ
ードを備えたリードフレームを成形する工程と、このリ
ードフレームに半導体素子を搭載し樹脂封止する工程
と、前記第1の外部リードと前記第2の外部リードに外
装めっきを施す工程と、前記第1の外部リードと前記第
2の外部リードとの接続面でこの第2の外部リードの中
心線と垂直に切断し前記第2の外部リードを分離する工
程とを含むことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
【0014】図1(A),(B)は本発明の第1の実施
の形態のリードフレームの外部リードの平面図及び切断
線lで切断後の第1の外部リード先端部の斜視図であ
る。本発明の第1の実施の形態のリードフレームは、図
1に示すように、幅が0.2mmの第1の外部リード1
と、第1の外部リード1に対して45°斜め方向に伸び
た幅が0.14mmの第2の外部リード11とを有す
る。ここでは、第1の外部リード1先端部Cの幅は0.
1mmとなる。
【0015】この図1(A)の第1,第2の外部リード
1,11を有するリードフレームに半導体素子を搭載
し、樹脂封止した後外装めっきを施す。次に、切断線l
にて切断し、第1の外部リード1と第2の外部リード1
1を分離すると第1の外部リード1の先端部は図1
(B)に示すようになる。すなわち、第1の外部リード
1のeの部分には半田めっきが施され、dの部分ではリ
ードフレームの素材が露出する。第1の外部リード1の
先端部をこのように構成することにより、第2の外部リ
ード11が45°斜方向に伸びるように形成されている
ので、第1の外部リード1先端部のeの部分の幅を図4
に示した従来の外部リードのaの部分の幅よりも広くで
き、かつ切断線lからの切断ずれが生じても半田めっき
を削り落すことがない接続信頼性の高い本発明の実施の
形態の半導体装置が得られる。
【0016】図2は本発明の第2の実施の形態のリード
フレームの外部リードの平面図である。本発明の第2の
実施の形態のリードフレームの第2の外部リード11は
隣接する第1の外部リード1の各々に45°斜め方向に
傾斜して接続され、第1の外部リード1の各々は隣接す
る半導体装置の各々に接続されている。リードフレーム
をこのように構成することにより、リードフレームの使
用面積を小さくでき、材料を低減できるという利点があ
る。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レームの外部リードを途中からななめ方向に伸ばし、外
部リードをななめに切断することにより、従来技術には
ない以下に列挙する効果を有する。
【0018】(1)外部リードを必要以上に細くする必
要がなく強度が保たれる。
【0019】(2)プリント基板に実装した際に外部リ
ード先端に形成される半田フィレット形状が単純になり
良否判定が容易となり接続信頼性が向上する。
【0020】(3)外部リードを切断する際に切断ずれ
が生じても、外部リード先端の半田めっきが削り落とさ
れることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A),(B)は本発明の第1の実施の形態の
リードフレームの外部リードの平面図及び切断線lで切
断後の第1の外部リード先端部の斜視図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態のリードフレームの
外部リードの平面図である。
【図3】従来のリードフレームの外部リードの一例の平
面図である。
【図4】図3のリードフレームめっき,切断後の外部リ
ード先端部の斜視図である。
【図5】従来のガルウィングリードの一例の斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 第1の外部リード 1a 外部リード 2 切り欠き 3 後方部 4 先端部 11 第2の外部リード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止型半導体装置に用いるリードフ
    レームにおいて、前記半導体装置の外部リードが前記封
    止樹脂の周縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第
    1の外部リードと、この第1の外部リードの長手方向の
    中心線に対して斜め方向に伸びた中心線を備えた第2の
    外部リードとを有することを特徴とするリードフレー
    ム。
  2. 【請求項2】 前記第1の外部リードと前記第2の外部
    リードを各々の中心線が45°の傾斜をもって交差する
    ように配置したことを特徴とする請求項1記載のリード
    フレーム。
  3. 【請求項3】 前記第2の外部リードの幅が第1の外部
    リードの幅よりも狭いことを特徴とする請求項1記載の
    リードフレーム。
  4. 【請求項4】 外装めっきが施された外部リードを有す
    る樹脂封止型の半導体装置において、前記外部リードの
    先端部が、前記外部リードの長手方向の中心線に対して
    垂直で外装めっきが施された断面と、この断面に対して
    斜方向に傾斜して形成され前記外部リードの素材が露出
    した断面とを有することを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項5】 封止樹脂の周縁に対して長手方向の中心
    線が垂直となる第1の外部リードとこの第1の外部リー
    ドの長手方向の中心線に対して斜め方向に伸びた中心線
    を有する第2の外部リードを備えたリードフレームを成
    形する工程と、このリードフレームに半導体素子を搭載
    し樹脂封止する工程と、前記第1の外部リードと前記第
    2の外部リードに外装めっきを施す工程と、前記第1の
    外部リードと前記第2の外部リードとの接続面でこの第
    2の外部リードの中心線と垂直に切断し前記第2の外部
    リードを分離する工程とを含むことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
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