JP2757839B2 - リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2757839B2 JP2757839B2 JP7282932A JP28293295A JP2757839B2 JP 2757839 B2 JP2757839 B2 JP 2757839B2 JP 7282932 A JP7282932 A JP 7282932A JP 28293295 A JP28293295 A JP 28293295A JP 2757839 B2 JP2757839 B2 JP 2757839B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- lead
- external
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に用いるリードフレーム及びそれを用いた半導体装
置の製造方法に関し、特にガルウィング型半導体装置に
用いるリードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
装置に用いるリードフレーム及びそれを用いた半導体装
置の製造方法に関し、特にガルウィング型半導体装置に
用いるリードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のガルウィングリード型半導体装置
のリードフレームの外部リード先端断面には外装めっき
が形成されず、外部リード素材が露出する構造であっ
た。その理由は、樹脂封止したリードフレームの状態の
まま外装はんだめっきを施し、その後外部リードを必要
な形状に切断，成形し、最終製品の形状を得る工程順で
あったためであり、外部リードの断面部分には外装はん
だめっきを施すことができなかった。この従来のガルウ
ィングリード型半導体装置の外部リード素材としては、
鉄−ニッケル合金または銅系合金を用いるのが一般的で
製品が熱履歴を受けた場合には容易に酸化し、外部リー
ド先端断面部には実装時にはんだがなじみにくく充分な
フィレットが形成されないという問題があった。
のリードフレームの外部リード先端断面には外装めっき
が形成されず、外部リード素材が露出する構造であっ
た。その理由は、樹脂封止したリードフレームの状態の
まま外装はんだめっきを施し、その後外部リードを必要
な形状に切断，成形し、最終製品の形状を得る工程順で
あったためであり、外部リードの断面部分には外装はん
だめっきを施すことができなかった。この従来のガルウ
ィングリード型半導体装置の外部リード素材としては、
鉄−ニッケル合金または銅系合金を用いるのが一般的で
製品が熱履歴を受けた場合には容易に酸化し、外部リー
ド先端断面部には実装時にはんだがなじみにくく充分な
フィレットが形成されないという問題があった。
【０００３】このような問題を解決する技術として「特
開平４−３６８１５７号公報」がある。このガルウィン
グリード型半導体装置の製造方法は、リードフレームの
外部リード先端部に切り欠きを設ける工程と、樹脂封止
後にこの切り欠きを含むリードフレームの露出部に外装
はんだめっきを施す工程とを有する。具体的には、図３
に示すように、外部リード１ａの両側面に切り欠き２が
設けられ、外装半田めっきは切り欠き２の凹面にも施さ
れている。従って、図４に示すように、切断，曲げ加工
を行った外部リード１ａの先端部断面はａ部に半田めっ
きが施され、ｂ部のみリードフレーム素材が露出した構
造となる。
開平４−３６８１５７号公報」がある。このガルウィン
グリード型半導体装置の製造方法は、リードフレームの
外部リード先端部に切り欠きを設ける工程と、樹脂封止
後にこの切り欠きを含むリードフレームの露出部に外装
はんだめっきを施す工程とを有する。具体的には、図３
に示すように、外部リード１ａの両側面に切り欠き２が
設けられ、外装半田めっきは切り欠き２の凹面にも施さ
れている。従って、図４に示すように、切断，曲げ加工
を行った外部リード１ａの先端部断面はａ部に半田めっ
きが施され、ｂ部のみリードフレーム素材が露出した構
造となる。
【０００４】なお、ガルウィングリード型半導体装置を
プリント基板に実装した際に外部リード先端の半田フィ
レットが重要なのは、接続強度というよりも外観検査の
ためである。接続強度を決定しているのは、図５に示す
外部リード１ａの後方部に形成される半田フィレットで
あるが、実装後の確認は不可能である。そこで、肉眼検
査，自動外観検査のいずれにおいても外部リード１ａの
先端部４の半田フィレットでプリント基板との接続状態
を確認しているのが一般的である。
プリント基板に実装した際に外部リード先端の半田フィ
レットが重要なのは、接続強度というよりも外観検査の
ためである。接続強度を決定しているのは、図５に示す
外部リード１ａの後方部に形成される半田フィレットで
あるが、実装後の確認は不可能である。そこで、肉眼検
査，自動外観検査のいずれにおいても外部リード１ａの
先端部４の半田フィレットでプリント基板との接続状態
を確認しているのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この「特開平４−３６
８１５７号公報」の従来技術には以下に列挙するような
問題点がある。
８１５７号公報」の従来技術には以下に列挙するような
問題点がある。
【０００６】（１）外部リード先端面の断面積の５０％
に外装めっきを施すためには、図３に示す切り欠き２の
存在する部分のリード断面積は５０％となり強度が弱く
なる。
に外装めっきを施すためには、図３に示す切り欠き２の
存在する部分のリード断面積は５０％となり強度が弱く
なる。
【０００７】（２）図４に示すように、外部リード１ａ
の先端部断面の中央部のｂ部の切断面にリードフレーム
素材が露出しているため、プリント基板に実装した際の
半田フィレット形状がゆがんだものとなり、肉眼，自動
外観検査のいずれにおいても良否判定に時間がかかる。
の先端部断面の中央部のｂ部の切断面にリードフレーム
素材が露出しているため、プリント基板に実装した際の
半田フィレット形状がゆがんだものとなり、肉眼，自動
外観検査のいずれにおいても良否判定に時間がかかる。
【０００８】（３）外部リードを切断する際の切断精度
が高くないと、切断により図４に示すａ部の半田めっき
が削り落とされてしまうことがある。
が高くないと、切断により図４に示すａ部の半田めっき
が削り落とされてしまうことがある。
【０００９】本発明の目的は、肉眼，自動外観検査が容
易で外部リードの切断により半田めっきが削り落される
ことのない接続信頼性の高いリードフレームでかつリー
ドフレームの使用面積が小さく、材料を低減できるリー
ドフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することにある。
易で外部リードの切断により半田めっきが削り落される
ことのない接続信頼性の高いリードフレームでかつリー
ドフレームの使用面積が小さく、材料を低減できるリー
ドフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにお
いて、前記半導体装置の外部リードが前記封止樹脂の周
縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第１の外部リ
ードと、この第１の外部リードの長手方向の中心線に対
して４５°斜め方向に伸びた中心線を備えた幅が前記第
１のリードよりも狭い第２の外部リードとを有してお
り、かつこの第２の外部リードは隣接する半導体装置の
第１の外部リードとも接続されていることを特徴とす
る。
は、樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームにお
いて、前記半導体装置の外部リードが前記封止樹脂の周
縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第１の外部リ
ードと、この第１の外部リードの長手方向の中心線に対
して４５°斜め方向に伸びた中心線を備えた幅が前記第
１のリードよりも狭い第２の外部リードとを有してお
り、かつこの第２の外部リードは隣接する半導体装置の
第１の外部リードとも接続されていることを特徴とす
る。
【００１１】本発明のリードフレームを用いた半導体装
置は、外装めっきが施された外部リードを有する樹脂封
止型の半導体装置において、前記外部リードの先端部
が、前記外部リードの長手方向の中心線に対して垂直で
外装めっきが施された断面と、この断面に対して斜方向
に傾斜して形成され前記外部リードの素材が露出した断
面とを有している。
置は、外装めっきが施された外部リードを有する樹脂封
止型の半導体装置において、前記外部リードの先端部
が、前記外部リードの長手方向の中心線に対して垂直で
外装めっきが施された断面と、この断面に対して斜方向
に傾斜して形成され前記外部リードの素材が露出した断
面とを有している。
【００１２】本発明の半導体装置の製造方法は、封止樹
脂の周縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第１の
外部リードとこの第１の外部リードの長手方向の中心線
に対して斜め方向に伸びた中心線を有し隣接する半導体
装置の第１の外部リードとも接続されている第２の外部
リードを備えたリードフレームを成形する工程と、この
リードフレームに半導体素子を搭載し樹脂封止する工程
と、前記第１の外部リードと前記第２の外部リードに外
装めっきを施す工程と、前記第１の外部リードと前記第
２の外部リードとの接続面でこの第２の外部リードの中
心線と垂直に切断し前記第２の外部リードを分離する工
程とを含むことを特徴とする。
脂の周縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第１の
外部リードとこの第１の外部リードの長手方向の中心線
に対して斜め方向に伸びた中心線を有し隣接する半導体
装置の第１の外部リードとも接続されている第２の外部
リードを備えたリードフレームを成形する工程と、この
リードフレームに半導体素子を搭載し樹脂封止する工程
と、前記第１の外部リードと前記第２の外部リードに外
装めっきを施す工程と、前記第１の外部リードと前記第
２の外部リードとの接続面でこの第２の外部リードの中
心線と垂直に切断し前記第２の外部リードを分離する工
程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１４】図１（Ａ），（Ｂ）は本発明に関連するリ
ードフレームの外部リードの平面図及び切断線ｌで切断
後の第１の外部リード先端部の斜視図である。このリー
ドフレームは、図１に示すように、幅が０．２ｍｍの第
１の外部リード１と、第１の外部リード１に対して４５
°斜め方向に伸びた幅が０．１４ｍｍの第２の外部リー
ド１１とを有する。ここでは、第１の外部リード１先端
部Ｃの幅は０．１ｍｍとなる。
ードフレームの外部リードの平面図及び切断線ｌで切断
後の第１の外部リード先端部の斜視図である。このリー
ドフレームは、図１に示すように、幅が０．２ｍｍの第
１の外部リード１と、第１の外部リード１に対して４５
°斜め方向に伸びた幅が０．１４ｍｍの第２の外部リー
ド１１とを有する。ここでは、第１の外部リード１先端
部Ｃの幅は０．１ｍｍとなる。
【００１５】この図１（Ａ）の第１，第２の外部リード
１，１１を有するリードフレームに半導体素子を搭載
し、樹脂封止した後外装めっきを施す。次に、切断線ｌ
にて切断し、第１の外部リード１と第２の外部リード１
１を分離すると第１の外部リード１の先端部は図１
（Ｂ）に示すようになる。すなわち、第１の外部リード
１のｅの部分には半田めっきが施され、ｄの部分ではリ
ードフレームの素材が露出する。第１の外部リード１の
先端部をこのように構成することにより、第２の外部リ
ード１１が４５°斜方向に伸びるように形成されている
ので、第１の外部リード１先端部のｅの部分の幅を図４
に示した外部リードのａの部分の幅よりも広くでき、か
つ切断線ｌからの切断ずれが生じても半田めっきを削り
落すことがない接続信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
１，１１を有するリードフレームに半導体素子を搭載
し、樹脂封止した後外装めっきを施す。次に、切断線ｌ
にて切断し、第１の外部リード１と第２の外部リード１
１を分離すると第１の外部リード１の先端部は図１
（Ｂ）に示すようになる。すなわち、第１の外部リード
１のｅの部分には半田めっきが施され、ｄの部分ではリ
ードフレームの素材が露出する。第１の外部リード１の
先端部をこのように構成することにより、第２の外部リ
ード１１が４５°斜方向に伸びるように形成されている
ので、第１の外部リード１先端部のｅの部分の幅を図４
に示した外部リードのａの部分の幅よりも広くでき、か
つ切断線ｌからの切断ずれが生じても半田めっきを削り
落すことがない接続信頼性の高い半導体装置が得られ
る。
【００１６】図２は本発明の実施形態のリードフレーム
の外部リードの平面図である。本発明の実施の形態のリ
ードフレームは，第１の外部リード１と、第１の外部リ
ード１に対して４５°斜め方向に伸びた第２の外部リー
ド１１とを有し、この第２の外部リード１１は隣接する
半導体装置の各々に接続される第１の外部リード１の各
々に４５°斜め方向に傾斜して接続されている。リード
フレームをこのように構成することにより、リードフレ
ームの使用面積を小さくでき、材料を低減できるという
利点がある。
の外部リードの平面図である。本発明の実施の形態のリ
ードフレームは，第１の外部リード１と、第１の外部リ
ード１に対して４５°斜め方向に伸びた第２の外部リー
ド１１とを有し、この第２の外部リード１１は隣接する
半導体装置の各々に接続される第１の外部リード１の各
々に４５°斜め方向に傾斜して接続されている。リード
フレームをこのように構成することにより、リードフレ
ームの使用面積を小さくでき、材料を低減できるという
利点がある。
【００１７】図２に示される第１，第２の外部リード
１，１１を有する本発明の実施形態のリードフレームに
半導体素子を搭載し、樹脂封止した後外装めっきを施
す。次に、切断線ｌにて切断し、第１の外部リード１と
第２の外部リード１１を分離すると第１の外部リード１
の先端部は、図１（Ｂ）に示される本発明に関連するリ
ードフレームの先端部と全く同じ形状になる。したがっ
て、本発明の実施形態のリードフレームにおいても、改
めて図示してはいないが、本発明に関連するリードフレ
ームの外部リードを切断線ｌで切断後の第１の外部リー
ドの先端部の斜視図である図１（Ｂ）に示される第１の
外部リード１の先端部のｅの部分に相当する部分の幅を
図４に示した外部リードのａの部分の幅よりも広くで
き、且つ切断線ｌからの切断ずれが生じても半田メッキ
を削り落とすことがない接続信頼性の高い半導体装置が
得られる。
１，１１を有する本発明の実施形態のリードフレームに
半導体素子を搭載し、樹脂封止した後外装めっきを施
す。次に、切断線ｌにて切断し、第１の外部リード１と
第２の外部リード１１を分離すると第１の外部リード１
の先端部は、図１（Ｂ）に示される本発明に関連するリ
ードフレームの先端部と全く同じ形状になる。したがっ
て、本発明の実施形態のリードフレームにおいても、改
めて図示してはいないが、本発明に関連するリードフレ
ームの外部リードを切断線ｌで切断後の第１の外部リー
ドの先端部の斜視図である図１（Ｂ）に示される第１の
外部リード１の先端部のｅの部分に相当する部分の幅を
図４に示した外部リードのａの部分の幅よりも広くで
き、且つ切断線ｌからの切断ずれが生じても半田メッキ
を削り落とすことがない接続信頼性の高い半導体装置が
得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
型半導体装置の外部リードが封止樹脂の周縁にたいして
長手方向の中心線が垂直となるリードフレームの第１の
外部リードと、この第１の外部リードの長手方向の中心
線に対してななめ方向に伸びた 第２の外部リードを有し
ており、このななめ方向に伸ばした第２の外部リードを
隣接するする半導体装置の第１の外部リードと接続し、
またこのリードフレームを用いた半導体装置の組立完了
後前記第２の外部リードを前記第１の外部リードとの境
界部で第２の外部リードの中心線に対して垂直に切断す
ることにより、従来技術にはない以下に列挙する効果を
有する。
型半導体装置の外部リードが封止樹脂の周縁にたいして
長手方向の中心線が垂直となるリードフレームの第１の
外部リードと、この第１の外部リードの長手方向の中心
線に対してななめ方向に伸びた 第２の外部リードを有し
ており、このななめ方向に伸ばした第２の外部リードを
隣接するする半導体装置の第１の外部リードと接続し、
またこのリードフレームを用いた半導体装置の組立完了
後前記第２の外部リードを前記第１の外部リードとの境
界部で第２の外部リードの中心線に対して垂直に切断す
ることにより、従来技術にはない以下に列挙する効果を
有する。
【００１９】（１）外部リードを必要以上に細くする必
要がなく強度が保たれる。かつ、リードフレームの使用
面積を小さくでき、リードフレームの材料を低減でき
る。
要がなく強度が保たれる。かつ、リードフレームの使用
面積を小さくでき、リードフレームの材料を低減でき
る。
【００２０】（２）プリント基板に実装した際に外部リ
ード先端に形成される半田フィレット形状が単純になり
良否判定が容易となり接続信頼性が向上する。
ード先端に形成される半田フィレット形状が単純になり
良否判定が容易となり接続信頼性が向上する。
【００２１】（３）外部リードを切断する際に切断ずれ
が生じても、外部リード先端の半田めっきが削り落とさ
れることがない。
が生じても、外部リード先端の半田めっきが削り落とさ
れることがない。
【図１】（Ａ）は、本発明の関連技術のもののリードフ
レームの外部リードの平面図であり、（Ｂ）は、図１
（Ａ）及び図２の切断線ｌで切断後の第１の外部リード
先端部の斜視図である。
レームの外部リードの平面図であり、（Ｂ）は、図１
（Ａ）及び図２の切断線ｌで切断後の第１の外部リード
先端部の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態のリードフレームの外部リー
ドの平面図である。
ドの平面図である。
【図３】従来のリードフレームの外部リードの一例の平
面図である。
面図である。
【図４】図３のリードフレームめっき，切断後の外部リ
ード先端部の斜視図である。
ード先端部の斜視図である。
【図５】従来のガルウィングリードの一例の斜視図であ
る。
る。
１ 第１の外部リード １ａ 外部リード ２ 切り欠き ３ 後方部 ４ 先端部 １１ 第２の外部リード
Claims (4)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置に用いるリードフ
レームにおいて、前記半導体装置の外部リードが前記封
止樹脂の周縁に対して長手方向の中心線が垂直となる第
１の外部リードと、この第１の外部リードの長手方向の
中心線に対して斜め方向に伸びた中心線を備えた第２の
外部リードとを有しており、かつこの第２の外部リード
は隣接する半導体装置の第１の外部リードとも接続され
ていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項２】 前記第１の外部リードと前記第２の外部
リードを各々の中心線が４５°の傾斜をもって交差する
ように配置したことを特徴とする請求項１記載のリード
フレーム。 - 【請求項３】 前記第２の外部リードの幅が第１の外部
リードの幅よりも狭いことを特徴とする請求項１記載の
リードフレーム。 - 【請求項４】 封止樹脂の周縁に対して長手方向の中心
線が垂直となる第１の外部リードとこの第１の外部リー
ドの長手方向の中心線に対して斜め方向に伸びた中心線
を有し隣接する半導体装置の第１の外部リードとも接続
されている第２の外部リードを備えたリードフレームを
成形する工程と、このリードフレームに半導体素子を搭
載し樹脂封止する工程と、前記第１の外部リードと前記
第２の外部リードに外装めっきを施す工程と、前記第１
の外部リードと前記第２の外部リードとの接続面でこの
第２の外部リードの中心線と垂直に切断し前記第２の外
部リードを分離する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282932A JP2757839B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282932A JP2757839B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129805A JPH09129805A (ja) | 1997-05-16 |
| JP2757839B2 true JP2757839B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17658988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282932A Expired - Lifetime JP2757839B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757839B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077189A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 照明装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688835B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 도금 리드선을 포함하는 기판의 가공 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864743A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Sony Corp | リードフレームとこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP7282932A patent/JP2757839B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011077189A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09129805A (ja) | 1997-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5471097A (en) | Resin encapsulated semiconductor device with an electrically insulating support and distortion preventing member | |
| KR19990031914A (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
| EP1020913A2 (en) | Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and fabrication process therefor | |
| JP2757839B2 (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2800691B2 (ja) | 回路基板の接続構造 | |
| JPS62200749A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2586352B2 (ja) | 半導体装置用リード切断装置 | |
| JP2648353B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2851791B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2934372B2 (ja) | 面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JPS63250163A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH04171855A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2991174B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその半導体装置の製造方法 | |
| JP3201022B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH046859A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3853235B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2834192B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH04171854A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0574996A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS62169354A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH04162466A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0555433A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04326755A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002094125A (ja) | リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄ装置 | |
| JPH09116080A (ja) | リード端子及びそれに用いるリードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980210 |