JP3201022B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JP3201022B2 JP3201022B2 JP32312792A JP32312792A JP3201022B2 JP 3201022 B2 JP3201022 B2 JP 3201022B2 JP 32312792 A JP32312792 A JP 32312792A JP 32312792 A JP32312792 A JP 32312792A JP 3201022 B2 JP3201022 B2 JP 3201022B2
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- Japan
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- lead frame
- lead
- leads
- insulator
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームのリード
側面に絶縁体を設けることにより、高精細で多ピン化、
狭ピッチ化されたリードフレームの信頼性を向上させる
と共に、リード側面の絶縁体によりリード先端部を接続
することによって、多ピン化されたリードの位置精度を
向上させ、集積回路の実装を容易にするリードフレーム
を提供するものである。
側面に絶縁体を設けることにより、高精細で多ピン化、
狭ピッチ化されたリードフレームの信頼性を向上させる
と共に、リード側面の絶縁体によりリード先端部を接続
することによって、多ピン化されたリードの位置精度を
向上させ、集積回路の実装を容易にするリードフレーム
を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リードフレームのリード間に
は、絶縁体を形成することはなく、集積回路実装後にパ
ッケージングする際に、モールド樹脂によってリード間
の絶縁を保っていた。また、リード先端の位置精度を確
保するためにリードは絶縁性のテープによって固定され
ている。
は、絶縁体を形成することはなく、集積回路実装後にパ
ッケージングする際に、モールド樹脂によってリード間
の絶縁を保っていた。また、リード先端の位置精度を確
保するためにリードは絶縁性のテープによって固定され
ている。
【０００３】しかしながら昨今ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回
路が急速に多機能化、高密度化する中で、従来の半導体
装置では必要とするリードフレームのピン数が急速に増
加し、さらに高精細化しリードピッチが狭まってくるこ
とに伴い、リード間の信頼性は低下し、また、テープに
よるリードの固定ではリード先端部の位置精度を保てな
くなりつつある。なお、特開昭６０−１６５７４７号公
報でリードフレームの側面部に陽極酸化についての記載
があるが、何れも表面にめっきを施すためであり、その
めっきブリッジを防止するための発明である。このた
め、めっき後この陽極酸化膜は剥離される。また、特開
平２−６９９６６号公報でリードフレームの側面部に感
光性樹脂を用いて形成する記載があるが、何れも表面に
めっきを施すためであり、そのめっきブリッジを防止す
るための発明であり、側面のみに完全な絶縁物質を形成
することは困難である。
路が急速に多機能化、高密度化する中で、従来の半導体
装置では必要とするリードフレームのピン数が急速に増
加し、さらに高精細化しリードピッチが狭まってくるこ
とに伴い、リード間の信頼性は低下し、また、テープに
よるリードの固定ではリード先端部の位置精度を保てな
くなりつつある。なお、特開昭６０−１６５７４７号公
報でリードフレームの側面部に陽極酸化についての記載
があるが、何れも表面にめっきを施すためであり、その
めっきブリッジを防止するための発明である。このた
め、めっき後この陽極酸化膜は剥離される。また、特開
平２−６９９６６号公報でリードフレームの側面部に感
光性樹脂を用いて形成する記載があるが、何れも表面に
めっきを施すためであり、そのめっきブリッジを防止す
るための発明であり、側面のみに完全な絶縁物質を形成
することは困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題を解決するために成されたもので、その目的は多
ピン化、狭ピッチ化、そして高精細化されたリードフレ
ームのリード間の信頼性を向上すると共に、リードの位
置精度を高め、集積回路の実装を容易にするリードフレ
ームを提供するものである。
な問題を解決するために成されたもので、その目的は多
ピン化、狭ピッチ化、そして高精細化されたリードフレ
ームのリード間の信頼性を向上すると共に、リードの位
置精度を高め、集積回路の実装を容易にするリードフレ
ームを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段は、すなわち、リードフレーム
の側面に絶縁体を設けることにより、多ピン化、狭ピッ
チ化されたリードフレームのリード間の絶縁性を高め、
リード間の信頼性を向上すると共に、リード側面に形成
された絶縁体によってリード間を接続することにより、
リードのバタツキを防止し、リードの位置精度を向上す
るものである。
に本発明が提供する手段は、すなわち、リードフレーム
の側面に絶縁体を設けることにより、多ピン化、狭ピッ
チ化されたリードフレームのリード間の絶縁性を高め、
リード間の信頼性を向上すると共に、リード側面に形成
された絶縁体によってリード間を接続することにより、
リードのバタツキを防止し、リードの位置精度を向上す
るものである。
【０００６】具体的に請求項１では、リードフレームの
リード先端部を含む側面に陽極酸化膜あるいは電着樹脂
を用いた絶縁体を残存させたことを特徴としたリードフ
レームを提供するものである。請求項２では、リード側
面の絶縁体により先端部のリード間が接続されているこ
とを特徴とする請求項１記載のリードフレームを提供す
るものである。
リード先端部を含む側面に陽極酸化膜あるいは電着樹脂
を用いた絶縁体を残存させたことを特徴としたリードフ
レームを提供するものである。請求項２では、リード側
面の絶縁体により先端部のリード間が接続されているこ
とを特徴とする請求項１記載のリードフレームを提供す
るものである。
【０００７】リード側面の絶縁体は、陽極酸化膜あるい
は、電着樹脂を用いて行うので、容易に形成することが
できる。
は、電着樹脂を用いて行うので、容易に形成することが
できる。
【０００８】リード側面の絶縁体の形成方法としては、
エッチングによるリードフレームの製造直後に、エッチ
ングレジストを残したまま陽極酸化あるいは電着を行う
ことによりリード側面にのみ絶縁体を形成することがで
き、またエッチングレジストを剥離することにより通常
のリードフレームと同様に使用することができる。
エッチングによるリードフレームの製造直後に、エッチ
ングレジストを残したまま陽極酸化あるいは電着を行う
ことによりリード側面にのみ絶縁体を形成することがで
き、またエッチングレジストを剥離することにより通常
のリードフレームと同様に使用することができる。
【０００９】リード側面の絶縁体に電着樹脂を用いて、
リード先端部を電着樹脂によって接続することにより、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームのリード先
端部の位置精度を向上することができる。
リード先端部を電着樹脂によって接続することにより、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームのリード先
端部の位置精度を向上することができる。
【００１０】また、リード間を絶縁体で接続した後にリ
ード先端部をカットすることにより、なおいっそうのリ
ード先端部の位置精度の向上が図れる。
ード先端部をカットすることにより、なおいっそうのリ
ード先端部の位置精度の向上が図れる。
【００１１】リードの位置精度を向上することにより、
集積回路の実装時におけるワイヤーボンディング等の接
続不良やリードのバタツキによる短絡不良等を防止する
ことができる。
集積回路の実装時におけるワイヤーボンディング等の接
続不良やリードのバタツキによる短絡不良等を防止する
ことができる。
【００１２】
【作用】本発明のリードフレームを用いることにより、
リード間の絶縁性が向上するため、リード間の信頼性が
向上し、多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームに
対してもリード間の信頼性を保つことができる。
リード間の絶縁性が向上するため、リード間の信頼性が
向上し、多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームに
対してもリード間の信頼性を保つことができる。
【００１３】またリード間を絶縁体により接続すること
により、リードの位置精度を向上することができるた
め、集積回路実装時の接続不良ならびにリードのバタツ
キによる短絡不良等を防止することができる。
により、リードの位置精度を向上することができるた
め、集積回路実装時の接続不良ならびにリードのバタツ
キによる短絡不良等を防止することができる。
【００１４】絶縁体をリード側面部にのみ形成するた
め、通常のリードフレームと同様に扱うことができる。
め、通常のリードフレームと同様に扱うことができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に
説明する。図１は本発明に係わるリードフレームの一実
施例を平面で示す説明図である。また、図２および図３
はリードフレームの断面形状を示す断面図である。図４
から図８は、本実施例に関する製造工程を示す断面図で
ある。
説明する。図１は本発明に係わるリードフレームの一実
施例を平面で示す説明図である。また、図２および図３
はリードフレームの断面形状を示す断面図である。図４
から図８は、本実施例に関する製造工程を示す断面図で
ある。
【００１６】はじめに従来通りエッチングレジスト３の
コーティングおよびパターニングを行い、エッチングに
よってリードフレーム２の形成を行う（図４〜図６）。
次にエッチングレジスト３を残したまま、絶縁体１であ
る電着樹脂を電着することによりリード側面にのみ絶縁
体１を形成することができる（図７）。また、エッチン
グレジスト３を剥離（図８）することにより図１、図
２、図３のようなリード側面に絶縁体１を形成したリー
ドフレーム２を得ることができる。絶縁体１をリード側
面に形成することにより、リード間の信頼性を向上する
ことができ、リード先端部を絶縁体１で接続しているた
め、リードの位置精度を向上させ、集積回路実装時の接
続性を向上することができた。
コーティングおよびパターニングを行い、エッチングに
よってリードフレーム２の形成を行う（図４〜図６）。
次にエッチングレジスト３を残したまま、絶縁体１であ
る電着樹脂を電着することによりリード側面にのみ絶縁
体１を形成することができる（図７）。また、エッチン
グレジスト３を剥離（図８）することにより図１、図
２、図３のようなリード側面に絶縁体１を形成したリー
ドフレーム２を得ることができる。絶縁体１をリード側
面に形成することにより、リード間の信頼性を向上する
ことができ、リード先端部を絶縁体１で接続しているた
め、リードの位置精度を向上させ、集積回路実装時の接
続性を向上することができた。
【００１７】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。上記の実施例と同様にエッチングによってリードフ
レームの形成を行った後、エッチングレジストを残した
まま陽極酸化処理を施すことにより、リード側面を絶縁
することができ、リード間の信頼性を向上することがで
きた。
る。上記の実施例と同様にエッチングによってリードフ
レームの形成を行った後、エッチングレジストを残した
まま陽極酸化処理を施すことにより、リード側面を絶縁
することができ、リード間の信頼性を向上することがで
きた。
【００１８】また、本発明は前記各実施例に限定される
ものではない。
ものではない。
【００１９】以上から、本発明からは次のような種々の
効果が得られるものである。
効果が得られるものである。
【００２０】（ａ）リード側面を絶縁することにより、
リード間の信頼性を高め、多ピン化、狭ピッチ化された
リードフレームに対する信頼性を確保することができ
る。
リード間の信頼性を高め、多ピン化、狭ピッチ化された
リードフレームに対する信頼性を確保することができ
る。
【００２１】（ｂ）リード先端を絶縁体で接続すること
により、リードの位置精度を向上させ、リードのバタツ
キによるリード短絡不良をなくすことができる。
により、リードの位置精度を向上させ、リードのバタツ
キによるリード短絡不良をなくすことができる。
【００２２】（ｃ）リードの位置精度が向上するため
に、集積回路実装時の集積回路との接続性を向上するこ
とができる。
に、集積回路実装時の集積回路との接続性を向上するこ
とができる。
【００２３】（ｄ）リード側面にのみ絶縁体を形成する
ため、通常のリードフレームと同様に扱うことができ
る。
ため、通常のリードフレームと同様に扱うことができ
る。
【００２４】以上により、多ピン化、高精細化されたリ
ードフレームの信頼性を確保でき、半導体装置製造の市
場動向に伴う要求に十分対応することができる。
ードフレームの信頼性を確保でき、半導体装置製造の市
場動向に伴う要求に十分対応することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、リードフレームのリード側面を絶縁することにより
リードフレームの信頼性を確保し、さらに絶縁体による
リード間の接続を行うことによりリードの位置精度を向
上し、集積回路実装時のワイヤーボンディング性を向上
させることができる。またリードの変形によるリードの
短絡不良をなくすことができる。このように本発明は、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームの信頼性を
確保したリードフレームを提供するものである。
ば、リードフレームのリード側面を絶縁することにより
リードフレームの信頼性を確保し、さらに絶縁体による
リード間の接続を行うことによりリードの位置精度を向
上し、集積回路実装時のワイヤーボンディング性を向上
させることができる。またリードの変形によるリードの
短絡不良をなくすことができる。このように本発明は、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームの信頼性を
確保したリードフレームを提供するものである。
【００２６】
【図１】本発明の一実施例に係わるリードフレームの平
面図である。
面図である。
【図２】図１のリードフレームの断面図である。
【図３】別な実施例のリードフレームの断面図である。
【図４】図１のリードフレームの製造工程におけるエッ
チングレジストパターン化前を示す断面図である。
チングレジストパターン化前を示す断面図である。
【図５】図１のリードフレームの製造工程におけるエッ
チングレジストパターン化後を示す断面図である。
チングレジストパターン化後を示す断面図である。
【図６】図１のリードフレームの製造工程におけるリー
ドフレームエッチング後を示す断面図である。
ドフレームエッチング後を示す断面図である。
【図７】図１のリードフレームの製造工程における樹脂
電着後を示す断面図である。
電着後を示す断面図である。
【図８】図１のリードフレームの製造工程における完成
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１・・・絶縁体 ２・・・リードフレーム ３・・・エッチングレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレームのリード先端部を含む側面
に陽極酸化膜あるいは電着樹脂を用いた絶縁体を残存さ
せたことを特徴としたリードフレーム。 - 【請求項２】リード側面の絶縁体により先端部のリード
間が接続されていることを特徴とする請求項１記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32312792A JP3201022B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32312792A JP3201022B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177304A JPH06177304A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3201022B2 true JP3201022B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18151393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32312792A Expired - Fee Related JP3201022B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201022B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601891B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2006-07-19 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| IT201900009585A1 (it) * | 2019-06-20 | 2020-12-20 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente |
| WO2022224340A1 (ja) * | 2021-04-20 | 2022-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP32312792A patent/JP3201022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177304A (ja) | 1994-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |